半导体器件制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；采用炉管工艺，在所述衬底上形成第一栅氧化层；采用热氧化工艺，基于所述衬底靠近所述第一栅氧化层的部分，形成第二栅氧化层；其中，所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层共同构成栅氧化层；在所述栅氧化层远离所述衬底的表面形成栅极。2.如权利要求1所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述提供衬底之后，且于所述采用炉管工艺之前，还包括：对所述衬底进行第一型离子注入，以形成阱区；其中，所述第一栅氧化层形成于所述阱区上方。3.如权利要求2所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述在所述栅氧化层远离所述衬底的表面形成栅极之后，所述制备方法还包括：对所述衬底暴露于所述栅极两侧的部分进行源漏掺杂，以分别形成源区和漏区。4.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述采用炉管工艺，在所述衬底上形成第一栅氧化层中，炉管内的温度的取值范围包括：700℃-800℃。5.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述热氧化工艺包括原位水气生成工艺。6.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述第一栅氧化层的厚度大于所述第二栅氧化层的厚度。7.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述采用炉管工艺，在所述衬底上形成第一栅氧化层；采用热氧化工艺，基于所述衬底靠近所述第一栅氧化层的部分，形成第二栅氧化层；在所述栅氧化层远离所述衬底的表面形成栅极，包括：采用炉管工艺在所述衬底上形成第一栅氧化材料层；采用热氧化工艺对所述衬底进行氧化，以于所述衬底靠近所述第一栅氧化材料层的表面形成第二栅氧化材料层；在所述第一栅氧化材料层远离所述衬底的表面形成栅极材料层；将所述栅极材料层、所述第一栅氧化材料层和所述第二栅氧化材料层图形化，以分别形成所述栅极、所述第一栅氧化层和所述第二栅氧化层。8.如权利要求7所述的半导体器件制备方法，其特征在于，形成所述第一栅氧化材料层的步骤和形成所述第二栅氧化材料层的步骤之间的时间间隔不超过12小时。9.如权利要求1~3中任一项所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述在所述栅氧化层远离所述衬底的表面形成栅极之后，所述制备方法还包括：在所述栅氧化层及所述栅极的侧壁形成侧墙材料层；刻蚀所述侧墙材料层，形成侧墙。10.如权利要求9所述的半导体器件制备方法，其特征在于，所述形成侧墙之后，所述制备方法还包括：对所述衬底暴露于所述侧墙外侧的部分进行第二型离子注入，以形成接触区。

技术总结
本公开涉及一种半导体器件制备方法。所述半导体器件制备方法，包括以下步骤：提供衬底；采用炉管工艺，在衬底上形成第一栅氧化层；采用热氧化工艺，基于衬底靠近第一栅氧化层的部分，形成第二栅氧化层；其中，第一栅氧化层和第二栅氧化层共同构成栅氧化层。在栅氧化层远离衬底的表面形成栅极。上述半导体器件制备方法中，既保证了可以制备所需的栅氧化层厚度，又保证了衬底表面的栅氧化层具有相当高的质量，进而减小了半导体器件的热载流子效应，使得半导体器件的性能达到最佳化。此外，由于衬底表面的栅氧化层是热氧化工艺制备的，故栅氧化层的均匀性好，有利于提高半导体器件的耐压能力。力。力。


技术研发人员：叶家明 李庆民 林滔天 葛成海 祝进专
受保护的技术使用者：合肥新晶集成电路有限公司
技术研发日：2022.06.09
技术公布日：2022/7/8