耐腐蚀铜箔及铜箔胶带的制作方法

1.本实用新型涉及铜箔领域，尤其涉及一种耐腐蚀铜箔及铜箔胶带。


背景技术：

2.现有的铜箔主要用于pcb板制程中，作为pcb的导电体。但将用于pcb板中的铜箔加装到无线充电部件中时，存在如下问题：在无线充电部件中，铜箔的表面需要贴合纳米晶复合材料，由于纳米晶复合材料具有腐蚀性，因此，其会腐蚀铜箔表面，影响产品的正常运行。


技术实现要素：

3.为了克服现有技术中的缺陷，本实用新型实施例提供了一种耐腐蚀铜箔及铜箔胶带，该铜箔导电性好，具有较强的耐腐蚀能力，可防止被纳米晶复合材料腐蚀。
4.为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种耐腐蚀铜箔，包括铜层，在所述铜层相对的两侧均依次叠设有镀锌层、镀铬层和bta层，12μm≤铜箔的厚度≤75μm；所述铜箔纯度≥99.8％。
5.上述技术方案中，0nm＜镀锌层的厚度≤1nm。
6.上述技术方案中，0.5nm≤镀铬层的厚度≤2nm。
7.上述技术方案中，0nm＜bta层的厚度≤1nm。
8.上述技术方案中，所述铜层为纯度大于99.9％的纯铜箔。
9.上述技术方案中，所述bta层包括苯丙三氮唑。
10.一种铜箔胶带，包括由上至下叠层设置的哑黑印刷层、pet层、丙烯酸压敏胶层与耐腐蚀铜箔，所述耐腐蚀铜箔为上述的耐腐蚀铜箔。
11.由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：
12.1.本实用新型中通过在铜层的表面叠设镀铬层及bta层，将镀铬层与bta层结合，提高铜箔的耐腐蚀性。与通过增加纯镀铬层的厚度相比，镀铬层与bta层的结合降低了生产成本，减少铬对环境的污染，保证铜箔的纯度，即保证铜箔的散热性、导电性。
13.2.在所述铜层表面设镀锌层，提高铜箔的高温抗氧化性，保证其使用于无线充电部件中的高温抗氧化性。
14.为让本实用新型的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1是本实用新型实施例中耐腐蚀铜箔示意图；
17.图2是本实用新型实施例中铜箔胶带示意图。
18.以上附图的附图标记：1、耐腐蚀铜箔；11、铜层；12、镀锌层；13、镀铬层；14、bta层；2、哑黑印刷层；3、pet层；4、丙烯酸压敏胶层。
具体实施方式
19.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
20.实施例一：参见图1所示，一种耐腐蚀铜箔，包括铜层11，在所述铜层11相对的两侧均依次叠设有镀锌层12、镀铬层13和bta层14，12μm≤铜箔的厚度≤75μm；所述铜箔纯度≥99.8％。
21.将所述镀铬层13与所述bta层14结合设于所述铜层11的表面，提高所述铜箔整体的耐腐蚀性，从而防止其被纳米晶复合材料腐蚀。无线充电部件使用过程中，温度会逐渐升高，在所述铜层11的表面设镀锌层12，可增加铜箔的高温抗氧化性，防止铜层11被氧化。
22.优选地，0.5nm≤镀铬层13的厚度≤2nm。与通过增加纯镀铬层13的厚度相比，镀铬层13与bta层14的结合降低了生产成本，减少铬对环境的污染，保证铜箔的纯度，即保证铜箔的散热性、导电性。且由于工艺制程对镀铬层13的厚度的限制，因此，镀铬层13的厚度不能超过2nm。在该厚度下，当铜箔与纳米晶复合材料贴合时，还是会被纳米晶复合材料腐蚀，因此，纯镀铬层13不能满足防腐蚀要求。同样，纯bta层14也存在被纳米晶复合材料腐蚀的现象。进一步优选地，1nm≤镀铬层13的厚度≤2nm。所述镀铬层13可选用铬酸酐。
23.优选地，0nm＜镀锌层12的厚度≤1nm。将所述镀锌层12的厚度设置为1nm以下，与现有pcb板中铜箔表面具有的1nm～4nm厚度的镀锌层12相比，其既保证铜箔具有高温抗氧化性能，又能防止镀锌层12厚度的增加，表面活性增加，与纳米晶复合材料发生反应。所述镀锌层12可选用硫酸锌。
24.0nm＜bta层14的厚度≤1nm。所述bta层14由唑类缓蚀剂、有机醇胺类、表面活性剂、成膜剂、水等组成。所述唑类缓蚀剂为苯丙三氮唑。
25.所述铜层11为纯度大于99.9％的纯铜箔。保证制成的铜箔具有良好的导热性、导电性。
26.一种铜箔胶带，包括由上至下叠层设置的哑黑印刷层2、pet层3、丙烯酸压敏胶层4与耐腐蚀铜箔1，所述耐腐蚀铜箔1为上述的耐腐蚀铜箔1。
27.本实用新型中应用了具体实施例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。


技术特征：
1.一种耐腐蚀铜箔，其特征在于：包括铜层，在所述铜层相对的两侧均依次叠设有镀锌层、镀铬层和bta层，12μm≤铜箔的厚度≤75μm；铜箔纯度≥99.8％。2.根据权利要求1所述的耐腐蚀铜箔，其特征在于：0nm＜镀锌层的厚度≤1nm。3.根据权利要求1所述的耐腐蚀铜箔，其特征在于：0.5nm≤镀铬层的厚度≤2nm。4.根据权利要求1所述的耐腐蚀铜箔，其特征在于：0nm＜bta层的厚度≤1nm。5.根据权利要求1所述的耐腐蚀铜箔，其特征在于：所述铜层为纯度大于99.9％的纯铜箔。6.根据权利要求1所述的耐腐蚀铜箔，其特征在于：所述bta层包括苯丙三氮唑。7.一种铜箔胶带，其特征在于：包括由上至下叠层设置的哑黑印刷层、pet层、丙烯酸压敏胶层与耐腐蚀铜箔，所述耐腐蚀铜箔为权利要求1-6中任一所述的耐腐蚀铜箔。

技术总结
本实用新型公开了一种耐腐蚀铜箔，包括铜层，在所述铜层相对的两侧均依次叠设有镀锌层、镀铬层和BTA层，12μm≤铜箔的厚度≤75μm；所述铜箔纯度≥99.8％。还公开了一种具有上述耐腐蚀铜箔的铜箔胶带。该铜箔导电性好，具有较强的耐腐蚀能力，可防止被纳米晶复合材料腐蚀。腐蚀。腐蚀。


技术研发人员：杨慧达 廖凤兰
受保护的技术使用者：苏州德佑新材料科技股份有限公司
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/7/8