高稳定性水槽型引线框架的制作方法

1.本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及高稳定性水槽型引线框架。


背景技术：

2.封装引线框架是指安装半导体集成电路芯片用的载体，起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用；现有技术中的封装引线框架，结构简单，封装能力有限，在封装一些极限尺寸的芯片时，常常会遇到较大的挑战。
3.传统的引线框架使用环氧胶水装载大尺寸芯片时，芯片与基岛之间的安全距离过小(如＜100um)，常出现溢胶等问题，如图5所示，图中圈出部分为溢胶区域，部分胶溢出基岛；胶量溢出超出基岛，框架/作业轨道易沾污，框架内易造成短路；胶量在芯片底部沾润不足，未填充区的芯片，打线过程易焊不上，同时塑封过程中，塑封料会钻到芯片底部，影响芯片与框架的结合力，还伴随电性和可靠性失效风险。0.45mm以下超薄封装体装载较厚芯片时，在打线键合工艺中，线弧很难控制在目标高度内，极容易造成漏线等问题，如图6所示，图中圈出部分表示焊线漏出塑封体表面的问题。焊线弧高超标，塑封后或激光印字后易产生线弧露出塑封体等问题，直接影响电性和可靠性。


技术实现要素：

4.本实用新型针对以上问题，提供了一种提高芯片安装稳定性和合格率的高稳定性水槽型引线框架。
5.本实用新型的技术方案是：高稳定性水槽型引线框架，包括：
6.连筋半蚀刻区，所述连筋半蚀刻区呈矩形结构，中部镂空；
7.基岛全金属区，所述基岛全金属区设置在所述连筋半蚀刻区内，通过若干连筋一与连筋半蚀刻区连接；
8.基岛正面水槽区，所述基岛正面水槽区位于所述基岛全金属区内，设有用于粘贴芯片的容纳槽；所述容纳槽侧壁设有若干延伸至连筋半蚀刻区的溢胶孔；
9.引脚区，所述引脚区间隔设置在所述基岛全金属区的侧部，通过若干连筋二与连筋半蚀刻区连接；和
10.第一引脚全金属区，所述第一引脚全金属区位于所述引脚区的下方，通过连筋三与连筋半蚀刻区连接。
11.所述引脚区包括引脚半蚀刻区和第二引脚全金属区。
12.所述连筋半蚀刻区设有贯通若干所述溢胶孔的水平出胶孔。
13.所述溢胶孔包括依次连通的水平孔和垂直孔；
14.所述水平孔倾斜设置，将溢出的胶通过斜面顺流至水平出胶孔内。
15.本实用新型包括：连筋半蚀刻区、基岛全金属区、基岛正面水槽区、引脚区和第一引脚全金属区。本案在基岛全金属区的正面设计成一个水槽型的基岛正面水槽区；基岛正面水槽区内侧设有有若干个溢胶孔，溢胶孔通到有效单元外围的连筋上，形成类似连通器
的结构；封装大芯片到基岛正面水槽区上，在采用环氧胶水工艺时，可将胶量调试成充满容纳槽状态，多余胶不会爬上芯片或溢出到基岛全金属区侧面或背面，而是通过溢胶孔排除。本实用新型具有提高芯片安装稳定性和合格率等特点。
附图说明
16.图1是本实用新型的立体结构示意图，
17.图2是本实用新型的侧部结构示意图，
18.图3是本实用新型的平面叠加结构示意图，
19.图4是本实用新型仿真效果示意图，
20.图5是背景技术中溢胶时效果示意图，
21.图6是背景技术中焊线弧高超标时效果示意图；
22.图中1是连筋半蚀刻区，
23.2是基岛全金属区，
24.3是基岛正面水槽区，
25.4是引脚区， 41是引脚半蚀刻区，42是第二引脚全金属区，
26.5是第一引脚全金属区，
27.6是溢胶孔，61是水平孔，62是垂直孔，
28.7是水平出胶孔。
具体实施方式
29.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
30.本实用新型如图1-4所示；高稳定性水槽型引线框架，包括：
31.连筋半蚀刻区1，所述连筋半蚀刻区1呈矩形结构，中部镂空；
32.基岛全金属区2，所述基岛全金属区2设置在所述连筋半蚀刻区1内，通过若干连筋一与连筋半蚀刻区1连接；
33.基岛正面水槽区3，所述基岛正面水槽区3位于所述基岛全金属区2内，正面设有用于粘贴芯片的容纳槽，背面最终电镀锡，参与终端上板；所述容纳槽侧壁设有若干延伸至连筋半蚀刻区1的溢胶孔6；焊接芯片过多的环氧胶水通过溢胶孔6疏导引流出基岛正面水槽区3；
34.引脚区4，所述引脚区4间隔设置在所述基岛全金属区2的侧部，通过若干连筋二与连筋半蚀刻区1连接；和
35.第一引脚全金属区5，所述第一引脚全金属区5位于所述引脚区4的下方，通过连筋三与连筋半蚀刻区1连接。第一引脚全金属区5，正面用于打线键合，背面最终电镀锡，参与终端上板。
36.本案在基岛全金属区2的正面(默认为装芯片的那一面)设计成一个水槽型（本案中所述的容纳槽）的基岛正面水槽区3；基岛正面水槽区3内侧设有有若干个溢胶孔6，溢胶
孔6通到有效单元外围的连筋（连筋半蚀刻区1）上，形成类似连通器的结构；封装大芯片到基岛正面水槽区3上，在采用环氧胶水工艺时，可将胶量调试成充满容纳槽状态，多余胶不会爬上芯片或溢出到基岛全金属区2侧面或背面，而是通过溢胶孔6排除（如图4所示），产品焊接封装后，连筋一、连筋二和连筋三区别切断（图3中矩形虚线部分为切断区域）。
37.所述引脚区4包括引脚半蚀刻区41和第二引脚全金属区42。引脚区4正面打线键合，第二引脚全金属区42背面最终电镀锡，参与终端上板。
38.所述连筋半蚀刻区1设有贯通若干所述溢胶孔6的水平出胶孔7。
39.所述溢胶孔6包括依次连通的水平孔61和垂直孔62；
40.所述水平孔61倾斜设置，将溢出的胶通过斜面顺流至水平出胶孔7内。
41.垂直孔62从连筋半蚀刻区1的正面延伸至水平出胶孔7，在环氧胶水引流过程，可以保证通道气压通畅。
42.对于本案所公开的内容，还有以下几点需要说明：
43.（1）、本案所公开的实施例附图只涉及到与本案所公开实施例所涉及到的结构，其他结构可参考通常设计；
44.（2）、在不冲突的情况下，本案所公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例；
45.以上，仅为本案所公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本案所公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。


技术特征：
1.高稳定性水槽型引线框架，其特征在于，包括：连筋半蚀刻区，所述连筋半蚀刻区呈矩形结构，中部镂空；基岛全金属区，所述基岛全金属区设置在所述连筋半蚀刻区内，通过若干连筋一与连筋半蚀刻区连接；基岛正面水槽区，所述基岛正面水槽区位于所述基岛全金属区内，设有用于粘贴芯片的容纳槽；所述容纳槽侧壁设有若干延伸至连筋半蚀刻区的溢胶孔；引脚区，所述引脚区间隔设置在所述基岛全金属区的侧部，通过若干连筋二与连筋半蚀刻区连接；和第一引脚全金属区，所述第一引脚全金属区位于所述引脚区的下方，通过连筋三与连筋半蚀刻区连接。2.根据权利要求1所述的高稳定性水槽型引线框架，其特征在于，所述引脚区包括引脚半蚀刻区和第二引脚全金属区。3.根据权利要求1所述的高稳定性水槽型引线框架，其特征在于，所述连筋半蚀刻区设有贯通若干所述溢胶孔的水平出胶孔。4.根据权利要求3所述的高稳定性水槽型引线框架，其特征在于，所述溢胶孔包括依次连通的水平孔和垂直孔；所述水平孔倾斜设置，将溢出的胶通过斜面顺流至水平出胶孔内。

技术总结
高稳定性水槽型引线框架。涉及半导体封装技术领域，尤其涉及高稳定性水槽型引线框架。本实用新型包括：连筋半蚀刻区、基岛全金属区、基岛正面水槽区、引脚区和第一引脚全金属区。本案在基岛全金属区的正面设计成一个水槽型的基岛正面水槽区；基岛正面水槽区内侧设有有若干个溢胶孔，溢胶孔通到有效单元外围的连筋上，形成类似连通器的结构；封装大芯片到基岛正面水槽区上，在采用环氧胶水工艺时，可将胶量调试成充满容纳槽状态，多余胶不会爬上芯片或溢出到基岛全金属区侧面或背面，而是通过溢胶孔排除。本实用新型具有提高芯片安装稳定性和合格率等特点。和合格率等特点。和合格率等特点。


技术研发人员：黄超 梁莉敏 李金刚 王毅
受保护的技术使用者：扬州扬杰电子科技股份有限公司
技术研发日：2022.03.07
技术公布日：2022/7/7