用于ICP源的冷却屏蔽体的制作方法

技术特征：
1.一种等离子体处理设备，包括：等离子体室，包括具有外表面的介电壁；感应耦合的等离子体源，被配置为在所述等离子体室中生成等离子体；屏蔽装置，被设置在所述介电壁的所述外表面和所述感应耦合的等离子体源之间，所述屏蔽装置包括：顶环形部分；底环形部分；以及多个热垫，通过一个或多个保持构件接合到顶环形部分和/或底环形部分，其中，所述一个或多个保持构件提供压缩力以抵靠所述介电壁的所述外表面固定所述多个热垫中的一个或多个热垫，其中，所述多个热垫被配置为调节从所述介电壁到所述相应热垫的热通量。2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述顶环形部分、所述底环形部分和/或所述多个热垫包含金属材料。3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述一个或多个保持构件包含金属材料。4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述等离子体处理设备进一步包括从所述顶环形部分延伸到所述底环形部分的一个或多个安装支架，所述安装支架被配置为支撑所述感应耦合的等离子体源，其中，所述一个或多个安装支架包括设置在其中的一个或多个孔口，以减少所述感应耦合的等离子体源的线圈电弧放电。5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述感应耦合的等离子体源包括源线圈组件，所述源线圈组件被配置为围绕所述介电壁的外周制成一个或多个360
°
的匝，其中，所述一个或多个热垫被设置在所述源线圈组件的一匝或多匝与所述介电壁之间。6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述热垫可操作地接合到一个或多个散热器，以从所述一个或多个热垫去除热量。7.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述多个热垫包括设置在其中的一个或多个冷却通道，所述冷却通道被配置为使热交换流体循环以从所述热垫中去除热量。8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备，其中，所述一个或多个冷却通道包括接合到流体入口的第一端和接合到流体出口的第二端，所述流体入口用于将新鲜的热交换流体提供至所述一个或多个冷却通道，所述流体出口用于从所述一个或多个冷却通道去除用过的热交换流体。9.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述一个或多个热垫包括外表面，所述外表面包括被配置为接合所述一个或多个保持构件的顶部和底部，其中，第一保持构件的第一端接合至所述热垫的所述顶部，并且所述第一保持件的第二端接合至所述屏蔽装置的所述顶环形部分，其中，第二保持件的第一端接合到所述热垫的所述底部，并且所述第二保持构件的第二端接合到所述屏蔽体的所述底部，以将所述热垫接合到所述屏蔽装置。10.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，每个所述热垫都是导电的，并且彼此电连通。11.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述一个或多个保持构件是导电的。
12.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述一个或多个保持构件柔性地悬挂所述相应热垫，以使所述热垫在径向上允许更大的弹性挠曲。13.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述一个或多个保持构件将所述相应热垫电连接到参考电位。14.根据权利要求13所述的等离子体处理设备，其中，所述参考电位是地电位。15.根据权利要求13所述的等离子体处理设备，其中，所述参考电位是参考所述多个热垫中的每个热垫的浮动电位。16.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述多个热垫整体表征为相对于所述等离子体源的一个或多个表面在圆周方向上的总宽度，所述总宽度跨越所述介电壁的总周长的至少约60％。17.根据权利要求1所述的等离子体处理设备，其中，所述多个热垫在纵向上的高度大于所述感应耦合的等离子体源的线圈组件在所述纵向上的高度。18.一种等离子体处理系统，包括：等离子体室，包括具有外表面的介电壁；感应耦合的等离子体源，被配置为在所述等离子体室中生成等离子体；屏蔽装置，被设置在所述介电壁的所述外表面和所述感应耦合的等离子体源之间，所述屏蔽装置包括：顶环形部分；底环形部分；以及多个热垫，通过一个或多个保持构件接合到所述顶环形部分和/或所述底环形部分，其中，所述一个或多个保持构件提供压缩力，以抵靠所述介电壁的所述外表面固定所述多个热垫中的一个或多个热垫，其中，所述多个热垫被配置为调节从所述介电壁到所述相应热垫的热通量，其中，所述热垫包括设置在其中的一个或多个冷却通道，所述冷却通道被配置为使热交换流体循环以从所述热垫中去除热量；温度测量系统，被配置为监测所述介电壁的温度；以及控制器，被配置为执行一个或多个操作，所述一个或多个操作包括(i)调节流向所述多个热垫中的一个或多个热垫的热交换流体的流体流量和/或(ii)调节输入到所述感应耦合的等离子体源的功率。19.一种处理工件的方法，包括：将工件放置在等离子体处理设备的处理室中设置的工件支撑架上；在所述等离子体处理设备的等离子体室中用感应耦合的等离子体源生成等离子体，所述等离子体室包括介电壁；将所述工件暴露至所述等离子体中的一种或多种物质，以对所述工件提供处理工艺；以及用屏蔽装置屏蔽所述等离子体室与所述感应耦合的等离子体源，所述屏蔽装置包括：顶环形部分；底环形部分；以及多个热垫，通过一个或多个保持构件被接合到顶环形部分和/或底环形部分，其中，所
述一个或多个保持构件提供压缩力以抵靠所述介电壁的外表面固定一个或多个热垫，其中，所述多个热垫被配置为调节从所述介电壁到所述相应热垫的热通量。20.根据权利要求19所述的方法，其中，所述方法进一步包括：调节流向所述多个热垫中的一个或多个热垫的热交换流体流量，以调节所述介电壁内的热梯度。

技术总结
本公开提供了包括等离子体室和感应耦合的等离子体源的等离子体处理设备或系统。所述屏蔽装置被设置在等离子体室和感应耦合的等离子体源之间。屏蔽装置包括顶环形部分、底环形部分和多个热垫，所述热垫通过一个或多个保持构件被接合到顶环形部分和/或底环形部分。所述一个或多个保持构件提供压缩力以抵靠介电壁的外表面固定一个或多个热垫。多个热垫被配置为调节从介电壁到相应热垫的热通量。本公开还公开了处理工件的方法。开还公开了处理工件的方法。开还公开了处理工件的方法。


技术研发人员：龙茂林
受保护的技术使用者：玛特森技术公司
技术研发日：2021.12.21
技术公布日：2022/7/1