半导体封装用管座的制作方法

技术特征：
1.一种半导体封装用管座，其具有：形成有贯通孔的孔圈、插入至所述贯通孔的引线、以及在所述贯通孔内将所述引线进行密封的密封部，所述孔圈的主材料为45％ni-fe，所述孔圈的热膨胀系数比所述密封部的热膨胀系数大。2.根据权利要求1所述的半导体封装用管座，所述密封部的主材料为玻璃。3.根据权利要求2所述的半导体封装用管座，所述玻璃的介电常数为4以上7以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体封装用管座，所述引线的热膨胀系数比所述孔圈的热膨胀系数小，并且比所述密封部的热膨胀系数大。5.根据权利要求4所述的半导体封装用管座，所述引线的主材料为可伐合金。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体封装用管座，其具有固定于所述孔圈的基板，所述引线与所述基板的配线电连接。7.根据权利要求6所述的半导体封装用管座，所述基板为陶瓷制。8.根据权利要求7所述的半导体封装用管座，所述基板为氧化铝制或氮化铝制。9.根据权利要求6～8中任一项所述的半导体封装用管座，所述引线和所述配线成为与搭载于所述孔圈的发光元件电连接的供信号通过的通路。10.根据权利要求6～9中任一项所述的半导体封装用管座，所述孔圈具有其它贯通孔，在所述其它贯通孔中插入其它引线，所述引线的线径比所述其它引线的线径小。

技术总结
本发明提供确保了引线的密封性的半导体封装用管座。本半导体封装用管座具有形成有贯通孔的孔圈、插入至上述贯通孔的引线以及在上述贯通孔内将上述引线进行密封的密封部，上述孔圈的主材料为45％Ni-Fe，上述孔圈的热膨胀系数比上述密封部的热膨胀系数大。系数比上述密封部的热膨胀系数大。系数比上述密封部的热膨胀系数大。


技术研发人员：海沼正夫
受保护的技术使用者：新光电气工业株式会社
技术研发日：2021.12.20
技术公布日：2022/7/1