基板处理方法和基板处理装置与流程

技术特征：
1.一种基板处理方法，是使用基板处理装置执行的基板处理方法，所述基板处理装置具备：处理容器，其用于收容基板；基板保持部，其在所述处理容器内将所述基板以形成有液膜的所述基板的表面朝向上的状态水平地保持；主供给线路，其与供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部连接；第一分支供给线路和第二分支供给线路，所述第一分支供给线路和所述第二分支供给线路是在设定于所述主供给线路的第一分支点处从所述主供给线路分支出来的分支供给线路；第一喷出部，其与所述第一分支供给线路连接，将从所述第一分支供给线路输送来的处理流体朝向所述处理容器内的、被所述基板保持部保持的基板的下方的空间喷出；第二喷出部，其与所述第二分支供给线路连接，将从所述第二分支供给线路输送来的处理流体朝向所述处理容器内的、所述基板的表面的上方的空间喷出；排出部，其从所述处理容器排出处理流体；以及排出线路，其与所述排出部连接，所述基板处理方法包括以下工序：升压工序，在形成有所述液膜的所述基板被所述基板保持部保持并被收容于所述处理容器内的状态下，通过向所述处理容器内供给处理流体来使所述处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力；以及流通工序，在所述升压工序之后，一边将所述处理容器内的压力维持为所述处理压力，一边从所述第二喷出部向所述处理容器内供给处理流体并且从所述排出部排出所述处理容器内的处理流体，其中，所述升压工序包括以下阶段：第一升压阶段，通过从所述第一喷出部向所述处理容器内供给处理流体，来使所述处理容器内的压力上升至预先决定的切换压力；以及第二升压阶段，在所述第一升压阶段之后，通过从所述第二喷出部向所述处理容器内供给处理流体，来使所述处理容器内的压力从所述切换压力上升至所述处理压力。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述排出线路中设置有具有开度调节功能的阀，一边从所述处理容器向所述排出线路排出处理流体一边进行所述升压工序的所述第二升压阶段，并在此时调节所述具有开度调节功能的阀的开度，以使从所述第二分支供给线路向所述处理容器流入的处理流体的流入量比从所述处理容器向所述排出线路排出的处理流体的排出量大。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，所述流通工序中的所述具有开度调节功能的阀的开度比所述升压工序的所述第二升压阶段中的所述具有开度调节功能的阀的开度大。4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理压力为超临界状态保证压力以上的压力，所述超临界状态保证压力是保证形成所述液膜的液体与所述处理流体的混合流体同所述混合流体的温度、以及形成所述液膜的液体与所述处理流体的混合比无关地维持超临界状态的压力。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理流体为二氧化碳，所述液体为ipa，所述超临界状态保证压力为16mpa。6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，所述切换压力为11mpa以上。7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第二分支供给线路中设置有在所述第二升压阶段和所述流通工序中被开启的开闭阀、以及设置于所述开闭阀与所述第二喷出部之间的过滤器，所述升压工序在所述第一升压阶段与所述第二升压阶段之间还具备降压阶段，在所述降压阶段中，通过从所述第二分支供给线路的所述开闭阀的上游侧的位置和所述主供给线路排出处理流体，来将所述开闭阀的一次侧压力设为比所述降压阶段时的所述处理容器内的压力高且使所述降压阶段时的所述处理容器内的压力与所述开闭阀的一次侧压力之差为所述过滤器的耐压差以下的压力。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一分支供给线路中设置有第一开闭阀，将设置于所述第二分支供给线路的所述开闭阀称作第二开闭阀，设置有降压线路，所述降压线路是在所述主供给线路中设定于所述第一分支点的上游侧的第二分支点处从所述主供给线路分支出来的线路，并且在所述降压线路中配置有第三开闭阀，在所述主供给线路中的所述第二分支点的上游侧的位置处设置有第四开闭阀，在所述第一升压阶段中，将所述第一开闭阀和所述第四开闭阀设为开启状态，将所述第二开闭阀和所述第三开闭阀设为闭合状态，在所述第二升压阶段中，将所述第二开闭阀和所述第四开闭阀设为开启状态，将所述第一开闭阀和所述第三开闭阀设为闭合状态，在所述降压阶段中，将所述第一开闭阀和所述第三开闭阀设为开启状态，将所述第二开闭阀和所述第四开闭阀设为闭合状态。9.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述第一升压阶段中，不从所述第二喷出部向所述处理容器内供给处理流体，在所述第二升压阶段和所述流通工序中，不从所述第一喷出部向所述处理容器内供给处理流体。10.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理方法，其特征在于，所述第二喷出部由形成有多个孔的管状体形成。11.一种基板处理装置，至少具备：处理容器，其用于收容基板；基板保持部，其在所述处理容器内将所述基板以形成有液膜的所述基板的表面朝向上的状态水平地保持；主供给线路，其与供给超临界状态的处理流体的处理流体供给部连接；第一分支供给线路和第二分支供给线路，所述第一分支供给线路和所述第二分支供给线路是在设定于所述主供给线路的第一分支点处从所述主供给线路分支出来的；第一喷出部，其与所述第一分支供给线路连接，将从所述第一分支供给线路输送来的
处理流体朝向所述处理容器内的、被所述基板保持部保持的基板的下方的空间喷出；第二喷出部，其与所述第二分支供给线路连接，将从所述第二分支供给线路输送来的处理流体朝向所述处理容器内的、所述基板的表面的上方的空间喷出；排出部，其从所述处理容器排出处理流体；排出线路，其与所述排出部连接；以及控制部，其控制所述基板处理装置的动作，其中，所述控制部构成为使所述基板处理装置执行根据权利要求1至10中的任一项所述的基板处理方法。

技术总结
本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括以下工序：升压工序，在形成有液膜的基板被基板保持部保持并被收容于处理容器内的状态下，通过向处理容器内供给处理流体来使处理容器内的压力上升至预先决定的处理压力；以及流通工序，在升压工序之后，一边将处理容器内的压力维持为处理压力，一边从第二喷出部向处理容器内供给处理流体并且从排出部排出处理容器内的处理流体。升压工序包括以下阶段：第一升压阶段，通过从第一喷出部向处理容器内供给处理流体，来使处理容器内的压力上升至预先决定的切换压力；以及第二升压阶段，通过从第二喷出部向处理容器内供给处理流体，来使处理容器内的压力从切换压力上升至处理压力。至处理压力。至处理压力。


技术研发人员：五师源太郎
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2021.12.16
技术公布日：2022/7/1