显示装置和具有多个显示装置的显示设备的制作方法

显示装置和具有多个显示装置的显示设备
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月11日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0173392号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
3.本公开涉及显示装置和包括多个显示装置的显示设备，并且具体地，涉及一种显示装置以及通过附接多个显示装置而形成的相对大尺寸的显示设备。


背景技术：

4.显示装置表示用于在屏幕上显示图像的装置，并且它可以是液晶显示器(lcd)、有机发光二极管显示器(oled)或量子点显示器。显示装置可以用于各种电子装置(诸如，便携式电话、gps、数码相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端)或配备在各种电子装置(诸如，便携式电话、gps、数码相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端)中。
5.发光显示装置包括发光器件，诸如有机发光器件。发光显示装置具有自发光特性，并且与lcd不同，发光显示装置不需要单独的光源。由于这种特性，发光显示装置的厚度和重量可以小于其它类型的显示装置。此外，发光显示装置具有高等级特性，诸如低功耗、高亮度和高响应速度。
6.将理解的是，该背景技术部分旨在部分地为理解该技术提供有用的背景。然而，该背景技术部分也可以包括并非是本文中公开的主题的相应有效申请日之前被相关领域的技术人员已知或理解的内容的一部分的概念、构思或认识。


技术实现要素：

7.本公开提供了发光显示装置及通过附接多个发光显示装置而形成的大的显示设备，其中所述发光显示装置在多个发光显示装置被附接以形成大的显示设备时在像素之间维持恒定间隙。
8.在实施方式中，显示装置可以包括：第一像素电路；第一扫描信号线，设置在第一像素电路的侧部处，在第一方向上延伸，并且传输扫描信号；第二像素电路，设置在显示装置的最外侧处；以及第一虚设布线，设置在第二像素电路的外侧处并且在第一方向上延伸。第一虚设布线的宽度可以小于第一扫描信号线的宽度。
9.显示装置可以包括多个子区域，并且多个子区域中的每个可以包括：扫描信号施加区域，用于在第一方向上传输扫描信号；以及虚设区域，在虚设区域中设置有虚设布线。虚设布线可以包括第一虚设布线。
10.用于使晶体管截止的电压信号可以施加到虚设布线。
11.虚设布线还可以包括第二虚设布线，并且第二虚设布线的宽度可以大于第一虚设布线的宽度。
12.第二虚设布线可以设置在第二像素电路的未设置有第一虚设布线的一侧处。
13.显示装置还可以包括在第一像素电路和第二像素电路之间的第三像素电路。第二虚设布线可以设置在第三像素电路的一侧处。
14.显示装置还可以包括在与第一方向垂直的方向上延伸并且传输扫描信号的第二扫描信号线。第二扫描信号线可以电连接到第一扫描信号线。
15.多个子区域可以设置为三个子区域。三个子区域中的每个可以包括第一扫描信号线。第二扫描信号线可以在三个子区域中延伸。第二扫描信号线可以电连接到三个子区域的每个中的第一扫描信号线。第一扫描信号线可以传输具有相同时序的扫描信号。
16.第二扫描信号线可以电连接到包括在第一像素电路中的薄膜晶体管的栅电极和包括在第二像素电路中的薄膜晶体管的栅电极。
17.第一像素电路和第二像素电路可以各自包括：驱动晶体管，向发光二极管产生输出电流；输入晶体管，将数据电压传输到驱动晶体管的栅电极；存储电容器，具有连接到驱动晶体管的栅电极的端子；以及初始化晶体管，初始化从驱动晶体管输出输出电流的端子。
18.在实施方式中，显示设备可以包括彼此附接的多个显示装置。多个显示装置中的至少一个显示装置可以包括：第一像素电路；第一扫描信号线，设置在第一像素电路的侧部处并且在第一方向上延伸；第二像素电路，设置在至少一个显示装置的最外侧处；以及最外虚设布线，设置在第二像素电路的外侧处并且在第一方向上延伸。最外虚设布线的宽度可以小于第一扫描信号线的宽度。
19.至少一个显示装置可以包括多个子区域，并且多个子区域中的每个可以包括：扫描信号施加区域，用于在第一方向上传输扫描信号；以及虚设区域，在虚设区域中设置有虚设布线。虚设布线可以包括最外虚设布线。
20.用于使晶体管截止的电压信号可以被施加到虚设布线。
21.虚设布线还可以包括第二虚设布线，并且第二虚设布线的宽度可以大于最外虚设布线的宽度。
22.第二虚设布线可以设置在第二像素电路的未设置有最外虚设布线的一侧处。
23.显示设备还可以包括设置在第一像素电路和第二像素电路之间的第三像素电路。第二虚设布线可以设置在第三像素电路的一侧处。
24.显示设备可以包括在与第一方向垂直的方向上延伸并传输扫描信号的第二扫描信号线。第二扫描信号线可以电连接到第一扫描信号线。
25.多个子区域可以设置为三个子区域。多个子区域中的每个可以包括第一扫描信号线。第二扫描信号线可以在三个子区域中延伸。第二扫描信号线可以电连接到三个子区域的每个中的第一扫描信号线，并且第一扫描信号线可以传输具有相同的时序的扫描信号。
26.第二扫描信号线可以电连接到包括在第一像素电路中的薄膜晶体管的栅电极，并且电连接到包括在第二像素电路中的薄膜晶体管的栅电极。
27.在实施方式中，显示装置可以包括：第一像素电路；一对第一扫描信号线，设置在第一像素电路的侧部处，在第一方向上延伸并传输扫描信号；第二像素电路，设置在显示装置的最外侧处；以及虚设布线，设置在第二像素电路内侧。在第二像素电路外侧可以不设置布线。
28.根据实施方式，当通过在发光显示装置中允许最外像素或布线与衬底的边缘之间的间隙等于或大于约50μm，来考虑用于在诸如激光束切割的过程的情况下制造大的显示设
备的公差或余量时，所完成的大的显示设备的像素的间隙可以彼此对应，并且可以改善大的显示设备的显示质量。
29.根据实施方式，当将宽度减小的布线用作虚设布线或者将截止电压(voff)施加到宽度减小的布线时，减小布线的宽度以调整最外区域的宽度不会由于电负载而引起问题，并且因此不会劣化显示质量。
附图说明
30.通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加清楚，在附图中：
31.图1示出了根据实施方式的发光显示装置的示意性布局图；
32.图2示出了根据实施方式的发光显示装置的像素的等效电路的示意图；
33.图3示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的扫描信号施加区域中的像素的示意性俯视图；
34.图4和图5示出了发光显示装置相对于图3的线iv-iv和v-v的示意性剖视图；
35.图6示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的最外左侧上的像素的示意性俯视图；
36.图7示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的虚设区域中的像素的示意性俯视图；
37.图8示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的最外右侧上的像素的示意性俯视图；
38.图9示出了根据实施方式的发光显示装置的示意图；
39.图10示出了根据实施方式的大的显示设备的示意图；
40.图11示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的扫描信号施加区域中的像素的示意性俯视图；
41.图12示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的最外左侧上的像素的示意性俯视图；
42.图13示出了根据实施方式的发光显示装置的像素的等效电路的示意图；
43.图14示出了根据实施方式的发光显示装置的一部分的示意性俯视图；以及
44.图15示出了根据实施方式的发光显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
45.现在将参考示出了实施方式的附图在下文中更全面地描述本公开。然而，本公开可以以不同的形式来实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻且完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。
46.在附图中，为了便于描述并且为了清楚，可以夸大元件的尺寸、厚度、比例和尺寸。相同的附图标记通篇表示相同的元件。
47.为了更好地理解且易于描述，任意地示出了附图中所示的每个配置的尺寸和厚度，但是本公开不限于此。在附图中，为了清楚，夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。为了便
于说明，夸大了一些层和区域的厚度。
48.将理解的是，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或者也可以存在居间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。词语“上
””
或“上方”意为定位在对象部分上或下方，并且不一定意为定位在对象部分的基于重力方向的上侧上。
49.除非明确描述为相反，否则词语“包括(comprise)”和诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变形将被理解为暗指包括所阐述的元件，但不排除任何其它元件。
50.短语“在平面图中”意为从顶部观看对象部分，并且短语“在剖视图中”意为从侧面观察竖直切割对象部分的剖面。
51.在整个说明书中，当描述一部分“连接”到另一部分(与另一部分“接触”、“联接”到另一部分)时，该部分可以直接连接到另一元件，可以通过第三部分连接到另一部分，或者可以物理地或电地连接到另一部分，并且它们可以根据位置或功能由不同的名称来表示，但是基本上集成为一个主体的各个部分可以彼此连接。
52.将理解的是，术语“连接到”或“联接到”可以包括物理或电连接、或物理或电联接。
53.在说明书和权利要求书中，出于其含义和解释的目的，短语
“…
中的至少一个”旨在包括“选自
…
的组中的至少一个”的含义。例如，“a和b中的至少一个”可以理解为意为“a、b或a和b”。
54.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离本公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
55.为便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下”、“上方”、“上”等来描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解的是，除了图中描绘的取向之外，空间相对术语旨在包括装置在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的装置被翻转的情况下，定位在另一装置“下方”或“下面”的装置可以被放置在另一装置“上方”。因此，说明性术语“下方”可以包括下位置和上位置二者。装置也可以取向在其它方向上，并且因此空间相对术语可以根据取向而被不同地解释。
56.术语“重叠”或“重叠的”意为第一对象可以在第二对象的上方或下方，或者在第二对象的一侧，并且意为第二对象可以在第一对象的上方或下方，或者在第一对象的一侧。另外，术语“重叠”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在
…
之上延伸、覆盖或部分覆盖，或者可以是如本领域普通技术人员将领会和理解的任何其它合适的术语。
57.如在本文中使用的“约”或“近似”包括所述值以及如本领域普通技术人员考虑所讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受变化范围内的平均值。例如，“约”可以意为在一个或多个标准偏差内，或在所述值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。
58.除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语，诸如在常用词典中限定的术语，应被解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不会被解释为理想化的或过分正式的含义，除非在本文中明确地如此限定。
59.现在将参考附图描述发光显示装置的实施方式。
60.首先将参考图1描述发光显示装置的示意性结构。
61.图1示出了根据实施方式的发光显示装置的示意性布局图。
62.根据图1的实施方式的发光显示装置10包括其中设置有发光二极管eda、edb和edc的显示区域、以及设置在显示区域的上侧上并且其中设置有驱动芯片20和30的驱动区域。
63.在显示区域中，可以设置用于呈现三原色(诸如红色、绿色和蓝色)的多组发光二极管eda、edb和edc。根据参考图1描述的实施方式的一组发光二极管eda、edb和edc可以具有这样的配置：纵向定位在x轴方向上的相应发光二极管(led)在y轴方向上彼此平行地布置。然而，实施方式不限于此，并且属于一组发光二极管eda、edb和edc的发光二极管(led)可以具有与参考图1描述的数量或布置不同的数量或布置。
64.根据参考图1描述的实施方式的发光显示装置10可以被划分成三个子区域10-1、10-2、10-3，并且相应子区域10-1、10-2和10-3利用虚线被区分开并被示出。相应子区域10-1、10-2和10-3可以包括其中设置有发光二极管eda、edb和edc的显示区域、以及在显示区域的上侧上并且其中设置有驱动芯片20和30的驱动区域。对于根据参考图1描述的实施方式的发光显示装置10，驱动区域设置在上侧上，并且不设置在右侧、左侧或下侧上。结果，其它发光显示装置10可以附接到右侧、左侧和下侧以形成大的显示设备(参考图10)。设置在发光显示装置10中的驱动区域可以仅设置在显示区域的一侧上。
65.一子区域10-1、10-2或10-3对应于一数据驱动器20和一扫描驱动器30，并且可以配置有当由数据驱动器20施加数据电压时发光的多组发光二极管eda、edb和edc。
66.数据驱动器20将数据电压施加到数据线(参考图2和图3)，并且数据驱动器20可以设置在安装在衬底上的芯片中。尽管在图1中未示出，但是数据驱动器20将数据电压施加到与在x轴方向上延伸的数据线电连接的相应数据线。
67.扫描驱动器30将扫描信号施加到扫描信号线151，并且扫描驱动器30可以作为芯片安装在衬底上。图1示出了扫描信号线151的详细连接结构。扫描信号线151大致包括连接扫描信号线151v(第一扫描信号线)和主扫描信号线151h(第二扫描信号线)，并且主扫描信号线151h在y轴方向上延伸，而连接扫描信号线151v大致在x轴方向上延伸。连接扫描信号线151v电连接到扫描驱动器30以接收扫描信号。根据实施方式，可以设置附加连接构件(例如，图1中所示的布线31)以将连接扫描信号线151v和扫描驱动器30连接。
68.主扫描信号线151h通过开口151o电连接到连接扫描信号线151v。结果，由扫描驱动器30输出的扫描信号传输到连接扫描信号线151v，并通过开口151o传输到主扫描信号线151h。连接扫描信号线151v设置在一个子区域10-1、10-2或10-3中并且不延伸到相邻的子区域10-1、10-2或10-3。相反，主扫描信号线151h延伸到相邻的子区域10-1、10-2或10-3，并且顺序地设置在三个子区域10-1、10-2和10-3中。一个连接扫描信号线151v通过子区域10-1、10-2或10-3中的开口151o电连接到一个主扫描信号线151h。然而，对于包括三个子区域10-1、10-2和10-3的发光显示装置10，一个主扫描信号线151h通过三个开口151o分别电连接到三个连接扫描信号线151v。结果，一个主扫描信号线151h接收具有相同时序的三个扫描信号。例如，在图1中，标记为第一扫描信号线g#1的扫描信号线151包括针对每个子区域10-1、10-2或10-3的总共三个连接扫描信号线151v和一个主扫描信号线151h。如图1中所示，在x轴方向上布置的主扫描信号线151h被顺序地编号为g#1、g#2
……
g#540，并且对于每
个子区域10-1、10-2或10-3，在y轴方向上布置的连接扫描信号线151v被顺序地编号为g#1、g#2
……
g#540。具有相同编号的扫描信号线151彼此电连接并接收相同的扫描信号。
69.通常，在显示装置中，数据驱动器20和扫描驱动器30设置在显示区域的不同侧上，以具有垂直于主扫描信号线151h的方向，并且不需要连接扫描信号线151v来连接扫描驱动器30。然而，在实施方式中，驱动区域(具有数据驱动器20和扫描驱动器30二者)可以设置在显示区域的一侧上，以便如图3中所示，设置成与数据线平行的连接扫描信号线151v将扫描信号传输到设置成与数据线垂直的主扫描信号线151h。
70.发光显示装置10还可以包括设置成与连接扫描信号线151v平行并且在x轴方向上延伸的布线152和153(下文中，称为虚设布线)。扫描信号中的用于使晶体管维持在截止状态中的恒定电压电平(截止电压(voff))可以被施加到虚设布线152和153。根据实施方式，可以不向虚设布线152和153施加电压，从而它们可以浮置，或者可以向虚设布线152和153施加不同的电压。
71.如图1中所示，虚设布线152和153可以不电连接到主扫描信号线151h。结果，不设置与虚设布线152和153重叠的开口151o。
72.虚设布线152和153可以包括两种类型的线，其包括具有比连接扫描信号线151v的线宽窄的线宽的第一虚设布线152(在下文中，最外虚设布线)、以及具有与连接扫描信号线151v相同的线宽的第二虚设布线153。第一虚设布线152可以设置在发光显示装置10的最外侧(边缘)上。在发光显示装置10的相应侧(边缘)上可以设置总共两个第一虚设布线152。其它虚设布线设置为第二虚设布线153。因此，第一虚设布线152可以不设置在子区域10-1、10-2和10-3的边界(在该边界处，设置有第二虚设布线153)上。第一虚设布线152可以比第二虚设布线153或连接扫描信号线151v窄，以通过将多个发光显示装置10附接在一起来形成大的显示设备(参考图10)。当附接多个发光显示装置10时，执行诸如激光束切割的工艺。可以在执行激光束切割工艺之后提供发光显示装置10以进行附接(可以附接发光显示装置10)，并且第一虚设布线152的窄的宽度允许调整公差或余量，使得发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可以保持恒定，即使在不同的发光显示装置10中的发光二极管eda、edb和edc之间。结果，当完成大的显示设备时，发光二极管eda、edb和edc之间的间隙在整个大的显示设备上可以是恒定和一致的，并且可以改善大的显示设备的显示质量。
73.如图1中所示，可以设置许多第二虚设布线153，并且实施方式不受第二虚设布线153的特定数量的限制。第二虚设布线153可以是在形成必要的连接扫描信号线151v并从剩余的布线中排除两个第一虚设布线152之后的剩余的布线。
74.参考图1中所示的放大部分，并且参考图3、图6、图7和图8，在x轴方向上延伸的布线(下文中，连接布线)设置在一组发光二极管eda、edb和edc的相应侧上，并且可以用作连接扫描信号线151v或虚设布线152和153。对于设置在最外侧上的发光二极管eda、edb和edc，布线在最外侧上设置为第一虚设布线152，而另一布线设置为第二虚设布线153。
75.对于如图1中所示的分辨率为960
×
540的发光显示装置10，可能需要960
×
540组发光二极管eda、edb和edc。所需的主扫描信号线151h的数量可以是540，所需的数据线的数量可以是960
×
3。为了将扫描信号施加到主扫描信号线151h，连接布线中的一些用作连接扫描信号线151v，而其它连接布线用作根据参考图1描述的实施方式的虚设布线152和153。一组发光二极管eda、edb和edc的相应侧中的每个可以具有一个在x轴方向上设置的连接布
线，因此连接布线的数量可能需要是在y轴方向上布置的一组发光二极管eda、edb和edc的数量的两倍。因此，连接布线的总数可以是960
×
2。扫描信号可以通过使用960
×
2个布线中的540个连接布线而被施加到主扫描信号线151h，并且根据图1中具有三个子区域10-1、10-2和10-3的实施方式，用作连接扫描信号线151v的连接布线的数量是540
×
3，并且与施加到相应主扫描信号线151h的扫描信号相同的扫描信号被施加到连接扫描信号线151v。连接扫描信号线151v的数量等于或大于主扫描信号线151h的数量就足够了，但是在实施方式中，连接扫描信号线151v的数量可以是主扫描信号线151h的数量的各种倍数，诸如两倍、三倍或四倍。
76.一旦确定了连接扫描信号线151v的数量，则通过从连接布线的总数量中减去连接扫描信号线151v的数量而产生的连接布线的剩余数量是虚设布线152和153的数量。在实施方式中，如图1中所示，总共使用300个连接布线作为虚设布线152和153，300个连接布线中的两个是第一虚设布线152，而其余298个是第二虚设布线153。在实施方式中，连接布线设置在一组发光二极管eda、edb和edc的相应侧上，并且在其它实施方式中，连接布线可以仅形成在一组发光二极管eda、edb和edc的一侧上。
77.在下文中，设置成靠近一组发光二极管eda、edb和edc的连接布线被用作连接扫描信号线151v的区域将被称为扫描信号施加区域(或中央区域)，并且设置有虚设布线152和153的区域将被称为虚设区域(或侧区域)。扫描信号施加区域(或中央区域)表示通过连接扫描信号线151v在x轴方向上传输扫描信号的区域。
78.现在将参考图2描述设置在发光显示装置10中的像素的电路配置。
79.图2示出了根据实施方式的发光显示装置的像素的等效电路的示意图。
80.图2示出了包括一组发光二极管eda、edb和edc的三个像素的电路图。
81.如图2中所示，像素可以包括第一像素pxa、第二像素pxb和第三像素pxc。第一像素pxa、第二像素pxb和第三像素pxc分别包括晶体管t1、t2和t3、存储电容器cst、以及发光二极管eda、edb和edc(其是发光器件)。像素pxa、pxb和pxc可以被分成发光二极管eda、edb和edc以及像素电路，并且像素电路可以包括图2中的多个晶体管t1、t2和t3以及存储电容器cst。
82.晶体管t1、t2和t3可以配置有一个驱动晶体管t1(第一晶体管)、以及两个开关晶体管t2和t3，并且两个开关晶体管t2和t3包括输入晶体管t2(第二晶体管)和初始化晶体管t3(第三晶体管)。晶体管t1、t2和t3中的每个可以包括栅电极、第一电极和第二电极，并且包括半导体层，因此根据栅电极处的电压，电流流到半导体层或者被截断。根据施加到晶体管t1、t2和t3的电压，第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且另一电极可以是漏电极。
83.驱动晶体管t1的栅电极可以电连接到存储电容器cst的第一端，并且可以电连接到输入晶体管t2的第二电极(输出侧上的电极)。驱动晶体管t1的第一电极可以电连接到用于传输驱动电压qvdd的驱动电压线172，并且驱动晶体管t1的第二电极可以电连接到发光二极管eda、edb和edc的阳极、存储电容器cst的第二端和初始化晶体管t3的第一电极。驱动晶体管t1可以根据输入晶体管t2的开关操作通过栅电极接收数据电压dva、dvb和dvc，并且可以根据栅电极处的电压向发光二极管eda、edb和edc提供驱动电流。存储电容器cst存储驱动晶体管t1的栅电极处的电压并保持该电压。
84.输入晶体管t2的栅电极可以电连接到用于传输扫描信号sc的扫描信号线151。这里，示出为电连接到输入晶体管t2的栅电极的扫描信号线151可以是图1的主扫描信号线151h。输入晶体管t2的第一电极可以电连接到用于传输数据电压dva、dvb和dvc的数据线171a、171b和171c，并且输入晶体管t2的第二电极可以电连接到存储电容器cst的第一端和驱动晶体管t1的栅电极。数据线171a、171b和171c可以传输可各自具有不同值的数据电压dva、dvb和dvc，并且像素pxa、pxb和pxc的输入晶体管t2可以电连接到分开的数据线。相应的像素pxa、pxb和pxc的输入晶体管t2的栅电极可以电连接到相同的扫描信号线151，并且可以接收具有相同的时序的扫描信号sc。在像素pxa、pxb和pxc的输入晶体管t2根据具有相同的时序的扫描信号sc同时导通的情况下，数据电压dva、dvb和dvc被传输到相应的像素pxa、pxb和pxc的驱动晶体管t1的栅电极和存储电容器cst的第一端。
85.初始化晶体管t3的栅电极可以电连接到用于传输扫描信号sc的扫描信号线151。这里，示出为电连接到初始化晶体管t3的栅电极的扫描信号线151可以是图1的主扫描信号线151h。初始化晶体管t3的第一电极连接到存储电容器cst的第二端、驱动晶体管t1的第二电极、以及发光二极管eda、edb和edc的阳极，并且初始化晶体管t3的第二电极连接到用于传输初始化电压vint的初始化电压线173。结果，初始化晶体管t3初始化驱动晶体管t1的第二电极(用于输出输出电流的端子)，并且初始化发光二极管eda、edb和edc的阳极以及存储电容器cst的第二端。
86.根据实施方式，初始化电压线173可以通过在施加初始化电压vint之前感测发光二极管eda、edb和edc的阳极处的电压而用作感测布线。感测操作可以确认阳极处的电压是否维持在目标电压处。可以在不同的时间时执行感测操作和用于传输初始化电压vint的初始化操作，并且可以在执行感测操作之后执行初始化操作。
87.初始化晶体管t3可以根据扫描信号sc与输入晶体管t2一起导通，从而将初始化电压vint传输到发光二极管eda、edb和edc的阳极以及存储电容器cst的第二端，并且初始化存储电容器cst的第二端以及发光二极管eda、edb和edc的阳极处的电压。
88.存储电容器cst的第一端可以电连接到驱动晶体管t1的栅电极和输入晶体管t2的第二电极，并且第二端电连接到初始化晶体管t3的第一电极以及发光二极管eda、edb和edc的阳极。图2提供了存储电容器cst的第一端和第二端的附图标记，以表明在图3中哪个部分对应于存储电容器cst。存储电容器cst的第一端对应于驱动晶体管t1的栅电极155a、155b和155c，并且存储电容器cst的第二端设置在下存储电极125a、125b和125c以及上存储电极175a、175b和175c上。以第一像素pxa为例，参考示出了存储电容器cst的剖面结构的图4，下存储电极125a设置在驱动晶体管t1的栅电极155a下方，且在下存储电极125a和栅电极155a之间绝缘。上存储电极175a以绝缘方式设置在栅电极155a上方。设置在三个层(下存储电极125a、栅电极155a和上存储电极175a)之间的绝缘层120、140和160用作电介质层，并且下存储电极125a和上存储电极175a彼此电连接。用于像素pxb和pxc的存储电容器cst可以包括类似的结构。
89.发光二极管eda、edb和edc的阴极可以接收公共电压qvss，并且发光二极管eda、edb和edc可以根据驱动晶体管t1的输出电流值发光，以在其颜色上呈现灰度。
90.根据实施方式，可以进一步包括连接到发光二极管eda、edb和edc的阳极和阴极的附加电容器。附加电容器保持发光二极管eda、edb和edc的各个端部处的电压，使得发光二
极管eda、edb和edc可以输出恒定的亮度。
91.现在将描述具有图2的电路的像素的操作。
92.图2示出了晶体管t1、t2和t3是n型晶体管并且具有其在向栅电极施加高电平电压时被导通的特性的实施方式。然而，根据实施方式，相应的晶体管t1、t2和t3可以是p型晶体管。
93.每个帧可以在发射区段结束时开始。可以提供高电平的扫描信号sc，并且输入晶体管t2和初始化晶体管t3可以导通。
94.当输入晶体管t2导通时，可以执行编程操作。来自数据线171a、171b和171c的数据电压dva、dvb和dvc通过导通的输入晶体管t2输入到驱动晶体管t1的栅电极并且输入到存储电容器cst的第一端(并且由存储电容器cst存储)。
95.可选地，可以在初始化晶体管t3导通时执行初始化操作。存储电容器cst的第二端、驱动晶体管t1的第二电极以及发光二极管eda、edb和edc的阳极处的电压可以改变为由初始化电压线173传输的初始化电压vint，以执行初始化过程。
96.数据电压dva、dvb和dvc、以及初始化电压vint施加到存储电容器cst的相应端。在初始化晶体管t3导通时，当从驱动晶体管t1产生输出电流时，输出电流可以通过初始化晶体管t3和初始化电压线173输出到外部，因此输出电流可以不被输入到发光二极管eda、edb和edc。根据实施方式，对于用于提供高电平的扫描信号sc的编程区段，驱动电压qvdd可以施加为低电平电压，或者公共电压qvss可以施加为高电平电压，从而可以不向发光二极管eda、edb和edc施加电流。
97.当扫描信号sc变为低电平时，将正常高电平的驱动电压qvdd和低电平的公共电压qvss施加到像素，从而通过存储在存储电容器cst中的驱动晶体管t1的栅极电压执行发射区段，以使得驱动晶体管t1产生输出电流并且输出电流流到发光二极管eda、edb和edc并且发光二极管eda、edb和edc发光。
98.现在将参考图3至图8结合发光显示装置10来描述如图2中所示地进行配置的像素的像素电路的详细结构。
99.图3至图8示出了包括晶体管t1、t2和t3以及存储电容器cst的像素电路的配置。未示出发光二极管eda、edb和edc的阳极。
100.在一组发光二极管eda、edb和edc中，如图1中所示，发光二极管eda、edb和edc在y轴方向上平行布置，并且每个像素电路在y轴方向上设置。参考图3，属于第一像素pxa的第一像素电路设置在顶部处，属于第二像素pxb的第二像素电路设置在第一像素pxa的下方，并且属于第三像素pxc的第三像素电路设置在底部处。第一像素电路至第三像素电路将被称为一组像素电路。
101.图3至图5示出了设置在发光显示装置10的扫描信号施加区域(中央区域)中的像素的像素电路的结构，并且图6至图8示出了设置在虚设区域(侧区域)中的像素的像素电路的结构。
102.现在将参考图3至图5来描述设置在扫描信号施加区域(中央区域)中的像素电路的配置。
103.图3示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的扫描信号施加区域中的像素的示意性俯视图，并且图4和图5示出了发光显示装置相对于图3的线iv-iv和v-v的剖视图。
104.现在将参考图4描述根据实施方式的发光显示装置10的堆叠结构。
105.发光显示装置可以包括衬底110。衬底110可以包括诸如玻璃或塑料的绝缘材料，并且可以具有柔性。
106.第一导电层、第一绝缘层120、半导体层、第二绝缘层140、第二导电层、第三绝缘层160、第三导电层和第四绝缘层180顺序地设置在衬底110上。第一绝缘层120和第二绝缘层140可以是包括无机绝缘材料的无机绝缘层，并且第三绝缘层160和第四绝缘层180可以是包括有机绝缘材料的有机绝缘层。根据实施方式，相应的绝缘层可以由多个层制成，并且根据实施方式，第三绝缘层160可以是无机绝缘层。无机绝缘材料可以包括硅氮化物(sin
x
)、硅氧化物(sio
x
)和硅氧氮化物(sion)，并且有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、基于丙烯酰基的聚合物和基于硅氧烷的聚合物。此外，第一导电层、第二导电层和第三导电层可以包含包括铜(cu)、铝(al)、镁(mg)、银(ag)、金(au)、铂(pt)、钯(pd)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、钼(mo)、钨(w)、钛(ti)、铬(cr)、钽(ta)及其合金的金属中的至少一种。第一导电层、第二导电层和第三导电层可以分别由单层或多层制成。例如，它们可以具有包括具有钛的下层和具有铜的上层的多层结构。半导体层可以包括半导体材料，诸如非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。在实施方式中，将描述包括氧化物半导体的半导体层。
107.扫描信号线151可以包括主扫描信号线151h和连接扫描信号线151v。
108.主扫描信号线151h可以在y轴方向上延伸，并且可以针对每组像素电路进行设置，并且可以在第三导电层中形成为单层。
109.连接扫描信号线151v在x轴方向上延伸，并且一对连接扫描信号线151vl和151vr在每组像素电路的左侧和右侧上。一对连接扫描信号线151vl和151vr包括具有三层结构的部分，并且部署设置在第一导电层中的第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr、设置在第二导电层中的第二连接扫描信号线151-2vl和151-2vr、以及设置在第三导电层中的第三连接扫描信号线151-3vl和151-3vr。第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr在x轴方向上连续设置，并且第二连接扫描信号线151-2vl和151-2vr以及第三连接扫描信号线151-3vl和151-3vr在预定区域中在x轴方向上延伸并且电连接到第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr以减小布线电阻。参考图5，第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr通过第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160中的开口电连接到第三连接扫描信号线151-3vl和151-3vr，并且第三连接扫描信号线151-3vl和151-3vr通过第三绝缘层160中的开口电连接到第二连接扫描信号线151-2vl和151-2vr。在实施方式中，第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr不直接连接到第二连接扫描信号线151-2vl和151-2vr。然而，根据实施方式，连接扫描信号线151vl和151vr可以具有各种连接关系，并且它们可以具有双层或单层结构。
110.连接扫描信号线151vl和151vr中的一个电连接到一个主扫描信号线151h，并且根据参考图1描述的实施方式，一个主扫描信号线151h电连接到三个连接扫描信号线151v。在连接扫描信号线151vl和151vr电连接到主扫描信号线151h的部分上，在设定有第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr的部分上通过开口150ol和150or电连接到主扫描信号线151h。开口150ol和150or不限于其中设置有第一连接扫描信号线151-1vl和151-1vr的部分，并且开口150ol和150or可以在电连接到主扫描信号线151h的部分中。图3示出了开口150ol和150or二者，以示出了它们在扫描信号施加区域(中央区域)中的位置。在其它实施方式中，可以仅部署设置在相应侧上的两个开口150ol和150or中的一个，或者可以省略开口150ol
和150or二者。
111.主扫描信号线151h通过开口电连接到第二栅电极156和第三栅电极157。扫描信号通过所电连接的栅电极156和157控制包括在一组像素电路中的输入晶体管t2和初始化晶体管t3。
112.数据线171a、171b和171c在x轴方向上延伸，并且三个数据线171a、171b和171c设置在像素电路的一侧上。数据线171a、171b和171c可以包括具有三层结构的部分，并且第一数据线171-1a、171-1b和171-1c可以设置在第一导电层中，第二数据线171-2a、171-2b和171-2c可以设置在第二导电层中，并且第三数据线171-3a、171-3b和171-3c可以设置在第三导电层中。第一数据线171-1a、171-1b和171-1c在x轴方向上连续设置，并且第二数据线171-2a、171-2b和171-2c以及第三数据线171-3a、171-3b和171-3c在预定区域中在x轴方向上延伸，并且电连接到第一数据线171-1a、171-1b和171-1c，以降低布线电阻。类似于图5的连接扫描信号线151vl和151vr的连接结构，数据线171a、171b和171c的三个层的连接结构可以是第一导电层连接到第三导电层并且第三导电层连接到第二导电层的结构。三个层可以彼此电连接。第一数据线171-1a、171-1b和171-1c可以通过第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160中的开口电连接到第三数据线171-3a、171-3b和171-3c，并且第三数据线171-3a、171-3b和171-3c可以通过第三绝缘层160中的开口电连接到第二数据线171-2a、171-2b和171-2c。在实施方式中，第一数据线171-1a、171-1b和171-1c不直接连接到第二数据线171-2a、171-2b和171-2c，但是实施方式不限于此。数据线171a、171b和171c可以各种方式连接，并且它们可以具有双层或单层结构。
113.对于数据线171a、171b和171c，第一数据线171-1a、171-1b和171-1c通过连接构件177a、177b和177c分别电连接到第二半导体132a、132b和132c，其中连接构件177a、177b和177c在其中设置有第一数据线171-1a、171-1b和171-1c的部分上设置在第三导电层中。
114.因此，尽管单个扫描信号线151连接到以列设置的三个像素pxa、pxb和pxc，但是通过数据线171a、171b和171c可以接收不同的数据电压dva、dvb和dvc。相应的像素pxa、pxb和pxc的相应的发光二极管eda、edb和edc可以输出不同水平的亮度。
115.用于传输驱动电压qvdd的驱动电压线172可以包括主驱动电压线172vl和172vr以及子驱动电压线172h-1和172h-2。
116.主驱动电压线172vl和172vr可以在x轴方向上延伸，并且一对主驱动电压线172vl和172vr可以设置在像素电路的相应侧上。子驱动电压线172h-1和172h-2可以在y轴方向上延伸，并且可以成对地形成在每组像素电路的顶部和底部上。驱动电压线172在x轴方向和y轴方向上布线成网格结构，以防止驱动电压qvdd在显示区域的任何区域中的电压降。
117.主驱动电压线172vl和172vr可以包括具有三层结构的部分。第一主驱动电压线172-1vl和172-1vr可以设置在第一导电层中，第二主驱动电压线172-2vl和172-2vr可以设置在第二导电层中，并且第三主驱动电压线172-3vl和172-3vr可以设置在第三导电层中。第一主驱动电压线172-1vl和172-1vr可以在x轴方向上连续设置，并且第二主驱动电压线172-2vl和172-2vr以及第三主驱动电压线172-3vl和172-3vr可以在预定区域中在x轴方向上延伸，并且可以电连接到第一主驱动电压线172-1vl和172-1vr以减小布线电阻。在主驱动电压线172vl和172vr的三个层的连接结构中，第一导电层可以连接到第三导电层，并且第三导电层可以连接到第二导电层，类似于图5的连接扫描信号线151vl和151vr的连接结
构那样将三个层彼此电连接。第一主驱动电压线172-1vl和172-1vr可以通过第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160中的开口电连接到第三主驱动电压线172-3vl和172-3vr，并且第三主驱动电压线172-3vl和172-3vr通过第三绝缘层160中的开口电连接到第二主驱动电压线172-2vl和172-2vr。在实施方式中，第一主驱动电压线172-1vl和172-1vr不直接连接到第二主驱动电压线172-2vl和172-2vr。然而，实施方式不限于此，并且主驱动电压线172vl和172vr可以以多种方式电连接，并且它们可以具有双层或单层结构。
118.子驱动电压线172h-1和172h-2在第三导电层中设置为单层。
119.两个主驱动电压线172vl和172vr电连接到两个子驱动电压线172h-1和172h-2。在参考图3描述的实施方式中，设置在像素电路的左侧上的主驱动电压线172vl电连接到设置在像素电路的顶侧处的子驱动电压线172h-1，并且设置在像素电路的右边的主驱动电压线172vr电连接到设置在像素电路的底侧处的子驱动电压线172h-2。关于连接关系，主驱动电压线172vl和子驱动电压线172h-1可以直接连接到第三导电层。属于主驱动电压线172vl的第三主驱动电压线172-3vl可以在y轴方向上延伸以构成子驱动电压线172h-1。此外，主驱动电压线172vr的第三主驱动电压线172-3vr可以在y轴方向上延伸，并且可以与子驱动电压线172h-2一体地形成。
120.设置在像素电路的左边的主驱动电压线172vl通过连接构件172c电连接到第一半导体131a、131b和131c，其中，连接构件172c在其中设置有设置在第一导电层中的第一主驱动电压线172-1vl的部分上设置在第三导电层中。第一主驱动电压线172-1vl通过开口电连接到连接构件172c，并且连接构件172c通过开口电连接到第一半导体131a、131b和131c，使得驱动电压qvdd被传输到第一半导体131a、131b和131c。
121.用于传输初始化电压vint的初始化电压线173设置在像素电路的左边，它在x轴方向上延伸，并且可以包括具有三层结构的部分。第一初始化电压线173-1v可以设置在第一导电层中，第二初始化电压线173-2v可以设置在第二导电层中，以及第三初始化电压线173-3v可以设置在第三导电层中。第一初始化电压线173-1v可以在x轴方向上连续设置，并且第二初始化电压线173-2v和第三初始化电压线173-3v可以在预定区域中在x轴方向上延伸，并且可以电连接到第一初始化电压线173-1v以减小布线电阻。在初始化电压线173的三个层的连接结构中，第一导电层可以连接到第三导电层，并且第三导电层可以连接到第二导电层，因此类似于参考图5描述的连接扫描信号线151vl和151vr那样将三个层彼此电连接。第一初始化电压线173-1v通过第一绝缘层120、第二绝缘层140和第三绝缘层160中的开口电连接到第三初始化电压线173-3v，并且第三初始化电压线173-3v通过第三绝缘层160中的开口电连接到第二初始化电压线173-2v。在实施方式中，第一初始化电压线173-1v不直接连接到第二初始化电压线173-2v。然而，实施方式不限于此，并且初始化电压线173可以以多种方式电连接，并且它们可以具有双层或单层结构。
122.初始化电压线173通过连接构件173c电连接到第三半导体133a、133b和133c，其中，连接构件173c在其中在第一导电层中设置有第一初始化电压线173-1v的部分上设置在第三导电层中。第一初始化电压线173-1v可以通过开口电连接到连接构件173c，并且连接构件173c可以通过开口电连接到第三半导体133a、133b和133c，使得初始化电压vint被传输到第三半导体133a、133b和133c。
123.晶体管t1、t2和t3可以具有相同的堆叠结构，并且包括设置在第二导电层中的栅
电极、设置在半导体层中的沟道、以及设置在沟道的相应侧上并且被掺杂以具有与导体相同/类似的特性的第一区域和第二区域。这里，设置在半导体层中的第一区域和第二区域可以对应于参考图2描述的第一电极和第二电极。
124.现在将详细描述相应的晶体管。
125.驱动晶体管t1包括在设置在第一绝缘层120上的第一半导体131a、131b和131c中的沟道、第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域被掺杂以具有与导体相同或类似的导电特性。第一半导体131a、131b和131c的第一区域通过开口和连接构件172c电连接到主驱动电压线172vl以接收驱动电压qvdd。第一半导体131a、131b和131c的第二区域通过开口电连接到设置在第三导电层中的上存储电极175a、175b和175c，并通过设置在第一导电层中的附加开口电连接到下存储电极125a、125b和125c以及第三半导体133a、133b和133c。第一半导体131a、131b和131c被第二绝缘层140覆盖，并且栅电极155a、155b和155c形成在第二绝缘层140上。在平面图中，沟道形成在第一半导体131a、131b和131c的与栅电极155a、155b和155c重叠的部分中，并且沟道被栅电极155a、155b和155c覆盖并且不被掺杂。栅电极155a、155b和155c通过开口、以及连接构件176a、176b和176c电连接到第二半导体132a、132b和132c。这里，连接构件176a、176b和176c设置在第三导电层中。
126.输入晶体管t2包括在设置在第一绝缘层120上的第二半导体132a、132b和132c中的沟道、第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域被掺杂以具有与导体相同或类似的导电特性。第二半导体132a、132b和132c的第一区域通过开口以及连接构件177a、177b和177c电连接到数据线171a、171b和171c以接收数据电压dva、dvb和dvc。第二半导体132a、132b和132c的第二区域通过开口以及连接构件176a、176b和176c电连接到栅电极155a、155b和155c。连接构件176a、176b和176c朝向第二半导体132a、132b和132c的沟道延伸以覆盖第二半导体132a、132b和132c的沟道。第二半导体132a、132b和132c被第二绝缘层140覆盖，并且第二栅电极156形成在第二绝缘层140上。在平面图中，沟道形成在第二半导体132a、132b和132c的与第二栅电极156重叠的部分中，并且沟道被第二栅电极156覆盖并且不被掺杂。第二栅电极156延伸以通过开口电连接到主扫描信号线151h。
127.初始化晶体管t3包括在设置在第一绝缘层120上的第三半导体133a、133b和133c中的沟道、第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域被掺杂以具有与导体相同或类似的导电特性。第三半导体133a、133b和133c的第一区域通过开口电连接到设置在第三导电层中的上存储电极175a、175b和175c，并且还通过附加开口电连接到设置在第一导电层中的下存储电极125a、125b和125c以及设置在第二导电层中的第一半导体131a、131b和131c。第三半导体133a、133b和133c的第二区域通过开口和连接构件173c电连接到初始化电压线173并接收初始化电压vint。第三半导体133a、133b和133c由第二绝缘层140覆盖，并且在第二绝缘层140上形成第三栅电极157。在平面图中，沟道形成在第三半导体133a、133b和133c的与第三栅电极157重叠的部分中，并且沟道被第三栅电极157覆盖并且不被掺杂。第三栅电极157延伸以通过开口电连接到主扫描信号线151h。
128.如图4中所示，存储电容器cst包括第一存储电容器cst1和第二存储电容器cst2。
129.第一存储电容器cst1包括设置在第二导电层中的栅电极155a、155b和155c、设置在栅电极155a、155b和155c上的第三绝缘层160以及设置在第三绝缘层160上的上存储电极175a、175b和175c。第二存储电容器cst2包括设置在第一导电层中的下存储电极125a、125b
和125c、设置在下存储电极125a、125b和125c上的第一绝缘层120和第二绝缘层140、以及设置在第一绝缘层120和第二绝缘层140上的栅电极155a、155b和155c。结果，提供了具有存储电极(从上到下在平面图中彼此重叠的上存储电极175a、175b和175c以及下存储电极125a、125b和125c)、以及公共的栅电极155a、155b和155c的三层结构。
130.下存储电极125a、125b和125c通过开口电连接到上存储电极175a、175b和175c，并且栅电极155a、155b和155c公共地包括在第一存储电容器cst1和第二存储电容器cst2中，因此第一存储电容器cst1和第二存储电容器cst2具有根据电路结构并联联接的结构。
131.上存储电极175a和175b一体地形成，并且可以包括在一侧上延伸的阳极连接构件179a和179b。阳极连接构件179a和179b通过第四绝缘层180中的开口185a和185b电连接到发光二极管eda和edb的阳极(未示出)。
132.上存储电极175c不包括延伸的阳极连接构件，并且其通过设置在上存储电极175c的上部分中的开口185c电连接到发光二极管edc的阳极(未示出)。
133.根据参考图3描述的根据实施方式的结构，在一组发光二极管eda、edb和edc中，第一发光二极管eda设置在左边，第二发光二极管edb设置在右边，并且第三发光二极管edc设置在中央。
134.发光二极管eda、edb和edc包括阳极(参考图15的191)、发射层(参考图15的370)和阴极(参考图15的270)，并且阳极设置在第四绝缘层180上。分隔壁(参考图15的350)可以设定成将发光二极管eda、edb和edc(led)彼此分离，并且分隔壁可以暴露阳极，可以通过暴露部分形成发射层，并且可以在发射层上设置阴极。
135.根据实施方式，发射层可以在分隔壁的开口中，并且根据参考图15描述的实施方式，发射层370形成在暴露的阳极191和分隔壁350上。阴极270形成在发射层370上。根据下面图15的实施方式，发射层370和阴极270可以整体地设置而不使用掩模。
136.封装层、颜色转换层或滤色器可以被设置在发光二极管eda、edb和edc的上部分上，这将在说明书的后面部分参考图15进行描述。
137.已经参考图3至图5描述了设置在扫描信号施加区域(或中央区域)中的像素电路的配置。
138.现在将参考图6至图8来描述设置在虚设区域(或侧区域)中的像素的像素电路的配置。
139.现在将参考图6来描述在虚设区域(或侧区域)中设置在左边最外侧上的像素电路的配置。
140.图6示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的最外左侧上的像素的俯视图。
141.与参考图3描述的配置相比，在图6的左边最外侧上的像素电路中，设置第一虚设布线152，来代替设置在像素电路的左边的连接扫描信号线151vl。第一虚设布线152是单层并且设置在第一导电层中。第一虚设布线152比连接扫描信号线151vl窄，并且结果，发光显示装置10的衬底的左边缘和第一虚设布线152之间的间隙等于或大于约50μm。控制第一虚设布线152的宽度，使得衬底的左边缘和第一虚设布线152之间的间隙可以等于或大于约50μm。第一虚设布线152的宽度可以等于或大于约5μm且等于或小于约10μm，并且连接扫描信号线151vl的宽度可以是约15μm。根据实施方式，布线的宽度可以改变。
142.扫描信号中的用于使晶体管维持在截止状态中的截止电压(voff)可以被施加到
第一虚设布线152。第一虚设布线152是窄的，并且可以具有相对大的电阻。因此，第一虚设布线152可以具有大的压降值，因此当在像素电路中使用第一虚设布线152的较低电压值时可能导致误差的电压值不被施加到第一虚设布线152。此外，根据实施方式，第一虚设布线152可以在不被施加电压的情况下浮置，或者可以向第一虚设布线152施加其他电压。
143.通过将第一虚设布线152形成为窄的，衬底的左边缘和第一虚设布线152之间的间隙可以等于或大于约50μm，从而在将另一发光显示装置10附接到左边以形成大的显示设备时，在诸如激光束切割的工艺中提供足够的公差或余量。结果，当完成大的显示设备时，发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可以保持恒定，从而改善大的显示设备的显示质量。
144.与图3相反，根据参考图6描述的实施方式，设置第二虚设布线153r，来代替设置在像素电路的右边的连接扫描信号线151vr。第二虚设布线153r设置在设置于左边最外侧上的像素电路的一侧上，并且第二虚设布线153r设置在不设置有第一虚设布线152的一侧上。第二虚设布线153r设置为单层并且设置在第一导电层中。第二虚设布线153r可以具有与连接扫描信号线151vr相同的宽度。第二虚设布线153r和连接扫描信号线151vr的宽度可以是约15μm。根据实施方式，布线的宽度是可变的。
145.现在将参考图7来描述在虚设区域(或侧区域)中的不设置在最外侧上的像素电路的配置。
146.图7示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的虚设区域中的像素的示意性俯视图。
147.与图3中所示的配置相比，连接扫描信号线151vl和151vr不设置在像素电路的相应侧上，并且在图7中所示的像素电路中，代替设置的是第二虚设布线153l和153r。第二虚设布线153l和153r设置成单层并且设置在第一导电层中。第二虚设布线153l和153r可以具有与连接扫描信号线151vl和151vr相同的宽度。例如，第二虚设布线153l和153r以及连接扫描信号线151vl和151vr的宽度可以是约15μm。根据实施方式，布线的宽度是可变的。
148.扫描信号中的用于使晶体管保持在截止状态中的截止电压(voff)可以被施加到第二虚设布线153l和153r。根据实施方式，可以不向第二虚设布线153l和153r施加电压，从而它们可以浮置，或者可以向第二虚设布线153l和153r施加其他电压。
149.现在将参考图8描述在虚设区域(或侧区域)中设置在右边最外侧上的像素电路的配置。
150.图8示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的最外右侧上的像素的俯视图。
151.与参考图3描述的配置相比，在设置在图8的右边最外侧上的像素电路中，设置第一虚设布线152，来代替设置在像素电路的右边的连接扫描信号线151vr。此外，设置第二虚设布线153l，来代替设置在像素电路的左边的连接扫描信号线151vl。第二虚设布线153l设置在设置于右边最外侧上的像素电路的一侧上，并且第二虚设布线153l设置在不设置有第一虚设布线152的一侧上。
152.第一虚设布线152设置成单层并且设置在第一导电层中。第一虚设布线152比连接扫描信号线151vr窄，并且结果，发光显示装置10的衬底的右边缘和第一虚设布线152之间的间隙等于或大于约50μm。控制第一虚设布线152的宽度，使得衬底的右边缘和第一虚设布线152之间的间隙可以等于或大于约50μm。第一虚设布线152的宽度可以等于或大于约5μm且等于或小于约10μm，并且连接扫描信号线151vr的宽度可以是约15μm。根据实施方式，布
线的宽度是可变的。
153.扫描信号中的用于使晶体管保持在截止状态中的截止电压(voff)可以被施加到第一虚设布线152。第一虚设布线152是窄的，并且因而具有相对大的电阻，并且具有大的电压降值，因此当在将第一虚设布线152用于像素电路的情况下电压值降低时，可以不使用可能产生故障的电压。根据实施方式，可以不向第一虚设布线152施加电压，使得它们可以浮置，或者可以向第一虚设布线152施加其他电压。
154.通过将第一虚设布线152形成为窄的，衬底的右边缘和第一虚设布线152之间的间隙可以等于或大于约50μm，从而在将另一发光显示装置10附接到发光显示装置10的右边以形成大的显示设备时，在诸如激光束切割的工艺中提供足够的公差或余量。结果，当完成大的显示设备时，发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可以保持恒定，从而改善大的显示设备的显示质量。
155.第二虚设布线153l是单层并且设置在第一导电层中。第二虚设布线153l可以具有与连接扫描信号线151vl相同的宽度。例如，第二虚设布线153l和连接扫描信号线151vl的宽度可以是约15μm。根据实施方式，布线的宽度是可变的。
156.当图6和图8的配置在左边最外侧上和右边最外侧上以将其它发光显示装置10附接到发光显示装置10的左边和右边时，发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可以保持恒定。
157.参考图1，在发光显示装置10的下侧上，布线的宽度没有减小，并且这是因为衬底的下边缘和像素电路之间的间隙等于或大于约50μm。因此，另一发光显示装置10可以附接到发光显示装置10的下侧，并且发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可以保持恒定。
158.参考图1，驱动区域设置在发光显示装置10的上侧上，并且具有等于或大于约50μm的宽度。
159.已经参考图1描述了驱动区域在其中设置在上侧上的发光显示装置10，并且根据实施方式，驱动区域可以设置在下侧上。现在将参考图9描述驱动区域在其中设置在下侧上的发光显示装置。
160.图9示出了根据实施方式的发光显示装置的示意图。
161.如图9中所示，对于发光显示装置10'，驱动区域设置在下侧上，并且数据驱动器20和扫描驱动器30可以设置在下侧上，并且可以以芯片形式安装在衬底上。
162.图9没有示出发光显示装置10'中的子区域，并且为了便于说明，示出了一个数据驱动器20和一个扫描驱动器30，并且省略了子区域。然而，根据实施方式，发光显示装置10和10'可以各自包括数据驱动器20和扫描驱动器30。
163.图9以字母示出了发光显示装置10'中的相应部分的位置。l表示发光显示装置10'的左边非显示区域，并且r表示发光显示装置10'的右边非显示区域。u表示上部区域，并且d表示下部区域。lu表示左边非显示区域的上部区域，并且rd表示右边非显示区域的下部区域。ll表示在左边的中央区域，并且rr表示在右边的中央区域。这里，左边非显示区域表示从衬底的左边缘到左边最外像素电路的区域，并且右非显示区域表示从衬底的右边缘到右边最外像素电路的区域。
164.图9示出了根据实施方式的非显示区域的在外侧上的宽度。对于图9中所示的发光显示装置10'，在相应侧上的最外像素电路距衬底的边缘的间隙等于或大于约50μm，并且在
不设置有驱动区域的上侧上，像素电路和衬底的边缘之间的间隙等于或大于约50μm。其它发光显示装置可以附接到发光显示装置10'的顶侧、右侧和左侧，并且发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可以保持恒定。
165.参考图9，在右侧和左侧上的相邻的像素电路之间的中心线被示出为实线，并且从一个像素电路到中心线的间隙设定为约40.2μm。因此，当没有如图6和图8中所示地那样设置窄的第一虚设布线152时，到衬底的右边缘和左边缘的间隙变为约40.2μm，并且可以小于为切割和附接其它发光显示装置提供足够的公差或余量所需要的约50μm。当另一发光显示装置附接到右边或左边时，发光二极管eda、edb和edc之间的间隙可能变得不同并且劣化所显示的图像的质量。
166.然而，在实施方式中，可以设置窄的第一虚设布线152，并且可以将衬底的边缘和像素电路之间的间隙控制为等于或大于提供足够的公差或余量所需要的约50μm，从而在制造大的显示设备时显示准确的图像。
167.将参考图10描述根据实施方式完成的大的显示设备的配置。
168.图10示出了根据实施方式的大的显示设备的示意图。
169.根据图10中所示的实施方式的大的显示设备可以通过附接四个发光显示装置10或10'来制造。
170.对于相应的发光显示装置10和10'，驱动区域和显示区域通过实线来区分和示出，并且如图9中所示，对于发光显示装置10和10'中的每个仅示出了一个数据驱动器20和一个扫描驱动器30，并且没有示出子区域。尽管图10简化了发光显示装置10和10'的图示，但是如图1中所示，发光显示装置10和10'可以包括多个子区域、多个数据驱动器20和多个扫描驱动器30。
171.参考图10，驱动区域可以设置在上侧上的两个发光显示装置10的横向侧在y轴方向上彼此附接。窄的第一虚设布线152可以设置在两个发光显示装置10的所附接的横向侧上。在两个发光显示装置10的横向侧上将两个发光显示装置10附接之前，第一虚设布线152和衬底的边缘之间的间隙可以等于或大于约50μm。在如图10中所示在两个发光显示装置10的横向侧上将两个发光显示装置10附接之后，两个第一虚设布线152之间的间隙可以调整成图9中所示的间隙(约40.2μm)的两倍。结果，在两个不同的发光显示装置10上但在两个不同的发光显示装置10被附接之后彼此相邻的像素电路或发光二极管eda、edb和edc之间的间隙变得与发光显示装置10中的每个中的其它像素之间的间隙相同。
172.对于驱动区域可以设置在下侧上的两个发光显示装置10'，窄的第一虚设布线152可以设置于在y轴方向上彼此附接的横向侧上。对于在可以对横向侧进行附接之前的两个发光显示装置10'，第一虚设布线152和衬底的边缘之间的间隙等于或大于约50μm。在如图10中所示将两个发光显示装置10'彼此附接之后，两个第一虚设布线152之间的间隙可以调整成图9中所示的间隙(约40.2μm)的两倍。结果，在两个不同的发光显示装置10'上但在两个不同的发光显示装置10'被附接之后彼此相邻的像素电路或发光二极管eda、edb和edc的间隙变得与在发光显示装置10'中的每个中的其它像素之间的间隙相同。
173.对于驱动区域在其中可以设置在上侧上的发光显示装置10和驱动区域在其中设置在下侧上的发光显示装置10'中的在x轴方向上彼此附接的部分，设置在衬底的边缘部分上的空间隙具有等于或大于约50μm的边缘，因此当在诸如激光束切割的工艺之后附接时彼
此相邻的像素电路或发光二极管eda、edb和edc的间隙与其它部分相同。
174.现在将参考图11和图12描述修改的实施方式。
175.现在将参考图11描述用于传输驱动电压qvdd的驱动电压线172的配置被修改的实施方式。
176.图11示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的扫描信号施加区域中的像素的俯视图。
177.在参考图11描述的实施方式中，与参考图3描述的实施方式不同，为了减小驱动电压线172的电阻，可以包括附加布线(驱动电压线延伸部172e、以及附加驱动电压线172-1e和172-2e)。
178.现在将更详细地描述与图3不同的驱动电压线172的配置。
179.在设置在像素电路的左边的主驱动电压线172vl中，设置在第一导电层中的第一主驱动电压线172-1vl还包括在主扫描信号线151h和子驱动电压线172h-2下方在y轴方向上向右突出的驱动电压线延伸部172e。
180.驱动电压线延伸部172e还包括在y轴方向上从第一主驱动电压线172-1vl突出并向下延伸的第一附加驱动电压线172-1e。设置在第二导电层中的第二附加驱动电压线172-2e设置在驱动电压线延伸部172e的两个第一附加驱动电压线172-1e上。
181.在平面图中，第一附加驱动电压线172-1e和第二附加驱动电压线172-2e彼此重叠，并通过开口彼此电连接。然而，根据实施方式，其还可以包括设置在第三导电层中的第三附加驱动电压线，并且其可以如图5中所示地连接三个层。
182.第一附加驱动电压线172-1e在x轴方向上延伸，并且可以通过开口连接到设置在第三导电层中的子驱动电压线172h-1。
183.如上所述，在如图11中所示的实施方式中，包括驱动电压线延伸部172e以及附加驱动电压线172-1e和172-2e减小了施加驱动电压qvdd的布线中的电阻，而不增加像素电路的面积，因为附加元件(驱动电压线延伸部172e以及附加驱动电压线172-1e和172-2e)设置在像素电路的在图3的实施方式中未使用的空间中。
184.在其它实施方式中，可以形成附加的电压布线，以通过增加部件来进一步减小布线电阻。
185.图12示出了衬底的边缘和像素电路之间的间隙可以小于约50μm的余量、以及第一虚设布线152的宽度被减小的实施方式。
186.图12示出了根据实施方式的设置在发光显示装置的最外左侧上的像素的示意性俯视图。
187.图12示出了最外像素电路，与图6中所描述的实施方式相反，其示出了可以不设置第一虚设布线152的实施方式。
188.图12中的最外像素电路与图3中所示的设置在扫描信号施加区域(中央区域)中的像素电路具有差异。
189.参考图3，一对连接扫描信号线151v(第一扫描信号线)可以设置在扫描信号施加区域(中央区域)中的像素电路的相应侧上。然而，在图12中，第二虚设布线153可以设置到最外像素电路的右侧，来代替图3中的连接扫描信号线151v(第一扫描信号线)。可以在最外像素电路的左侧上不设置布线，来代替图3中的连接扫描信号线151v(第一扫描信号线)。参
考图12，最外像素电路的最左边的布线可以不是第一虚设布线152，而是可以是初始化电压线173。参考图1，存在许多虚设布线152和153，并且相同的电压(例如，截止电压(voff))被施加到虚设布线152和153，因此当可以去除虚设布线152时不存在问题。
190.此外，在参考图12描述的实施方式中，衬底的边缘和像素电路之间的间隙可以等于或大于约50μm的余量，因此可以调整间隙，并且可以在制造大的显示设备时准确地显示图像。
191.根据实施方式，第一虚设布线152可以从在右边的最外像素去除。在第一虚设布线152没有形成在右边的最外像素上的实施方式中，设置在最外像素电路的最右侧上的布线可以是设置在右边的主驱动电压线172vr。
192.现在将参考图13和图14描述具有与参考图2描述的电路配置不同的电路配置的实施方式。
193.图13示出了根据实施方式的发光显示装置的像素的电路图。
194.与图2相比，图13示出了初始化晶体管t3的栅电极接收与输入晶体管t2的栅电极不同的扫描信号的实施方式。
195.下面将描述图13与图2的不同之处。
196.在像素pxa、pxb和pxc中的每个中，初始化晶体管t3的栅电极可以连接到用于传输第二扫描信号ss的第二扫描线151-1。初始化晶体管t3的第一电极可以电连接到存储电容器cst的第二端、驱动晶体管t1的第二电极以及发光二极管eda、edb和edc的阳极，并且初始化晶体管t3的第二电极可以电连接到用于传输初始化电压vint的初始化电压线173。初始化晶体管t3通过第二扫描信号ss而被导通，以将初始化电压vint传输到发光二极管eda、edb和edc的阳极和存储电容器cst的第二端，并且因而初始化发光二极管eda、edb和edc的阳极处的电压。此外，根据实施方式，感测发光二极管eda、edb和edc的阳极处的电压，以确定在将初始化电压vint传输到发光二极管eda、edb和edc的阳极之前是否维持前一帧的目标电压。
197.在图13中描述的实施方式中，可以将用于导通初始化晶体管t3和输入晶体管t2的区段区分开，因此可以在不同时间时执行由输入晶体管t2执行的编程操作和由初始化晶体管t3执行的初始化操作。
198.在图14中示出了具有与图13相同的电路配置的发光显示装置的像素电路的配置。
199.图14示出了根据另一实施方式的发光显示装置的一部分的示意性俯视图。
200.图14示出了与图6对应的在左边具有第一虚设布线152的像素电路。
201.现在将描述图14的像素电路的配置与图6的不同之处。
202.与图6不同，图14还示出了设置在第三导电层中的第二扫描线151-1。第二扫描线151-1在y轴方向上延伸并通过开口电连接到初始化晶体管t3的第三栅电极157。
203.两个扫描线151和151-1彼此分离，因此它们可以传输具有不同时序的扫描信号，并且可以独立地控制输入晶体管t2和初始化晶体管t3的导通时间。
204.对于发光显示装置，可以在第四绝缘层上形成包括阳极、发射层和阴极的发光二极管(led)，并且可以在发光二极管(led)上另外设置封装层、颜色转换层或滤色器。现在将参考图15描述整个发光显示装置的详细剖面配置。
205.图15示出了根据实施方式的发光显示装置的剖视图。
206.图15从根据实施方式的发光显示装置的配置中省略了像素电路，并且示出了构成发光二极管eda、edb和edc的阳极191。
207.如图15中所示，针对相应的像素pxa、pxb和pxc，在衬底110上设置阳极191。省略了像素电路的配置，诸如设置在衬底110和阳极191之间的晶体管和绝缘层。这些部件在图3至图5中示出。
208.分隔壁350可以形成在阳极191上，并且可以包括暴露阳极191的一部分的开口351。
209.根据实施方式，发射层370可以形成在阳极191和分隔壁350上，并且发射层370设置在整个区域中。发射层370可以发射第一颜色光，其中第一颜色光可以是蓝光。根据实施方式，可以相对于相应的像素pxa、pxb和pxc的开口351单独形成发射层370，并且相应的像素pxa、pxb和pxc的发射层可以发射不同颜色的光。阴极270可以形成在整个发射层370上。
210.包括绝缘层381、382和383的封装层380可以设置在阴极270上。绝缘层381和绝缘层383可以包括无机绝缘材料，并且绝缘层381和绝缘层383之间的绝缘层382可以包括有机绝缘材料。
211.包括填充物的填充层390可以设置在封装层380上。可以在填充层390上设置包括绝缘材料的封盖层400、颜色转换层430a和430b以及透射层430c。
212.透射层430c可以透射入射光。透射层430c可以透射第一颜色光(其可以是蓝光)。透射层430c可以包括用于透射第一颜色光的聚合物材料。其中设置有透射层430c的区域可以对应于用于发射蓝光的发光区域，并且透射层430c可以不包括半导体纳米晶体并且可以透射所入射的第一颜色光。
213.颜色转换层430a和430b可以包括不同类型的半导体纳米晶体。例如，输入到颜色转换层430a的第一颜色光可以被转换成第二颜色光，并且然后可以被颜色转换层430b所包括的半导体纳米晶体释放。输入到颜色转换层430b的第一颜色光可以被转换成第三颜色光，并且然后可以被颜色转换层430b所包括的半导体纳米晶体释放。
214.半导体纳米晶体可以包括用于将所入射的第一颜色光转换成第二颜色光或第三颜色光的荧光物质和量子点材料中的至少一种。
215.量子点的核可以选自ii-vi族化合物、iii-v族化合物、iv-vi族化合物、iv族元素、iv族化合物或其组合。
216.ii-vi族化合物可以选自：二元化合物，其包括cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs或其混合物；三元化合物，其选自agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns或其混合物；或四元化合物，其选自hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste或其混合物。
217.iii-v族化合物可以选自：二元化合物，其包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb或其混合物；三元化合物，其选自ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、innas、innsb、inpas、inpsb或其混合物；以及四元化合物，其选自gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb、gaalnp或其混合
物。
218.iv-vi族化合物可以选自：二元化合物，其包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte及其混合物；三元化合物，其选自snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte或其混合物；以及四元化合物，其选自snpbsse、snpbsete、snpbste或其混合物。iv族元素可以选自si、ge及其混合物。iv族化合物可以是选自sic、sige或其混合物的二元化合物。
219.二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀浓度存在于颗粒中，或者可以以不同的浓度分布存在于相同颗粒中。颜色转换介质层可以具有一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核和壳之间的交界可以具有浓度梯度，使得存在于壳中的元素的浓度在靠近量子点的中心处逐渐减小。
220.在一些实施方式中，量子点可以具有核-壳结构，其包括含有如上所述的纳米晶体的核、以及围绕核的壳。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学变性来维持半导体特性的保护层、和/或用于向量子点提供电泳特性的充电层。壳可以是单层或可以包括多层。核和壳之间的交界可以具有浓度梯度，使得壳中存在的元素的浓度在靠近中心处逐渐减小。量子点的壳的示例包括金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
221.例如，金属或非金属氧化物可以包括：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；或三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4，并且实施方式不限于此。
222.半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp和alsb，并且实施方式不限于此。
223.量子点可以具有小于约45nm、例如小于约40nm、或小于约30nm的发光波长谱的半高全宽(fwhm)，并且它可以在该范围内改善颜色纯度或颜色再现性。此外，通过量子点发射的光在所有方向上输出，从而改善光视角。
224.实施方式不受限于量子点的形式，并且量子点可以形成为球形、锥形、多臂形或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和纳米板形颗粒。
225.量子点可以根据颗粒的尺寸控制光的输出颜色，并且因此，量子点可以具有各种发光颜色，诸如蓝色、红色和绿色。
226.绝缘层440可以设置在颜色转换层430a和430b以及透射层430c上，并且滤色器450a、450b和450c以及光阻挡构件460可以设置在这些部件上。
227.滤色器450a可以输出第二颜色光，滤色器450b可以呈现第三颜色光，并且滤色器450c可以呈现第一颜色光。
228.光阻挡构件460可以设置在相邻的滤色器450a、450b和450c之间。
229.衬底210可以形成在滤色器450a、450b和450c以及光阻挡构件460上。颜色转换层430a和430b以及滤色器450a、450b和450c可以设置在衬底110和衬底210之间。
230.根据另一实施方式，发射层370可以包括量子点来代替颜色转换层430a和430b以及透射层430c。
231.衬底110和210可以包括相同的材料。封装层380可以设置在衬底110上，并且滤色器450a、450b和450c、光阻挡构件460、绝缘层440、颜色转换层430a和430b、透射层430c和封盖层400可以形成在衬底210上。在上侧和下侧处的衬底结构可以通过使用填充层390而被
附接。通过在填充层390内侧或外侧进一步包括密封剂，可以将在上侧和下侧处的衬底结构附接。
232.本文中已经公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是它们仅以概述性和描述性的含义进行使用，并且将仅以概述性和描述性的含义来解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如将对本领域的普通技术人员显而易见的，除非另外明确指示，否则结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的普通技术人员将理解的是，在不背离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上做出各种改变。