太鼓环减薄方法与流程

1.本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺，具体地，涉及一种太鼓环减薄方法。


背景技术：

2.taiko减薄工艺是由日本disco公司开发的一种超薄减薄工艺，taiko减薄工艺并不是对晶圆即硅片的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分不进行研磨减薄，不进行减薄的边缘部分的宽度约为2毫米～5毫米并由该不进行减薄的边缘部分形成支撑环。传统太鼓减薄工艺虽然可以达到超薄片(晶圆直径和厚度比为1：1)效果，但是会有晶圆表面损伤以及裂痕，从而对晶圆切割以及封装都有不小的影响。
3.本发明通过采用干法刻蚀的方式减薄晶圆，可以解决晶圆表面损伤以及裂痕的的问题，并且通过此方式减小了传统太鼓减薄工艺对晶圆产生的应力，会后续的晶圆背面金属化有很大的帮助。


技术实现要素：

4.针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种太鼓环减薄方法。
5.本发明的目的是通过以下方案实现的：
6.第一方面提供一种太鼓环减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.步骤一、在晶圆上涂上一层光刻胶或硬掩膜；
8.步骤二、区分出晶圆主区域102和晶圆无效区域101；
9.步骤三、刻蚀晶圆主区域102，保留晶圆无效区域101，将两个区域分为不通厚度区域；
10.步骤四、在晶圆主区域102镀上氧化层，刻蚀晶圆主区域102；
11.步骤五、检查过度刻蚀后的晶圆主区域102厚度，如果厚度不满足超薄片标准，重复步骤四、步骤五直到厚度达到超薄片标准。
12.优选的，所述步骤一中光刻胶包括氧化物或氮化物；所述步骤一中硬掩膜包括氧化物或氮化物。
13.优选的，所述步骤二中区分方法包括曝光的方法。
14.优选的，所述步骤二中晶圆无效区域101宽度为2～3mm。
15.优选的，所述步骤三中刻蚀方法包括光刻法。
16.优选的，所述步骤四中刻蚀方法包括干法刻蚀。
17.优选的，所述步骤四中氧化层包括二氧化硅。
18.优选的，所述步骤五中超薄片准为：晶圆直径跟厚度比为1:n，所述n的范围：0＜n≤1。
19.与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
20.1、本发明通过采用干法刻蚀的方式减薄晶圆，可以解决晶圆表面损伤及裂痕的问题。
21.2.本发明通过干法刻蚀的方式，减薄102晶圆主区域，保留101晶圆无效区域，从而增加晶圆减薄后的支撑效果，达到更高的减薄效果，减小了传统太鼓减薄工艺对晶圆产生的应力，对后续的晶圆背面金属化有很大帮助。
附图说明
22.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
23.图1为本发明实施例方法流程图；
24.图2为太鼓环俯视图；
25.图3为本发明工艺与常规工艺对比图。
26.101 晶圆无效区域
27.102 晶圆主区域
具体实施方式
28.下面结合具体实施例对本发明进行详细说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。应当指出的是，对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进。这些都属于本发明的保护范围。
29.如图1和图2所示，是本发明实例方法流程图。本发明实施例一种太鼓环减薄方法包括如下步骤：
30.步骤一、在晶圆上涂上一层光刻胶或硬掩膜。
31.所述光刻胶包括氧化物或氮化物；所述硬掩膜包括氧化物或氮化物。
32.步骤二、区分出晶圆主区域102和晶圆无效区域101。
33.所述区分方法采用曝光的方法。
34.所述晶圆无效区域101宽度为2～3mm。
35.步骤三、通过光刻方式刻蚀晶圆主区域102，保留晶圆无效区域101，将两个区域分为不同厚度区域。
36.步骤四、在晶圆主区域102镀上氧化层，通过干法刻蚀的方式刻蚀102区域。
37.所述氧化层为二氧化硅。
38.步骤五、检查刻蚀后的晶圆主区域102厚度，如果厚度不满足超薄片标准，重复步骤四、步骤五直到厚度达到超薄片标准。
39.所述超薄片标准为：圆晶直径与厚度比为1：n，所述0＜n≤1。
40.如图3所示，通过对比可以发现本发明工艺减薄102晶圆主区域，保留101晶圆无效区域厚度，从而增加晶圆减薄后的支撑效果，达到更高的减薄效果，减小了传统太鼓减薄工艺对晶圆产生的应力，对后续的晶圆背面金属化有很大帮助。
41.以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。


技术特征：
1.一种太鼓环减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、在晶圆上涂上一层光刻胶或硬掩膜；步骤二、区分出晶圆主区域(102)和晶圆无效区域(101)；步骤三、刻蚀晶圆主区域(102)，保留晶圆无效区域(101)，将两个区域分为不通厚度区域；步骤四、在晶圆主区域(102)镀上氧化层，刻蚀晶圆主区域(102)；步骤五、检查过度刻蚀后的晶圆主区域(102)厚度，如果厚度不满足超薄片标准，重复步骤四、步骤五直到厚度达到超薄片标准。2.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤一中光刻胶包括氧化物或氮化物；所述步骤一中硬掩膜包括氧化物或氮化物。3.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤二中区分方法包括曝光的方法。4.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤二中晶圆无效区域(101)宽度为2～3mm。5.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤三中刻蚀方法包括光刻法。6.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤四中刻蚀方法包括干法刻蚀。7.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤四中氧化层包括二氧化硅。8.根据权利要求1所述的一种太鼓环减薄方法，其特征在于，所述步骤五中超薄片准为：晶圆直径跟厚度比为1:n，所述n的范围：0＜n≤1。9.一种晶圆片，其特征在于，所述晶圆片采用如权利要求1至8任一项所述的太鼓环减薄方法制得。

技术总结
本发明提供了一种太鼓环减薄方法，步骤包括：在晶圆上涂上一层光刻胶或硬掩膜；区分出晶圆主区域和晶圆无效区域；刻蚀晶圆主区域，保留晶圆无效区域，将两个区域分为不通厚度区域；在晶圆主区域镀上氧化层，刻蚀晶圆主区域；检查刻蚀后的晶圆主区域厚度，如果厚度不满足超薄片标准，重复步骤四、步骤五直到厚度超薄片标准。本发明可以增加晶圆减薄后的支撑效果，达到更高的减薄效果，减小了晶圆损伤层以及晶圆的应力对后续工艺的影响。及晶圆的应力对后续工艺的影响。及晶圆的应力对后续工艺的影响。


技术研发人员：黄威
受保护的技术使用者：淄博绿能芯创电子科技有限公司
技术研发日：2022.03.25
技术公布日：2022/7/1