磁光器件、磁光控制系统及方法

1.本技术涉及磁光器件技术领域，特别是涉及一种磁光器件、磁光控制系统及方法。


背景技术：

2.随着磁光材料领域的发展，磁光材料广泛应用在信息功能器件中，涉及到国防、民用基础设施以及商用光通信等领域。利用磁光材料的特性，可以制备出磁光开关，磁光存储，磁光隔离器，磁光调制器等各类功能的磁光器件，利用电控的方式实现对磁光器件磁光响应的调控具有重要的意义。
3.传统技术中，利用导电线圈通电流来产生外磁场，进而利用产生外磁场的方向来调控磁光器件的磁化方向，实现对磁光器件中入射光偏振状态的调控。由于外磁场的发散性和非局域等特点，在集成器件中利用该方法无法进一步将磁光器件降低至更小尺寸。同时，外磁场的发散性会串扰信号，在外磁场作用下的磁光响应速度等一些磁光器件的关键指标都会受到限制。除此之外，由于利用通电线圈来产生磁场也会使得磁光器件产生焦耳热量，这种方式会大大降低磁光器件器件的使用的效率和功耗。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对现有技术中磁光器件无法集成化的问题，提供一种磁光器件、磁光控制系统及方法。
5.一种磁光器件，包括：
6.磁光薄膜，所述磁光薄膜的材料包括含铋元素的过渡族金属氧化物；
7.绝缘衬底，所述磁光薄膜外延生长在所述绝缘衬底上；
8.所述磁光薄膜表面形成有重金属薄膜阵列，所述重金属薄膜阵列用于基于施加的不同方向的电流改变所述磁光薄膜的面外磁化方向。
9.在一个实施例中，所述过渡族金属氧化物包括3d过渡族金属氧化物。
10.在一个实施例中，所述磁光薄膜的厚度小于100纳米。
11.在一个实施例中，所述磁光薄膜通过激光脉冲沉积方法外延生长在所述绝缘衬底上。
12.在一个实施例中，所述磁光薄膜通过液相外延方法外延生长在所述绝缘衬底上。
13.在一个实施例中，所述重金属薄膜阵列中的金属元素包括铂、钽和铋。
14.一种磁光控制系统，其特征在于，所述磁光控制系统包括如权利要求1-6所述的磁光器件、以及电源和金属引线，其中：
15.所述电源，用于提供电流；
16.所述金属引线，分别与重金属薄膜阵列和所述电源相连，用于向所述重金属阵列引入电流。
17.在一个实施例中，所述磁光控制系统还包括：
18.外置偏振光；
19.探测装置，用于探测所述外置偏振光透射穿过磁光薄膜后所述外置偏振光偏振面的旋转角。
20.一种磁光控制方法，所述磁光控制方法应用于上述的磁光控制系统，所述方法包括：
21.控制外置偏振光透射穿过磁光薄膜；
22.利用电源通过金属引线向重金属薄膜阵列提供不同方向电流，利用所述重金属薄膜阵列的自旋轨道转距效应改变所述磁光薄膜面外磁化方向；
23.利用探测装置探测透射穿过所述磁光薄膜的所述外置偏振光偏振面的旋转角变化，利用所述探测装置的探测结果反映磁光器件工作状态。
24.在一个实施例中，所述利用所述重金属薄膜阵列的自旋轨道转距效应改变所述磁光薄膜面外磁化方向包括：
25.当所述重金属薄膜阵列中通过所述不同方向电流时，所述重金属薄膜阵列内部形成不同方向的有效场，所述有效场带动所述磁光薄膜面内自旋取向翻转，从而使得所述磁光薄膜面外磁化方向翻转。
26.本技术提供的磁光器件、磁光控制系统及方法。所述磁光器件的所述磁光薄膜材料为含铋元素的过渡族氧化物，该类磁光材料在具有室温以及室温以上条件下具有较高的磁光系数，同时具有自发的面外易磁化特性。所述磁光薄膜中包括有铋元素，保证所述磁光薄膜中存在较强的自旋轨道耦合作用。所述磁光薄膜中包括过渡族氧化物，所述过渡族氧化物用于为所述磁光薄膜提供磁性，保证所述磁光薄膜具有面外自发磁化特性。所述磁光薄膜表面形成有重金属薄膜阵列，所述重金属薄膜阵列用于利用自旋轨道转矩效应，基于施加的不同方向的电流改变所述磁光薄膜的面外磁化方向，无需通过外加磁场即可实现改变所述磁光薄膜中面外磁化方向，使得磁光器件具有高稳定性。本技术实施例所述的磁光器件可以兼顾现有的半导体微纳加工工艺，可以使得所述磁光器件具有微型化和集成化特点。
27.在本技术所提供的磁光控制系统中，电源通过金属引线向所述重金属薄膜阵列提供不同方向电流，所述重金属薄膜阵列利用自旋轨道转距效应，翻转磁光薄膜的面外磁化方向。本技术所提供磁光控制方法包括：控制外置偏振光透射穿过所述磁光薄膜；利用电源通过金属引线向所述重金属薄膜阵列提供不同方向电流，利用所述重金属薄膜阵列的自旋轨道转距效应改变磁光薄膜面外磁化方向；利用探测装置探测透射穿过所述磁光薄膜的所述外置偏振光的偏振面的旋转角变化，利用所述探测装置的探测结果反映磁光器件工作状态。因此，本技术提供的磁光器件、磁光控制系统及方法不需要通过外加磁场即可实现对磁光薄膜面外磁化方向的翻转，进而实现在室温以及室温以上的工作条件下，利用电控的方式实现对磁光器件的磁光响应的调控，具有集成化优势，可广泛应用于光存储，光通信以及光操控等领域。
附图说明
28.图1为一个实施例中磁光器件的结构图；
29.图2为一个实施例中磁光控制系统的结构图一；
30.图3为一个实施例中磁光控制系统图一；
31.图4为一个实施例中磁光控制系统图二；
32.图5为另一个实施例中磁光控制系统的结构图二；
33.图6为另一个实施例中磁光控制系统的结构图三；
34.图7为另一个实施例中磁光控制系统的结构图四。
35.附图标号：
36.磁光薄膜100；
37.附图标号：
38.磁光器件10；磁光薄膜100；绝缘衬底200；重金属薄膜阵列300；电源400；金属引线500；外置偏振光600；探测装置700；光纤800；底部电极900。
具体实施方式
39.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
40.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
41.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
42.磁光材料是一类广泛应用在信息功能器件中的材料，磁光材料的应用涉及到国防，民用基础设施以及商用光通信等领域。磁光材料一般是指具有自发磁化的材料，磁光材料在外磁场的作用下，使得入射或反射的线偏振光或者是圆偏振光的偏振面发生一定角度的偏转，其中的原理主要包括了法拉第效应，克尔效应以及科顿-莫顿效应。在现有技术中，利用磁光材料的上述特性，可以制备出磁光开关，磁光存储，磁光隔离器，磁光调制器等各类光功能器件。
43.目前在室温以及室温以上的工作条件下，利用电控的方式实现对磁光器件磁光响应状态的调控没有较为理想、并且能广泛应用在集成微纳器件中的技术。这主要是受限于两个方面原因，第一方面的原因是需要磁光材料具有室温以及室温以上自发磁化、高磁光系数以及绝缘等主要特性。实现电控磁光器件磁光性能的重要前提条件是需要使用的磁光器件同时兼顾上述几种特性；第二方面的原因是需要满足在微纳米集成器件中实现利用电控方式实现对磁光器件磁光响应状态的调控。
44.目前，现有技术中通用方式是给线圈通入电流，利用通电流的导电线圈来产生外
磁场，再利用导电线圈产生的外磁场的方向来调控磁光器件的磁化方向，实现对磁光器件中透射穿过磁光器件的偏振光状态的调控。由于通电线圈产生的外磁场具有发散性和非局域等特点，无法在集成器件中使用该方法，使用该方法后无法将磁光器件大小降低至更小尺寸。同时，通电线圈产生的外磁场的发散性会串扰信号。在通电线圈产生的外磁场作用下，磁光器件的磁光响应速度等一些关键指标都会受到限制。除此之外，通电线圈产生的外磁场也会使得磁光器件产生一定量的焦耳热，这样也会降低磁光器件的使用的效率和功耗。
45.基于对这类问题的思考，请参见图1，本技术实施例提供一种磁光器件10。磁光器件10包括磁光薄膜100、绝缘衬底200和重金属薄膜阵列300。磁光薄膜100的材料包括含铋元素的过渡族金属氧化物。磁光薄膜100外延生长在绝缘衬底200上。磁光薄膜100表面形成有重金属薄膜阵列300。重金属薄膜阵列300基于施加的不同方向的电流改变磁光薄膜100的面外磁化方向。
46.本技术实施例中将含铋元素的氧化物磁性过渡族氧化物作为磁光材料来应用在磁光器件10中。在近红外光波段，含铋元素的磁光薄膜100的材料具有较高的比法拉第旋转角大小，当磁光薄膜100面外磁化方向发生时，可以使得透射穿过磁光薄膜100的外置线偏振光600的偏振面出现不同方向的旋转。本技术实施例中形成于磁光薄膜100的重金属薄膜阵列300可以基于通过重金属薄膜阵列300的不同方向电流，改变磁光薄膜100的面外磁化方向，进而可以使得透射穿过磁光薄膜100的外置线偏振光600的偏振状态发生改变，从而实现通过电流调控磁光器件10的工作状态。
47.本技术实施例中磁光薄膜100的材料为含铋元素的过渡族氧化物，该类磁光材料在具有室温以及室温以上条件下具有较高的磁光系数，同时具有自发的面外易磁化特性。本技术实施例中磁光薄膜100中包括有铋元素，从而保证磁光薄膜100中存在较强的自旋轨道耦合作用。本技术实施例中磁光薄膜100中包括过渡族氧化物，该过渡族氧化物用于为磁光薄膜100提供磁性，保证磁光薄膜100具有面外自发磁化特性。除此之外，磁光薄膜100具有绝缘性，该磁光薄膜100为绝缘体薄膜。
48.在本技术实施例中，高度绝缘的磁光薄膜100外延生长在绝缘衬底200上，在可见光范围内上述磁光薄膜100是呈透明状态，外置偏振光600可以直接透射穿过磁光薄膜100及其绝缘衬底200。
49.自旋电子学中自旋轨道转矩(spin orbit torque；sot)效应是一种自旋调控方式。在铁磁薄膜中，可以利用自旋轨道转矩(sot)效应来实现一些面外易磁化的铁磁薄膜中面外磁化方向的上下翻转，并且该方法具有较好的非易失性。为了利用自旋轨道转矩(sot)效应来实现磁光薄膜100中面外磁化方向的翻转，可以在磁光薄膜100表面进行加工从而形成重金属薄膜阵列300。所述磁光薄膜100表面形成有重金属薄膜阵列300，所述重金属薄膜阵列300用于利用自旋轨道转矩(sot)效应，基于施加的不同方向的电流改变所述磁光薄膜100的面外磁化方向。当重金属薄膜阵列300通过不同方向的电流，由于重金属薄膜阵列300内部形成的不同方向有效场，可以带动磁光薄膜100中面内自旋取向的翻转，进而可以使得磁光薄膜100的面外磁化方向被带动翻转，进而实现了电流驱动下的磁化方向的翻转，实现在室温条件下电控磁光器件10的磁光响应，并且无需设置外加磁场可以大大降低上述磁光器件10的尺寸。同时，由于不同方向电流的作用下，磁光薄膜100产生的不同面外磁化方向，
在不同面外磁化方向磁场的作用下可以使得透射穿过磁光薄膜100偏振光的偏振面出现不同方向的旋转，通过对偏振光偏振面的旋转角的读取可以直接记录磁光器件10的不同工作状态。
50.本技术实施例中，在磁光薄膜100表面加工形成重金属薄膜阵列300可以采用微纳米加工工艺中的光刻技术，利用现有的光刻技术对磁光薄膜100进行加工从而在磁光薄膜100形成重金属薄膜阵列300。本技术实施例中对磁光薄膜100进行的微纳米加工工艺与目前的半导体加工工艺具有良好的兼容性，这样可以使得本技术实施例中的磁光器件10和目前的集成工艺具有较好的匹配性，可以大大降低磁光器件10的尺寸。因此，本技术实施例提供的磁光器件10具有微型化和集成化特点。
51.综上所述，本技术实施例提供的磁光器件10可以满足在室温以及室温以上的工作条件下，利用电控的方式实现对磁光器件10的磁光响应的调控。本技术实施例无需通过外加磁场即可实现所述磁光薄膜100中面外磁化方向的翻转，使得磁光器件10具有高稳定性。本技术实施例所述的磁光器件10可以兼顾现有的半导体微纳加工工艺，可以使得所述磁光器件10具有微型化和集成化特点。本技术实施例提供的磁光器件10还可应用于光存储，光通信以及光操控等领域。
52.在一个实施例中，过渡族金属氧化物包括3d过渡族金属氧化物。
53.本技术实施例中磁光薄膜100的材料包括含铋元素的过渡族金属氧化物。铋元素保证磁光薄膜100中存在较强的自旋轨道耦合作用来提高磁光薄膜100的磁光响应。过渡族金属氧化物包括3d过渡族金属氧化物，过渡族金属氧化物用于为磁光薄膜100提供磁性，保证磁光薄膜100的材料具有较高的磁光系数，同时具有自发的面外易磁化特性，也保证磁光薄膜100为磁性绝缘体。
54.在一个实施例中，磁光薄膜100的厚度小于100纳米。
55.本技术实施例中所述重金属薄膜阵列300用于利用自旋轨道转矩(sot)效应，基于施加的不同方向的电流改变所述磁光薄膜100的面外磁化方向，利用自旋轨道转矩(sot)效应来改变磁光薄膜100的面外磁化方向需要磁光薄膜100满足一定的厚度要求。本技术实施例中磁光薄膜100的厚度小于100纳米，保证在磁光薄膜100形成的重金属薄膜阵列300中通过不同方向的电流时，重金属薄膜阵列300内部形成的有效场可以带动磁光薄膜100中面内自旋取向的翻转，进而可以带动磁光薄膜100面外磁化方向的翻转，实现通过电流改变磁光薄膜100的面外磁化方向。
56.在一个实施例中，磁光薄膜100通过激光脉冲沉积方法外延生长在绝缘衬底200上。
57.本技术实施例中提供磁光器件10中磁光薄膜100可以通过激光脉冲沉积方法外延生长在绝缘衬底200上。磁光薄膜100外延生长方向与绝缘衬底200内部晶体结构及方向存在一定关系，磁光薄膜100外延生长方向包括面内外延生长和面外外延生长。激光脉冲沉积方法的沉积速率高、整个试验周期短、对衬底温度要求低、并可以制备出均匀薄膜，因此，制备磁光薄膜100可以采用激光脉冲沉积方法。
58.在一个实施例中，磁光薄膜100通过液相外延方法外延生长在绝缘衬底200上。
59.本技术实施例中提供磁光器件10中磁光薄膜100可以通过液相外延方法外延生长在绝缘衬底200上。磁光薄膜100外延生长方向与绝缘衬底200内部晶体结构及方向存在一
定关系，磁光薄膜100外延生长方向包括面内外延生长和面外外延生长。液相外延方法中生长设备比较简单、有较高的生长速率、生长系统中没有剧毒和强腐蚀性的原料及产物，操作安全、简便等，因此，磁光薄膜100可以通过液相外延方法外延生长在绝缘衬底200上。
60.在一个实施例中，重金属薄膜阵列300中的金属元素包括铂、钽和铋。
61.本技术实施例中重金属薄膜阵列300用于利用自旋轨道转矩效应，基于施加的不同方向的电流改变磁光薄膜100的面外磁化方向，重金属薄膜阵列300包含的金属元素包括但不限于重金属铂、钽和铋。
62.本技术实施例提供一种磁光控制系统包括上述的磁光器件10，磁光控制系统还包括电源400和金属引线500。电源400用于提供电流。金属引线500分别与重金属薄膜阵列300和电源400相连，用于向重金属薄膜阵列300引入电流。
63.请一并参见图2，本技术实施例中提供的磁光控制系统包括磁光薄膜100、绝缘衬底200、重金属薄膜阵列300、电源400和金属引线500。在本技术实施例中磁光控制系统中，电源400通过金属引线500向重金属薄膜阵列300提供不同方向电流，重金属薄膜阵列300利用自旋轨道转距效应，翻转磁光薄膜100的面外磁化方向。本技术实施例中磁光控制系统无需利用导电线圈产生的外磁场来调控磁光器件10的磁化方向，而是直接通过向重金属薄膜阵列300施加不同方向电流来调控磁器件的面外磁化方向，使得该磁光控制系统具有高稳定性。磁光薄膜100为磁性绝缘体薄膜，在近红外波段具有高的比法拉第旋转角大小，当磁光薄膜100自发磁化方向翻转时，可以使得透射穿过磁光薄膜100的偏振光的偏振面出现不同方向的旋转，进而可以实现电流操控磁光器件的工作状态。
64.本技术实施例中重金属薄膜阵列300通过微纳米加工工艺中的光刻技术形成于磁光薄膜100上，使得该磁光控制系统具有集成化的特点。采用半导体微纳加工工艺进行磁光控制系统的加工可以使得上述磁光控制系统的尺寸大大缩小，使其具有微型化的特点，可以提高磁光控制系统的应用范围。
65.在一个实施例中，磁光控制系统还包括外置偏振光600和探测装置700。探测装置700用于探测外置偏振光600透射穿过磁光薄膜100后的外置偏振光600偏振面的旋转角。
66.本技术实施例中外置偏振光600包括但不限于线偏振光和圆偏振光。在磁光控制系统中外置偏振光600透射穿过磁光薄膜100，再被探测装置700接收。探测装置700可以检测透射穿过磁光薄膜100后的外置偏振光600偏振面的旋转角，通过探测装置700的探测结果可以得到电流对磁光器件10的工作状态的调控情况。探测装置700对外置偏振光600的探测精度可以达到0.01urad，探测装置700的探测精度越高，可以更精准的获得电流对磁光器件10工作状态的调控情况。
67.在本技术附图中，e可以表示偏振光的偏振方向。请参见图3-图4，在图3和图4中电源400通过金属引线500向重金属薄膜阵列300提供不同方向电流，重金属薄膜阵列300利用自旋轨道转距效应，翻转磁光薄膜100的面外磁化方向，使得透射穿过磁光薄膜100的外置偏振光600的偏振方向发生改变。
68.请一并参见图5，在一个实施例中，磁光控制系统还可以包括光纤800。外置偏振光600通过光纤800透射穿过磁光薄膜100。磁光控制系统可以通过向重金属薄膜阵列300施加不同方向的电流，利用自旋轨道转矩(sot)效应，控制磁光薄膜100的面外磁化方向的翻转，进而控制透射穿过磁光薄膜100的外置偏振光600的偏振面旋转角的改变。上述磁光控制系
统还可以作为磁光开关，可以实现对通过和截止特定偏振光。在本技术实施例中光纤800的个数包括但不限于一个，可以根据需求设置多个光纤800。每个光纤800对应于一个外置偏振光600和一个电源400。
69.外置偏振光600透射穿过磁光薄膜100的方向与磁光薄膜100外延生长的方向一致。磁光薄膜100外延生长方向包括面内外延生长和面外外延生长。当磁光薄膜100沿面内外延生长在绝缘衬底200时，外置偏振光600沿面内方向透射穿过磁光薄膜100。当磁光薄膜100沿面外外延生长在绝缘衬底200时，外置偏振光600沿面外方向透射穿过磁光薄膜100。请一并参见图1-图7，在图1-图5和图7中，磁光薄膜100沿面外外延生长在绝缘衬底200上，此时，外置偏振光600沿面外方向透射穿过磁光薄膜100。而在图6中，磁光薄膜100沿面内外延生长在绝缘衬底200表面，此时，外置偏振光600沿面内方向透射穿过磁光薄膜100。因此，控制磁光薄膜100的外延生长方向可以实现面内方向的光传递，通过控制向重金属薄膜阵列300输入不同方向的电流可以实现对特定外置偏振光600的调制和隔离，这样可以实现对于光子芯片中的电光调制。
70.请一并参见图7，在一个实施例中，磁光控制系统还包括底部电极900。底部电极900位于磁光薄膜100和绝缘衬底200之间，可以通过电源400在重金属薄膜阵列300和底部电极900施加不同方向电流。位于底部电极900和重金属薄膜阵列300中间的磁光薄膜100中存在较强的自旋轨道耦合作用，磁光薄膜100在重金属薄膜阵列300和底部电极900之间不同方向电流的作用下可以实现翻转磁光薄膜100中面外的磁化方向。当磁光薄膜100中面外的磁化方向翻转时，可以使得透射穿过磁光薄膜100的外置偏振光600的偏振面出现不同方向的旋转，进而可以实现电流操控磁光器件10的工作状态。
71.本技术实施例提供一种磁光控制方法，所述磁光控制方法应用于上述的磁光控制系统。
72.磁光控制方法包括：
73.控制外置偏振光600透射穿过磁光薄膜100；
74.利用电源400通过金属引线500向重金属薄膜阵列300提供不同方向电流，利用重金属薄膜阵列300的自旋轨道转距效应改变磁光薄膜100面外磁化方向；
75.利用探测装置700探测透射磁光薄膜100的外置偏振光600偏振面的旋转角变化，利用探测装置700的探测结果反映磁光器件10工作状态。
76.本技术实施例中的磁光控制方法，根据磁光薄膜100外延生长方向，控制外置偏振光600沿与磁光薄膜100外延生长方向透射穿过磁光薄膜100。电源400通过金属引线500向重金属薄膜阵列300提供不同方向电流。当重金属薄膜阵列300中通过不同方向的电流时，利用重金属薄膜阵列300中的自旋轨道转矩效应来实现对磁光薄膜100面外磁化方向的翻转，从而可以不需要通过外加磁场来实现对磁光薄膜100中磁化方向的翻转，具有高稳定性。此外，由于磁光薄膜100具有高的近红外波段的比法拉第旋转角大小，当磁光薄膜100自发磁化方向翻转时，可以使得透射穿过磁光薄膜100的外置偏振光600的偏振面出现不同方向的旋转，进而可以实现电流操控磁光器件10的工作状态。
77.在一个实施例中，利用重金属薄膜阵列300的自旋轨道转距效应改变磁光薄膜100面外磁化方向包括：
78.当重金属薄膜阵列300中通过不同方向电流时，重金属薄膜阵列300内部形成不同
方向的有效场。有效场带动磁光薄膜100面内自旋取向翻转，从而使得磁光薄膜100面外磁化方向翻转。
79.为了利用sot效应在磁光薄膜100中实现磁化方向的翻转，需要在磁光薄膜100利用微纳米加工工艺中的光刻技术对磁光薄膜100的表面进行重金属薄膜阵列300的加工，该工艺和目前的半导体加工工艺具有良好的兼容性，这也使得该类磁光器件10和目前的集成工艺具有较好的匹配性。当重金属薄膜阵列300通过不同方向的电流，由于重金属薄膜阵列300内部形成的不同取向有效场，可以带动磁光薄膜100中面内自旋取向的翻转，进而可以使得磁光薄膜100面外的磁化方向被带动翻转，进而实现了电流驱动下的磁光薄膜100磁化方向的翻转。同时，由于磁光薄膜100不同磁化方向的作用，会使得透射穿过磁光薄膜100的外置偏振光600出现偏振面不同方向的偏转，通过对偏振面的偏转角的读取可以直接来记录不同信号。基于此类磁光控制系统和方法，我们还可以将磁光器件10应用在特定的功能器件中，来实现对光偏振态的调控。
80.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
81.以上实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。