光电器件的制作方法

技术特征：
1.一种光电器件，其特征在于，包括：阳极、在所述阳极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层和在所述量子点发光层上的阴极，所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级差大于等于0.5ev。2.如权利要求1所述的光电器件，其特征在于，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为0.5ev～0.7ev；或者，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为0.7ev～1.0ev；或者，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差为1.0ev～1.4ev；或者，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输材料的价带顶能级差大于1.4ev～1.7ev。3.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括第一空穴注入层，所述第一空穴注入层位于所述阳极层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述第一空穴注入层中第一空穴注入材料的功函差值的绝对值小于等于0.2ev。4.如权利要求3所述的光电器件，其特征在于，所述第一空穴注入材料的功函绝对值为5.3ev～5.6ev；和/或，所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述第一空穴注入材料的功函差值的绝对值为0ev。5.如权利要求1或2所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件包括第二空穴注入层，所述第二空穴注入层位于所述阳极层和所述空穴传输层之间，所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述第二空穴注入层中第二空穴注入材料的功函差值小于-0.2ev。6.如权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述第二空穴注入材料的功函绝对值为5.4ev～5.8ev；和/或，所述空穴传输层材料的价带顶能级与所述第二空穴注入材料的功函差值为-0.9ev～-0.2ev。7.如权利要求4或6所述的光电器件，其特征在于，当所述光电器件包含第一空穴注入层时，所述第一空穴注入层中第一空穴注入材料选自金属氧化物材料；或者，当所述光电器件包含第二空穴注入层时，所述第二空穴注入层中第二空穴注入材料选自金属氧化物材料。8.如权利要求7所述的光电器件，其特征在于，所述金属氧化物材料包括：氧化钨、氧化钼、氧化钒、氧化镍、氧化铜中的至少一种金属纳米材料；和/或，所述金属氧化物材料的粒径为2～10nm；和/或，所述第一空穴注入层的厚度为10～150nm；和/或，所述第二空穴注入层的厚度为10～150nm。9.如权利要求1或8所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层中包含至少两种空穴传输材料，其中，至少一种空穴传输材料的价带顶能级的绝对值小于等于5.3ev。10.如权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层中，价带顶能级小于等于5.3ev的空穴传输材料的质量百分含量为30～90％；
所述空穴传输层中还包括价带顶能级大于5.3ev小于5.8ev的空穴传输材料；和/或，所述空穴传输层中还包括价带顶能级大于等于5.8ev的空穴传输材料。11.如权利要求9所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级均小于等于5.3ev；所述空穴传输层中，每一种空穴传输材料的质量百分含量为5～95％。12.如权利要求10或11所述的光电器件，其特征在于，所述空穴传输材料选自：含苯胺基团的聚合物、含有芴基团和苯胺基团的共聚物中的至少一种；和/或，所述空穴传输材料的迁移率高于1
×
10-4
cm2/vs。13.如权利要求12所述的光电器件，其特征在于，所述价带顶能级的绝对值小于等于5.3ev的空穴传输材料包括：p09、p13中的至少一种；和/或，所述价带顶能级的绝对值大于5.3ev小于5.8ev的空穴传输材料包括：tfb、poly-tpd、p11中的至少一种；和/或，所述价带顶能级的绝对值大于等于5.8ev的空穴传输材料包括：p15、p12中的至少一种；和/或，所述空穴传输材料的迁移率高于1
×
10-3
cm2/vs。14.如权利要求1、2、4、6、8、10、11或13任一所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件还包括电子传输层，所述电子传输层中电子传输材料选自：金属氧族化合物传输材料、有机传输材料中的至少一种。15.如权利要求14所述的光电器件，其特征在于，所述金属氧族化合物传输材料的电子迁移率为10-2
～10-3
cm2/vs；和/或，所述金属氧族化合物传输材料选自：氧化锌、氧化钛、硫化锌、硫化镉中的至少一种；和/或，所述金属氧族化合物传输材料选自：掺杂有金属元素的氧化锌、氧化钛、硫化锌、硫化镉中的至少一种，其中，所述金属元素包括铝、镁、锂、镧、钇、锰、镓、铁、铬、钴中至少一种；和/或，所述金属氧族化合物传输材料的粒径小于等于10nm。16.如权利要求14所述的光电器件，其特征在于，所述有机传输材料的电子迁移率不低于10-4
cm2/vs；和/或，所述有机传输材料选自：8-羟基喹啉-锂、八羟基喹啉铝、富勒烯衍生物、3,5-双(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑、1,3,5-三(1-苯基-1h-苯并咪唑-2-基)苯中的至少一种。17.如权利要求16所述的光电器件，其特征在于，当所述空穴传输层中包括价带顶能级大于5.3ev小于5.8ev的空穴传输材料时，所述电子传输层中包括：有机电子传输材料层、金属氧化物纳米颗粒层、溅射沉积的金属氧化物层中的至少一种；当所述空穴传输层中包括价带顶能级大于等于5.8ev的空穴传输材料时，所述电子传输层中包括：金属氧化物纳米颗粒；当所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级均小于等于5.3ev时，所述电子传输层中包括：表面钝化的金属氧化物纳米颗粒。18.如权利要求15～17任一所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层为叠层复合
结构，其中包括至少两层子电子传输层。19.如权利要求18所述的光电器件，其特征在于，所述电子传输层中，至少一层子电子传输层的材料为所述金属氧族化合物传输材料；和/或，所述电子传输层中，至少一层子电子传输层的材料为所述有机传输材料。20.如权利要求19所述的光电器件，其特征在于，所述核壳结构的量子点材料还包括内核，以及位于所述内核与所述外壳层之间的中间壳层；其中，内核材料的价带顶能级浅于所述外壳层材料的价带顶能级；中间壳层材料的价带顶能级介于内核材料的价带顶能级和所述外壳层材料的价带顶能级之间。21.如权利要求20所述的光电器件，其特征在于，所述量子点材料的外壳层包括：cds、znse、znte、zns、znses、cdzns、pbs中的至少一种或者至少两种形成的合金材料；和/或，所述量子点材料的内核包括：cdse、cdznse、cdzns、cdses、cdznses、inp、ingap、gan、gap、znse、znte、zntese中的至少一种；和/或，所述中间壳层材料选自：cdznse、znse、cdzns、cdznses、cds、cdses中的至少一种。22.如权利要求19或20所述的光电器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为8～100nm；和/或，所述空穴传输层的厚度为10～150nm；和/或，所述电子传输层的厚度为10～200nm；和/或，所述量子点材料的外壳层厚度为0.2～6.0nm；和/或，所述量子点材料的发光峰波长范围为400～700nm。

技术总结
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种光电器件，包括：阳极、在所述阳极上的空穴传输层、在所述空穴传输层上的量子点发光层和在所述量子点发光层上的阴极，所述量子点发光层中包括核壳结构的量子点材料，所述量子点材料的外壳层材料与所述空穴传输层中空穴传输材料的价带顶能级差大于等于0.5eV。本申请提供的光电器件，在量子点材料的外壳层材料与空穴传输材料之间构建了大于等于0.5eV的价带顶能级差，即E


技术研发人员：杨一行 王天锋 周礼宽 严怡然
受保护的技术使用者：TCL科技集团股份有限公司
技术研发日：2020.12.31
技术公布日：2022/7/1