存储器设备和操作该存储器设备的方法与流程

存储器设备和操作该存储器设备的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0185061的优先权，该申请的整体公开内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开涉及电子设备，并且更具体地，涉及存储器设备以及操作该存储器设备的方法。


背景技术：

4.存储设备是在主机设备的控制下存储数据的设备，该主机设备诸如为计算机、智能电话或智能平板计算机。存储设备可以包括：将数据存储在磁盘上的设备，诸如硬盘驱动器(hdd)；将数据存储在半导体存储器中的设备，诸如固态驱动器(ssd)；或存储器卡，尤其是非易失性存储器。
5.存储设备可以包括在其中存储数据的存储器设备和将数据存储在存储器设备中的存储器控制器。存储器设备可以分类为易失性存储器或非易失性存储器。这里，非易失性存储器包括只读存储器(rom)、可编程rom(prom)、电可编程rom(eprom)、电可擦除和可编程rom(eeprom)、闪存存储器、相变ram(pram))、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、铁电ram(fram)等。


技术实现要素：

6.本公开的实施例涉及存储器设备，该存储器设备基于在预验证操作或主验证操作期间关断的存储器单元的数目来控制阶跃电压，并且本公开的实施例涉及操作该存储器设备的方法。
7.根据本公开的一个实施例，一种存储器设备可以包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括连接到多个字线的多个存储器单元。存储器设备还可以包括外围电路，外围电路被配置成执行多个编程循环，以对多个存储器单元之中的、连接到多个字线之中的被选择的字线的存储器单元进行编程。存储器设备可以进一步包括控制逻辑，控制逻辑被配置成控制外围电路，以：基于在多个编程循环中的每个编程循环中包括的编程操作和验证操作中的验证操作期间的、被选择的存储器单元之中的关断存储器单元的数目，来设置阶跃电压；并且然后，在下一个编程循环中向被选择的字线施加编程电压，阶跃电压被添加到该编程电压。
8.根据本公开的一个实施例，一种存储器设备可以包括存储器单元阵列，存储器单元阵列包括连接到多个字线的多个存储器单元。存储器设备还可以包括外围电路，外围电路被配置成执行多个编程循环，以对多个存储器单元之中的、连接到多个字线之中的被选择的字线的存储器单元进行编程。存储器设备可以进一步包括控制逻辑，控制逻辑包括：存储器单元计数器，用于对被选择的存储器单元之中的关断存储器单元的数目进行计数；以
及阶跃电压控制器，用于控制外围电路，以基于在多个编程循环中的每个编程循环中包括的编程操作和验证操作中的验证操作期间的关断存储器单元的数目来设置阶跃电压，并且然后在下一个编程循环中向被选择的字线施加编程电压，阶跃电压被添加到该编程电压。
9.根据本公开的一个实施例，一种操作包括连接到多个字线中的每个字线的多个存储器单元的存储器设备的方法可以包括：通过向多个字线之中的被选择的字线施加编程电压，来执行编程操作；以及通过向被选择的字线施加验证电压，来执行验证操作。方法还可以包括：对在验证操作期间的、连接到被选择的字线的被选择的存储器单元之中的关断存储器单元进行计数；以及基于关断存储器单元的计数数目，来设置阶跃电压。方法可以进一步包括：向被选择的字线施加编程电压，阶跃电压被添加到该编程电压。
10.根据本公开的一个实施例，可以通过基于在编程循环中包括的预验证操作或主验证操作期间关断的存储器单元的数目来不同地设置阶跃电压，提高编程操作速度。
附图说明
11.图1是图示存储设备的框图。
12.图2是图示图1的存储器设备的结构的图。
13.图3是图示图2的存储器单元阵列的一个实施例的图。
14.图4是图示双重验证编程的图。
15.图5图示了在对被选择的存储器单元进行编程时执行的编程循环。
16.图6图示了每当图5的编程循环进行时移动的阈值电压分布。
17.图7图示了用于生成编程电压的控制逻辑的配置，在该编程电压上反映了基于计数信息设置的阶跃电压。
18.图8图示了编程循环和在基准值是1个时确定的阶跃电压。
19.图9图示了编程循环和在基准值的数目是多个时确定的阶跃电压的一个实施例。
20.图10图示了编程循环和在基准值的数目是多个时确定的阶跃电压的另一实施例。
21.图11图示了每当图8至图10的编程循环进行时移动的阈值电压分布。
22.图12是图示根据本公开的一个实施例的存储器设备的操作的图。
23.图13是图示根据本公开的一个实施例的存储器设备的操作的图。
24.图14是图示图1的存储器控制器的另一实施例的图。
25.图15是图示存储器卡系统的框图，根据本公开的一个实施例的存储设备被应用于该存储器卡系统。
26.图16是图示固态驱动器(ssd)系统的框图，根据本公开的一个实施例的存储设备被应用于该ssd系统。
27.图17是图示用户系统的框图，根据本公开的一个实施例的存储设备被应用于该用户系统。
具体实施方式
28.图示了根据本说明书或申请中公开的概念的实施例的具体结构或功能描述，仅用于描述根据本公开的概念的实施例。根据本公开的概念的实施例可以以各种形式实施，并且不限于在本说明书或申请中描述的实施例。
29.在下文中，参考附图详细描述本公开的实施例，使得本公开所属领域的技术人员可以实施本公开的技术精神。
30.图1是图示存储设备的框图。
31.参考图1，存储设备50可以包括存储器设备100和存储器控制器200。
32.存储设备50可以是在主机300的控制下存储数据的设备，主机300诸如为蜂窝电话、智能电话、mp3播放器、膝上型计算机、台式计算机、游戏机、tv、平板计算机pc或车载信息娱乐系统。
33.根据作为与主机300的通信方法的主机接口，存储设备50可以被制造为各种类型的存储设备中的一种类型。例如，存储设备50可以被配置为各种类型的存储设备中的任何一种类型，诸如ssd；mmc、emmc、rs-mmc和微型mmc的形式的多媒体卡；sd、迷你sd和微型sd的形式的安全数字卡；通用串行总线(usb)存储设备；通用闪存存储(ufs)设备；个人计算机存储器卡国际协会(pcmcia)卡类型存储设备；外围部件互连(pci)卡类型存储设备；pci快速(pci-e)卡类型存储设备；紧凑型闪存(cf)卡；智能媒体卡；和记忆棒。
34.存储设备50可以被制造为各种类型的封装中的任何一种类型。例如，存储设备50可以被制造为各种类型的封装类型中的任何一种类型，诸如封装上封装(pop)、系统级封装(sip)、芯片上系统(soc)、多芯片封装(mcp)、板上芯片(cob)、晶片级制作封装(wfp)和晶片级堆叠封装(wsp)。
35.存储器设备100可以存储数据。存储器设备100响应于存储器控制器200的控制而操作。存储器设备100可以包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括存储数据的多个存储器单元。存储器单元阵列可以包括多个存储器块。存储器块中的每个存储器块可以包括多个存储器单元，并且该多个存储器单元可以配置多个页。在一个实施例中，页可以是用于在存储器设备100中存储数据或读取存储在存储器设备100中的数据的单位。存储器块可以是用于擦除数据的单位。
36.在一个实施例中，存储器设备100可以包括双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddr sdram)、低功率双倍数据速率4(lpddr4)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sdram、低功率ddr(lpddr)、rambus动态随机存取存储器(rdram)、nand闪存存储器、垂直nand闪存存储器、nor闪存存储器、电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram))、磁阻式随机存取存储器(mram)、铁电随机存取存储器(fram)、自旋转移扭矩随机存取存储器(stt-ram)等。在本说明书中，为了描述方便，假设存储器设备100包括nand闪存存储器。
37.存储器设备100可以被实现为二维阵列结构或三维阵列结构。下文中，作为一个实施例描述三维阵列结构，但本公开不限于三维阵列结构。本公开不仅可以应用于其中电荷存储层由导电浮置栅极(fg)配置的闪存存储器设备，而且可以应用于其中电荷存储层由绝缘膜配置的电荷俘获闪存(ctf)。
38.在一个实施例中，存储器设备100可以以单级单元(slc)方法进行操作，在slc方法中，一个数据位被存储在一个存储器单元中。备选地，存储器设备100可以以在一个存储器单元中存储至少两个数据位的方法进行操作。例如，存储器设备100可以以如下方法进行操作：在一个存储器单元中存储两个数据位的多级单元(mlc)方法、在一个存储器单元中存储三个数据位的三级单元(tlc)方法、或在一个存储器单元中存储四个数据位的四级单元(qlc)方法。
39.存储器设备100被配置成从存储器控制器200接收命令和地址，并且访问存储器单元阵列中由地址选择的区域。即，存储器设备100可以对由地址选择的区域执行与命令相对应的操作。例如，存储器设备100可以根据所接收的命令执行写入操作(编程操作)、读取操作或擦除操作。例如，当接收到编程命令时，存储器设备100可以将数据编程到由地址选择的区域。当接收到读取命令时，存储器设备100可以从由地址选择的区域读取数据。当接收到擦除命令时，存储器设备100可以擦除存储在由地址选择的区域中的数据。
40.在一个实施例中，存储器设备100可以包括存储器单元计数器150。存储器单元计数器150可以对在编程循环中包括的操作之中的验证操作期间通过或失败的存储器单元的数目进行计数。这里，编程循环可以是在对连接到被选择的字线的被选择的存储器单元进行编程时执行的循环，并且可以包括编程操作和验证操作，在编程操作中向被选择的字线施加编程脉冲，在验证操作中施加验证脉冲。
41.在一个实施例中，可以基于由存储器单元计数器150计数的通过或失败的存储器单元的数目，来确定阶跃电压。
42.在一个实施例中，存储器设备100可以包括阶跃电压控制器170。阶跃电压控制器170可以基于由存储器单元计数器150计数的通过存储器单元的数目或失败存储器单元的数目，来确定阶跃电压。
43.具体地，在对存储器设备100的被选择的存储器单元的编程操作期间，当由存储器单元计数器150计数的通过存储器单元的数目大于预设基准值时(或当失败存储器单元的数目小于预设基准值时)，阶跃电压控制器170可以生成电压信号，使得比先前编程脉冲高阶跃电压的脉冲被施加到被选择的字线。
44.然而，在对存储器设备100的被选择的存储器单元的编程操作期间，当由存储器单元计数器150计数的通过存储器单元的数目小于或等于预设基准值时(或当失败存储器单元的数目大于或等于预设基准值时)，阶跃电压控制器170可以生成电压信号，使得如下脉冲被施加到被选择的字线：该脉冲以偏移电压附加地高于比先前编程脉冲高阶跃电压的脉冲。
45.此时，可以根据对被选择的存储器单元执行编程和擦除操作的次数，来设置偏移电压。例如，随着对被选择的存储器单元执行编程和擦除操作的次数增加，偏移电压可以被设置成更小电平，并且随着对被选择的存储器单元执行编程和擦除操作的次数减小，偏移电压可以被设置成更高电平。
46.因为根据由存储器单元计数器150计数的通过存储器单元的数目或失败存储器单元的数目来不同地设置阶跃电压的大小，所以编程时间可以被缩短。即，通过将较高电平的编程脉冲施加到具有低编程速度的存储器单元，可以缩短编程所消耗的时间。
47.存储器控制器200可以控制存储设备50的整体操作。
48.当功率电压被施加到存储设备50时，存储器控制器200可以执行固件。当存储器设备100是闪存存储器设备100时，存储器控制器200可以操作诸如闪存转换层(ftl)的固件，以用于控制主机300与存储器设备100之间的通信。
49.在一个实施例中，存储器控制器200可以包括如下固件(未示出)：该固件可以从主机300接收数据和逻辑块地址(lba)，并且将lba转换成物理块地址(pba)，pba指示存储器设备100中包括的数据要被存储在其中的存储器单元的地址。此外，存储器控制器200可以在
缓冲存储器中存储配置lba与pba之间的映射关系的逻辑-物理地址映射表。
50.存储器控制器200可以根据来自主机300的请求，来控制存储器设备100执行编程操作、读取操作、擦除操作等。例如，当从主机300接收到编程请求时，存储器控制器200可以将编程请求转变成编程命令，并且可以将编程命令、pba和数据提供给存储器设备100。当从主机300接收到读取请求连同lba时，存储器控制器200可以将读取请求改变为读取命令，选择与lba相对应的pba，并且然后将读取命令和pba提供给存储器设备100。当从主机300接收到擦除请求连同lba时，存储器控制器200可以将擦除请求改变为擦除命令，选择与lba相对应的pba，并且然后将擦除命令和pba提供给存储器设备100。
51.在一个实施例中，存储器控制器200可以在没有来自主机300的请求的情况下，生成编程命令、地址和数据，并且将该编程命令、地址和数据传输给存储器设备100。例如，存储器控制器200可以将命令、地址和数据提供给存储器设备100，以执行后台操作，该后台操作诸如为用于损耗均衡的编程操作和用于垃圾收集的编程操作。
52.在一个实施例中，存储设备50可以进一步包括缓冲存储器(未示出)。存储器控制器200可以控制主机300与缓冲存储器(未示出)之间的数据交换。备选地，存储器控制器200可以将用于控制存储器设备100的系统数据临时存储在缓冲存储器中。例如，存储器控制器200可以将从主机300输入的数据临时存储在缓冲存储器中，并且然后将临时存储在缓冲存储器中的数据传输给存储器设备100。
53.在各种实施例中，缓冲存储器可以用作存储器控制器200的操作存储器和高速缓冲存储器。缓冲存储器可以存储由存储器控制器200执行的代码或命令。备选地，缓冲存储器可以存储由存储器控制器200处理的数据。
54.在一个实施例中，缓冲存储器可以被实现为动态随机存取存储器(dram)或静态随机存取存储器(sram)，该dram诸如为双倍数据速率同步动态随机存取存储器(ddr sdram)、ddr4 sdram、低功率双倍数据速率4(lpddr4)sdram、图形双倍数据速率(gddr)sdram、低功率ddr(lpddr)或rambus动态随机存取存储器(dram)。
55.在各种实施例中，缓冲存储器可以从存储设备50的外部被连接。在这种情况下，与存储设备50的外部连接的易失性存储器设备可以用作缓冲存储器。
56.在一个实施例中，存储器控制器200可以至少控制两个或更多存储器设备。在这种情况下，存储器控制器200可以根据交织方法来控制存储器设备，以便提高操作性能。
57.主机300可以使用各种通信方法中的至少一种与存储设备50通信，该各种通信方法诸如为通用串行总线(usb)、串行at附件(sata)、串行附接scsi(sas)、高速芯片间(hsic)、小型计算机系统接口(scsi)、外围部件互连(pci)、pci快速(pcie)、非易失性存储器快速(nvme)、通用闪存存储(ufs)、安全数字(sd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、双列直插式存储器模块(dimm)、寄存式dimm(rdimm)和减载dimm(lrdimm)。
58.图2是图示图1的存储器设备的结构的图。
59.参考图2，存储器设备100可以包括存储器单元阵列110、外围电路120和控制逻辑130。
60.存储器单元阵列110包括多个存储器块blkl至blkz。多个存储器块blk1至blkz通过行线rl连接到行解码器121。多个存储器块blk1至blkz可以通过位线bl1至bln连接到页缓冲器组123。多个存储器块blk1至blkz中的每个存储器块包括多个存储器单元。作为一个
实施例，该多个存储器单元是非易失性存储器单元。连接到相同字线的存储器单元可以被限定为一个页。因此，一个存储器块可以包括多个页。
61.行线rl可以包括至少一个源极选择线、多个字线和至少一个漏极选择线。
62.存储器单元阵列110中包括的存储器单元中的每个存储器单元可以被配置为：存储一个数据位的slc、存储两个数据位的mlc、存储三个数据位的tlc、或存储四个数据位的qlc。
63.外围电路120可以被配置成在控制逻辑130的控制下，对存储器单元阵列110的被选择的区域执行编程操作、读取操作或擦除操作。外围电路120可以驱动存储器单元阵列110。例如，外围电路120可以在控制逻辑130的控制下，向行线rl和位线bl1至bln施加各种操作电压，或者使所施加的电压放电。
64.外围电路120可以包括行解码器121、电压生成器122、页缓冲器组123、列解码器124、输入/输出电路125和感测电路126。
65.行解码器121通过行线rl连接到存储器单元阵列110。行线rl可以包括至少一个源极选择线、多个字线和至少一个漏极选择线。在一个实施例中，字线可以包括正常字线和虚设字线。在一个实施例中，行线rl可以进一步包括管道选择线。
66.行解码器121被配置成对从控制逻辑130接收的行地址radd进行解码。行解码器121根据解码的地址在存储器块blkl至blkz之中选择至少一个存储器块。此外，行解码器121可以根据解码的地址，选择被选择的存储器块的至少一个字线，以将由电压生成器122生成的电压施加到至少一个字线wl。
67.例如，在编程操作期间，行解码器121可以将编程电压施加到被选择的字线，并且将电平低于编程电压的编程通过电压施加到未被选择的字线。在编程验证操作期间，行解码器121可以向被选择的字线施加验证电压，并且向未被选择的字线施加高于验证电压的验证通过电压。在读取操作期间，行解码器121可以向被选择的字线施加读取电压，并且向未被选择的字线施加高于读取电压的读取通过电压。
68.在一个实施例中，存储器设备100的擦除操作以存储器块为单位来执行。在擦除操作期间，行解码器121可以根据解码的地址来选择一个存储器块。在擦除操作期间，行解码器121可以向连接到被选择的存储器块的字线施加接地电压。
69.电压生成器122响应于控制逻辑130的控制而操作。电压生成器122被配置成使用被供应给存储器设备100的外部功率电压，来生成多个电压。具体地，响应于操作信号opsig，电压生成器122可以生成用于编程、读取和擦除操作的各种操作电压vop。例如，响应于控制逻辑130的控制，电压生成器122可以生成编程电压、验证电压、通过电压、读取电压、擦除电压等。
70.作为一个实施例，电压生成器122可以通过调节外部功率电压来生成内部功率电压。由电压生成器122生成的内部功率电压用作存储器设备100的操作电压。
71.作为一个实施例，电压生成器122可以使用外部功率电压或内部功率电压来生成多个电压。
72.例如，电压生成器122可以包括接收内部功率电压的多个泵浦电容器，并且可以响应于控制逻辑130的控制，选择性地激活该多个泵浦电容器以生成多个电压。
73.所生成的多个电压可以通过行解码器121供应给存储器单元阵列110。
74.页缓冲器组123包括第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn。第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn分别通过第一位线bl1至第n位线bln连接到存储器单元阵列110。第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn响应于控制逻辑130的控制而操作。具体地，第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn可以响应于页缓冲器控制信号pbsignals而操作。例如，第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn可以临时存储通过第一位线bl1至第n位线bln接收的数据，或者可以在读取或验证操作期间感测位线bl1至bln的电压或电流。
75.具体地，在编程操作期间，当编程电压被施加到被选择的字线时，第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn可以通过第一位线bl1至第n位线bln，将通过输入/输出电路125接收的数据data传送给被选择的存储器单元。被选择的页的存储器单元根据传送的数据data被编程。在编程验证操作期间，第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn可以通过感测通过第一位线bl1至第n位线bln从被选择的存储器单元接收的电压或电流，来读取页数据。
76.在读取操作期间，第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn通过第一位线bl1至第n位线bln从被选择的页的存储器单元读取数据data，并且在列解码器124的控制下，将读取的数据data输出给输入/输出电路125。
77.在擦除操作期间，第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn可以使第一位线bl1至第n位线bln浮置，或者施加擦除电压。
78.列解码器124可以响应于列地址cadd，而在输入/输出电路125与页缓冲器组123之间传送数据。例如，列解码器124可以通过数据线dl与第一页缓冲器pb1至第n页缓冲器pbn交换数据，或者可以通过列线cl与输入/输出电路125交换数据。
79.输入/输出电路125可以将从参考图1描述的图1的存储器控制器200接收的命令cmd和地址addr传送给控制逻辑130，或者可以与列解码器124交换数据data。
80.感测电路126可以在读取操作或验证操作期间响应于允许位信号vrybit而生成基准电流，并且将从页缓冲器组123接收的感测电压vpb与由基准电流生成的基准电压进行比较，以输出通过信号pass或失败信号fail。
81.控制逻辑130可以响应于命令cmd和地址addr，而输出操作信号opsig、行地址radd、页缓冲器控制信号pbsignals和允许位vrybit，以控制外围电路120。例如，控制逻辑130可以响应于子块读取命令和地址，控制对被选择的存储器块的读取操作。此外，控制逻辑130可以响应于子块擦除命令和地址，控制对被选择的存储器块中包括的被选择的子块的擦除操作。此外，控制逻辑130可以响应于通过信号pass或失败信号fail，来确定验证操作通过还是失败。
82.控制逻辑130可以被实现为硬件、软件、或硬件和软件的组合。例如，控制逻辑130可以是依照算法进行操作的控制逻辑电路和/或执行控制逻辑代码的处理器。在一个实施例中，控制逻辑130可以包括存储器单元计数器150和阶跃电压控制器170。在另一实施例中，存储器单元计数器150和阶跃电压控制器170可以被包括在控制逻辑130外部。
83.在一个实施例中，存储器单元计数器150可以基于从感测电路126接收的通过信号pass或失败信号fail，来对导通存储器单元或关断存储器单元的数目进行计数。
84.例如，当存储器设备100执行多个编程循环时，当被选择的存储器单元的阈值电压大于验证电压时，被选择的存储器单元可以被关断，并且当被选择的存储器单元的阈值电压小于验证电压时，被选择的存储器单元可以被导通。在一个实施例中，存储器单元计数器
150可以对关断存储器单元的数目或导通存储器单元的数目进行计数。
85.这里，当存储器设备100通过双重验证编程(dpgm)对存储器单元进行编程时，用于验证操作的验证电压可以是预验证电压或主验证电压。主验证电压可以是与目标编程状态相对应的验证电压，并且预验证电压可以具有比主验证电压的电平低的电平，并且可以是用于验证编程操作进行的程度的电压。
86.在一个实施例中，阶跃电压控制器170可以基于由存储器单元计数器150计数的存储器单元的数目，来确定阶跃电压。
87.例如，当由存储器单元计数器150计数的关断存储器单元的数目小于预设基准值时(或者当由存储器单元计数器150计数的导通存储器单元的数目大于预设基准值时)，在验证操作之后执行的编程循环中，阶跃电压控制器170可以将编程脉冲的大小设置成通过将偏移电压添加到阶跃电压而获得的大小。此时，偏移电压的大小可以通过对被选择的存储器单元执行编程操作和擦除操作的次数来确定。例如，随着执行编程操作和擦除操作的次数增加，偏移电压可以被设置成更小，并且随着执行编程操作和擦除操作的次数减少，偏移电压可以被设置成更大。
88.然而，当由存储器单元计数器150计数的关断存储器单元的数目大于或等于预设基准值时(或者当由存储器单元计数器150计数的导通存储器单元的数目小于或等于预设基准值时)，在验证操作之后执行的编程循环中，阶跃电压控制器170可以主要通过阶跃电压来设置编程脉冲的大小。
89.此后，还在编程循环中，存储器单元计数器150可以对关断存储器单元的数目或导通存储器单元的数目进行计数，并且阶跃电压控制器170可以基于存储器单元的计数数目来确定阶跃电压的大小。
90.结果，随着编程循环的进行，阶跃电压控制器170可以不同地设置阶跃电压大小。因此，对被选择的存储器单元执行的编程的持续时间可以被缩短，并且编程性能可以被改进。
91.图3是图示图2的存储器单元阵列的一个实施例的图。
92.参考图2和图3，图3是示出图2的存储器单元阵列110中包括的多个存储器块blk1至blkz之中的任何一个存储器块blka的电路图。
93.彼此平行布置的第一选择线、字线和第二选择线可以连接到存储器块blka。例如，字线可以彼此平行地布置在第一选择线与第二选择线之间。这里，第一选择线可以是源极选择线ssl，并且第二选择线可以是漏极选择线dsl。
94.更具体地，存储器块blka可以包括连接在位线bll至bln与源极线sl之间的多个串。位线bl1至bln可以分别连接到串，并且源极线sl可以共同连接到串。因为串可以被配置成彼此相同，所以作为一个示例，具体描述连接到第一位线bl1的串st。
95.串st可以包括串联连接在源极线sl与第一位线bl1之间的：源极选择晶体管sst、多个存储器单元f1至f16、和漏极选择晶体管dst。一个串st可以包括源极选择晶体管sst和漏极选择晶体管dst中的至少一者或多者，并且可以包括多于图中所示数目的存储器单元f1至f16。
96.源极选择晶体管sst的源极可以连接到源极线sl，并且漏极选择晶体管dst的漏极可以连接到第一位线bl1。存储器单元f1至f16可以串联连接在源极选择晶体管sst与漏极
选择晶体管dst之间。被包括在不同串中的源极选择晶体管sst的栅极可以连接到源极选择线ssl，漏极选择晶体管dst的栅极可以连接到漏极选择线dsl，并且存储器单元f1至f16的栅极可以连接到多个字线wl1至wl16。不同串中包括的存储器单元之中的、连接到相同字线的存储器单元的组可以被称为物理页ppg。因此，存储器块blka可以包括字线wl1至wl16的数目的物理页ppg。
97.一个存储器单元可以存储一位数据。这通常被称为slc。在这种情况下，一个物理页ppg可以存储一个逻辑页(lpg)数据。一个逻辑页(lpg)数据可以包括一个物理页ppg中包括的存储器单元的数目的数据位。此外，一个存储器单元可以存储两位或更多位的数据。这通常被称为mlc。在这种情况下，一个物理页ppg可以存储两个或更多逻辑页(lpg)数据。
98.其中在一个存储器单元中存储两位或更多位数据的存储器单元被称为mlc，但是最近，随着在一个存储器单元中存储的数据的位的数目增加，mlc指代在其中存储两位数据的存储器单元，在其中存储三位或更多位数据的存储器单元被称为三级单元(tlc)，并且在其中存储四位或更多位数据的存储器单元被称为四级单元(qlc)。此外，已经开发了其中存储多位数据的存储器单元方法，并且本实施例可以应用于其中存储两位或更多位数据的存储器设备100。
99.在另一实施例中，存储器块可以具有三维结构。每个存储器块包括堆叠在衬底上的多个存储器单元。这样的多个存储器单元沿着 x方向、 y方向和 z方向布置。
100.图4是图示双重验证编程的图。
101.参考图4，图4示出了通过双重验证编程(dpgm)将存储器单元从擦除状态e编程为编程状态p的过程。在图4中，横轴表示存储器单元的阈值电压vth，并且纵轴表示存储器单元的数目。
102.在图4中，假设图1的存储器设备100通过slc方法来执行编程操作。在另一实施例中，图4可以应用于其中图1的存储器设备100通过mlc方法、tlc方法或qlc方法来执行编程操作的情况。
103.参考图4，擦除状态e的存储器单元可以通过dpgm被编程为编程状态p。此时，擦除状态e的存储器单元可以通过p’状态被编程为编程状态p。
104.在一个实施例中，dpgm可以包括编程脉冲施加操作和验证操作。这里，可以利用两个验证电压电平来执行验证操作。此时，这两个验证电压可以是预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym。主验证电压vvfym可以是对应于目标编程状态p的验证电压，并且预验证电压vvfyp可以是比主验证电压vvfym的电平低的电平，并且可以是用于验证编程操作进行的程度的电压。
105.因此，验证操作可以包括利用预验证电压vvfyp执行的验证操作和利用主验证电压vvfym执行的验证操作。
106.在一个实施例中，在编程脉冲被施加到擦除状态e的存储器单元之后，可以利用预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym来执行验证操作。作为验证操作的结果，存储器单元可以被划分成：第一编程允许存储器单元pgm cells，其具有低于预验证电压vvfyp的阈值电压；第二编程允许存储器单元dpgm cells，其具有高于预验证电压vvfyp并且低于主验证电压vvfym的阈值电压；以及编程禁止存储器单元inhibit cells，其具有高于主验证电压vvfym的阈值电压。
107.因为具有高于主验证电压vvfym的阈值电压的编程禁止存储器单元inhibit cells已经处于目标编程状态p，所以可以不再将编程脉冲施加到编程禁止存储器单元inhibit cells的栅极。
108.然而，因为第一编程允许存储器单元pgm cells和第二编程允许存储器单元dpgm cells未达到目标编程状态p，所以可以再次向对应的存储器单元施加编程脉冲。
109.此时，与第一编程允许存储器单元pgm cells中的每个第一编程允许存储器单元连接的位线的电压电平和与第二编程允许存储器单元dpgm cells中的每个第二编程允许存储器单元连接的位线的电压电平可以被不同地设置。
110.即，具有低于预验证电压vvfyp的阈值电压的第一编程允许存储器单元pgm cells是以相对较慢的速度对其执行编程操作的慢速单元，并且具有高于预验证电压vvfyp并且低于主验证电压vvfym的阈值电压的第二编程允许存储器单元dpgm cells是以相对较快的速度对其执行操作的快速单元，可以通过设置分别与第一编程允许存储器单元pgm cells和第二编程允许存储器单元dpgm cells连接的位线的不同电压电平，来执行编程操作。
111.例如，与第一编程允许存储器单元pgm cells中的每个第一编程允许存储器单元连接的位线的电压电平可以被设置为接地电压gnd，并且与第二编程允许存储器单元pgm cells中的每个第二编程允许存储器单元连接的位线的电压电平可以设置成不同于接地电压gnd的特定电平。即，因为与第一编程允许存储器单元pgm cells相比，第二编程允许存储器单元dpgm cells具有相对较高的编程速度，考虑到编程速度，可以将位线的电压设置成不同于接地电压gnd的特定电平。
112.结果，由于与第一编程允许存储器单元pgm cells中的每个第一编程允许存储器单元连接的位线的电压电平和与第二编程允许存储器单元dpgm cells中的每个第二编程允许存储器单元连接的位线的电压被不同地设置，所以存储器单元的阈值电压分布可以形成为窄的。
113.图5图示了在对被选择的存储器单元进行编程时执行的编程循环。
114.参考图4和图5，图5是图示当通过图4的dpgm对存储器单元进行编程时，对被选择的存储器单元执行的多个编程循环中的一些编程循环的图。
115.在图5中，从第一编程循环pl1执行dpgm，但是在一个实施例中，可以在特定循环中开始dpgm。
116.当假设从第三编程循环pl3执行dpgm时，可以以正常编程方法来执行第一编程循环pl1和第二编程循环pl2。即，第一编程循环pl1和第二编程循环pl2可以包括施加一个编程脉冲的编程操作和施加一个验证脉冲的验证操作。
117.在一个实施例中，可以对存储器块中包括的多个存储器单元之中的被选择的存储器单元进行编程。为了对被选择的存储器单元进行编程，可以对被选择的存储器单元执行至少一个编程循环。编程循环可以包括将编程电压施加到被选择的存储器单元所连接到的字线的编程操作，并且可以包括确定对被选择的存储器单元的编程是否完成的验证操作。
118.在一个实施例中，第一编程循环pl1可以包括向字线施加第一编程电压vpgml的编程操作，并且可以包括向字线施加预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym的验证操作。这里，主验证电压vvfym可以是对应于目标编程状态的验证电压，并且预验证电压vvfyp可以是比主验证电压vvfym的电平低的电平，并且可以是用于验证编程操作进行的程度的电压。
119.因此，为了对被选择的存储器单元进行编程，可以将第一编程电压vpgm1施加到被选择的存储器单元所连接到的字线。在第一编程电压vpgm1被施加到被选择的存储器单元所连接到的字线之后，预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym可以被施加到字线，以检查被选择的存储器单元是否被编程。
120.在一个实施例中，当第一编程循环pl1被执行，但是被选择的存储器单元未被编程时，可以对被选择的存储器单元执行第二编程循环pl2。第二编程循环pl2可以包括向字线施加电压vpgm1 vstep1的编程操作，电压vpgm1 vstep1比第一编程电压vpgm1高第一阶跃电压vstep1，并且第二编程循环pl2可以包括向字线施加预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym的验证操作。当通过增量阶跃脉冲编程(ispp)方法对被选择的存储器单元进行编程时，第一阶跃电压vstep1可以是预设的默认阶跃电压。
121.此后，可以对存储器单元执行多个编程循环，直到被选择的存储器单元被编程为止。此外，随着编程循环的进行，施加到被选择的存储器单元所连接到的字线的电压可以依次增加阶跃电压。
122.即，在第二编程循环pl2之后执行的第三编程循环pl3中，比在第二编程循环pl2中施加的电压大第一阶跃电压的电压vpgm1 vstepl vstepl可以被施加到存储器单元所连接到的字线。
123.然而，随着编程循环的进行，因为编程电压增加相同大小的阶跃电压，即第一阶跃电压vstepl，所以对被选择的存储器单元进行编程所消耗的时间可能增加。
124.因此，在本公开中，提供了一种通过随着编程循环的进行而设置阶跃电压的大小，来减少对被选择的存储器单元进行编程所消耗的时间的方法。
125.图6图示了每当图5的编程循环进行时移动的阈值电压分布。
126.参考图5和图6，图6示出了在图5中依次执行编程循环时，存储器单元的阈值电压分布移动。在图6中，横轴表示存储器单元的阈值电压vth，并且纵轴表示存储器单元的数目。在图6中，假设图1的存储器设备100以slc方法执行编程操作。
127.在一个实施例中，当对擦除状态e的被选择的存储器单元执行编程操作时，可以执行多个编程循环。此时，擦除状态e的存储器单元可以通过各种状态被编程为目标编程状态p。
128.在一个实施例中，当对被选择的存储器单元执行第一编程循环pl1时，擦除状态e的存储器单元的阈值电压分布可以被编程为px1分布。
129.然而，因为对擦除状态的存储器单元的编程通过第一编程循环pl1未完成，所以可以在第一编程循环pl1之后执行第二编程循环pl2。当对被选择的存储器单元执行第二编程循环pl2时，存储器单元的阈值电压分布可以从px1分布改变为px2分布。
130.此后，在第n编程循环pln中，被选择的存储器单元的阈值电压分布可以从pxn-1分布改变为p分布。因此，可以通过第一编程循环pl1至第n编程循环pln对被选择的存储器单元进行编程。
131.然而，当通过上述过程对被选择的存储器单元进行编程时，被选择的存储器单元的阈值电压分布的移动速度可能是低的，并且因此编程所消耗的时间可能增加。即，随着编程循环的进行，因为编程电压依次增加阶跃电压大小，所以被选择的存储器单元的阈值电压分布的移动的宽度可能相对较小，并且因此编程所消耗的时间可能相对较长。
132.因此，随着编程循环的进行，增加编程电压的方法成为问题。
133.图7图示了用于生成编程电压的控制逻辑的配置，在该编程电压上反映了基于计数信息设置的阶跃电压。
134.参考图2和图7，图2的控制逻辑130可以包括存储器单元计数器150和阶跃电压控制器170。
135.在一个实施例中，存储器单元计数器150可以基于从图2的感测电路126接收的通过信号pass或失败信号fail，对导通存储器单元或关断存储器单元的数目进行计数。
136.具体地，当图2的存储器设备100执行多个编程循环时，当被选择的存储器单元的阈值电压大于验证电压时，可以从图2的感测电路126输出通过信号pass，当被选择的存储器单元的阈值电压小于验证电压时，可以从图2的感测电路126输出失败信号fail。
137.存储器单元计数器150可以对从图2的感测电路126输出的通过信号pass进行计数，并且输出计数信息count_inf。即，存储器单元计数器150可以输出计数信息count_inf，该计数信息count_inf包括关于在验证操作期间的关断存储器单元的数目的信息。
138.在另一实施例中，存储器单元计数器150可以对从图2的感测电路126输出的失败信号fail进行计数，并且输出计数信息count_inf。即，存储器单元计数器150可以输出计数信息count_inf，该计数信息count_inf包括关于在验证操作期间的导通存储器单元的数目的信息。
139.在本图中，假设存储器单元计数器150对关断存储器单元的数目进行计数。
140.在一个实施例中，阶跃电压控制器170可以基于从存储器单元计数器150接收的计数信息count_inf来输出操作信号opsig。此时，操作信号opsig可以是指示生成编程电压的信号，该编程电压被施加到被选择的存储器单元所连接到的被选择的字线。
141.具体地，阶跃电压控制器170可以基于计数信息count_inf，来确定在下一个编程循环中施加到被选择的字线的阶跃电压的大小，并且输出操作信号opsig，操作信号opsig指示生成编程电压，该编程电压反映所确定的阶跃电压大小。
142.例如，当计数信息count_inf中包括的关断存储器单元的数目小于预设基准值时，阶跃电压控制器170可以确定比现有阶跃电压大偏移电压的电压作为阶跃电压。即，阶跃电压控制器170可以附加地增加在下一个编程循环中施加到被选择的字线的编程电压。
143.因此，阶跃电压控制器170可以输出操作信号opsig，操作信号opsig指示生成通过以下而获得的大小的编程电压：将阶跃电压和偏移电压添加到在先前编程循环中施加到被选择的字线的编程电压。
144.然而，当计数信息count_inf中包括的关断存储器单元的数目大于或等于预设基准值时，阶跃电压控制器170可以将现有阶跃电压设置为阶跃电压。
145.因此，阶跃电压控制器170可以输出操作信号opsig，操作信号opsig指示生成通过以下而获得的大小的电压：将阶跃电压添加到在先前编程循环中施加到被选择的字线的编程电压。
146.图8图示了编程循环和在基准值是1个时确定的阶跃电压。
147.参考图7和图8，图8示出了基于将图7的计数信息count_inf中包括的关断存储器单元的数目offcell_num与第一基准值ref_val1进行比较的结果而确定的阶跃电压，并且示出了利用所确定的阶跃电压执行的编程循环。第一基准值ref_val1可以被预先设置。
148.在一个实施例中，图2的存储器设备100可以执行多个编程循环，以对被选择的存储器单元进行编程。
149.在图8中，图2的存储器设备100可以通过正常编程操作或dpgm对被选择的存储器单元进行编程。正常编程操作可以是在验证操作期间利用一个验证电压来执行验证操作的操作，并且dpgm可以是执行预验证操作和主验证操作的操作，即通过两个验证电压的验证操作。dpgm可以从第一编程循环pl1执行，或者可以从特定编程循环执行。
150.这里，预验证操作可以是通过将预验证电压vvfyp施加到被选择的字线而执行的验证操作，并且主验证操作可以是通过将主验证电压vvfym施加到被选择的字线而执行的验证操作。主验证电压vvfym可以是与目标编程状态相对应的验证电压，并且预验证电压vvfyp可以是比主验证电压vvfym的电平低的电平，并且可以是用于验证编程操作进行的程度的电压。
151.首先，图2的存储器设备100可以执行第一编程循环pl1。第一编程循环pl1可以包括编程操作和验证操作。因此，图2的存储器设备100可以通过向被选择的字线施加第一编程电压vpgm1来执行编程操作，并且然后通过施加预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym来执行验证操作。
152.在图8中，利用预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym来执行第一编程循环pl1中包括的验证操作。然而，当通过正常编程操作对被选择的存储器单元进行编程时，还可以仅利用主验证电压vvfym来执行验证操作。
153.在一个实施例中，当第一编程循环pl1中包括的验证操作包括预验证操作和主验证操作时，图7的存储器单元计数器150可以基于在预验证操作期间从图2的感测电路126接收的失败信号fail或在主验证操作期间从图2的感测电路126接收的失败信号fail，来对关断存储器单元的数目进行计数。
154.在一个实施例中，当关断存储器单元的数目小于第一基准值ref_val1时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1 voffset1，其通过将第一阶跃电压vstep1和第一偏移电压voffset1添加到第一编程电压vpgm1而获得。这里，随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加，第一偏移电压voffset1的大小可以减小。当以ispp方法对被选择的存储器单元进行编程时，第一阶跃电压vstep1可以是预设的默认阶跃电压。
155.即，基于从图7的存储器单元计数器150接收的计数信息count_inf，图7的阶跃电压控制器170可以将阶跃电压的大小设置成通过将第一阶跃电压vstep1和第一偏移电压voffset1相加而获得的大小。
156.然而，当关断存储器单元的数目大于或等于第一基准值ref_val1时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgml vstep1，其通过将第一阶跃电压vstep1添加到第一编程电压vpgm1而获得。即，基于从图7的存储器单元计数器150接收的计数信息count_inf，图7的阶跃电压控制器170可以将阶跃电压的大小设置为第一阶跃电压vstep1。
157.在一个实施例中，当第一编程循环pl1中包括的验证操作仅包括主验证操作时，图7的存储器单元计数器150可以基于在主验证操作期间从图2的感测电路126接收的失败信号fail，来对关断存储器单元的数目进行计数。此外，当关断存储器单元的数目小于第一基
准值ref_val1时，图7的阶跃电压控制器170可以将阶跃电压的大小设置成通过将第一阶跃电压vstep1和第一偏移电压voffset1相加而获得的大小，并且当关断存储器单元的数目大于或等于第一基准值ref_val1时，图7的阶跃电压控制器170可以将阶跃电压的大小设置为第一阶跃电压vstep1。
158.在图8中，当图2的存储器设备100执行第一编程循环pl1时，假设关断存储器单元的数目小于第一基准值ref_val1。因此，当图2的存储器设备100执行第二编程循环pl2时，阶跃电压的大小可以被设置成通过将第一阶跃电压vstep1和第一偏移电压voffset1相加而获得的大小，并且通过将第一编程电压vpgm1、第一阶跃电压vstep1和第一偏移电压voffset1相加而获得的大小的编程电压vpgm1 vstep1 voffset1可以被施加到被选择的字线。
159.此后，在编程循环中，当关断存储器单元的数目小于第一基准值ref_val1时，阶跃电压的大小可以被设置成通过将第一阶跃电压vstepl和第一偏移电压voffset1相加而获得的大小。即，随着编程循环的进行，编程电压的大小可以增加通过将第一阶跃电压vstep1和第一偏移电压voffset1相加而获得的大小。
160.在一个实施例中，在第a编程循环pla之前执行的第a-1编程循环pla-1中，在预验证操作或主验证操作期间，关断存储器单元的数目可以大于或等于第一基准值ref_val1。在这种情况下，在作为下一个编程循环的第a编程循环pla中，阶跃电压的大小可以被设置为第一阶跃电压vstep1。因此，通过将第一阶跃电压vstep1和第a-1编程电压vpgma-1(在第a-1编程循环pla-1中，第a-1编程电压vpgma-1被施加到被选择的字线)相加而获得的大小的编程电压vpgma-1 vstep1可以在第a编程循环pla中被施加到被选择的字线。
161.此后，在编程循环中，当关断存储器单元的数目大于或等于第一基准值ref_val1时，阶跃电压可以被设置为第一阶跃电压vstepl。即，随着编程循环的进行，编程电压的大小可以增加第一阶跃电压vstep1。
162.结果，随着编程循环的进行，阶跃电压的大小可以基于关断存储器单元的数目而被不同地设置，从而提高编程速度。
163.图9图示了编程循环和当基准值的数目是多个时确定的阶跃电压的一个实施例。
164.参考图7和图9，图9示出了基于将图7的计数信息count_inf中包括的关断存储器单元的数目offcell_num与第二基准值ref_val2和第三基准值ref_val3进行比较的结果而确定的阶跃电压，并且示出了利用所确定的阶跃电压执行的编程循环。第二基准值ref_val2和第三基准值ref_val3可以被预先设置。
165.参考图9，不同于图8，图9示出了基于两个基准值来设置阶跃电压的方法。即，可以通过细分关断存储器单元的数目来设置阶跃电压。
166.类似于图8，在图9中，图2的存储器设备100可以通过正常编程操作或dpgm对被选择的存储器单元进行编程。此外，dpgm可以从第一编程循环pl1执行，或者可以从特定编程循环执行。
167.首先，图2的存储器设备100可以执行第一编程循环pl1。第一编程循环pl1可以包括编程操作和验证操作。因此，图2的存储器设备100可以通过向被选择的字线施加第一编程电压vpgm1来执行编程操作，并且然后通过施加预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym来执行验证操作。
168.类似于图8，在图9中，利用预验证电压vvfyp和主验证电压vvfym来执行第一编程循环pl1中包括的验证操作。然而，当通过正常编程操作对被选择的存储器单元进行编程时，还可以仅利用主验证电压vvfym来执行验证操作。
169.在一个实施例中，在预验证操作或主验证操作期间，当关断存储器单元的数目小于第二基准值ref_val2时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1 voffset2，其通过将第一阶跃电压vstep1和第二偏移电压voffset2添加到第一编程电压vpgm1而获得。当以ispp方法对被选择的存储器单元进行编程时，第一阶跃电压vstep1可以是预设的默认阶跃电压。这里，随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加，第二偏移电压voffset2的大小可以减小。
170.然而，当关断存储器单元的数目大于或等于第二基准值ref_val2并且小于第三基准值ref_val3时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1 voffset3，其通过将第一阶跃电压vstep1和第三偏移电压voffset3添加到第一编程电压vpgm1而获得。此时，第三偏移电压voffset3的大小可以小于第二偏移电压voffset2。此外，随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加，第三偏移电压voffset3的大小可以减小。
171.此外，当关断存储器单元的数目大于或等于第三基准值ref_val3时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1，其通过将第一阶跃电压vstep1添加到第一编程电压vpgm1而获得。
172.在图9中，当图2的存储器设备100执行第一编程循环pl1时，假设关断存储器单元的数目小于第二基准值ref_val2。因此，当图2的存储器设备100执行第二编程循环pl2时，阶跃电压的大小可以被设置成通过将第一阶跃电压vstep1和第二偏移电压voffset2相加而获得的大小，并且通过将第一编程电压vpgm1、第一阶跃电压vstep1和第二偏移电压voffset2相加而获得的大小的编程电压vpgm1 vstep1 voffset2可以被施加到被选择的字线。
173.此后，在编程循环中，当关断存储器单元的数目小于第二基准值ref_val2时，阶跃电压的大小可以被设置成通过将第一阶跃电压vstepl和第二偏移电压voffset2相加而获得的大小。即，随着编程循环的进行，编程电压的大小可以增加通过将第一阶跃电压vstep1和第二偏移电压voffset2相加而获得的大小。
174.在一个实施例中，在第b编程循环plb之前执行的第b-1编程循环plb-1中，在预验证操作或主验证操作期间，关断存储器单元的数目可以大于或等于第二基准值ref_val2并且小于第三基准值ref_val3。在这种情况下，在作为下一个编程循环的第b编程循环plb中，阶跃电压的大小可以被设置成通过将第一阶跃电压vstep1和第三偏移电压voffset3相加而获得的大小。因此，通过将第一阶跃电压vstep1、第三偏移电压voffset3和第b-1编程电压vpgmb-1(在第b-1编程循环plb-1中，第b-1编程电压vpgmb-1被施加到被选择的字线)相加而获得的大小的编程电压vpgmb-1 vstep1 voffset3可以在第b编程循环plb中被施加到被选择的字线。
175.此后，在编程循环中，当关断存储器单元的数目大于或等于第二基准值ref_val2并且小于第三基准值ref_val3时，阶跃电压的大小可以被设置成通过将第一阶跃电压vstep1和第三偏移电压voffset3相加而获得的大小。即，随着编程循环的进行，编程电压的
大小可以增加通过将第一阶跃电压vstep1和第三偏移电压voffset3相加而获得的大小。
176.在一个实施例中，在第c编程循环plc之前执行的第c-1编程循环plc-1中，在预验证操作或主验证操作期间，关断存储器单元的数目可以大于或等于第三基准值ref_val3。在这种情况下，在作为下一个编程循环的第c编程循环plc中，阶跃电压的大小可以被设置为第一阶跃电压vstep1。因此，通过将第一阶跃电压vstep1和第c-1编程电压vpgmc-1(在第c-1编程循环plc-1中，第c-1编程电压vpgmc-1被施加到被选择的字线)相加而获得的大小的编程电压vpgmc-1 vstep1可以在第c编程循环plc中被施加到被选择的字线。
177.此后，在编程循环中，当关断存储器单元的数目大于或等于第三基准值ref_val3时，阶跃电压可以被设置为第一阶跃电压vstepl。即，随着编程循环的进行，编程电压的大小可以增加第一阶跃电压vstep1。
178.结果，随着编程循环的进行，阶跃电压的大小可以基于关断存储器单元的数目而被不同地设置，从而提高编程速度。
179.图10图示了编程循环和当基准值的数目为多个时确定的阶跃电压的另一实施例。
180.参考图7和图10，图10示出了基于将图7的计数信息count_inf中包括的关断存储器单元的数目offcell_num与第二基准值ref_val2和第三基准值ref_val3进行比较的结果而确定的阶跃电压，并且示出了利用所确定的阶跃电压执行的编程循环。第二基准值ref_val2和第三基准值ref_val3可以被预先设置。
181.参考图9和图10，不同于图9，图10示出了其中根据本公开的阶跃电压仅被反映在第二编程循环pl2中的一个实施例。
182.在本图中，对与图9的内容重叠的内容的描述被省略。
183.在一个实施例中，在第一编程循环pl1的预验证操作或主验证操作期间，当关断存储器单元的数目小于第二基准值ref_val2时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1 voffset2，其通过将第一阶跃电压vstep1和第二偏移电压voffset2添加到第一编程电压vpgm1而获得。当以ispp方法对被选择的存储器单元进行编程时，第一阶跃电压vstep1可以是预设的默认阶跃电压。此外，随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加，第二偏移电压voffset2的大小可以减小。
184.然而，当关断存储器单元的数目大于或等于第二基准值ref_val2并且小于第三基准值ref_val3时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1 voffset3，其通过将第一阶跃电压vstep1和第三偏移电压voffset3添加到第一编程电压vpgm1而获得。此时，第三偏移电压voffset3的大小可以小于第二偏移电压voffset2。此外，随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加，第三偏移电压voffset3的大小可以减小。
185.此外，当关断存储器单元的数目大于或等于第三基准值ref_val3时，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压的大小可以被设置成大小vpgm1 vstep1，其通过将第一阶跃电压vstep1添加到第一编程电压vpgm1而获得。
186.在一个实施例中，在第三编程循环pl3之后的编程循环中，编程电压的大小可以增加第一阶跃电压vstepl的大小。即，在第三编程循环pl3中施加到被选择的字线的电压的大小可以被设置成大小vpgm2 vstep1，其通过将第一阶跃电压vstep1添加到第二编程循环
pl2中施加的第二编程电压vpgm2而获得。
187.因此，基于关断存储器单元的数目而确定的偏移电压和阶跃电压可以仅被反映在第二编程循环pl2中，并且在第三编程循环pl3之后的编程循环中，比在先前编程循环中被施加到被选择的字线的编程电压大第一阶跃电压vstep1的电压可以被施加到被选择的字线。
188.结果，阶跃电压可以基于第二编程循环pl2中关断存储器单元的数目而被不同地设置，从而提高编程速度。
189.图11图示了每当图8至图10的编程循环进行时移动的阈值电压分布。
190.参考图8至图11，图11示出了在图8至图10中依次执行编程循环时存储器单元的阈值电压分布移动。在图11中，横轴表示存储器单元的阈值电压vth，并且纵轴表示存储器单元的数目。在图11中，假设图1的存储器设备100通过slc方法执行编程操作。
191.在一个实施例中，当对擦除状态e的被选择的存储器单元执行编程操作时，图8至图10的多个编程循环可以被执行。即，随着编程循环的进行，多个编程循环可以利用以设置的阶跃电压增加的编程电压而被执行。此时，擦除状态e的存储器单元可以通过各种状态被编程为目标编程状态p。
192.当与图6相比时，在图11中，被选择的存储器单元的阈值电压分布的移动的宽度可以大于图6的移动的宽度。
193.在一个实施例中，当对被选择的存储器单元执行第一编程循环pl1时，擦除状态e的存储器单元的阈值电压分布可以被编程为px1’分布。
194.在一个实施例中，可以基于将第一编程循环pl1中关断存储器单元的数目与基准值进行比较的结果，来确定要在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的编程电压。例如，在第二编程循环pl2中施加到被选择的字线的电压的大小可以是大小vpgm1 vstep1 voffset，其通过将第一阶跃电压vstep1和偏移电压voffset添加到第一编程电压vpgm1而获得。
195.因此，在第二编程循环pl2中，(通过将第一阶跃电压vstepl和偏移电压voffset添加到第一编程电压vpgml而获得的)大小vpgml vstepl voffset的编程电压，而不是(通过将第一阶跃电压vstep1添加到第一编程电压vpgm1而获得的)大小vpgm1 vstep1的编程电压，可以被施加到被选择的字线，并且因此被选择的存储器单元的阈值电压分布的移动宽度可以是大的。
196.即，当参考图6时，当在图6中执行第二编程循环pl2时，存储器单元的阈值电压分布从px1分布改变为px2分布。然而，在图11中，当执行第二编程循环pl2时，存储器单元的阈值电压分布可以从px1’分布改变为px2’分布。
197.结果，随着编程循环的进行，阶跃电压的大小可以被不同地设置，从而提高编程速度。
198.图12是图示根据本公开的一个实施例的存储器设备的操作的图。
199.参考图12，在步骤s1201中，存储器设备可以基于通过或失败信号对关断存储器单元进行计数。具体地，当存储器设备执行多个编程循环以对被选择的存储器单元进行编程时，存储器设备可以对预验证操作或主验证操作中的关断存储器单元进行计数。
200.当存储器设备通过dpgm对被选择的存储器单元进行编程时，存储器设备可以对预
验证操作或主验证操作中的关断存储器单元进行计数，并且当存储器设备通过正常编程操作对被选择的存储器单元进行编程时，存储器设备可以对主验证操作中的关断存储器单元进行计数。
201.在步骤s1203中，存储器设备可以基于存储器单元的计数数目来设置阶跃电压，并且然后将编程电压施加到被选择的字线。例如，当计数的存储器单元的数目小于基准值时，存储器设备可以将阶跃电压设置成通过将偏移电压添加到现有阶跃电压而获得的大小。当阶跃电压被设置时，存储器设备可以向被选择的字线施加通过将设置的阶跃电压添加到在先前编程循环中施加到被选择的字线的编程电压而获得的大小的电压。
202.在步骤s1205中，存储器设备可以确定验证操作是否通过。当验证操作未通过(否)时，存储器设备可以再次进行到步骤s1201，对关断存储器单元的数目进行计数，并且基于存储器单元的计数数目再次设置阶跃电压。
203.图13是图示根据本公开的一个实施例的存储器设备的操作的图。
204.参考图12和图13，图13示出了对图12的步骤s1203进行细分的步骤。
205.在步骤s1301中，存储器设备可以确定计数的存储器单元的数目是否小于基准值。即，存储器设备可以将关断存储器单元的数目与基准值进行比较。
206.当计数的存储器单元的数目大于或等于基准值(否)时，操作可以进行到步骤s1303，并且当计数的存储器单元的数目小于基准值(是)时，操作可以进行到步骤s1305。
207.当计数的存储器单元的数目大于或等于基准值(否)时，然后在步骤s1303中，存储器设备可以将第一阶跃电压确定为阶跃电压。在通过ispp方法对被选择的存储器单元进行编程时，第一阶跃电压可以是预设的默认阶跃电压。
208.然而，当计数的存储器单元的数目小于基准值(是)时，然后在步骤s1305中，存储器设备可以将比第一阶跃电压大偏移电压的电压确定为阶跃电压。即，当计数的存储器单元的数目小于基准值时，存储器设备可以将阶跃电压设置成比预设的默认阶跃电压高偏移电压。
209.当阶跃电压被设置时，在步骤s1307中，存储器设备可以将编程电压施加到被选择的字线。此时，编程电压可以是比在先前编程循环中施加到被选择的字线的编程电压大设置的阶跃电压的电压。
210.在步骤s1309中，存储器设备可以执行验证操作。此时，验证操作可以是预验证操作或主验证操作。即，当通过正常编程操作对被选择的存储器单元进行编程时，验证操作可以是主验证操作，并且当通过dpgm对被选择的存储器单元进行编程时，验证操作可以是预验证操作或主验证操作。
211.在一个实施例中，当验证操作通过时，可以结束编程循环，但是当验证操作失败时，可以执行下一个编程循环。在下一个编程循环中，存储器设备可以基于关断存储器单元的数目再次确定阶跃电压。
212.结果，直到关断存储器单元的数目大于或等于基准值为止，阶跃电压可以被设置成比预设的默认阶跃电压大偏移电压的值。当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，阶跃电压可以被设置成预设的默认阶跃电压。
213.图14是图示图1的存储器控制器的另一实施例的图。
214.存储器控制器1000连接到主机和存储器设备。存储器控制器1000被配置成响应于
来自主机的请求而访问存储器设备。例如，存储器控制器1000被配置成控制对存储器设备的写入、读取、擦除和后台操作。存储器控制器1000被配置成在存储器设备与主机之间提供接口。存储器控制器1000被配置成驱动用于控制存储器设备的固件。
215.参考图14，存储器控制器1000可以包括处理器1010、存储器缓冲器1020、错误校正电路(ecc)1030、主机接口1040、缓冲器控制器(或缓冲器控制电路)1050、存储器接口1060和总线1070。
216.总线1070可以被配置成在存储器控制器1000的部件之间提供信道。
217.处理器1010可以控制存储器控制器1000的整体操作，并且可以执行逻辑操作。处理器1010可以通过主机接口1040与外部主机通信，并且通过存储器接口1060与存储器设备通信。此外，处理器1010可以通过缓冲器控制器1050与存储器缓冲器1020通信。处理器1010可以使用存储器缓冲器1020作为操作存储器、高速缓冲存储器或缓冲存储器，来控制存储设备的操作。
218.处理器1010可以执行ftl的功能。处理器1010可以通过ftl将由主机提供的lba转换成pba。ftl可以通过使用映射表来接收lba并且将lba转换成pba。闪存转换层的地址映射方法包括根据映射单位的多种映射方法。代表性的地址映射方法包括页映射方法、块映射方法和混合映射方法。
219.处理器1010被配置成随机化从主机接收的数据。例如，处理器1010可以使用随机化种子对从主机接收的数据进行随机化。经随机化的数据作为要存储的数据被提供给存储器设备，并且被编程到存储器单元阵列。
220.处理器1010可以通过驱动软件或固件来执行随机化和去随机化。
221.存储器缓冲器1020可以用作处理器1010的操作存储器、高速缓冲存储器或缓冲存储器。存储器缓冲器1020可以存储由处理器1010执行的代码和命令。存储器缓冲器1020可以存储由处理器1010处理的数据。存储器缓冲器1020可以包括静态ram(sram)或动态ram(dram)。
222.错误校正电路1030可以执行错误校正。错误校正电路1030可以基于要通过存储器接口1060写入存储器设备的数据，来执行错误校正编码(ecc编码)。经错误校正编码的数据可以通过存储器接口1060传送给存储器设备。错误校正电路1030可以对通过存储器接口1060从存储器设备接收的数据执行错误校正解码(ecc解码)。例如，错误校正电路1030可以被包括在存储器接口1060中，作为存储器接口1060的部件。
223.主机接口1040被配置成在处理器1010的控制下与外部主机通信。主机接口1040可以被配置成使用各种通信方法中的至少一种来执行通信，该各种通信方法诸如为通用串行总线(usb)、串行at附件(sata)、串行附接scsi(sas)、高速芯片间(hsic)、小型计算机系统接口(scsi)、外围部件互连(pci快速)、非易失性存储器快速(nvme)、通用闪存存储(ufs)、安全数字(sd)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、双列直插式存储器模块(dimm)、寄存式dimm(rdimm)和减载dimm(lrdimm)。
224.缓冲器控制器1050被配置成在处理器1010的控制下控制存储器缓冲器1020。
225.存储器接口1060被配置成在处理器1010的控制下与存储器设备通信。存储器接口1060可以通过信道与存储器设备传达命令、地址和数据。
226.例如，存储器控制器1000可以不包括存储器缓冲器1020和缓冲器控制器1050。
227.例如，处理器1010可以使用代码来控制存储器控制器1000的操作。处理器1010可以从设置在存储器控制器1000内部的非易失性存储器设备(例如，只读存储器)加载代码。作为另一示例，处理器1010可以通过存储器接口1060从存储器设备加载代码。
228.例如，存储器控制器1000的总线1070可以被划分成控制总线和数据总线。数据总线可以被配置成在存储器控制器1000内传输数据，并且控制总线可以被配置成在存储器控制器1000内传输诸如命令和地址的控制信息。数据总线和控制总线可以彼此分离，并且可以互不干扰或者互不影响。数据总线可以连接到主机接口1040、缓冲器控制器1050、错误校正电路1030和存储器接口1060。控制总线可以连接到主机接口1040、处理器1010、缓冲器控制器1050、存储器缓冲器1020和存储器接口1060。
229.图15是图示存储器卡系统2000的框图，根据本公开的一个实施例的存储设备被应用于该存储器卡系统2000。
230.参考图15，存储器卡系统2000包括存储器控制器2100、存储器设备2200和连接器2300。
231.存储器控制器2100连接到存储器设备2200。存储器控制器2100被配置成访问存储器设备2200。例如，存储器控制器2100被配置成控制对存储器设备2200的读取、写入、擦除和后台操作。存储器控制器2100被配置成在存储器设备2200与主机之间提供接口。存储器控制器2100被配置成驱动用于控制存储器设备2200的固件。存储器设备2200可以与参考图1描述的图1的存储器设备100相同地来实现。
232.作为一个示例，存储器控制器2100可以包括诸如随机存取存储器(ram)、处理器、主机接口、存储器接口和错误校正电路的部件。
233.存储器控制器2100可以通过连接器2300与外部设备通信。存储器控制器2100可以根据特定通信标准与外部设备(例如，主机)通信。作为一个示例，存储器控制器2100被配置成通过各种通信标准中的至少一种与外部设备通信，该各种通信标准诸如为通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围部件互连(pci)、pci快速(pci-e)、高级技术附件(ata)、串行ata、并行ata、小型计算机系统接口(scsi)、增强型小型盘接口(esdi)、集成驱动电子器件(ide)、火线、通用闪存存储(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme。作为一个示例，连接器2300可以由上述各种通信标准中的至少一种来限定。
234.作为一个示例，存储器设备2200可以使用各种非易失性存储器类型来实现，该各种非易失性存储器类型诸如为电可擦除和可编程rom(eeprom)、nand闪存存储器、nor闪存存储器、相变ram(pram)、电阻式ram(reram)、铁电ram(fram)和自旋转移扭矩磁性ram(stt-mram)。
235.存储器控制器2100和存储器设备2200可以集成到一个半导体设备中，以配置存储器卡。例如，存储器控制器2100和存储器设备2200可以集成到一个半导体设备中，以配置诸如以下的存储器卡：pc卡(个人计算机存储器卡国际协会(pcmcia))、紧凑型闪存卡(cf)、智能媒体卡(sm或smc)、记忆棒、多媒体卡(mmc、rs-mmc、微型mmc或emmc)、sd卡(sd、迷你sd、微型sd或sdhc)和通用闪存存储(ufs)。
236.在一个实施例中，存储器设备2200可以对被选择的存储器单元进行编程。此时，存储器设备2200可以通过正常编程操作或dpgm对被选择的存储器单元进行编程。在dpgm中，存储器设备2200可以执行利用预验证电压执行的预验证操作、和利用大于预验证电压的主
验证电压执行的主验证操作。
237.在一个实施例中，存储器设备2200可以对预验证操作或主验证操作中的关断存储器单元的数目进行计数。此外，存储器设备2200可以基于将关断存储器单元的数目与基准值进行比较的结果，来确定要被反映在下一个编程循环中的阶跃电压。
238.例如，当关断存储器单元的数目小于基准值时，存储器设备2200可以将下一个编程循环的阶跃电压设置成比默认阶跃电压大偏移电压的大小。这里，偏移电压可以随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加而减小。
239.然而，当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，存储器设备2200可以将下一个编程循环的阶跃电压设置为默认阶跃电压。
240.因此，存储器设备2200可以将阶跃电压设置成比默认阶跃电压大偏移电压的大小，直到关断存储器单元的数目大于或等于基准值为止。此后，当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，存储器设备2200可以将默认阶跃电压设置为阶跃电压。
241.图16是图示固态驱动器(ssd)系统3000的框图，根据本公开的一个实施例的存储设备被应用于该ssd系统3000。
242.参考图16，ssd系统3000包括主机3100和ssd 3200。ssd 3200通过信号连接器3001与主机3100交换信号sig，并且通过功率连接器3002接收功率pwr。ssd 3200包括ssd控制器3210、多个闪存存储器3221至322n、辅助功率设备3230和缓冲存储器3240。
243.在一个实施例中，ssd控制器3210可以执行参考图1描述的图1的存储器控制器200的功能。
244.ssd控制器3210可以响应于从主机3100接收的信号sig而控制多个闪存存储器3221至322n。作为一个示例，信号sig可以是基于主机3100与ssd 3200之间的接口的信号。例如，信号sig可以是由诸如以下的接口中的至少一种接口限定的信号：通用串行总线(usb)、多媒体卡(mmc)、嵌入式mmc(emmc)、外围部件互连(pci)、pci快速(pci-e)、高级技术附件(ata)、串行ata、并行ata、小型计算机系统接口(scsi)、增强型小型盘接口(esdi)、集成驱动电子器件(ide)、火线、通用闪存存储(ufs)、wi-fi、蓝牙和nvme。
245.辅助功率设备3230通过功率连接器3002连接到主机3100。辅助功率设备3230可以从主机3100接收功率pwr，并且可以用该功率进行充电。当来自主机3100的功率供应不顺畅时，辅助功率设备3230可以提供ssd 3200的功率。作为一个示例，辅助功率设备3230可以位于ssd 3200中，或者可以位于ssd 3200外部。例如，辅助功率设备3230可以位于主板上，并且可以向ssd 3200提供辅助功率。
246.缓冲存储器3240作为ssd 3200的缓冲存储器进行操作。例如，缓冲存储器3240可以临时存储从主机3100接收的数据或从多个闪存存储器3221至322n接收的数据，或者可以临时存储闪存存储器3221至322n的元数据(例如，映射表)。缓冲存储器3240可以包括：易失性存储器，诸如dram、sdram、ddr sdram、lpddr sdram和gram；或者非易失性存储器，诸如fram、reram、stt-mram和pram。
247.在一个实施例中，多个闪存存储器3221至322n中的每个闪存存储器可以对被选择的存储器单元进行编程。此时，多个闪存存储器3221至322n可以通过正常编程操作或dpgm对被选择的存储器单元进行编程。在dpgm中，多个闪存存储器3221至322n可以执行利用预验证电压执行的预验证操作、和利用大于预验证电压的主验证电压执行的主验证操作。
248.在一个实施例中，多个闪存存储器3221至322n可以对预验证操作或主验证操作中的关断存储器单元的数目进行计数。此外，多个闪存存储器3221至322n可以基于将关断存储器单元的数目与基准值进行比较的结果，来确定要被反映在下一个编程循环中的阶跃电压。
249.例如，当关断存储器单元的数目小于基准值时，多个闪存存储器3221至322n可以将下一个编程循环的阶跃电压设置成比默认阶跃电压大偏移电压的大小。这里，偏移电压可以随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加而减小。
250.然而，当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，多个闪存存储器3221至322n可以将下一个编程循环的阶跃电压设置为默认阶跃电压。
251.因此，多个闪存存储器3221至322n可以将阶跃电压设置成比默认阶跃电压大偏移电压的大小，直到关断存储器单元的数目大于或等于基准值为止。此后，当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，多个闪存存储器3221至322n可以将默认阶跃电压设置为阶跃电压。
252.图17是图示用户系统4000的框图，根据本公开的一个实施例的存储设备被应用于该用户系统4000。
253.参考图17，用户系统4000包括应用处理器4100、存储器模块4200、网络模块4300、存储模块4400和用户接口4500。
254.应用处理器4100可以驱动用户系统4000中包括的部件、操作系统(os)、用户程序等。例如，应用处理器4100可以包括控制用户系统4000中包括的部件的控制器、接口、图形引擎等。应用处理器4100可以被提供作为芯片上系统(soc)。
255.存储器模块4200可以作为用户系统4000的主存储器、操作存储器、缓冲存储器或高速缓冲存储器进行操作。存储器模块4200可以包括诸如dram、sdram、ddr sdram、ddr2 sdram、ddr3sdram、lpddr sdarm、lpddr2 sdram和lpddr3 sdram的易失性随机存取存储器、或者诸如pram、reram、mram和fram的非易失性随机存取存储器。例如，应用处理器4100和存储器模块4200可以基于封装上封装(pop)被封装，并且被提供作为一个半导体封装。
256.网络模块4300可以与外部设备通信。例如，网络模块4300可以支持无线通信，诸如码分多址(cdma)、全球移动通信系统(gsm)、宽带cdma(wcdma)、cdma-2000、时分多址(tdma)、长期演进、wimax、wlan、uwb、蓝牙和wi-fi。例如，网络模块4300可以被包括在应用处理器4100中。
257.存储模块4400可以存储数据。例如，存储模块4400可以存储从应用处理器4100接收的数据。备选地，存储模块4400可以将存储模块4400中存储的数据传输给应用处理器4100。例如，存储模块4400可以使用非易失性半导体存储器来实现，该非易失性半导体存储器诸如为相变ram(pram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、nand闪存、nor闪存和三维nand闪存。例如，存储模块4400可以被提供作为用户系统4000的可移除存储设备(可移除驱动器)(诸如存储器卡)和外部驱动器。
258.例如，存储模块4400可以包括多个非易失性存储器设备，并且该多个非易失性存储器设备可以与参考图2和图3描述的存储器设备相同地操作。存储模块4400可以与参考图1描述的存储设备50相同地操作。
259.用户接口4500可以包括用于向应用处理器4100输入数据或指令或者用于向外部
设备输出数据的接口。例如，用户接口4500可以包括用户输入接口，诸如键盘、小键盘、按钮、触摸面板、触摸屏、触摸板、触摸球、相机、麦克风、陀螺仪传感器、振动传感器和压电元件。用户接口4500可以包括用户输出接口，诸如液晶显示器(lcd)、有机发光二极管(oled)显示设备、有源矩阵oled(amoled)显示设备、led、扬声器和监视器。
260.在一个实施例中，存储模块4400可以对被选择的存储器单元进行编程。此时，存储模块4400可以通过正常编程操作或dpgm对被选择的存储器单元进行编程。在dpgm中，存储模块4400可以执行利用预验证电压执行的预验证操作、和利用大于预验证电压的主验证电压执行的主验证操作。
261.在一个实施例中，存储模块4400可以对预验证操作或主验证操作中的关断存储器单元的数目进行计数。此外，存储模块4400可以基于将关断存储器单元的数目与基准值进行比较的结果，来确定要被反映在下一个编程循环中的阶跃电压。
262.例如，当关断存储器单元的数目小于基准值时，存储模块4400可以将下一个编程循环的阶跃电压设置成比默认阶跃电压大偏移电压的大小。这里，偏移电压可以随着对被选择的存储器单元执行的编程操作和擦除操作的次数增加而减小。
263.然而，当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，存储模块4400可以将下一个编程循环的阶跃电压设置为默认阶跃电压。
264.因此，存储模块4400可以将阶跃电压设置成比默认阶跃电压大偏移电压的大小，直到关断存储器单元的数目大于或等于基准值为止。此后，当关断存储器单元的数目大于或等于基准值时，存储模块4400可以将默认阶跃电压设置为阶跃电压。