碱性清洗组合物、清洗方法和半导体制造方法与流程

技术特征：
1.一种碱性清洗组合物，其特征在于，所述碱性清洗组合物包含碱性化合物、5～40重量％的丙二醇单甲醚、10～30重量％的水及极性溶剂；其中，所述极性溶剂包含缩醛类、醇醚类、吡咯烷酮类或其组合的溶剂，且所述碱性清洗组合物不包含苯磺酸。2.如权利要求1所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述碱性化合物包含氢氧化四级铵、醇胺类化合物或其混合物。3.如权利要求2所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述氢氧化四级铵具有下列式(1)所示的结构:其中，r1～r4各自独立为碳数1～4的烷基，且所述烷基为未经取代或经羟基所取代，x为oh；所述醇胺类化合物具有下列式(2)所示的结构:其中，r1、r2各自独立为氢或碳数1～6的烷基，且所述烷基为未经取代或经羟基所取代，r3为碳数1～8的亚烷基，且所述亚烷基为未经取代或至少一个-ch
2-被-o-或-nh-取代，且-o-不与-o-或-nh-直接相连、-nh-不与-nh-直接相连；r4、r5各自独立为氢或碳数1～3的烷基，且所述烷基为未经取代或经羟基所取代。4.如权利要求2所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述氢氧化四级铵是选自下列群组中的至少一种:氢氧化四甲铵、氢氧化四乙铵、氢氧化四丙铵、氢氧化四丁铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、(2-羟乙基)三甲基氢氧化铵、双(2-羟乙基)二甲基氢氧化铵和三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵；所述醇胺类化合物是选自下列群组中的至少一种:乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、正丙醇胺、正二丙醇胺、正三丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、n-甲基乙醇胺、2-氨基-2-甲基-1,3-丙二醇和2-(2-氨基乙氧基)乙醇。5.如权利要求1所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述碱性化合物的含量为0.1～20重量％。6.如权利要求1所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述碱性化合物为氢氧化四级铵和醇胺类化合物的混合物。7.如权利要求1所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述极性溶剂包含下列式(3)、式(4)或式(5)所示结构的溶剂或其组合的溶剂:
其中，r1、r2各自独立为氢或碳数1～6的烷基，且所述烷基为未经取代或至少一个-ch2-被-o-取代，r3、r4各自独立为碳数1～4的亚烷基，r5、r6各自独立为碳数1～3的烷基；其中，r1为氢或碳数1～4的烷基，所述烷基为未经取代或经羟基所取代，r2、r3各自独立为氢或碳数1～2的烷基，n为1～4的整数；其中，r1为碳数1～3的烷基。8.如权利要求1所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述极性溶剂是选自下列群组中的至少一种:4,8-二甲基-2,5,7,10-四氧杂十一烷、2,5,7,10-四氧杂十一烷、6-(2-甲氧基乙氧基)-2,5,7,10-四氧杂十一烷、丙二醇、丙二醇乙醚、乙二醇单甲醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇甲醚、n-甲基-2-吡咯烷酮、n-乙基-2-吡咯烷酮和n-异丙基-2-吡咯烷酮。9.如权利要求1所述的碱性清洗组合物，其特征在于，所述极性溶剂的含量为5～84.9重量％。10.一种碱性清洗组合物，其特征在于，所述碱性清洗组合物包含氢氧化四级铵、5～40重量％的丙二醇单甲醚、10～30重量％的水及极性溶剂；其中，所述极性溶剂是选自n-异丙基-2-吡咯烷酮、n-乙基-2-吡咯烷酮、2,5,7,10-四氧杂十一烷、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丁醚及丙二醇中的至少一种，且所述碱性清洗组合物不包含苯磺酸。11.一种清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包含使用如权利要求1～10中任一项的碱性清洗组合物清洗并去除附着于装置元件上的残渣或膜；其中，所述残渣或膜是包括光刻胶或含有硅原子的无机物。12.一种半导体制造方法，其特征在于，所述半导体制造方法包含下列步骤:提供一基板；在所述基板上涂布硅氧烷树脂层；在所述硅氧烷树脂层上涂布光刻胶层以形成一多层基板；对所述多层基板进行微影及蚀刻制程；以及
使用如权利要求1～10中任一项的碱性清洗组合物清洗并去除附着于所述基板上的所述硅氧烷树脂层及所述光刻胶层的残留物。

技术总结
本发明提供一种碱性清洗组合物，其包含碱性化合物、5～40重量％的丙二醇单甲醚、10～30重量％的水及极性溶剂。其中，所述极性溶剂包含缩醛类、醇醚类、吡咯烷酮类或其组合的溶剂，且所述碱性清洗组合物不包含苯磺酸。且所述碱性清洗组合物不包含苯磺酸。


技术研发人员：汤慧怡 王咨棋 陈雨农 陈颐承
受保护的技术使用者：达兴材料股份有限公司
技术研发日：2021.12.17
技术公布日：2022/6/28