传送板、用于制造传送板的方法和基板处理装置与流程

传送板、用于制造传送板的方法和基板处理装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月24日提交韩国专利局的第10-2020-0182768号韩国专利申请的优先权和权益，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
3.本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种传送板、用于制造传送板的方法、以及基板处理装置。


背景技术：

4.执行各种工艺(例如清洁、沉积、照相、蚀刻和离子注入)来制造半导体器件。在这些工艺中，沉积工艺和施用工艺用作在基板上形成膜的工艺。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体而在基板上形成膜的工艺，而施用工艺是通过将处理液施用到基板上而形成液膜的工艺。
5.用于烘烤基板的烘烤工艺在膜形成在基板上之前和之后执行。烘烤工艺是将基板在封闭空间中加热至工艺温度或更高的工艺。在膜形成在基板上之后执行的烘烤工艺中，将光刻胶膜加热和挥发，使得将膜的厚度调整到预设厚度。
6.图1a是示出了传统冷却板的视图。
7.冷却板在基板“w”与烘烤腔室中的基底板(base plate)1间隔开的情况下被传送。冷却板在其内部具有冷却剂通道。
8.通常，冷却板通过钎焊(brazing)或压装(press-fitting)制造。如图1a所示，在钎焊中，通过开槽在铝金属板中形成通道，并将相同材料的另一块板结合至该铝金属板。然而，钎焊冷却板在通道的内部被氧化和腐蚀，这导致通道被异物(例如氧化铝)阻塞。
9.如图1b所示，在压装中，在铝金属板被开槽之后，将其与异种金属(例如，sus)的通道管压装。压装显示出优异的抗氧化特性和抗腐蚀特性，但降低了冷却性能并且阳极氧化是不可能的。


技术实现要素：

10.本发明构思的实施方案提供了一种传送板、用于制造传送单元的方法、以及基板处理装置，所述传送板具有异种材料结构(dissimilar material structure)，所述异种材料结构具有流体流动所通过的管状通道。
11.本发明构思的实施方案还提供了一种用于制造板的方法，其工艺简单。
12.本发明构思的实施方案还提供了一种传送板、用于制造传送单元的方法、以及基板处理装置，所述传送板可以使用不锈钢材料的冷却剂管(coolant pipe)。
13.本发明构思的实施方案还提供了一种传送板、用于制造传送单元的方法、以及基板处理装置，在所述传送板中，构成传送板主体的构件与不锈钢材料的冷却剂管之间的界面可以极好地彼此结合。
14.本发明构思要解决的问题不限于上述问题，并且本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图清楚地理解未提及的问题。
15.根据一实施方案，用于制造用于冷却基板的冷却板的方法包括：通过使用管状管来制造冷却剂管的操作；将冷却剂管插入到限定冷却板的铸模中的操作；以及通过将熔融金属注入到铸模中来铸造冷却板的操作。
16.此外，冷却剂管的制造可以包括：在冷却板的铸造中对管状管的外周表面进行表面处理以在界面之间形成金属间化合物。
17.此外，管状管的外周表面的表面处理为zn镀、ni镀和ni-p镀中的任一种。
18.此外，冷却剂管的制造可以包括：与要被限定在冷却板中的冷却通道的形状相对应地弯曲管状管。
19.此外，管状管和熔融金属的材料可以是不同的材料。
20.此外，管状管可以由不锈钢材料形成，并且熔融金属可以由铝或铝合金材料形成。
21.此外，冷却板的铸造可以是嵌件压铸(insert die casting,idc)。
22.此外，该方法还可以包括在冷却板的铸造之后通过阳极氧化对冷却板进行表面处理。
23.根据另一实施方案，提供了一种用于冷却基板的冷却板，该冷却板通过插入弯曲成冷却通道形状的冷却剂管而整体铸造，并且其中冷却剂管的材料与铸造材料不同。
24.此外，冷却剂管的材料可以是不锈钢材料，而铸造材料可以是铝或铝合金。
25.此外，冷却剂管可以在其外周表面上具有镀膜(plate film)。
26.此外，镀膜可以由zn、ni和ni-p中的任一种形成。
27.此外，用于冷却基板的冷却板可以包括从其外表面延伸到内侧的引导孔。
28.根据另一实施方案，基板处理装置可以包括：壳体；加热单元，所述加热单元位于所述壳体中并具有加热基板的加热板；传送单元，所述传送单元位于所述壳体中并具有传送所述基板的传送板；以及冷却单元，所述冷却单元冷却所述加热板或经加热的基板，所述基板处理装置包括所述传送板，所述冷却单元包括设置在所述传送板的内部中的冷却通道，并且所述传送板是整体铸件，提供所述冷却通道的冷却剂管通过铸造进入所述整体铸件。
29.此外，冷却剂管的外周表面可以被表面处理。
30.此外，冷却剂管的外周表面的表面处理可以是zn镀、ni镀和ni-p镀中的任一种。
31.此外，冷却剂管和铸件的材料可以是不同的材料。
32.此外，冷却剂管可以由不锈钢材料形成，而铸件的材料可以是铝或铝合金材料。
33.此外，加热单元还可以包括升降销，所述升降销在形成在所述加热板中的销孔中向上和向下移动、并将所述基板馈送到所述传送单元，所述传送单元还可以包括驱动构件，所述驱动构件在第一位置与第二位置之间移动所述传送板，所述第一位置与具有所述壳体的基板入口的第一侧壁相邻，所述第二位置对应于所述加热板的上侧，并且所述传送板可以包括引导孔，所述升降销插入到所述引导孔中，使得当所述传送板从所述第一位置移动到所述第二位置时，防止与所述升降销的干扰或碰撞。
34.此外，所述引导孔可以从所述传送板的外表面延伸到内侧。
附图说明
35.通过参考以下附图的以下描述，上述和其他目的及特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则在各个附图中相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：
36.图1a和图1b是示出了传统冷却板的结构的视图；
37.图2是示意性示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的视图；
38.图3是显示出图2的施用块或显影块的基板处理装置的截面图；
39.图4是示出了图2的基板处理装置的平面图；
40.图5是示出了图4的传送机械手的手部的示例的视图；
41.图6是示意性示出了图4的热处理腔室的示例的平面图；
42.图7是图6的热处理腔室的正视图；
43.图8是示出了设置在图7的加热单元中的基板处理装置的视图；
44.图9是示出了根据本发明构思的传送板的视图；
45.图10是沿图9的线a-a截取的截面图；
46.图11是示出了用于制造传送板的方法的流程图；
47.图12是示出了制造冷却剂管的工艺的视图；
48.图13是示出了插入冷却剂管的工艺的视图；以及
49.图14和图15是示出了铸造传送板的工艺的视图。
具体实施方式
50.从结合附图给出的以下实施方案的以下描述中，本发明构思的上述和其他优点及特征、以及本发明构思的用于实现这些优点与特征的方法将变得显而易见，并且将在下面详细描述。然而，本发明构思不限于将在下文中公开的实施方案，并且本发明构思仅由权利要求的范围限定。尽管未限定，但本文中使用的所有术语(包括技术术语或科学术语)可具有与由本发明所属领域的公知技术所普遍接受的相同含义。可以省略已知配置的一般描述，以免使本发明构思的本质变得模糊。在本发明构思的附图中，如果可能，相同的附图标记用于表示相同或相似的配置。为了易于理解本发明构思，附图中的一些配置可能被夸大或缩小。
51.提供本文中使用的术语仅用于描述具体实施方案，并且这些术语不旨在限制本发明构思。除非另有说明，否则单数形式的术语可以包括复数形式。术语“包括”和“具有”用于表示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合，并且可以理解为可以添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、元件、部件或其组合。
52.图2是示意性示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理装置的视图。图3是显示出图2的施用块(cot)或显影块(dev)的基板处理装置的截面图。图4是示出了图2的基板处理装置的平面图。
53.参考图2至图4，基板处理装置1包括索引模块20、处理模块30和接口模块40。
54.根据一实施方案，索引模块20、处理模块30和接口模块40顺序地布置成排。在下文中，布置索引模块20、处理模块30和接口模块40的方向将被称为第一方向12，当从顶部观察时，与第一方向12垂直的方向将被称为第二方向14，并且垂直于第一方向12和第二方向14这两者的方向将被称为第三方向16。
55.索引模块20将基板“w”从容器10传输到处理模块30，其中基板“w”被接收在该容器中；并且完全处理过的基板“w”被接收在容器10中。索引模块20的纵向方向是第二方向14。索引模块20包括装载端口22和索引框架24。相对于索引框架24，装载端口22位于处理模块30的相对侧上。基板“w”接收在其中的容器10定位在装载端口22上。可以提供多个装载端口22，并且多个装载端口22可以沿第二方向14设置。
56.容器10可以是封闭容器10，例如前开式晶圆盒(front open unified pod，foup)。容器10可以通过诸如高架传送机、高架输送机或自动引导车等传送单元(未示出)或者通过操作者定位在装载端口22上。
57.索引机械手2200设置在索引框架24的内部中。导轨2300的纵向方向是第二方向14，导轨2300可以设置在索引框架24中，并且索引机械手2200可以在导轨2300上是可移动的。索引机械手2200包括手部2220，基板“w”定位在该手部上，并且手部2220可以向前和向后移动、绕第三方向16旋转、以及沿第三方向16移动。
58.处理模块30在基板“w”上执行施用工艺和显影工艺。处理模块30具有施用块30a和显影块30b。施用块30a在基板“w”上执行施用工艺，并且显影块30b在基板“w”上执行显影工艺。可以提供多个施用块30a，并且多个施用块30a彼此堆叠。提供多个显影块30b，并且显影块30b彼此堆叠。
59.根据图2的实施方案，提供两个施用块30a，并且提供两个显影块30b。施用块30a可以设置在显影块30b的下方。根据一实施方案，两个施用块30a可以执行相同工艺，并且可以具有相同结构。此外，两个显影块30b可以执行相同工艺，并且可以具有相同结构。
60.再次参考图2，施用块30a具有热处理腔室3200、传送腔室3400、液体处理腔室3600和缓冲腔室3800。热处理腔室3200在基板“w”上执行热处理工艺。热处理工艺可以包括冷却工艺和加热工艺。液体处理腔室3600可以将液体供应到基板“w”上并形成液膜。液膜可以是光刻胶膜或抗反射膜。传送腔室3400将施用块30a中的基板“w”在热处理腔室3200与液体处理腔室3600之间传送。
61.传送腔室3400配置为使得其纵向方向平行于第一方向12。传送机械手3422设置在传送腔室3400中。传送机械手3422在热处理腔室3200、液体处理腔室3600与缓冲腔室3800之间传送基板。根据一实施方案，传送机械手3422具有手部3420，基板“w”定位在该手部上，并且手部3420可以向前和向后移动、绕第三方向16旋转、并沿第三方向16移动。导轨3430的纵向方向平行于第一方向12，导轨3430可以设置在传送腔室3400中，并且传送机械手3422可以在导轨3300上是可移动的。
62.图5是示出了图2的传送机械手的手部的示例的视图。
63.参考图5，手部3420具有基底(base)3428和支承凸部(support boss)3429。基底3428可以具有圆环形状，该圆环形状的圆周部是弯曲的。基底3428具有比基板“w”的直径大的内径。支承凸部3429从基底3428向内延伸。设置多个支承凸部3429，并且该多个支承凸部支承基板“w”的边缘区域。根据实施例，可以以等间距设置四个支承凸部。
64.设置多个热处理腔室3200。热处理腔室3200可以沿第一方向12布置。热处理腔室3200位于传送腔室3400的一侧上。
65.图6是示意性示出了图4的热处理腔室的示例的平面图。图7为图6的热处理腔室的前视图。
66.参考图6和图7，热处理腔室3200可以包括壳体3210、冷却单元3220、加热单元3230、以及具有传送板5100的传送单元5000。
67.壳体3210具有大致矩形平行六面体形状(rectangular parallelepiped shape)。基板“w”通过传送入口(未示出)被引入和离开，该传送入口形成在壳体3210的侧壁中。传送入口可以保持开放状态。任选地，可以设置门(未示出)以打开和关闭传送入口。冷却单元3220、加热单元3230和传送单元5000设置在壳体3210中。冷却单元3220和加热单元3230沿第二方向14并排设置。根据一实施方案，冷却单元3220可以定位成比加热单元3230更靠近传送腔室3400。
68.冷却单元3220具有冷却板3222。当从顶部观察时，冷却板3222可以具有大致圆形形状。冷却板3222设置有冷却构件3224。根据一实施方案，冷却构件3224可以形成在冷却板3222的内部中，并且可以设置有冷却流体流动所通过的通道。
69.加热单元3230设置为在高于室温的温度下加热基板的器件。加热单元3230在常压或低于常压的压力下加热基板“w”。加热单元3230可以在基板“w”上执行烘烤工艺。加热单元3230可以设置有在基板“w”上执行烘烤工艺的基板处理装置3300。
70.图8是示出了设置在图7的加热单元中的基板处理装置的视图。
71.参考图8，加热单元3230包括腔室3310、支承单元3320和提升单元3360。
72.腔室3310包括上腔室3312、下腔室3314和密封构件3316。上腔室3312可以具有容器形状，该容器形状的下侧是敞开的。下腔室3314可以具有容器形状，该容器形状的上侧是敞开的。下腔室3314可以设置在上腔室3312的下侧上。上腔室3312和下腔室3314可以组合以限定内部空间3318。
73.此外，密封构件3316可以设置在上腔室3312与下腔室3314之间。密封构件3316位于上腔室3312与下腔室3314之间。当上腔室3312和下腔室3314彼此接触时，密封构件3316从外部密封内部空间。密封构件3316可以具有圆环形状。密封构件3316可以固定地耦合到下腔室3314的上端。
74.支承单元3320支承内部空间3318中的基板“w”。此外，支承单元3320可以加热基板“w”。支承单元3320固定地耦合到下腔室3314。支承单元3320可以包括支承板3322、加热器3324、升降销3325、引导件3326和支承销3327。
75.支承板3322具有圆盘形状。支承板3322的上表面可以具有大于基板“w”直径的直径。支承板3322的上表面可以用作安置表面，基板“w”定位在该安置表面上。此外，支承板3322可以设置有加热器3324。加热器3324可以加热基板“w”。此外，可以提供多个加热器3324。多个加热器3324可以根据区域将基板“w”加热到不同温度。例如，多个加热器3324中的一些可以将基板“w”的中心区域加热到第一温度，并且多个加热器3324中的其他加热器可以将基板“w”的中间区域和边缘区域加热到第二温度。第一温度和第二温度可以不同。
76.升降销3325可以向上和向下移动基板“w”。可以提供多个升降销3325。当基板“w”被带入或带出内部空间3318时，升降销3325可以向上和向下移动基板“w”。
77.引导件3326引导基板“w”，使得基板“w”定位在安置表面的适当位置处。引导件3326具有围绕安置表面的圆环形状。引导件3326具有大于基板“w”直径的直径。引导件3326的内表面随着它变得更靠近支承板3322的中心轴线而具有向下倾斜的形状。因此，悬挂在引导件3326的内表面上的基板“w”沿着倾斜表面移动到适当位置。此外，引导件3326可以在
低程度上防止在基板“w”与安置表面之间引入的空气流。
78.支承销3327可以设置在支承板3322的上部处。可以提供多个支承销3327。多个支承销3327可以彼此间隔开。支承销3327可以支承基板“w”的下表面。支承销3327可以防止基板“w”直接接触支承板3322。
79.排放单元(附图中未示出)可以排放内部空间3318。排放单元可以在内部空间3318中形成空气流。排放单元可以在内部空间3318中形成上游流。排放单元可以设置在上腔室3312中。
80.气体供应单元(附图中未示出)可以将气体供应到内部空间3318。气体供应单元可以将气体喷射到由支承单元3320支承的基板“w”。由气体供应单元供应的气体可以是外部空气。由气体供应单元供应的气体可以是新鲜空气。由气体供应单元供应的气体可以是温度和湿度被调节的气体。气体供应单元可以在内部空间3318中形成下游流。气体供应单元可以设置在上腔室3312中。
81.提升单元3360可以移动上腔室3312和下腔室3314中的任一者。例如，提升单元3360可以向上和向下移动上腔室3312。提升单元3360可以将上腔室3312移动到打开位置或阻塞位置。这里，打开位置是上腔室3312和下腔室3314彼此间隔开使得内部空间3318打开的位置。阻塞位置是内部空间3318被上腔室3312和下腔室3314从外部封闭的位置。
82.控制器(附图中未示出)可以控制基板处理装置3300。控制器可以控制气体供应单元(附图中未示出)。控制器可以控制排放单元(附图中未示出)。
83.在下文中，将参照附图更详细地描述根据本发明构思的传送板。
84.图9是示出了根据本发明构思的传送板的视图。图10是沿图9的线a-a截取的截面图。
85.参考图9和图10，传送板5100可以包括基底板5200和冷却剂管5800。传送板5100被设置为整体铸件，其中提供冷却通道的冷却剂管5800通过铸造(或冷焊)插入到基底板5200中。
86.根据本发明构思的传送板5100可以是在热处理腔室3200中的冷却单元3220与加热单元3230之间传送基板“w”的冷却板。然后，传送板5100可以在传送基板“w”的过程中冷却基板。替代地，基底板5200可以定位在冷却单元3220的冷却板3222的上表面上，而基板“w”定位在基底板5200上。
87.基底板5200具有大致盘形状，并且具有对应于基板“w”的直径。基底板5200可以由导电材料形成。基底板5200可以由铝或铝合金形成。基底板5200可以涂覆有绝缘层5220。然后，绝缘层5220可以包括硬阳极氧化。
88.凹口5400形成在基底板5200的边缘处。凹口5400可以具有与形成在上述传送机械手3422和3424的手部3420中的凸部3429相对应的形状。此外，凹口5400的数量是与形成在手部3420中的凸部3429相对应的数量，并且凹口5400形成在与凸部3429相对应的位置处。当在手部3420和基底板5200布置在向上/向下方向上的情况下手部3420和基底板5200的向上/向下位置改变时，基板“w”在手部3420与基底板5200之间传送。基底板5200可以安装在导轨5600上，并且可以通过驱动器5500沿导轨5600在第一区域3212与第二区域3214之间移动。
89.多个狭缝状引导槽5300设置在基底板5200中。引导槽5300从基底板5200的一端延
伸到基底板5200的内部。引导槽5300的纵向方向沿第二方向14设置，并且引导槽5300沿第一方向12彼此间隔开。当基板“w”在基底板5200与加热单元3230之间传递时，引导槽5300防止基底板5200和升降销3325相互干扰。
90.冷却剂管5800可以由与铸造材料的基底板5200的材料不同的材料形成。例如，冷却剂管5800的材料可以是不锈钢材料，而铸造材料可以是铝或铝合金。冷却剂管5800具有镀膜5820(参见图12)，以在铸造过程中在界面之间形成金属间化合物。镀膜5820可以是zn、ni和ni-p中的任一种。
91.冷却剂管5800提供冷却剂流动所通过的通道。基底板5200由流动通过冷却剂管5800的冷却剂冷却。同时，冷却剂可以包括各种流体(例如冷却水或已知冷却剂)和空气，只要该冷却剂用于冷却的目的即可，并且例如，可易于处理、具有优异冷却效率并且具有优异流动性的冷却水可用作冷却剂。
92.以此方式，本发明构思的传送板5100由于应用了不锈钢材料的冷却剂管5800而具有高抗氧化/抗腐蚀特性，并且由于冷却剂管5800与构件(基底板5200)的界面结合而具有优异的导热性。
93.图11是示出了用于制造传送板的方法的流程图。图12至图15是示出了制造传送板的工艺的视图。
94.参考图11至图15，制造传送板的工艺可以包括：通过使用管状管来制造冷却剂管的操作；将冷却剂管插入到限定板的铸模中的操作；以及通过将熔融金属注入铸模来铸造传送板的操作。
95.如图12所示，准备要成为流动通道的管状管5801。管状管5801与要在铸件产品(传送板)中形成的通道的实际形状相对应地弯曲。管状管可以以各种形式弯曲。弯曲的管状管5801的外周表面被表面处理。提供表面处理以在铸造工艺中在界面之间形成金属间化合物。表面处理可以是zn镀、ni镀和ni-p镀中的任一种。
96.如图13中所示，将准备好的冷却剂管5800插入并固定到与传送板的形状相对应地制造的铸模5700。当熔融金属在注入铸模5700的入口中之后被冷却和机械加工时，如图15所示的传送板5100被制造。尽管未示出，该方法还可以包括：在铸造传送板的操作之后通过阳极氧化对传送板5100进行表面处理的操作。
97.冷却剂管5800的熔化温度必须高于要铸造的金属的熔化温度。在铸造传送板5100的操作中，可以使用嵌件压铸。
98.如上所述，本发明构思提供了一种制造方法，该制造方法可以通过将冷却剂管5800插入到以基底板5100的形状制造的模具中并铸造冷却剂管5800来实现将要制造的冷却功能的传送板的形状，并且通过铸造整体形成具有冷却剂管5800的传送板，可以在确保冷却剂通道的安全性的情况下显示出经济性能。
99.再次参考图3和图4，提供多个液体处理腔室。液体处理腔室3600中的一些可以设置为彼此堆叠。液体处理腔室3600设置在传送腔室3400的一侧上。液体处理腔室3600沿第一方向12并排布置。液体处理腔室3600中的一些设置在与索引模块20相邻的位置处。在下文中，液体处理腔室被称为前液体处理腔室3602。这些液体处理腔室3600中的其他液体处理腔室设置在与接口模块40相邻的位置处。在下文中，液体处理腔室被称为后液体处理腔室3604。
100.前液体处理腔室3602将第一液体施用到基板“w”，并且后液体处理腔室3604将第二液体施用到基板“w”。第一液体和第二液体可以是不同种类的液体。根据一实施方案，第一液体是防反射膜，而第二液体是光刻胶。光刻胶可以被施用到其上施用了防反射膜的基板“w”上。任选地，第一液体可以是光刻胶，而第二液体可以是防反射膜。在这种情况下，防反射膜可以被施用到其上施用了光刻胶的基板“w”上。任选地，第一液体和第二液体可以是相同种类的液体，并且都可以是光刻胶。
101.提供多个缓冲腔室3800。缓冲腔室3800中的一些设置在索引模块20与传送腔室3400之间。在下文中，这种缓冲腔室将被称为前缓冲器3802。提供多个前缓冲器3802，并且该多个前缓冲器3802沿向上/向下方向彼此堆叠。这些缓冲腔室3802和3804中的其他缓冲腔室设置在传送腔室3400与接口模块40之间。在下文中，这种缓冲腔室将被称为后缓冲器3804。提供多个后缓冲器3804，并且该多个后缓冲器3804沿向上/向下方向彼此堆叠。前缓冲器3802和后缓冲器3804临时保存多个基板“w”。保存在前缓冲器3802中的基板“w”由索引机械手2200和传送机械手3422带入或带出。保存在后缓冲器3804中的基板“w”由传送机械手3422和第一机械手4602带入或带出。
102.显影块30b具有热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600。显影块30b的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600具有与施用块30a的热处理腔室3200、传送腔室3400和液体处理腔室3600大致相似的结构和布置，因此将省略对其的描述。然而，在显影块30b中，所有的液体处理腔室3600以相同方式供应显影液、并将显影液提供到显影基板的显影腔室中。
103.接口模块40将处理模块30连接到外部曝光装置50。接口模块40具有接口框架4100、附加工艺腔室4200、接口缓冲器4400和传送构件4600。
104.在其内部形成向下流动的风扇过滤器单元可以设置在接口框架4100的上端处。附加工艺腔室4200、接口缓冲器4400和传送构件4600设置在接口框架4100的内部中。附加工艺腔室4200可以在已经在施用块30a中执行了工艺的基板“w”被带入到曝光装置50中之前执行特定的附加工艺。任选地，附加工艺腔室4200可以在已经在曝光装置50中执行了工艺的基板“w”被带入到显影块30b中之前执行特定的附加工艺。根据一示例，附加工艺可以是曝光基板“w”的边缘区域的边缘曝光工艺、清洁基板“w”的上表面的上表面清洁工艺、或清洁基板“w”的下表面的下表面清洁工艺。可以提供多个附加工艺腔室4200，并且该多个附加工艺腔室可以彼此堆叠。所有的附加工艺腔室4200可以执行相同工艺。任选地，这些附加工艺腔室4200中的一些可以执行不同的工艺。
105.接口缓冲器4400提供空间，在施用块30a、工艺腔室4200、曝光装置50与显影块30b之间传送的基板“w”在被传送的情况下临时停留在该空间中。可以提供多个接口缓冲器4400，并且该多个接口缓冲器4400可以彼此堆叠。
106.根据一实施方案，附加工艺腔室4200可以相对于传送腔室3400的纵向方向上的延长线设置在传送腔室3400的一侧上，并且接口缓冲器4400可以设置在传送腔室3400的另一侧上。
107.传送构件4600在施用块30a、附加工艺腔室4200、曝光装置50与显影块30b之间传送基板“w”。传送构件4600可以是一个或多个机械手。根据一实施例，传送构件4600具有第一机械手4602和第二机械手4606。第一机械手4602可以在施用块30a、附加工艺腔室4200与
接口缓冲器4400之间传送基板“w”，以及第二机械手4606可以在接口缓冲器4400与曝光装置50之间传送基板“w”，并且第二机械手4606可以在接口缓冲器4400与显影块30b之间传送基板“w”。
108.第一机械手4602和第二机械手4606包括手部，基板“w”分别定位在手部上，并且该手部可以向前和向后移动、可以绕平行于第三方向16的轴线旋转、并且可以沿第三方向16移动。
109.索引机械手2200、第一机械手4602和第二机械手4606的手部可以具有与传送机械手3422和3424的手部3402相同的形状。任选地，将基板“w”直接递送到热处理腔室的传送板3240和从该传送板接收基板“w”的机械手的手部、与其他机械手的手部可以具有不同的形状。
110.根据一实施方案，索引机械手2200可以将基板“w”直接递送到提供给施用块30a的前热处理腔室3200的加热单元3230和从该加热单元接收基板“w”。
111.此外，提供给施用块30a和显影块30b的传送机械手3422可以将基板“w”直接递送到位于热处理腔室3200中的传送板3240和从该传送板接收基板“w”。
112.根据本发明构思的实施方案，因为使用不锈钢材料的冷却剂管，所以抗氧化性能和抗腐蚀性能优异。
113.根据本发明构思的实施方案，由于冷却剂和构件的界面结合，导热性优异，由此可以提高冷却性能。
114.根据本发明构思的实施方案，可以根据铸造制造各种形状的产品。
115.根据本发明构思的实施方案，可以通过使用冷却剂管的内径来消除颈部。
116.根据本发明构思的实施方案，通过阳极氧化进行表面处理是可能的。
117.本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员可以从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
118.以上详细描述例证了本发明构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方案，并且本发明构思可以在各种其他组合、变化和环境中使用。也就是说，本发明构思可以在不脱离说明书中公开的本发明构思的范围、书面公开的等同范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下进行修改和改正。书面实施方案描述了用于实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以做出在本发明构思的具体应用领域和目的中需要的各种改变。因此，本发明构思的具体描述不旨在将本发明构思限制在所公开的实施方案状态。此外，应当理解，所附权利要求包括其他实施方案。