单晶槽式碱抛光清洗机的制作方法

1.本发明涉及太阳能电池生产设备技术领域，特别是涉及一种单晶槽式碱抛光清洗机。


背景技术：

2.太阳能电池，是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，又称为“太阳能芯片”或“光电池”，它只要被满足一定照度条件的光照度，瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。
3.扩散是生产太阳能电池过程中极为重要的一步，而在制造太阳能电池的工艺流程中，通常都在扩散后进行刻蚀。在扩散过程中，硅片的周边表面也形成扩散层。周边扩散层使电池的上电极和下电极形成短路，必须将它除去。这个工序是太阳电池制作中必不可少的一步，周边存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。
4.刻蚀是采用化学或物理的方法，有选择地从半导体材料表面去除不需要材料的过程。通常刻蚀技术分为湿法腐蚀和干法刻蚀两种。刻蚀完成后，还需要对晶片进行二次清洗，目的是去除扩散过程中磷与二氧化硅反应形成的磷硅玻璃，以及扩散时产生的氧化硅膜、刻蚀时产生的硅的碎屑等等。
5.而清洗过程一般会用到抛光清洗设备，目前公开号为cn102496560a的中国专利公开了一种湿法刻蚀清洗设备以及湿法刻蚀清洗方法，其包括化学品槽液体分流板，化学品槽液体分流板包括第一封闭区r、第二封闭区s以及孔布置区，孔布置区上布置有多个孔，其特征在于，在化学品槽液体分流板的孔布置区中，在每两个晶片放置位置之间布置一排孔，每排孔的数量不小于8个。
6.这种清洗设备通过优化化学品槽液体分流板的设计来改善被刻蚀层的湿法蚀刻过程中的片间均匀性、片内均匀性以及钻蚀问题，但这种清洗设备对晶片的清洁不够均匀，难以将晶片整体清洁干净，容易在晶片表面留下残留。


技术实现要素：

7.本发明针对上述技术问题，克服现有技术的缺点，提供一种单晶槽式碱抛光清洗机。
8.为了解决以上技术问题，本发明提供一种单晶槽式碱抛光清洗机。
9.技术效果：对晶片的清洗进行两道工序，第一是浸泡晶片，将晶片表面的大部分残留物浸泡清除，第二是冲洗晶片表面，能够对晶片表面进行更为完全的冲洗，将其表面和槽内的残留冲洗干净，达到更良好的清洁效果，另外还能够将晶片自动转移至另一侧的晶片槽内进行收集晾干，提升了机械化和自动化程度，提高了生产效率。
10.本发明进一步限定的技术方案是：一种单晶槽式碱抛光清洗机，包括机体，机体包括通过隔板隔开的清洁区和用于放置清洁后晶片的放置区，清洁区包括设于底部位置的清洁水池，清洁水池上方设有滑移连接在隔板上的承载件，用于承载晶片并将晶片下沉至清
洁水池内浸泡清洁，机体内侧壁上设有冲洗件，冲洗件沿承载件延伸方向滑移连接在机体上，包括用于冲洗晶片顶面的顶部冲洗杆和用于冲洗晶片底面的底部冲洗杆，机体上还设有用于将晶片上料和转移至放置区的转移件。
11.进一步的，承载件包括承载板，承载板中空设置，其内设有用于承载放置晶片的承载架，承载架由若干片垂直交叉设置的承载片构成，承载片垂直承载板的平面设置，承载板侧面设有相同的承载片，承载片之间形成排水槽。
12.前所述的单晶槽式碱抛光清洗机，承载件包括滑移连接在隔板上的活动块，活动块与承载板之间相互固定，隔板位于放置区的一侧面上沿垂直方向滑移连接有滑移块，隔板上固定有驱动电机，驱动电机的输出轴上设有驱动丝杠，驱动丝杠穿透滑移块并与之螺纹连接。
13.前所述的单晶槽式碱抛光清洗机，活动块与滑移块之间通过中间杆连接，中间杆整体呈“n”字形设置，其底部两端分别于滑移块和活动块固定，中间位置跨越隔板,承载板相对于水平面向下倾斜设置。
14.前所述的单晶槽式碱抛光清洗机，冲洗件包括设于机体两内侧面的滑移轨道，滑移轨道设有平行设置的两组，顶部冲洗杆和底部冲洗杆均滑移连接在滑移轨道内，底部冲洗杆上设有若干个平行设置的喷头，喷头朝向承载板底面设置。
15.前所述的单晶槽式碱抛光清洗机，顶部冲洗杆与底部冲洗杆的结构相同，其上的喷头朝向承载板顶面设置，机体上设有平行于水平面设置的活动电机，活动电机的输出轴上设有活动丝杠，机体上滑移连接有调节块，调节块两端分别于底部冲洗杆和顶部冲洗杆固定，活动丝杠穿透调节块并与之螺纹连接。
16.前所述的单晶槽式碱抛光清洗机，转移件包括固定在机体顶部的活动架，活动架上固定有十字滑台，十字滑台的滑块上固定有垂直水平面设置的调节气缸，调节气缸的输出轴上固定有转移板，转移板上设有若干个阵列设置的吸盘，用于吸附并搬运晶片。
17.前所述的单晶槽式碱抛光清洗机，机体上远离放置区的一侧设有上料区，用于存放扩散步骤完成后的晶片，放置区内设有活动小车，用于放置和转移清洁后的晶片。
18.本发明的有益效果是：
19.(1)本发明中，通过隔板隔开清洁区和放置区，进行清洁时，可以通过转移件将晶片置于承载件上，此时承载件下沉至清洁水池内，进行预设时间的浸泡后，清除其表面的大部分残留物，再将承载件上升至清洁水池上方，位于冲洗件中间的位置，冲洗件开始工作，顶部冲洗杆和底部冲洗杆在机体内侧壁上同步滑移，分别对晶片的顶面和晶片的底面进行冲洗，冲洗完成后，再通过转移件将晶片转移至放置区内进行放置和晾干，最后将其转移至下一道工序；
20.(2)本发明中，承载板中空设置，通过承载架对晶片进行承载和放置，能够最大程度上减轻承载架在冲洗过程中对水流产生的阻隔和影响，而承载架由若干片承载片构成，能够在完成对晶片承载的同时透过水流，水流能够通过承载片之间的空隙对晶片进行冲刷，而承载板侧面的承载片之间形成的排水槽能够将冲洗后的水流快速排出，避免水中的残留物堆积和凝结在晶片上；
21.(3)本发明中，通过驱动电机带动驱动丝杠旋转，在螺纹作用下能够带动整个滑移块上下滑动，由于滑移块与活动块之间通过中间杆连接，滑移块活动即可联动中间杆滑移，
字形设置，其底部两端分别于滑移块26和活动块25固定，中间位置跨越隔板,承载板21相对于水平面向下倾斜设置。冲洗件3包括设于机体1两内侧面的滑移轨道31，滑移轨道31设有平行设置的两组，顶部冲洗杆33和底部冲洗杆32均滑移连接在滑移轨道31内，底部冲洗杆32上设有若干个平行设置的喷头34，喷头34朝向承载板21底面设置。
33.如图1-3所示，顶部冲洗杆33与底部冲洗杆32的结构相同，其上的喷头34朝向承载板21顶面设置，机体1上设有平行于水平面设置的活动电机35，活动电机35的输出轴上设有活动丝杠36，机体1上滑移连接有调节块37，调节块37两端分别于底部冲洗杆32和顶部冲洗杆33固定，活动丝杠36穿透调节块37并与之螺纹连接。
34.如图1-3所示，转移件4包括固定在机体1顶部的活动架41，活动架41上固定有十字滑台42，十字滑台42的滑块上固定有垂直水平面设置的调节气缸43，调节气缸43的输出轴上固定有转移板44，转移板44上设有若干个阵列设置的吸盘45，用于吸附并搬运晶片。
35.工作时，通过隔板隔开清洁区11和放置区12，进行清洁时，可以通过转移件4将晶片置于承载件2上，此时承载件2下沉至清洁水池111内，进行预设时间的浸泡后，清除其表面的大部分残留物，再将承载件2上升至清洁水池111上方，位于冲洗件3中间的位置，冲洗件3开始工作，顶部冲洗杆33和底部冲洗杆32在机体1内侧壁上同步滑移，分别对晶片的顶面和晶片的底面进行冲洗，冲洗完成后，再通过转移件4将晶片转移至放置区12内进行放置和晾干，最后将其转移至下一道工序。
36.本发明对晶片的清洗进行两道工序，第一是浸泡晶片，将晶片表面的大部分残留物浸泡清除，第二是冲洗晶片表面，能够对晶片表面进行更为完全的冲洗，将其表面和槽内的残留冲洗干净，达到更良好的清洁效果，另外还能够将晶片自动转移至另一侧的晶片槽内进行收集晾干，提升了机械化和自动化程度，提高了生产效率。
37.除上述实施例外，本发明还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案，均落在本发明要求的保护范围。