低欧姆接触氮化物发光二极管芯片及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，包括：s1：提供一衬底，在所述衬底上生长缓冲层；s2：在所述缓冲层上生长n型氮化物层；s3：在所述n型氮化物层上生长氮化物发光层；s4：在所述氮化物发光层上生长p型氮化物层；s5：在所述p型氮化物层上生长表面处理功能层，其中所述表面处理功能层包括第一接触功能层和第二接触功能层，所述第二接触功能层生长于所述第一接触功能层上，所述第一接触功能层生长于所述p型氮化物层上；s6:对s1～s5形成的外延结构进行退火和刻蚀，刻蚀掉所述第二接触功能层至n型氮化物层上表面之间的部分外延层形成mesa结构；s7：对s6形成的mesa结构进行刻蚀，刻蚀掉第二接触功能层的部分区域，暴露出第一接触功能层的部分区域；s8：在经过s7刻蚀处理后的未被刻蚀的第二接触功能层及暴露出的第一接触功能层上设置透明导电层；s9：分别在透明导电层和n型氮化物层上设置p型电极和n型电极。2.如权利要求1所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：s1-s5采用mocvd外延工艺生长形成外延结构。3.如权利要求1所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述第一接触功能层为金属氧化物层，其中所述金属氧化物层所选金属为储氢单质和/或储氢合金。4.如权利要求3所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述金属氧化物层的金属为mg、ni、v、cr、mn、fe、co、al、ga、la、ce、sm、cu、in、sn、b、pt、pd、cr、ag、ir、ti、zr、ta中的一种或两种以上的组合。5.如权利要求1所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述第二接触功能层采用绝缘材料交替生长。6.如权利要求1或5所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述第二接触功能层为sio2、tio2、al2o3、mgo、ta2o5、fe3o4、nb2o5、hfo2、zro2中的两种或两种以上的组合。7.如权利要求6所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述第二接触功能层为sio2、tio2、al2o3中的两种或两种以上的组合。8.如权利要求1或2所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，其特征在于：所述第一接触功能层的厚度为5～15nm，所述第二接触功能层的厚度为50～100nm。9.一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片，其特征在于，其是通过如权利要求1-8任一项所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法制得，其包括：衬底；缓冲层，其形成于所述衬底上；n型氮化物层，其形成于所述缓冲层上，所述n型氮化物层上设置有n型电极；氮化物发光层，其形成于所述n型氮化物层上；p型氮化物层，其形成于所述氮化物发光层上；
表面处理功能层，其包括第一接触功能层和第二接触功能层，所述第二接触功能层形成于所述第一接触功能层上，所述第一接触功能层形成于所述p型氮化物层上；透明导电层，其形成于所述第二接触功能层上，所述透明导电层上设置有p型电极。10.如权利要求9所述的低欧姆接触氮化物发光二极管芯片，其特征在于：所述第一接触功能层为金属氧化物层，其中所述金属氧化物层所选金属为储氢单质和/或储氢合金；所述第二接触功能层为采用绝缘材料交替生长形成的结构。

技术总结
本发明公开了一种低欧姆接触氮化物发光二极管芯片的制备方法，包括在衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长n型氮化物层；在n型氮化物层上生长氮化物发光层；在氮化物发光层上生长p型氮化物层；在p型氮化物层上生长第一接触功能层，在第一接触功能层上生长第二接触功能层；刻蚀掉第二接触功能层至n型氮化物层上表面之间的部分外延层；刻蚀掉第二接触功能层的部分区域，暴露出第一接触功能层的部分区域；在未被刻蚀的第二接触功能层及暴露出的第一接触功能层上设置透明导电层；分别在透明导电层和n型氮化物层上设置p型电极和n型电极。本发明能够克服现有p型GaN基半导体材料欧姆接触实现困难的问题，提高氮化物发光二极管芯片光电性能。光电性能。光电性能。


技术研发人员：闫其昂 王国斌
受保护的技术使用者：江苏第三代半导体研究院有限公司
技术研发日：2022.03.15
技术公布日：2022/6/21