用于高效的高次谐波产生的方法和设备与流程

技术特征：
1.一种高次谐波辐射源，包括气体介质并且被配置成：通过利用辐射的预脉冲照射所述气体介质来调节所述气体介质，由此产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体；利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射，其中所述调节步骤使得包括预脉冲等离子体分布的所述等离子体用于配置所述主脉冲的波前以改善以下各项中的一种或两者：高次谐波产生过程的效率，和所述高次谐波辐射的束品质。2.根据权利要求1所述的高次谐波辐射源，其中，所述高次谐波辐射源还包括束整形装置，所述束整形装置被配置成在所述调节之前对所述预脉冲进行整形，使得所述预脉冲包括辐射的定制化预脉冲。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述束整形装置包括相位调制装置和/或强度调制装置。4.根据权利要求2或3所述的设备，其中，所述束整形装置包括相位板、空间光调制器或孔中的一种或任何组合。5.根据权利要求2、3或4中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形，使得所述定制化预脉冲产生所述预脉冲等离子体分布，所述预脉冲等离子体分布补偿随后由所述主脉冲所产生的主脉冲等离子体分布使得所述主脉冲在由所述预脉冲和主脉冲的组合所产生的后主脉冲等离子体中经历更均匀的等离子体分布。6.根据权利要求2至5中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形以具有离轴空间强度分布，所述离轴空间强度分布被配置成产生离轴预脉冲等离子体分布。7.根据权利要求2至6中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，以下各项中的至少一项成立：所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形，使得所述预脉冲等离子体分布在轴向区中具有与所述轴向区外的区处的等离子体密度相比更低的等离子体密度；所述定制化预脉冲被配置成对所述定制化预脉冲进行整形以包括大致环形的空间分布，并且因此产生具有大致环形的空间分布的所述预脉冲等离子体分布；和所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形以最小化源自所述主脉冲等离子体分布的等离子体散焦效应。8.根据权利要求2至7中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，所述束整形装置能够操作以对所述定制化预脉冲进行整形以最大化相位匹配距离，在所述相位匹配距离内所述主脉冲和高次谐波辐射的相位是大致相位匹配的；并且其中，可选地，所述高次谐波辐射源被配置成使得所述主脉冲和所述定制化预脉冲中的每个被聚焦在各自相应的不同焦平面处。9.根据权利要求8所述的高次谐波辐射源，其中，所述预脉冲等离子体分布被配置成校正所述主脉冲的所述波前，使得所述高次谐波辐射的束品质被改善。10.根据权利要求2至9中任一项所述的高次谐波辐射源，所述高次谐波辐射源被配置
成使得所述主脉冲和所述预脉冲中的每个被聚焦在共同的焦平面处。11.根据任一前述权利要求所述的高次谐波辐射源，其中，所述主脉冲被配置成在时间上相对于所述预脉冲延迟一延迟时间；并且其中，可选地，所述延迟时间在1fs与1ps的范围内，并且所述主脉冲和所述预脉冲两者被配置成包括在1fs与1ps的范围内的脉冲持续时间。12.根据任一前述权利要求所述的高次谐波辐射源，所述高次谐波辐射源能够操作以将所述预脉冲产生为圆偏振预脉冲。13.根据权利要求1至12中任一项所述的高次谐波辐射源，其中，所述高次谐波辐射源包括用于产生所述主脉冲的主脉冲激光器和用于产生所述预脉冲的预脉冲激光器；并且其中，可选地，所述预脉冲激光器包括被动锁模固态激光器。14.一种量测装置，包括根据任一前述权利要求所述的高次谐波辐射源。15.一种在高次谐波产生过程中产生高次谐波辐射的方法，包括：产生辐射的预脉冲；利用所述预脉冲调节气体介质以产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体；利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射，其中，所述预脉冲等离子体分布被配置成对所述主脉冲的波前进行配置，以便改善所述高次谐波产生过程的效率和所述高次谐波辐射的束品质中的一种或两者。

技术总结
披露了一种产生高次谐波辐射的高次谐波辐射源和相关联的方法。所述高次谐波辐射源被配置成通过利用辐射的预脉冲照射所述气体介质来调节所述气体介质，由此产生包括预脉冲等离子体分布的等离子体；以及利用辐射的主脉冲来照射所述气体介质以产生所述高次谐波辐射。所述调节步骤使得包括预脉冲等离子体分布的所述等离子体用于配置所述主脉冲的波前以改善以下各项中的一种或两者：所述高次谐波产生过程的效率，和所述高次谐波辐射的束品质。所述高次谐波辐射源还可以包括束整形装置，所述束整形装置被配置成在所述调节之前对所述定制化预脉冲进行整形。制化预脉冲进行整形。制化预脉冲进行整形。


技术研发人员：P
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2020.10.15
技术公布日：2022/6/15