半导体基板的制造方法及半导体基板与流程

技术特征：
1.一种半导体基板的制造方法，通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层，而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板，其特征在于，至少包含以下工序：在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理，在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜作为绝缘膜；以及在所述氮化硅膜上外延生长所述半导体单晶层。2.根据权利要求1所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，将在所述含氮气气氛下进行热处理的温度设置为800℃以上。3.根据权利要求1或2所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，使用外延生长装置作为所述热处理装置，在形成所述氮化硅膜之后，将所述外延生长装置内的气氛气体转换为半导体单晶层生长用气体，并进行所述外延生长。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，将所述半导体单晶层设置为si层、sige层、ge层、化合物半导体层中的任一个。5.根据权利要求4所述的半导体基板的制造方法，其特征在于，将所述半导体单晶层设置为si层，将该si层的外延生长用气体设置为三氯硅烷。6.根据权利要求1至5中任一项所述的导体基板的制造方法，其特征在于，将所述氮化硅膜的膜厚设置为2nm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的导体基板的制造方法，其特征在于，交替地形成多层所述氮化硅膜和所述半导体单晶层。8.根据权利要求1至7中任一项所述的导体基板的制造方法，其特征在于，使用预先掺杂有氮或氧的单晶硅基板作为所述单晶硅基板。9.根据权利要求1至8中任一项所述的导体基板的制造方法，其特征在于，使用晶面方向为(111)的单晶硅基板作为所述单晶硅基板。10.一种半导体基板，其在单晶硅基板的表面具有绝缘膜、及该绝缘膜上的半导体单晶层，其特征在于，所述绝缘膜是与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜，所述半导体单晶层是外延生长层。11.根据权利要求10所述的半导体基板，其特征在于，所述半导体单晶层是si层、sige层、ge层、化合物半导体层中的任一个。12.根据权利要求10或11所述的半导体基板，其特征在于，所述氮化硅膜的膜厚为2nm以下。13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体基板，其特征在于，交替地具有多层所述氮化硅膜和所述半导体单晶层。14.根据权利要求10至13中任一项所述的半导体基板，其特征在于，所述单晶硅基板的晶面方向为(111)。

技术总结
本发明涉及一种半导体基板的制造方法，通过在单晶硅基板的表面依次形成绝缘膜及半导体单晶层，而制造在所述绝缘膜上具有所述半导体单晶层的半导体基板，至少包含以下工序：在含氮气气氛下对单晶硅基板进行热处理，在所述单晶硅基板的表面形成与所述单晶硅基板保持外延关系的氮化硅膜作为绝缘膜；以及在所述氮化硅膜上外延生长所述半导体单晶层。由此，提供一种半导体基板的制造方法及半导体基板，即使在将设置于单晶硅基板与半导体单晶层之间的绝缘膜设置为氮化硅膜的情况下，也能够以简便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。便的方法高生产率且低成本地获得半导体基板。


技术研发人员：二井谷美保 若林大士 山田健人 吉田和彦
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
技术研发日：2020.10.08
技术公布日：2022/6/5