气相成长装置及气相成长方法与流程

1.本发明涉及用于外延晶圆的制造等的气相成长装置及气相成长方法。


背景技术：

2.已知用于在硅晶圆处使硅外延层气相成长的气相成长装置中，在加热被在反应容器内的基座上载置的硅晶圆时，通过调整在基座的上侧和下侧设置的加热装置的加热比率，控制在硅晶圆的升降销附近形成的硅外延层的表面形状，使硅外延层平坦化(专利文献1)。
3.专利文献1 : 国际公开第2005/034219号。
4.上述现有技术在加热时经由升降销向基座的下方放热，所以根据升降销的位置对硅外延层的表面形状造成不良影响。因此，通过加热装置的调整来减少该不良影响。然而，即使调整晶圆的加热装置的加热比率，升降销的位置对硅外延层的表面形状造成的影响也较多地存在。


技术实现要素：

5.本发明所要解决的技术问题在于提供一种气相成长装置及气相成长方法，其即使不调整晶圆的加热也能够抑制载具升降销的位置对外延层造成的影响。
6.本发明是一种气相成长装置，前述气相成长装置利用支承晶圆的外周部的环状的载具，具备用于在前述晶圆处形成cvd膜的反应室，其特征在于，在前述反应室，设置有基座和载具升降销，前述基座搭载支承有前述晶圆的载具，前述载具升降销使支承有前述晶圆的载具相对于前述基座相对地上下移动，前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，被比前述晶圆的外缘靠外侧地设置。
7.在本发明中，更优选为，前述载具升降销在俯视观察支承着搭载有晶圆的载具的基座的情况下，设置成前述载具升降销的中心存在于比前述晶圆的外缘靠外侧7mm以上位置。
8.在本发明中，更优选为，前述cvd膜是硅外延膜。
9.在本发明中，更优选为，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成前述cvd膜的反应室顺次搬运，并且将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运，前述装载锁定室经由第1门与前述工厂接口连通，并且经由第2门与前述晶圆移载室连通，前述晶圆移载室经由闸门阀与前述反应室连通，在前述晶圆移载室处设置有第1机器人，前述第1机器人将被搬运至前述装载锁定室的处理前的前述晶圆以支承于载具的状态投入前述反应室，并且，将在前述反应室处结束处理的处理后的晶圆以支承于载具的状态从前述反应室取出来搬运至前述装载锁定室，在前述工厂接口处设置有第2机器人，前述第2机器人将处理前的晶圆从晶圆收纳容器取出，借助在前述装载锁定室待机的载具支承，并且将被搬运至前述装载锁定室的支承于载具的处理后的晶圆收纳至晶圆收
纳容器，在前述装载锁定室处设置有支承载具的架。
10.此外，本发明是一种气相成长方法，前述气相成长方法使用支承晶圆的外周部的环状的载具，在反应室在前述晶圆处形成cvd膜，其特征在于，在前述反应室，设置有基座和载具升降销，前述基座搭载支承有前述晶圆的载具，前述载具升降销使支承有前述晶圆的载具相对于前述基座相对地上下移动，前述载具升降销在俯视观察将支承有前述晶圆的载具搭载于前述基座的状态的情况下，被比前述晶圆的外缘靠外侧地设置。
11.在本发明中，更优选为，前述cvd膜是硅外延膜。
12.在本发明中，更优选为，将多个处理前的晶圆从晶圆收纳容器经由工厂接口、装载锁定室及晶圆移载室向在前述晶圆处形成cvd膜的反应室顺次搬运，并且，将多个处理后的晶圆从前述反应室经由前述晶圆移载室、前述装载锁定室及前述工厂接口向前述晶圆收纳容器顺次搬运。
13.发明效果根据本发明，即使不调整晶圆的加热，也能够抑制载具升降销的位置对外延层造成的影响。
附图说明
14.图1是表示本发明的实施方式的气相成长装置的框图。
15.图2a是表示本发明的实施方式的载具的俯视图。
16.图2b是图1的气相成长装置的包括晶圆及反应炉的基座的载具的剖视图。
17.图3a是表示图1的气相成长装置的设置于装载锁定室的架的俯视图。
18.图3b是包括图1的气相成长装置的晶圆及载具的架的剖视图。
19.图4是表示图1的气相成长装置的装载锁定室的晶圆及载具的移载流程的俯视图及剖视图。
20.图5是表示图1的气相成长装置的反应室内的晶圆及载具的移载流程的俯视图及剖视图。
21.图6的(a)是表示在图1的气相成长装置的第1机器人的手的末端装配的第1叶片的一例的俯视图，图6的(b)是包括图1的气相成长装置的载具及晶圆的第1叶片的剖视图。
22.图7是表示图1的气相成长装置的反应室内的晶圆、载具、基座及载具升降销的位置关系的一例的剖视图。
23.图8是将图7的右侧部分放大来表示的剖视图。
24.图9是表示利用图1的气相成长装置形成的硅外延膜的外周部的厚度的轮廓(实施例和比较例)。
25.图10a是表示图1的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其1)。
26.图10b是表示图1的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其2)。
27.图10c是表示图1的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其3)。
28.图10d是表示图1的气相成长装置的晶圆及载具的处置流程的图(其4)。
具体实施方式
29.以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。
30.图1是表示本发明的实施方式的气相成长装置1的框图。图1的中央所示的气相成长装置1的主体由俯视图表示。本实施方式的气相成长装置1是所谓的cvd装置。本实施方式的气相成长装置1具备一对反应炉11、11、设置有应对单晶硅晶圆等的晶圆wf的第1机器人121的晶圆移载室12、一对装载锁定室13、设置有应对晶圆wf的第2机器人141的工厂接口14、设置收纳着多张晶圆wf的晶圆收纳容器15(卡式盒)的装载端口。
31.工厂接口14是与载置晶圆收纳容器15的清洁室大气氛围相同的区域。在该工厂接口14设置有第2机器人141，前述第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的处理前的晶圆wf取出来向装载锁定室13投入，另一方面，将向装载锁定室13搬运来的处理后的晶圆wf向晶圆收纳容器15收纳。第2机器人141被第2机器人控制器142控制，装配于机器人手的末端的第2叶片143沿预先学习的既定的轨迹移动。
32.装载锁定室13在为非活性气体氛围的晶圆移载室12和为大气氛围的工厂接口14之间，为置换氛围气体的空间。在装载锁定室13和工厂接口14之间，设置有具有气密性的能够开闭的第1门131，在装载锁定室13和晶圆移载室12之间，设置有同样具有气密性的能够开闭的第2门132。为了将大气氛围用非活性气体置换，在装载锁定室13处，设置有将装载锁定室13的内部真空排气的排气装置、向装载锁定室13供给非活性气体的供给装置。
33.例如，从晶圆收纳容器15将处理前的晶圆wf向晶圆移载室12搬运的情况下，关闭工厂接口14侧的第1门131，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，在使装载锁定室13为非活性气体氛围的状态下，用第2机器人141取出晶圆收纳容器15的晶圆wf，打开工厂接口14侧的第1门131，将晶圆wf向装载锁定室13搬运。接着，关闭工厂接口14侧的第1门131，使该装载锁定室13再次为非活性气体氛围后，打开晶圆移载室12侧的第2门132，用第1机器人121将该晶圆wf向晶圆移载室12搬运。
34.反之，将处理后的晶圆wf从晶圆移载室12向晶圆收纳容器15搬运的情况下，关闭工厂接口14侧的第1门131，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，在使装载锁定室13为非活性气体氛围的状态下，打开晶圆移载室12侧的第2门132，用第1机器人121将晶圆移载室12的晶圆wf向装载锁定室13搬运。接着，关闭晶圆移载室12侧的第2门132，再次使该装载锁定室13为非活性气体氛围后，打开工厂接口14侧的第1门131，用第2机器人141将该晶圆wf向晶圆收纳容器15搬运。
35.晶圆移载室12由密闭的腔构成。晶圆移载室12的一方与装载锁定室13经由能够开闭的具有气密性的第2门132连接，另一方经由具有气密性的能够开闭的闸门阀114连接。在晶圆移载室12设置有第1机器人121，前述第1机器人121将处理前的晶圆wf从装载锁定室13向反应室111搬运，并且将处理后的晶圆wf从反应室111向装载锁定室13搬运。第1机器人121被第1机器人控制器122控制，装配于机器人手的末端的第1叶片123沿预先学习的动作轨迹移动。
36.总管气相成长装置1的整体的控制的总管控制器16、第1机器人控制器122、第2机器人控制器142相互接受发送控制信号。并且，来自总管控制器16的动作指令信号被向第1机器人控制器122传送时，第1机器人控制器122控制第1机器人121的动作，该第1机器人121的动作结果被从第1机器人控制器122向总管控制器16传送。由此，总管控制器16识别第1机器人121的动作状态。同样地，来自总管控制器16的动作指令信号被向第2机器人控制器142传送时，第2机器人控制器142控制第2机器人141的动作，该第2机器人141的动作结果被从
第2机器人控制器142向总管控制器16传送。由此，总管控制器16识别第2机器人141的动作状态。
37.非活性气体从未图示的非活性气体供给装置向晶圆移载室12供给，晶圆移载室12的气体被与排气口连接的洗涤器(洗涤集尘装置)净化后向系统外放出。这种洗涤器虽然省略详细的图示，但例如能够用以往公知的加压水式洗涤器。
38.反应炉11是用于通过cvd法在晶圆wf的表面生成外延膜的装置。反应炉11具备反应室111，在该反应室111内设置有载置晶圆wf而旋转的基座112，此外在反应室111设置有供给氢气及用于生成cvd膜的原料气体(cvd膜为硅外延膜的情况下例如是二氯硅烷sih2cl2、三氯硅烷sihcl 3
等)的气体供给装置113。此外，在反应室111的周围设置有用于将晶圆wf升温至既定温度的加热灯(省略图示)。进而，在反应室111和晶圆移载室12之间设置有闸门阀114，通过关闭闸门阀114，确保反应室111和晶圆移载室12的气密性。这些反应炉11的基座112的驱动、气体供给装置113进行的气体的供给
・
停止、加热灯的开启/关闭、闸门阀114的开闭动作的各控制被来自总管控制器16的指令信号控制。另外，图1所示的气相成长装置1表示设置有一对反应炉11、11的例子，但也可以设置一个反应炉11，也可以设置三个以上的反应炉。
39.在反应炉11也设置有具有与晶圆移载室12相同的结构的洗涤器(洗涤集尘装置)。即，从气体供给装置113供给的氢气或原料气体被与设置于反应室111的排气口连接的洗涤器净化后，被向系统外放出。关于该洗涤器，例如也能够使用以往公知的加压水式洗涤器。
40.本实施方式的气相成长装置1中，将晶圆wf用支承该晶圆wf的外周部的环状的载具c在装载锁定室13和反应室111之间搬运。图2a是表示载具c的俯视图，图2b是包括晶圆wf及反应炉11的基座112的载具c的剖视图，图5是表示反应室111内的晶圆wf及载具c的移载流程的俯视图及剖视图。
41.本实施方式的载具c例如由sic、sio2那样的陶瓷、玻璃状碳等的材料构成，形成为无端的环状，具有载置于图2b所示的基座112的上表面的底面c11、接触晶圆wf的背面的外周部整周来支承的上表面c12、外周侧壁面c13、内周侧壁面c14。并且，支承于载具c的晶圆wf被搬入反应室111内的情况下，如图5的(a)的俯视图所示，在第1机器人121的第1叶片123载置有载具c的状态下，如同图的(b)所示地搬运至基座112的上部，如同图的(c)所示地借助相对于基座112能够相对地上下移动地设置的三个以上的载具升降销115暂时抬起载具c，如同图的(d)所示地使第1叶片123后退后，如同图的(e)所示地使基座112上升，由此将载具c载置于基座112的上表面。
42.反之，将在反应室111结束处理的晶圆wf以搭载于载具c的状态取出的情况下，从如图5的(e)所示的状态，如同图的(d)所示地使基座112下降，仅借助载具升降销115支承载具c，如同图的(c)所示，使第1叶片123向载具c和基座112之间前进，之后如同图的(b)所示地使三个载具升降销115下降，将第1叶片123载置于载具c，使第1机器人121的手动作。由此，能够将结束处理后的晶圆wf以搭载于载具c的状态取出。
43.特别地，在本实施方式的气相成长装置1的反应炉11中，俯视观察搭载有晶圆wf的载具c被载置于基座112的状态时，设置成载具升降销115位于比晶圆wf的外缘靠外侧的位置。通过将载具升降销115比晶圆wf的外缘靠外侧地设置，已加热晶圆wf的情况下，来自载具升降销115的放热对晶圆wf施加的影响变小，由此，能够抑制由于载具升降销引起的对
cvd膜的表面形状造成的影响。
44.本实施方式的气相成长装置1的反应炉11中，载具升降销115例如以图7所示的位置关系设置。图7为，表示在本实施方式的气相成长装置1的反应炉11处将搭载有晶圆wf的载具c载置于基座112时将气相成长装置1沿铅垂方向剖切的情况的晶圆wf、载具c、基座112及载具升降销115的剖视图。此外，图8是仅将图7的剖视图的右侧部分放大的图，为使说明容易理解而省略基座112的图示。图8的直线aa与俯视观察本实施方式的气相成长装置1的反应炉11的情况的晶圆wf的外缘对应。如图7及图8所示，本实施方式的载具升降销115被设置成位于比晶圆wf的外缘靠外侧的位置。
45.本实施方式的气相成长装置1的反应炉11处，载具升降销115例如由sic、sio2这样的陶瓷、玻璃状碳等的材料构成。此外，本实施方式的气相成长装置1的反应炉11处，载具升降销115的形状没有特别限定，但也可以是图7及图8所示那样的圆头销。并且，圆头销的轴的直径x例如是3.8mm，销的圆头的最粗的部分的直径y例是如5.6mm。对于本实施方式的气相成长装置1的反应炉11使用该载具升降销115的情况下，以晶圆wf的外缘和载具升降销115的中心的距离z比2.8mm大的方式配置载具升降销115。
46.本实施方式的气相成长装置1的反应炉11处，关于使载具升降销115和晶圆wf的外缘的距离至少离开多少才可以的下限值没有特别限定，被根据载具升降销115的形状等规定。但是，为了更加抑制对载具升降销115的cvd膜造成的影响，优选地，以晶圆wf的外缘和载具升降销115的中心的距离z为7mm以上的方式配置载具升降销115。这是因为，俯视观察气相成长装置1的反应炉11时，载具升降销115的中心位于晶圆wf的外缘的情况下，在从载具升降销115的中心位置至距晶圆wf的外缘7mm的范围，载具升降销115对在晶圆wf处形成的cvd膜的表面形状造成影响。该载具升降销115对cvd膜造成影响的范围基于以下说明的图9所示的硅外延膜的外周部的厚度轮廓。
47.图9表示用气相成长装置1的反应炉11处理12英寸的晶圆wf时形成的硅外延膜的外周部的厚度轮廓。纵轴表示外延层的厚度(将目标膜厚设为标准化成1的值)，横轴表示距晶圆中心的距离(单位为mm)。使载具升降销115的设置位置比晶圆的外缘靠外侧的实施例(图9中由〇记号表示)为图9中虚线所示那样的硅外延膜的外周部的厚度轮廓。与此相对，不使载具升降销115的设置位置比晶圆的外缘靠外侧的比较例(图9中由
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记号表示)为图9中实线所示那样的硅外延膜的外周部的厚度轮廓。即，图9中
●
记号和实线所示的比较例的硅外延膜的外周部的厚度轮廓为，在俯视观察气相成长装置1的反应炉11时，以载具升降销115的中心位于晶圆wf的外缘的方式，即，将载具升降销115的中心配置于图9的横轴的150mm的位置时所得到的轮廓的一例。如图9的
●
记号和实线的轮廓所示，载具升降销115对硅外延膜的厚度造成影响的是，比距晶圆wf的中心143mm附近靠外侧、即从晶圆wf的外缘向内侧至7mm的范围。并且，已由本发明人们确认，从该晶圆wf的外缘至7mm的范围并不取决于晶圆wf的直径的大小。
48.另一方面，在本实施方式的气相成长装置1的反应炉11处，载具升降销115和晶圆wf的外缘的距离的上限没有特别限定，根据载具c的直径、基座112的直径及气相成长装置1的晶圆wf的搬运路径的大小等设定成适当的值。
49.此外，在本实施方式的气相成长装置1，为了将载具c在从装载锁定室13至反应室111的工序间搬运，在装载锁定室13，将处理前的晶圆wf载置于载具c，将处理后的晶圆wf从
载具c取出。因此，在装载锁定室13，设置有将载具c上下2层地支承的架17。图3a是表示在装载锁定室13设置的架17的俯视图，图3b是包括晶圆wf的架17的剖视图。本实施方式的架17设置有被固定的架基部171、能够相对于该架基部171上下升降地设置的将两个载具c上下两层支承的第1架172及第2架173、能够相对于架基部171上下升降地设置的三个晶圆升降销174。
50.第1架172及第2架173(图3a的俯视图中，第2架173由于第1架172而隐藏，所以仅图示第1架172。)具有用于将载具c在4点支承的突起，在第1架172载置一个载具c，在第2架173也载置一个载具c。另外，在第2架173载置的载具c被插入第1架172和第2架173之的间的间隙。
51.图4是表示装载锁定室13的晶圆wf及载具c的移载流程的俯视图及剖视图，表示如同图的(b)所示地在第1架172支承有载具c的状态下在该载具c搭载处理前的晶圆wf的流程。即，设置于工厂接口14的第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的一张晶圆wf载置于第2叶片143，经由装载锁定室13的第1门131，如同图的(b)所示地搬运至架17的上部。接着，如同图的(c)所示，相对于架基部171使三个晶圆升降销174上升，暂时抬起晶圆wf，如同图的(d)所示地使第2叶片143后退。另外，三个晶圆升降销174如同图的(a)的俯视图所示，设置于不与第2叶片143干涉的位置。接着，如同图的(d)及(e)所示，使三个晶圆升降销174下降且使第1架172及第2架173上升，由此在载具c搭载晶圆wf。
52.反之，将载置于载具c的状态下向装载锁定室13搬运来的处理后的晶圆wf向晶圆收纳容器15搬运的情况下，从图4的(e)所示的状态，如同图的(d)所示地使三个晶圆升降销174上升且使第1架172及第2架173下降，仅借助晶圆升降销174支承晶圆wf，如同图的(c)所示地使第2叶片143向载具c和晶圆wf之间前进后，如同图的(b)所示地使三个晶圆升降销174下降，将晶圆wf载置于第2叶片143，使第2机器人141的手动作。由此，能够将结束处理的晶圆wf从载具c向晶圆收纳容器15取出。另外，图4的(e)所示的状态下结束处理的晶圆wf在搭载于载具c的搭载的状态下被向第1架172搬运，但被向第2架173搬运的情况也能够以同样的流程，将晶圆wf从载具c向晶圆收纳容器15取出。
53.图6的(a)是表示在第1机器人121的手的末端装配的第1叶片123的一例的俯视图，图6的(b)是包括载具c及晶圆wf的第1叶片123的剖视图。本实施方式的第1叶片123在短边板状的主体的一面形成有与载具c的外周侧壁面c13对应的直径的第1凹部124。第1凹部124的直径形成为比载具c的外周侧壁面c13的直径稍大。并且，第1机器人121在搬运载有晶圆wf的或空的载具c的情况下，将载具c载置于第1凹部124。
54.接着，说明将本实施方式的气相成长装置1的、将外延膜的生成前(以下也仅称作处理前)及外延膜的生成后(以下也仅称作处理后)的晶圆wf、载具c处置的流程。图10a~图10d是表示本实施方式的气相成长装置的晶圆及载具c的处置流程的示意图，与图1的一侧的晶圆收纳容器15、装载锁定室13及反应炉11对应，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆w1，w2，w3
…
(例如合计25张)，以该顺序开始处理。
55.图10a的工序s0表示从此用气相成长装置1开始处理的等待状态，在晶圆收纳容器15收纳多张晶圆w1，w2，w3
…
(例如合计25张)，在装载锁定室13的第1架172支承空的载具c1，在第2架173支承空的载具c2，装载锁定室13呈非活性气体氛围。
56.下一工序s1中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆w1载置于第2叶片
143，打开装载锁定室13的第1门131向支承于第1架172的载具c1移载。该移载的流程如参照图4所作说明。
57.下一工序s2中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部再次置换成非活性气体氛围。然后，打开第2门132，在第1机器人121的第1叶片123载置载具c1，打开反应炉11的闸门阀114，经由该闸门阀114将搭载有晶圆w1的载具c1向基座112移载。该移载的流程如参照图4所作说明。工序s2~s4中，反应炉11中进行相对于晶圆w1的cvd膜的生成处理。
58.即，将搭载着处理前的晶圆w1的载具c1向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆w1升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体在控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆w1的表面生成cvd膜。形成cvd膜后，借助气体供给装置113向反应室111再次供给氢气来将反应室111置换成氢气氛围后，待机既定时间。
59.这样在工序s2~s4中，借助反应炉11对晶圆w1进行处理的期间，第2机器人141从晶圆收纳容器15取出下一晶圆w2，准备下一处理。在此之前，在本实施方式中，工序s3中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开第2门132，借助第1机器人121，将支承于第2架173的载具c2移载至第1架172，关闭第2门132。接着，在工序s4中，第2机器人141将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆w2载置于第2叶片143，打开第1门131，向支承于装载锁定室13的第1架172的载具c2移载。
60.这样在本实施方式中，追加工序s3，收纳于晶圆收纳容器15的处理前的晶圆wf搭载于作为装载锁定室13的架17的最上层的架的第1架172。这是由于以下的理由。即，如工序s2所示，搭载下一晶圆w2的空的载具c2支承于第2架173的情况下，在其上搭载晶圆w2时，有搭载有处理后的晶圆w1的载具c1被向第1架172移载的可能性。本实施方式的气相成长装置1的载具c被搬运至反应室111，所以载具c成为颗粒的发生要因，在处理前的晶圆w2的上部支承载具c1时，有尘埃落下至处理前的晶圆w2的可能。因此，追加工序s3，将空的载具c2向第1架172移载，使得处理前的晶圆wf搭载于装载锁定室13的架17的最上层的架(第1架172)。
61.工序s5中，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，移载搭载有处理后的晶圆w1的载具c1，从反应室111取出，关闭闸门阀114后，打开第2门132，向装载锁定室13的第2架173移载。接着，向第1机器人121的第1叶片123载置支承于第1架172的载具c2，将搭载有该处理前的晶圆w2的载具c2如工序s6所示，经由晶圆移载室12，打开闸门阀114来向反应炉11的基座112移载。
62.工序s6~s9中，在反应炉11，进行相对于晶圆w2的cvd膜的生成处理。即，将搭载有处理前的晶圆w2的载具c2向反应室111的基座112移载，关闭闸门阀114，待机既定时间后，借助气体供给装置113向反应室111供给氢气，使反应室111为氢气氛围。接着，借助加热灯使反应室111的晶圆w2升温至既定温度，根据需要实施蚀刻、热处理等的前处理后，借助气体供给装置113将原料气体在控制流量及/或供给时间的同时供给。由此，在晶圆w2的表面生成cvd膜。形成cvd膜后，借助气体供给装置113再次向反应室111供给氢气，将反应室111
置换成氢气氛围后，待机既定时间。
63.这样工序s6~s9中，借助反应炉11对晶圆w2进行处理的期间，第2机器人141将处理后的晶圆w1收纳于晶圆收纳容器15，并且从晶圆收纳容器15取出下一晶圆w3，准备下一处理。即，工序s7中，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第1门131，借助第2机器人141，将处理后的晶圆w1从支承于第2架173的载具c1载置于第2叶片143，如工序s8所示地将该处理后的晶圆w1收纳于晶圆收纳容器15。接着，与上述的工序s3同样地，在工序s8中，在关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，打开第2门132，借助第1机器人121，将支承于第2架173的载具c1向第1架172移载。
64.接着，在工序s9中，在关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。然后，借助第2机器人141，将收纳于晶圆收纳容器15的晶圆w3载置于第2叶片143，如工序s9所示，打开第1门131，向在装载锁定室13的第1架172支承的载具c1移载。
65.工序s10中，与上述的工序s5同样地，关闭装载锁定室13的第1门131也关闭第2门132的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开反应炉11的闸门阀114，将第1机器人121的第1叶片123插入反应室111，载置搭载有处理后的晶圆w2的载具c2，关闭闸门阀114后，打开第2门132，从反应室111向装载锁定室13的第2架173移载。接着，在第1机器人121的第1叶片123载置支承于第1架172的载具c1，将搭载有该处理前的晶圆w3的载具c1如工序s11所示，经由晶圆移载室12向反应炉11的基座112移载。
66.工序s10中，与上述的工序s7同样地，关闭装载锁定室13的第2门132也关闭第1门131的状态下，将装载锁定室13的内部置换成非活性气体氛围。并且，打开第1门131，借助第2机器人141，将处理后的晶圆w2从支承于第2架173的载具c2向第2叶片143移载，如工序s11所示地将该处理后的晶圆w2收纳于晶圆收纳容器15。以下，重复以上的工序，直至收纳于晶圆收纳容器15的所有处理前的晶圆wf的处理结束。
67.如上所述，本实施方式的气相成长装置1中，俯视观察支承着搭载有晶圆wf的载具c的基座112的情况下，将载具升降销115比晶圆wf的外缘靠外侧地设置，由此，即使不调整晶圆wf的加热，也能够抑制载具升降销115的位置对cvd膜造成的影响。该情况下，若载具升降销115的中心位于比晶圆wf的外缘远7mm以上外侧位置，则能够进一步抑制载具升降销115的位置对cvd膜造成的影响。
68.此外，俯视观察搭载着支承有晶圆wf的载具c的基座112的情况下，利用将载具升降销115比晶圆wf的外缘靠外侧地设置的本实施方式的气相成长装置1处理晶圆wf，由此，即使不调整晶圆wf的加热，也能够得到形成有抑制载具升降销115的影响的cvd膜的晶圆wf。
69.附图标记说明1
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气相成长装置11
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反应炉111
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反应室112
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基座113
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气体供给装置
114
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闸门阀115
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载具升降销12
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晶圆移载室121
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第1机器人122
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第1机器人控制器123
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第1叶片124
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第1凹部13
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装载锁定室131
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第1门132
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第2门14
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工厂接口141
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第2机器人142
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第2机器人控制器143
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第2叶片15
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晶圆收纳容器16
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总管控制器17
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架171
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架基座172
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第1架173
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第2架174
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晶圆升降销c
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载具c11
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底面c12
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上表面c13
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外周侧壁面c14
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内周侧壁面wf
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晶圆。