电致发光显示装置的制作方法

电致发光显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月30日提交的韩国专利申请第10-2020-0164874号和于2021年9月29日提交的韩国专利申请第10-2021-0128816号的权益和优先权，每个申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
3.本公开内容涉及电致发光显示装置，并且更具体地，涉及具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置。


背景技术：

4.作为平板显示装置之一，电致发光显示装置与液晶显示装置相比由于其自发光而具有宽视角。由于不需要背光单元，因此电致发光显示装置还具有薄、重量轻和低功耗的优点。
5.此外，电致发光显示装置由直流(dc)低电压驱动并且具有快速响应时间。此外，电致发光显示装置由于其部件为固态而有力地抵御外界冲击，并且被用在宽的温度范围内。而且，可以以低成本制造电致发光显示装置。
6.电致发光显示装置包括多个像素，每个像素具有红色、绿色和蓝色子像素，并且电致发光显示装置通过使红色、绿色和蓝色子像素选择性地发光来显示各种颜色图像。红色、绿色和蓝色子像素分别具有红色、绿色和蓝色发光层。每个发光层通过真空热蒸发工艺形成，在真空热蒸发工艺中使用精细金属掩模(fmm)选择性地沉积发光材料。然而，蒸发工艺由于掩模的制备而增加了制造成本，并且由于掩模的制造变化、下垂、阴影效应等而在应用于大尺寸高清晰度显示装置时存在问题。


技术实现要素：

7.因此，本公开内容涉及基本上消除由于相关技术的限制和缺点而产生的一个或更多个问题的电致发光显示装置。
8.本公开内容的目的是提供一种具有大尺寸和高清晰度的电致发光显示装置。
9.附加的特征和方面将在下面的描述中阐述，并且部分根据描述将变得明显，或者部分可以通过本文提供的发明构思的实践获知。本发明构思的其他特征和方面可以通过书面描述中特别指出的结构或由此可推导出的结构以及其权利要求和附图来实现和获得。
10.为了实现如所实施和广泛描述的发明构思的这些和其他方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板；基板上的第一电极；基板上的连接图案，所述连接图案包括与第一电极相同的材料；覆盖第一电极和连接图案的边缘的堤部；第一电极上的发光层；发光层、堤部和连接图案上的第二电极；以及在连接图案与第二电极之间的辅助图案，所述辅助图案包括以下项中的一种或更多种：金属氧化物、导电纳米颗粒和功函数改性聚合物。
11.在另一方面，提供了一种电致发光显示装置，包括：基板；基板上的第一电极；基板
上的连接图案，所述连接图案包括与第一电极相同的材料；覆盖第一电极和连接图案的边缘的堤部；第一电极上的发光层；发光层、堤部和连接图案上的第二电极；以及在连接图案与第二电极之间的辅助图案，其中，连接图案具有突起，并且其中，突起设置在辅助图案内。
12.通过研究下面的附图和具体实施方式，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是明显的或将变得明显。旨在将所有这样的附加系统、方法、特征和优点包括在本说明书内，在本公开内容的范围内，并且由所附权利要求保护。这部分内容不应被视为对这些权利要求的限制。下面可以结合本公开内容的实施方式讨论其他方面和优点。应当理解，本公开内容的前述一般描述和以下详细描述可以是示例和说明性的，并且可以旨在提供对要求保护的本公开内容的进一步说明。
附图说明
13.附图示出了本公开内容的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开内容的各种原理，附图可以被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且可以被并入本公开内容中并构成本公开内容的一部分。
14.图1是根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图。
15.图2是根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图。
16.图3是根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
17.图4是根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
18.图5是根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
19.图6是根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
20.图7是放大图6的区域a1的示意性截面图。
21.图8是根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图，在该电致发光显示装置中产生了小丘生长(hillock growth)。
22.图9是放大图8的区域a2的示意性截面图。
23.图10是根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
24.图11是放大图10的区域a3的示意性截面图。
25.图12是根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图，在该电致发光显示装置中产生了小丘生长。
26.图13是放大图12的区域a4的示意性截面图。
27.图14是根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
28.图15是示出了根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置的第二电极与连接图案之间的连接结构的能带图。
29.图16是示出了根据比较例的电致发光显示装置的第二电极与连接图案之间的连接结构的能带图。
30.图17是根据另一比较例的发光二极管的能带图。
31.贯穿附图和具体实施方式，除非另外描述，否则相同的附图标记应理解为指示相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便起见，可以扩大这些元件的相对尺寸和描绘。
时，该描述应被解释为包括结构彼此接触的情况以及结构之间设置有第三结构的情况。可以给出附图中所示的每个元件的尺寸和厚度仅仅是为了便于描述，并且本公开内容的实施方式可以不限于此。
40.如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
41.除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如在常用词典中定义的那些术语的术语应当被解释为具有例如与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且除非在本文中明确地限定，否则不应理解为具有理想或过分形式化的含义。例如，术语“部件”或“单元”可以例如应用于单独的电路或结构、集成电路、电路装置的计算块或被配置成执行所描述的功能的任何结构，如本领域普通技术人员应当理解的那样。
42.在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例实施方式。
43.根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置可以包括用于显示图像的多个像素，并且多个像素中的每个像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。与每个子像素对应的像素区域可以具有图1的示例中所示的配置。
44.图1是根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置的一个像素区域的电路图。
45.在图1中，根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置可以包括彼此交叉以限定多个像素区域的多条栅极线和多条数据线。例如，在图1的示例中，栅极线gl和数据线dl彼此交叉以限定像素区域p。可以在每个像素区域p中形成开关薄膜晶体管ts、驱动薄膜晶体管td、存储电容器cst和发光二极管de。
46.例如，开关薄膜晶体管ts的栅电极可以连接至栅极线gl，并且开关薄膜晶体管ts的源电极可以连接至数据线dl。驱动薄膜晶体管td的栅电极可以连接至开关薄膜晶体管ts的漏电极，并且驱动薄膜晶体管td的源电极可以连接至高电压电源vdd。发光二极管de的阳极可以连接至驱动薄膜晶体管td的漏电极，并且发光二极管de的阴极可以连接至低电压电源vss。存储电容器cst可以连接至驱动薄膜晶体管td的栅电极和漏电极。
47.电致发光显示装置可以被驱动成显示图像。例如，当通过栅极线gl施加的栅极信号使开关薄膜晶体管ts导通时，来自数据线dl的数据信号可以通过开关薄膜晶体管ts被施加至驱动薄膜晶体管td的栅电极和存储电容器cst的电极。
48.当数据信号使驱动薄膜晶体管td导通时，可以控制流过发光二极管de的电流，从而显示图像。发光二极管de可以由于从高电压电源vdd通过驱动薄膜晶体管td提供的电流而发光。
49.例如，流过发光二极管de的电流的量可以与数据信号的幅值成比例，并且由发光二极管de发射的光的强度可以与流过发光二极管de的电流的量成比例。因此，像素区域p可以根据数据信号的幅值显示不同的灰度级。因此，电致发光显示装置可以显示图像。
50.此外，当开关薄膜晶体管ts截止时，存储电容器cst可以将与数据信号对应的电荷保持一帧。因此，即使开关薄膜晶体管ts截止，存储电容器cst也可以使流过发光二极管de
的电流的量能够恒定以及由发光二极管de显示的灰度级能够被保持，直到下一帧。
51.除了开关薄膜晶体管ts和驱动薄膜晶体管td以及存储电容器cst之外，还可以在像素区域p中添加一个或更多个薄膜晶体管和/或电容器。例如，在电致发光显示装置中，当数据信号可以被施加至驱动薄膜晶体管td的栅电极时，可以使驱动薄膜晶体管td导通相对长的时间，并且发光二极管de可以发光，从而显示灰度级。由于长时间施加数据信号，驱动薄膜晶体管td可能会劣化。因此，驱动薄膜晶体管td的迁移率和/或阈值电压vth可能会改变。因此，电致发光显示装置的像素区域p可以针对相同的数据信号显示不同的灰度级。这可能导致亮度不均匀，从而降低电致发光显示装置的图像质量。
52.因此，为了补偿驱动薄膜晶体管td的迁移率和/或阈值电压的变化，可以在像素区域p中进一步添加用于感测电压变化的至少一个感测薄膜晶体管和/或电容器。感测薄膜晶体管和/或电容器可以连接至用于施加参考电压并输出感测电压的参考线。
53.在根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置中，发光二极管de可以包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极、发光层和第二电极可以依次形成在基板上方，并且开关薄膜晶体管ts、驱动薄膜晶体管td和存储电容器cst可以形成在基板与第一电极之间。根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置可以是顶部发光型，在顶部发光型中，来自发光二极管de的发光层的光朝向与基板相对的方向输出，即，通过第二电极输出至外部。顶部发光型显示装置可以具有比相同尺寸的底部发光型显示装置更宽的发光区域，这可以改善亮度并且降低功耗。
54.为了透射光，第二电极应当由金属材料形成以具有薄的厚度或者由透明导电材料形成。因此，第二电极的电阻会增加，并且由于电阻会发生电压降，从而导致亮度不均匀的问题。
55.因此，在本公开内容中，第二电极可以电连接至辅助电极以降低第二电极的电阻。第二电极可以通过连接图案电连接至辅助电极，并且辅助图案可以形成在连接图案与第二电极之间，从而可以通过降低连接图案与第二电极之间的接触电阻来改善电接触特性。
56.图2是根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置的像素的示意性平面图。
57.图2主要示出了堤部配置。在图2的示例中，根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置的一个像素可以包括红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b。红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b中的每个子像素可以具有图1的示例的像素区域p的电路配置。
58.红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b可以沿第一方向(例如，x轴方向)依次布置，所述第一方向在图的背景下可以是水平方向。相同颜色的子像素r、g和b可以沿第二方向(例如，y轴方向)布置，所述第二方向可以垂直于第一方向(例如，x轴方向)。红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b被示为各自具有带有基本上成角度的角部的矩形形状，但是实施方式不限于此。红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b中的每个子像素可以具有各种形状，例如带有基本圆角的矩形形状、椭圆形形状等。
59.红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b可以具有不同的尺寸。可以通过考虑在每个子像素处设置的发光二极管的寿命来确定红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b的尺寸。例如，绿色子像素g的尺寸可以大于红色子像素r的尺寸，并且小于蓝色子像素b的尺寸。然而，本公开内容的实施方式不限于此。例如，红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b可以具有相同的尺寸。
60.红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b可以由堤部限定。堤部可以包括具有亲水性的第一堤部172和具有疏水性的第二堤部174。例如，第一堤部172可以设置在相邻的相同颜色子像素r、g和b之间以及相邻的不同颜色子像素r、g和b之间。第一堤部172可以围绕子像素r、g和b中的每一个。
61.可替选地，可以在相邻的不同颜色子像素r、g和b之间省略第一堤部172。也就是说，第一堤部172可以沿第一方向(例如，x轴方向)延伸，并且可以沿第二方向(例如，y轴方向)仅在相邻的相同颜色子像素r、g和b之间形成。
62.第二堤部174可以设置在第一堤部172上。第二堤部174可以具有与相同颜色子像素列对应的开口174a，并且可以沿第一方向(例如，x轴方向)设置在相邻的不同颜色子像素r、g和b之间。
63.因此，开口174a可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且开口174a的第二方向(例如，y轴方向)的长度可以比第一方向(例如，x轴方向)的长度例如宽度长。开口174a可以具有平行于第一方向(例如，x轴方向)的短边和平行于第二方向(例如，y轴方向)的长边。第二堤部174可以沿第一方向(例如，x轴方向)在相邻的不同颜色子像素r、g和b之间具有比第一堤部172更窄的宽度。
64.此外，第二堤部174的至少一侧可以具有沿第一方向(例如，x轴方向)延伸的延伸部174c。在这种情况下，延伸部174c可以沿第二方向(例如，y轴方向)设置在相邻的相同颜色子像素r、g和b之间，并且可以与第一堤部172交叠。延伸部174c可以使第二堤部174沿第一方向(例如，x轴方向)的部分之间的距离变窄，使得可以通过在用于形成发光层的溶液工艺期间控制溶液的流动来形成更均匀的发光层。延伸部174c的尺寸可以根据每个子像素r、g和b的尺寸而变化。
65.第一堤部172和第二堤部174可以具有分别对应于至少一个延伸部174c的第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b。在此，一个延伸部174c以及第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b中的每一个中的一个可以形成为与包括红色子像素r、绿色子像素g和蓝色子像素b的一个像素对应。在这种情况下，第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b可以形成为与具有最大尺寸的子像素r、g和b相邻。例如，第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b可以形成到沿第二方向(例如，y轴方向)设置在相邻蓝色子像素b之间的延伸部174c。然而，本公开内容的实施方式不限于此，并且第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b的数目和位置可以改变。
66.尽管图中未示出，但是辅助电极和连接图案可以形成为对应于其中形成有第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b的延伸部174c，并且连接图案可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露。此外，可以在连接图案与第二电极之间形成辅助图案。因此，发光二极管的第二电极可以通过连接图案电连接至辅助电极，并且可以由于辅助图案而降低连接图案与第二电极之间的接触电阻。
67.将参照附图详细描述根据本公开内容的实施方式的电致发光显示装置的示例配置。
[0068]-第一实施方式-[0069]
图3是根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
[0070]
图3示出了与图2的线i-i'对应的截面。如图3的示例所示，在根据本公开内容的第
一实施方式的电致发光显示装置1000中，可以在基板100上形成诸如金属的第一导电材料的第一辅助电极114和光阻挡图案112。基板100可以是玻璃基板或塑料基板。例如，聚酰亚胺可以用于塑料基板，但实施方式不限于此。
[0071]
光阻挡图案112和第一辅助电极114可以由以下项中的一种或更多种形成：铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)、铬(cr)、镍(ni)、钨(w)及其合金，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，光阻挡图案112和第一辅助电极114可以具有包括钼钛合金(moti)的下层和铜(cu)的上层的双层结构，并且上层可以比下层厚。
[0072]
第一辅助电极114可以在平面中在平行于基板100的第一方向(例如，x轴方向)和/或第二方向(例如，y轴方向)上延伸。例如，第一辅助电极114可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸，并且可以对应于沿第一方向(例如，x轴方向)布置的多个像素区域。以其他方式，第一辅助电极114可以在与第一方向(例如，x轴方向)交叉的第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可以对应于沿第二方向(例如，y轴方向)布置的多个像素区域。可替选地，第一辅助电极114可以在第一方向和第二方向(x轴方向和y轴方向)上延伸，并且可以具有晶格结构。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
[0073]
缓冲层120可以基本上在基板100的整个表面上形成在光阻挡图案112和第一辅助电极114上。缓冲层120可以由诸如硅氧化物(sio2)或硅氮化物(sin
x
)的无机绝缘材料形成，并且可以形成为单层或多层。
[0074]
缓冲层120可以在光阻挡图案112上具有缓冲孔120a。光阻挡图案112的顶表面可以通过缓冲孔120a部分地暴露。
[0075]
半导体层122和电容器电极124可以被图案化并形成在缓冲层120上。半导体层122和电容器电极124可以在光阻挡图案112上彼此间隔开。光阻挡图案112可以阻挡入射在半导体层122上的光，并且减少或防止半导体层122由于光而劣化。
[0076]
半导体层122和电容器电极124可以由多晶硅形成。在这种情况下，电容器电极124和半导体层122的两端可以掺杂有杂质。可替选地，半导体层122和电容器电极124可以由氧化物半导体材料形成。
[0077]
绝缘材料的栅极绝缘层130和第二导电材料的栅电极132可以依次形成在半导体层122上。栅极绝缘层130和栅电极132可以被设置成与半导体层122的中心对应。
[0078]
栅极绝缘层130可以由诸如硅氧化物(sio2)或硅氮化物(sin
x
)的无机绝缘材料形成。当半导体层122由氧化物半导体材料制成时，栅极绝缘层130可以优选由硅氧化物(sio2)形成。
[0079]
栅电极132可以由以下项中的一种或更多种形成：铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)、铬(cr)、镍(ni)、钨(w)及其合金，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，栅电极132可以具有包括钼钛合金(moti)的下层和铜(cu)的上层的双层结构，并且上层可以比下层厚。
[0080]
如图所示，栅极绝缘层130可以被图案化成具有与栅电极132相同的形状。栅极绝缘层130的宽度可以大于栅电极132的宽度。因此，可以暴露栅极绝缘层130的顶表面的边缘。可替选地，栅极绝缘层130的宽度可与栅电极132的宽度相同。以其他方式，栅极绝缘层130可以不被图案化，并且可以基本上形成在基板100的整个表面上。
[0081]
栅极线(未示出)可以进一步由与栅电极132相同的材料形成并且形成在与栅电极
132相同的层上。栅极线可以在第一方向(例如，x轴方向)上延伸。当第一辅助电极114在第一方向(例如，x轴方向)上延伸时，栅极线和第一辅助电极114可以彼此平行。
[0082]
由绝缘材料制成的层间绝缘层140可以基本上在基板100的整个表面上形成在栅电极132上。层间绝缘层140可以由诸如硅氧化物(sio2)或硅氮化物(sin
x
)的无机绝缘材料形成。可替选地，层间绝缘层140可以由诸如光丙烯酸(photoacryl)或苯并环丁烯的有机绝缘材料形成。
[0083]
层间绝缘层140可以具有第一接触孔140a、第二接触孔140b、第三接触孔140c和第四接触孔140d。第一接触孔140a和第二接触孔140b可以暴露半导体层122的两端。第三接触孔140c可以部分地暴露光阻挡图案112的顶表面，并且可以位于缓冲孔120a中。可替选地，可以省略缓冲孔120a，并且可以在缓冲层120中以及在层间绝缘层140中形成第三接触孔140c，以部分地暴露光阻挡图案112的顶表面。第四接触孔140d可以形成在缓冲层120中以及层间绝缘层140中，以部分地暴露第一辅助电极114的顶表面。
[0084]
由诸如金属的第三导电材料制成的源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以形成在层间绝缘层140上。源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以由以下项中的一种或更多种形成：铝(al)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)、铬(cr)、镍(ni)、钨(w)及其合金，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以具有包括钼钛合金(moti)的下层和铜(cu)的上层的双层结构，并且上层可以比下层厚。可替选地，例如，源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146可以具有三层结构。
[0085]
源电极142和漏电极144可以基本上彼此间隔开，其中栅电极132位于源电极142与漏电极144之间。源电极142和漏电极144可以分别通过第一接触孔140a和第二接触孔140b接触半导体层122的两端。此外，漏电极144可以通过第三接触孔140c接触光阻挡图案112，并且可以与电容器电极124交叠。电容器电极124可以与光阻挡图案112和漏电极144交叠以形成存储电容器。
[0086]
同时，第二辅助电极146可以与第一辅助电极114交叠并通过第四接触孔140d接触第一辅助电极114。第二辅助电极146可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸，并且可以对应于沿第二方向(例如，y轴方向)布置的多个像素区域。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
[0087]
此外，数据线(未示出)和高电压电源线(未示出)可以进一步形成在层间绝缘层140上，并且可以由第三导电材料制成。数据线和高电压电源线可以在第二方向(例如，y轴方向)上延伸。因此，数据线、高电压电源线和第二辅助电极146可以彼此平行。
[0088]
半导体层122、栅电极132、源电极142和漏电极144可以形成薄膜晶体管t。薄膜晶体管t可以具有共面结构，其中栅电极132、源电极142和漏电极144可以相对于半导体层122位于同一侧。
[0089]
可替选地，薄膜晶体管t可以具有反向交错结构，其中栅电极、源电极和漏电极可以相对于半导体层位于不同侧。也就是说，栅电极可以设置在半导体层下方，并且源电极和漏电极可以设置在半导体层上方。在这种情况下，半导体层可以由氧化物半导体或非晶硅形成。
[0090]
薄膜晶体管t可以对应于图1的驱动薄膜晶体管td，并且可以在基板100上进一步形成与驱动薄膜晶体管t具有相同结构的图1的开关薄膜晶体管ts。驱动薄膜晶体管的栅电
极132可以连接至开关薄膜晶体管的漏电极，并且驱动薄膜晶体管的源电极142可以连接至电源线。此外，开关薄膜晶体管的栅电极和源电极可以分别连接至栅极线和数据线。
[0091]
绝缘材料的钝化层150可以形成在源电极142和漏电极144以及第二辅助电极146上，基本上在基板100的整个表面上。钝化层150可以由诸如硅氧化物(sio2)或硅氮化物(sin
x
)的无机绝缘材料形成。
[0092]
接下来，绝缘材料的涂覆层155可以形成在钝化层150上，基本上在基板100的整个表面上。涂覆层155可以由诸如光丙烯酸或苯并环丁烯的有机绝缘材料形成。涂覆层155可以消除由于下层引起的水平差并且可以具有基本上平坦的顶表面。
[0093]
可以省略钝化层150和涂覆层155之一。例如，可以省略钝化层150，但实施方式不限于此。
[0094]
钝化层150和涂覆层155可以具有暴露漏电极144的漏极接触孔155a。此外，钝化层150和涂覆层155可以具有暴露第二辅助电极146的第五接触孔155b。
[0095]
可以在涂覆层155上形成具有相对高的功函数的第一电极160。第一电极160可以通过漏极接触孔155a与漏电极144接触。
[0096]
第一电极160可以包括第一层160a和第二层160b，并且第二层160b可以设置在第一层160a与基板100之间，例如，第一层160a与涂覆层155之间。
[0097]
第一层160a可以由具有相对高的功函数的导电材料形成。例如，第一层160a可以由诸如铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)的透明导电材料形成。第二层160b可以由具有相对高的反射率的金属材料形成。例如，第二层160b可以由银(ag)形成，但实施方式不限于此。第一层160a的功函数可以高于第二层160b的功函数。
[0098]
第二层160b的厚度可以大于第一层160a的厚度。例如，第二层160b的厚度可以是80nm至100nm，并且第一层160a的厚度可以是10nm至80nm。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
[0099]
此外，第一电极160还可以包括在第二层160b与涂覆层155之间的第三层160c。可以形成第三层160c以改善第二层160b与涂覆层155之间的粘合性能，并且可以省略第三层160c。例如，第三层160c可以由诸如ito或izo的透明导电材料形成，但实施方式不限于此。
[0100]
第三层160c的厚度可以小于第一层160a的厚度，并且可以小于或等于第二层160b的厚度。例如，第三层160c的厚度可以是10nm，但实施方式不限于此。
[0101]
此外，连接图案162可以形成在涂覆层155上，并且可以由与第一电极160相同的材料形成。因此，连接图案162可以包括第一层162a、第二层162b和第三层162c。第二层162b可以设置在第一层162a与第三层162c之间，并且第三层162c可以设置在第二层162b与基板100之间，例如，第二层162b与涂覆层155之间。连接图案162可以通过第五接触孔155b与第二辅助电极146接触。
[0102]
如上所述，当省略第一电极160的第三层160c并且第一电极160被配置为具有两层时，也可以省略连接图案162的第三层162c，并且连接图案162可以具有双层结构。可以在第一电极160上形成绝缘材料的堤部。堤部可以包括具有亲水性的第一堤部172和具有疏水性的第二堤部174。
[0103]
例如，第一堤部172可以交叠并覆盖第一电极160的边缘，并且可以暴露第一电极160的中心部分。第一堤部172可以与第一电极160的边缘接触。第一堤部172也可以形成在
连接图案162上，并且可以交叠并覆盖连接图案162的边缘。第一堤部172可以具有暴露连接图案162的中心部分的第一辅助接触孔172b。
[0104]
第一堤部172可以由具有亲水性的材料例如无机绝缘材料诸如硅氧化物(sio2)或硅氮化物(sin
x
)形成。可替选地，第一堤部172可以由聚酰亚胺形成。
[0105]
可以在第一堤部172上形成第二堤部174。第二堤部174的至少顶表面可以是疏水的，并且第二堤部174的侧表面可以是疏水的或亲水的。
[0106]
第二堤部174可以具有暴露第一电极160的中心部分的开口174a。如上所述，可以在相邻的不同颜色子像素之间形成第二堤部174，并且第二堤部174的开口174a可以形成为对应于相同颜色子像素列。
[0107]
第二堤部174可以以比第一堤部172更窄的宽度设置在第一堤部172上，并且可以暴露第一堤部172的边缘。此外，第二堤部174的厚度可以大于第一堤部172的厚度。
[0108]
如上所述，可以在相邻的不同颜色子像素之间省略第一堤部172。在这种情况下，第二堤部174可以与第一电极160的边缘接触。
[0109]
第二堤部174可以由具有疏水性的有机绝缘材料形成。可替选地，第二堤部174可以由具有亲水性并经受疏水处理的有机绝缘材料形成。
[0110]
此外，第二堤部174可以具有与第一辅助接触孔172b对应的第二辅助接触孔174b。连接图案162可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b暴露。
[0111]
在一个实施方式中，可以将第一堤部172仅设置在第一电极160的未在图中示出的其他边缘上。此外，在图3中，第一堤部172和第二堤部174可以由不同的材料形成，并且可以彼此分离。然而，亲水的第一堤部172和疏水的第二堤部174可以由相同的材料形成并且可以形成为一体。例如，具有疏水的顶表面的有机材料层可以基本上形成在基板100的整个表面上，可以通过包括透光部分、光阻挡部分和半透光部分的半色调掩模暴露于光，并且可以被图案化，从而形成具有不同宽度和不同厚度的亲水的第一堤部172和疏水的第二堤部174。
[0112]
可以在由第一堤部172和第二堤部174暴露的第一电极160上形成发光层180。发光层180可以包括第一电荷辅助层182、发光材料层184和第二电荷辅助层186，第一电荷辅助层182、发光材料层184和第二电荷辅助层186可以依次定位在第一电极160上。发光材料层184可以由红色、绿色和蓝色发光材料中的任何一种形成，但实施方式不限于此。发光材料可以是有机发光材料，例如磷光化合物或荧光化合物，或者可以是无机发光材料，例如量子点。
[0113]
第一电荷辅助层182可以是空穴辅助层，并且空穴辅助层可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)中的至少一个。此外，第二电荷辅助层186可以是电子辅助层，并且电子辅助层可以包括电子注入层(eil)和电子传输层(etl)中的至少一个。然而，本公开内容的实施方式不限于此。
[0114]
在此，可以通过溶液工艺形成第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个。因此，可以简化工艺并且可以提供具有大尺寸和高分辨率的显示装置。旋涂方法、喷墨印刷方法或丝网印刷方法可以用作溶液工艺，但本公开内容的实施方式不限于此。
[0115]
如上所述，由于第二堤部174的开口174a可以形成为对应于相同颜色子像素列，因此通过不同喷嘴滴入到与相同颜色子像素列对应的相应像素区域中的溶液可以彼此连接，
并且可以通过干燥溶液来形成第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个。因此，与相同颜色子像素列对应的相邻像素区域中的第一电荷辅助层182或发光材料层184可以彼此连接并形成为一体。因此，可以减小或最小化喷嘴的滴注量之间的偏差，并且在相应像素区域中形成的薄膜的厚度可以是均匀的。
[0116]
当溶液干燥时，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度可以不同于其他区域中的溶剂的干燥速度。也就是说，与第二堤部174相邻的区域中的溶剂的干燥速度可以比其他区域中的溶剂的干燥速度快。因此，与第二堤部174相邻的区域中的第一电荷辅助层182和发光材料层184中的每一个的高度可以随着其更靠近第二堤部174而升高。
[0117]
另一方面，可以通过热蒸发工艺形成第二电荷辅助层186。因此，第二电荷辅助层186可以基本上形成在基板100的整个表面上。也就是说，第二电荷辅助层186可以形成在第二堤部174的顶表面和侧表面上，并且也可以形成在连接图案162上。
[0118]
辅助图案200可以形成在连接图案162与第二电荷辅助层186之间。辅助图案200的宽度和尺寸可以小于连接图案162，并且可以与第一堤部172和第二堤部174间隔开。辅助图案200可以设置在第五接触孔155b中。
[0119]
辅助图案200可以具有100nm至300nm的厚度，但实施方式不限于此。辅助图案200可以由金属或金属氧化物形成，并且可以通过沉积工艺或溶液工艺形成。这将在后面详细描述。
[0120]
具有相对低的功函数的导电材料的第二电极190可以形成在发光层180上，例如，形成在第二电荷辅助层186上，基本上形成在基板100的整个表面上。第二电极190可以由以下项中的一种或更多种形成：铝(al)、镁(mg)、银(ag)及其合金。第二电极190可以相对薄，使得来自发光层180的光可以通过其透射。例如，第二电极190可以具有5nm至10nm的厚度，但实施方式不限于此。可替选地，第二电极190可以由诸如铟镓氧化物(igo)或izo的透明导电材料形成。
[0121]
第二电极190可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。因此，第二电极190可以通过连接图案162电连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146。第二电荷辅助层186可以设置在连接图案162与第二电极190之间。由于第二电荷辅助层186可以具有绝缘特性，并且可以用作电阻器，因此可能降低第二电极190与连接图案162之间的接触特性。此外，作用在相应像素区域的第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b上的电阻可能不同，从而导致像素区域之间的发光差异。
[0122]
然而，根据实施方式的辅助图案200可以形成在第二电极190与连接图案162之间，例如，在第二电荷辅助层186与连接图案162之间。因此，可以增加第二电极190与连接图案162之间的接触特性，并且每个像素区域的发光可以是均匀的。
[0123]
如上所述，辅助图案200可以由金属或金属氧化物形成。例如，辅助图案200可以由具有比连接图案162的第一层162a更低的电阻率的金属形成。例如，辅助图案200可以由铝(al)或银(ag)形成，但实施方式不限于此。可替选地，例如，辅助图案200可以由金属氧化物例如锌氧化物(zno)或钼三氧化物(moo3)形成。
[0124]
由于连接图案162与第二电荷辅助层186之间的能级差可能相对较大，因此在其之间可能降低电子注入特性。在本公开内容中，可以在连接图案162与第二电荷辅助层186之间例如在连接图案162的第一层162a与第二电荷辅助层186之间通过形成锌氧化物的辅助
图案200来生成能够注入电子的最低未占分子轨道(lumo)能级。因此，可以将电子从连接图案162有效地注入到第二电荷辅助层186。也就是说，锌氧化物的lumo能级可以在连接图案162的第一层162a的费米能级与第二电荷辅助层186的lumo能级之间。因此，可以促进从连接图案162的第一层162a到第二电荷辅助层186的电子注入。
[0125]
通过形成钼三氧化物(moo3)的辅助图案200，可以使用连接图案162的第一层162a与第二电荷辅助层186之间的电荷生成使电子有效注入到第二电荷辅助层186中。例如，钼三氧化物(moo3)可以通过连接图案162的第一层162a与第二电荷辅助层186之间的费米能级调节来分离空穴和电子，并且可以将空穴转移到连接图案162的第一层162a中并且将电子转移到第二电荷辅助层186中，从而可以促进电子注入到第二电荷辅助层186中。
[0126]
可以通过沉积工艺或溶液工艺形成金属氧化物的辅助图案200。当通过溶液工艺形成辅助图案200时，由于可以省略附加的图案化工艺，因此可以减少制造时间和成本。
[0127]
锌氧化物可以具有纳米线的形式。可以通过溶液工艺形成具有纳米线形式的锌氧化物的辅助图案200。
[0128]
第一电极160、发光层180和第二电极190可以构成发光二极管de。第一电极160可以用作阳极，并且第二电极190可以用作阴极，但实施方式不限于此。
[0129]
如上所述，根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置1000可以是顶部发光型，在顶部发光型中，来自发光二极管de的发光层180的光可以朝向与基板100相对的方向输出，即，通过第二电极190输出至外部。顶部发光型显示装置可以具有比相同尺寸的底部发光型显示装置更宽的发光区域，从而改善亮度并降低功耗。每个像素区域的发光二极管de可以具有针对与发射光的波长相对应的微腔效应的元件厚度，从而提高光效率。
[0130]
尽管图中未示出，但可以在第二电极190上基本上在基板100的整个表面上形成覆盖层。覆盖层可以由具有相对高折射率的绝缘材料形成。沿覆盖层传播的光的波长可以通过表面等离子共振放大。因此，可以增加峰的强度，从而提高顶部发光型电致发光显示装置中的光效率。例如，覆盖层可以形成为有机层或无机层的单层，或者可以形成为有机/无机堆叠层。
[0131]
如上所述，在根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置1000中，通过借助于溶液工艺形成发光层180中的一些，可以省略掩模。由此可以降低制造成本，并且可以实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
[0132]
此外，根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示装置1000可以被配置为顶部发光型，从而改善亮度并降低功耗。第二电极190可以相对较薄，或者可以由透明导电材料形成以透射光，并且其电阻可能增加。然而，第二电极190可以通过连接图案162连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146，使得可以减小第二电极190的电阻。
[0133]
金属或金属氧化物的辅助图案200可以形成在第二电极190与连接图案162之间以及例如在第二电荷辅助层186与连接图案162之间，使得可以改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性。可以省略第一辅助电极114和第二辅助电极146之一。
[0134]-第二实施方式-[0135]
图4是根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
[0136]
图4示出了与图2的线i-i'对应的截面。除了辅助图案之外，根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的配置基本上相同的配置。与第一实
[0150]
图5是根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
[0151]
图5示出了与图2的线i-i’相对应的截面。除了辅助图案之外，根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的配置基本上相同的配置。与第一实施方式的部分相同的部分由相同的附图标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
[0152]
如图5的示例中所示，在根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置3000中，可以在基板100上方依次地形成第一电极160、发光层180和第二电极190，从而形成发光二极管de。来自发光二极管de的发光层180的光可以通过第二电极190输出至外部。
[0153]
为此，第二电极190可以由金属材料例如铝(al)、镁(mg)、银(ag)或其合金形成，并且可以是相对薄的。例如，第二电极190可以具有5nm至10nm的厚度，但是实施方式不限于此。可替选地，第二电极190可以由诸如igo或izo的透明导电材料形成。
[0154]
第二电极190可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。因此，第二电极190可以通过连接图案162电连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146。
[0155]
第二电荷辅助层186可以设置在第二电极190与连接图案162之间。因为第二电荷辅助层186可以具有绝缘特性，所以可能降低第二电极190与连接图案162之间的接触特性。因此，为了改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性，可以在第二电极190与连接图案162之间以及例如在第二电荷辅助层186与连接图案162之间形成辅助图案400。
[0156]
辅助图案400可以与第一堤部172和第二堤部174接触。辅助图案400可以具有与连接图案162对应的宽度。例如，辅助图案400可以形成在第一堤部172与第二堤部174之间，使得辅助图案400可以与第一堤部172的侧表面和顶表面接触并且与第二堤部174的底表面接触。在这种情况下，辅助图案400的宽度可以大于或等于连接图案162的宽度。辅助图案400的厚度可以是100nm至300nm，但是实施方式不限于此。
[0157]
辅助图案400可以由具有比连接图案162的第一层162a更低的电阻率的金属形成。例如，辅助图案400可以由铝(al)或银(ag)形成，但是实施方式不限于此。
[0158]
可替选地，辅助图案400可以由金属氧化物形成。金属氧化物的辅助图案400可以促进从连接图案162的第一层162a到第二电荷辅助层186的电子注入。例如，辅助图案400可以由锌氧化物(zno)或钼三氧化物(moo3)形成。
[0159]
可以通过沉积工艺或溶液工艺形成金属氧化物的辅助图案400。锌氧化物可以具有纳米线的形式。
[0160]
如上所述，根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示装置3000可以被配置为顶部发光型，从而改善亮度并降低功耗。第二电极190可以通过连接图案162连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146，使得可以减小第二电极190的电阻。
[0161]
可以在第二电极190与连接图案162之间以及例如在第二电荷辅助层186与连接图案162之间形成金属或金属氧化物的辅助图案400。因此，可以改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性。
[0162]
另外，辅助图案400可以具有相对大的面积，使得辅助图案400可以与第一堤部172和第二堤部174接触，从而与第一实施方式相比增加接触面积。因此，可以进一步减小第二电极190与连接图案162之间的接触电阻。
[0163]
如上所述，第一电极160的第二层160b和连接图案162的第二层162b可以由银(ag)形成。银膜可能在高温下显示小丘生长。例如，由于第二电极190与连接图案162之间的高电阻，可能在连接图案162的第二层162b中产生小丘生长。小丘生长可能突破连接图案162的第一层162a和第二电荷辅助层186，并且可能与第二电极190直接接触，从而导致电流集中现象。因此，在小丘生长和第二电极190的接触部分处可能发生白色闪烁或燃烧现象。
[0164]
将在以下实施方式中呈现可以解决由于小丘生长而引起的电流集中现象的配置。
[0165]-第四实施方式-[0166]
图6是根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。图7是放大图6的区域a1的示意性截面图。
[0167]
除了辅助图案之外，根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的配置基本上相同的配置。与第一实施方式的部分相同的部分由相同的附图标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
[0168]
图6示出了对应于图2的线i-i’的截面。如图6和图7的示例中所示，在根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置4000中，可以在基板100上方依次地形成第一电极160、发光层180和第二电极190，从而形成发光二极管de。来自发光二极管de的发光层180的光可以通过第二电极190输出至外部。
[0169]
为此，第二电极190可以由金属材料例如铝(al)、镁(mg)、银(ag)或其合金形成，并且可以是相对薄的。例如，第二电极190可以具有5nm至10nm的厚度，但是实施方式不限于此。可替选地，第二电极190可以由诸如igo或izo的透明导电材料形成。
[0170]
第二电极190可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。因此，第二电极190可以通过连接图案162电连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146。
[0171]
第二电荷辅助层186可以设置在第二电极190与连接图案162之间。因为第二电荷辅助层186可以具有绝缘特性，所以可能降低第二电极190与连接图案162之间的接触特性。因此，为了改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性，可以在第二电极190与连接图案162之间以及例如在第二电荷辅助层186与连接图案162之间形成辅助图案500。
[0172]
辅助图案500可以具有小于连接图案162的宽度和尺寸，并且可以与第一堤部172和第二堤部174间隔开。在这种情况下，辅助图案500可以设置在第五接触孔155b中。
[0173]
可替选地，如在第二实施方式或第三实施方式中的，辅助图案500可以与第一堤部172和第二堤部174接触。辅助图案500可以具有与连接图案162对应的宽度。辅助图案500的厚度可以是100nm至300nm，但是实施方式不限于此。
[0174]
辅助图案500可以由导电纳米颗粒510形成。导电纳米颗粒510可以具有比连接图案162的第一层162a更低的电阻率。导电纳米颗粒510可以包括金属纳米棒、金属纳米线、金属纳米点和碳纳米管。例如，辅助图案500可以由金(au)纳米棒、银(ag)纳米线、银(ag)纳米点或碳纳米管(cnt)形成，但是实施方式不限于此。可替选地，辅助图案500可以由锌氧化物(zno)纳米线形成。实施方式不限于这些示例。
[0175]
可以在由导电纳米颗粒510形成的辅助图案500的顶表面处形成不均匀性(unevenness)。辅助图案500的顶表面可以具有比连接图案162的第一层162a的顶表面更高的表面粗糙度。表面粗糙度可以确定为粗糙度峰-谷rpv，该粗糙度峰-谷rpv是由原子力显
微镜(afm)测量的最高点与最低点之间的高度差。辅助图案500的顶表面的rpv可以高于连接图案162的第一层162a的顶表面的rpv。例如，辅助图案500的顶表面的rpv可以是200nm至300nm，并且连接图案162的第一层162a的顶表面的rpv可以是7nm至11nm，但是实施方式不限于此。
[0176]
由导电纳米颗粒510形成的辅助图案500可以通过在连接图案162上印刷导电纳米颗粒510并执行单独的热处理工艺来形成。导电纳米颗粒510可以通过热处理工艺彼此结合并聚集以形成网络结构，使得辅助图案500的顶表面可以具有表面粗糙度。
[0177]
可替选地，由导电纳米颗粒510形成的辅助图案500可以通过在连接图案162上印刷导电纳米颗粒510并通过溶液工艺形成发光层180来形成，使得导电纳米颗粒510可以在发光层180的第一电荷辅助层182或发光材料层184的热处理工艺期间形成网络结构。在这种情况下，因为可以省略用于结合导电纳米颗粒510的热处理工艺，所以可以降低工艺时间和成本。
[0178]
即使在连接图案162的第二层162b中产生小丘生长，由导电纳米颗粒510形成的辅助图案500也可以减少或防止由于小丘生长引起的电流集中现象。这将参照图8和图9进行描述。
[0179]
图8是根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图，在该电致发光显示装置中产生了小丘生长。图9是放大图8的区域a2的示意性截面图。
[0180]
如图8和图9的示例中所示，第二电荷辅助层186可以设置在连接图案162与第二电极190之间，并且辅助图案500可以设置在连接图案162与第二电荷辅助层186之间。辅助图案500可以由导电纳米颗粒510形成。
[0181]
由于导电纳米颗粒510，辅助图案500可以在其顶表面上具有不均匀性，并且辅助图案500的顶表面可以具有比连接图案162的第一层162a的顶表面更高的表面粗糙度。因此，导电纳米颗粒510中的一些导电纳米颗粒可以比导电纳米颗粒510中的其他导电纳米颗粒具有距第二电极190更短的长度，或者可以与第二电极190基本上直接接触。
[0182]
由于小丘生长，可以在连接图案162的第二层162b中形成突起162h。突起162h可以生长通过连接图案162的第一层162a、辅助图案500和第二电荷辅助层186，从而接触第二电极190。然而，在本公开内容的第四实施方式中，如图9中所示，除了突起162h与第二电极190之间的接触点cp1以外，可以在导电纳米颗粒510与第二电极190之间产生多个接触点cp2，使得可以减少或防止由于小丘生长引起的电流集中现象。
[0183]
如上所述，根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示装置4000可以被配置为顶部发光型，从而改善亮度并降低功耗。第二电极190可以通过连接图案162连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146，从而可以减小第二电极190的电阻。
[0184]
导电纳米颗粒510的辅助图案500可以形成在第二电极190与连接图案162之间以及例如形成在第二电荷辅助层186与连接图案162之间。因此，可以改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性。
[0185]
另外，因为辅助图案500可以由导电纳米颗粒510形成为具有带有表面粗糙度的顶表面，所以可以减少或防止由于小丘生长引起的电流集中现象。
[0186]-第五实施方式-[0187]
图10是根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。图
11是放大图10的区域a3的示意性截面图。
[0188]
除了辅助图案之外，根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的配置基本上相同的配置。与第一实施方式的部分相同的部分由相同的附图标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
[0189]
图10示出了对应于图2的线i-i’的截面。如图10和图11的示例中所示，在根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置5000中，可以在基板100上方依次地形成第一电极160、发光层180和第二电极190，从而形成发光二极管de。来自发光二极管de的发光层180的光可以通过第二电极190输出至外部。
[0190]
为此，第二电极190可以由金属材料例如铝(al)、镁(mg)、银(ag)或其合金形成，并且可以是相对薄的。例如，第二电极190可以具有5nm至10nm的厚度，但是实施方式不限于此。可替选地，第二电极190可以由诸如igo或izo的透明导电材料形成。
[0191]
第二电极190可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。因此，第二电极190可以通过连接图案162电连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146。
[0192]
第二电荷辅助层186可以设置在第二电极190与连接图案162之间。因为第二电荷辅助层186可以具有绝缘特性，所以可能降低第二电极190与连接图案162之间的接触特性。因此，为了改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性，可以在第二电极190与连接图案162之间以及例如在第二电荷辅助层186与连接图案162之间形成辅助图案600。
[0193]
辅助图案600可以具有小于连接图案162的宽度和尺寸，并且可以与第一堤部172和第二堤部174间隔开。在这种情况下，辅助图案600可以设置在第五接触孔155b中。
[0194]
可替选地，如在第二实施方式或第三实施方式中的，辅助图案600可以与第一堤部172和第二堤部174接触。辅助图案600可以具有与连接图案162对应的宽度。
[0195]
辅助图案600可以具有300nm或更大的相对厚的厚度t1。例如，辅助图案600的厚度t1可以是300nm或更大且1μm或更小，例如，500nm或更大且1μm或更小，但是实施方式不限于此。
[0196]
辅助图案600可以由具有比连接图案162的第一层162a更低的电阻率的金属形成。例如，辅助图案600可以由铝(al)或银(ag)形成，但是实施方式不限于此。可替选地，辅助图案600可以由金属氧化物形成。金属氧化物的辅助图案600可以促进从连接图案162的第一层162a到第二电荷辅助层186的电子注入。例如，辅助图案600可以由锌氧化物(zno)或钼三氧化物(moo3)形成。
[0197]
可以通过沉积工艺或溶液工艺形成金属氧化物的辅助图案600。锌氧化物可以具有纳米线的形式。
[0198]
即使在连接图案162的第二层162b中产生小丘生长，辅助图案600也可以减少或防止由于小丘生长引起的电流集中现象。这将参照图12和图13进行描述。
[0199]
图12是根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图，在该电致发光显示装置中产生了小丘生长。图13是放大图12的区域a4的示意性截面图。
[0200]
如图12和图13的示例中所示，第二电荷辅助层186可以设置在连接图案162与第二电极190之间，并且辅助图案600可以设置在连接图案162与第二电荷辅助层186之间。辅助图案600可以具有相对厚的厚度t1。在这种情况下，辅助图案600的厚度t1可以大于突起
162h的高度，该突起162h由于小丘生长而可以在连接图案162的第二层162b中产生。
[0201]
因为辅助图案600可以具有相对厚且大于突起162h的高度的厚度t1，所以即使由于小丘生长而产生突起162h，并且该突起162h生长通过连接图案162的第一层162a，也可以减少或防止突起162h与第二电极190接触。因此，可以减少或防止由于小丘生长引起的电流集中现象。
[0202]
如上所述，根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示装置5000可以被配置为顶部发光型，从而改善亮度并降低功耗。第二电极190可以通过连接图案162连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146，使得可以减小第二电极190的电阻。
[0203]
辅助图案600可以形成在第二电极190与连接图案162之间以及例如形成在第二电荷辅助层186与连接图案162之间。因此，可以改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性。另外，因为辅助图案600可以具有相对厚的厚度以完全覆盖突起162h，所以可以减少或防止由于小丘生长引起的电流集中现象。
[0204]-第六实施方式-[0205]
图14是根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置的示意性截面图。
[0206]
图14示出了对应于图2的线i-i’的截面。除了辅助图案之外，根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置具有与第一实施方式的配置基本上相同的配置。与第一实施方式的部分相同的部分由相同的附图标记表示，并且将缩短或省略对相同部分的说明。
[0207]
如图14的示例中所示，在根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置6000中，可以在基板100上方依次地形成第一电极160、发光层180和第二电极190，从而形成发光二极管de。来自发光二极管de的发光层180的光可以通过第二电极190输出至外部。
[0208]
为此，第二电极190可以由金属材料例如铝(al)、镁(mg)、银(ag)或其合金形成，并且可以具有相对薄的厚度。例如，第二电极190可以具有5nm至10nm的厚度，但是实施方式不限于此。可替选地，第二电极190可以由诸如igo或izo的透明导电材料形成。
[0209]
第二电极190可以通过第一辅助接触孔172b和第二辅助接触孔174b电连接至连接图案162。因此，第二电极190可以通过连接图案162电连接至第一辅助电极114和第二辅助电极146。
[0210]
第二电荷辅助层186可以设置在第二电极190与连接图案162之间。因为连接图案162与第二电荷辅助层186之间的能级差可以相对大，所以电子可能不会平滑地移动，使得可能降低第二电极190与连接图案162之间的接触特性。通常，对于电子和空穴的移动，相邻层之间的能级差可以在0.5ev内，例如在0.3ev内。
[0211]
因此，在根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置6000中，为了改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性，可以在第二电极190与连接图案162之间，例如，在第二电荷辅助层186与连接图案162之间形成辅助图案700。辅助图案700可以降低连接图案162的有效功函数。这将稍后详细描述。
[0212]
辅助图案700可以具有小于连接图案162的宽度和尺寸，并且可以与第一堤部172和第二堤部174间隔开。在这种情况下，辅助图案700可以设置在第五接触孔155b中。
[0213]
可替选地，辅助图案700可以与第一堤部172接触，并且可以与第二堤部174间隔开。在这种情况下，辅助图案700可以仅与第一堤部172的侧表面接触，并且辅助图案的宽度可以小于连接图案162的宽度。以其他方式，辅助图案700可以与第一堤部172和第二堤部
174接触。
[0214]
可以通过溶液工艺形成辅助图案700。因此，辅助图案700的高度可以朝向边缘增加。也就是说，辅助图案700的高度在边缘处可以比在中心处更高。
[0215]
可以通过与第一电荷辅助层182和发光材料层184中的一个相同的工艺形成辅助图案700。例如，当通过与第一电荷辅助层182相同的工艺形成辅助图案700时，包括第一电荷辅助材料的第一溶液可以被施加在第一电极160上，并且包括辅助图案材料的第二溶液可以被施加在连接图案162上。然后，可以同时干燥第一溶液和第二溶液，从而形成第一电荷辅助层182和辅助图案700。可替选地，当通过与发光材料层184相同的工艺形成辅助图案700时，包括发光材料的第一溶液可以被施加在第一电荷辅助层182上，并且包括辅助图案材料的第二溶液可以被施加在连接图案162上。然后，可以同时干燥第一溶液和第二溶液，从而形成发光材料层184和辅助图案700。例如，可以通过与第一电荷辅助层182和发光材料层184相同的干燥工艺形成辅助图案700。当第一电荷辅助层182包括空穴注入层和空穴传输层时，可以通过与空穴注入层或空穴传输层相同的工艺形成辅助图案700。
[0216]
辅助图案700的厚度可以是5nm或更小。也就是说，辅助图案700的厚度可以大于0nm且等于或小于5nm。
[0217]
辅助图案700可以由功函数改性聚合物形成。功函数改性聚合物可以是聚乙烯亚胺乙氧基类(polyethylenimine ethoxylated)(peie)，其可以通过下式1表示：
[0218]
[式1]
[0219][0220]
在式1中，作为重复单元的x、y和z可以各自独立地是1至50的整数。
[0221]
可替选地，功函数改性聚合物可以是聚乙烯亚胺(pei)，其可以通过下式2表示：
[0222]
[式2]
[0223]
[0224]
在式2中，作为重复单元的a、b、c和d可以各自独立地是1至50的整数。
[0225]
例如，pei可以是通过下式3表示的材料，在下式3中，a、b、c和d中的每一个是1：
[0226]
[式3]
[0227][0228]
在式3中，n是1或更大的整数。
[0229]
功函数改性聚合物可以通过在电极的表面处诱导偶极来降低电极的有效功函数。因此，连接图案162的有效功函数可以通过由功函数改性聚合物形成的辅助图案700降低，使得可以促进从连接图案162到第二电荷辅助层186的电子注入。
[0230]
连接图案162的功函数，即，第一层162a的功函数可以是4.7ev至5.3ev。连接图案162的有效功函数，即，第一层162a的有效功函数可以是3.2ev至3.8ev。
[0231]
另外，当第二电荷辅助层186包括电子注入层和电子传输层，并且电子传输层由单个电子传输材料形成时，电子传输层的lumo能级可以是-3.3ev至-2.4ev。可替选地，当第二电荷辅助层186包括电子注入层和电子传输层，并且电子传输层由共沉积的第一电子传输材料和第二电子传输材料形成时，电子传输层的lumo能级可以是-3.4ev至-3.0ev。
[0232]
将参照附图详细描述通过辅助图案700修改连接图案162的有效功函数的配置。
[0233]
图15是示出了根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置的第二电极与连接图案之间的连接结构的能带图。图16是示出了根据比较例的电致发光显示装置的第二电极与连接图案之间的连接结构的能带图。
[0234]
图14至图16将被一起提到。连接图案162，即，第一层162a可以由ito形成。第二电极190可以由镁(mg)和银(ag)形成，并且辅助图案700可以由peie形成。
[0235]
另外，第二电荷辅助层186可以包括电子注入层eil和电子传输层etl。电子注入层eil可以由锂氟化物形成，并且电子传输层etl可以由第一电子传输材料etm1和第二电子传输材料etm2形成。第二电子传输材料etm2的lumo能级可以低于第一电子传输材料etm1的lumo能级，并且第二电子传输材料etm2可以是喹啉锂(lithium quinolate)(liq)。
[0236]
如图15的示例中所示，在根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置中，peie的辅助图案700可以设置在电子传输层etl与连接图案162之间，并且连接图案162的有效功函数可以是3.6ev。因此，连接图案162的有效功函数与第二电子传输材料etm2的lumo能级之间的差可以是0.45ev，使得可以促进从连接图案162到电子传输层etl的电子注入。
[0237]
另一方面，如图16中所示，在根据比较例的电致发光显示装置中，连接图案162的功函数是4.8ev。在这种情况下，因为连接图案162的功函数与第二电子传输材料etm2的lumo能级之间的差是1.65ev，所以在比较例中难以将电子从连接图案162注入到电子传输层etl。因此，降低了比较例中的第二电极190与连接图案162之间的接触特性。
[0238]
如上所述，在根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置6000中，可以在第二电极190与连接图案162之间，例如，在第二电荷辅助层186与连接图案162之间形成功函数改性聚合物的辅助图案700，从而降低连接图案162的有效功函数，使得可以改善第二电极190与连接图案162之间的接触特性。此外，因为可以通过与第一电荷辅助层182或发光材料层184相同的干燥工艺形成辅助图案700，所以可以简化制造工艺。
[0239]
在根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示装置中，功函数改性聚合物可以不形成在发光材料层184上。这将参照图17进行描述。
[0240]
图17是根据另一比较例的发光二极管的能带图。
[0241]
如图17中所示，与图14的发光二极管de相比，根据另一比较例的发光二极管还包括在发光材料层eml与第二电荷辅助层，即，电子传输层etl之间由peie形成的功函数改性聚合物层wml。在这种情况下，发光材料层eml的lumo能级与功函数改性聚合物层wml的lumo能级之间的差大于发光材料层eml的lumo能级与第二电子传输材料etm2的lumo能级之间的差。
[0242]
因此，在根据另一比较例的发光二极管中，因为功函数改性聚合物层wml干扰了从电子传输层etl到发光材料层eml的电子注入，期望的是不在发光材料层eml与电子传输层etl之间形成功函数改性聚合物层wml。
[0243]
在本公开内容的实施方式中，通过经过溶液工艺形成每一个子像素的发光层，可以省略掩模。因此，可以降低制造成本，并且可以实现具有大尺寸和高清晰度的显示装置。
[0244]
另外，相同颜色的子像素的发光层可以彼此连接并形成为一体，从而减少或最小化喷嘴之间的滴注量的偏差，并且均匀地形成各个子像素的发光层的厚度。因此，可以减少或防止不均匀(mura)，从而有效地改进显示装置的图像质量或防止显示装置的图像质量降低。
[0245]
此外，第二电极可以通过连接图案连接至辅助电极，从而降低了第二电极的电阻。此外，辅助图案可以形成在第二电极与连接图案之间，从而改善了第二电极与连接图案之间的电接触特性。
[0246]
此外，可以在辅助图案的顶表面处形成不均匀性，或者辅助图案可以是相对厚的。因此，可以防止由于小丘生长引起的电流集中现象。
[0247]
对于本领域技术人员而言，将明显的是，在不脱离本公开内容的技术构思或范围的情况下可以在本公开内容中进行各种修改和变化。因此，本公开内容的实施方式旨在覆盖本公开内容的修改和变化，只要其落入所附权利要求及其等同物的范围内。