半导体封装方法与流程

技术特征：
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出；将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述再布线结构背离所述包封结构的一侧与所述绝缘膜层背离所述包封结构的一侧的高度差的范围为0至40μm。3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述再布线结构包括多个导电结构，所述绝缘膜层上设有多个所述镂空部，所述镂空部与所述导电结构一一对应，所述导电结构背离所述芯片的一侧通过对应的所述镂空部露出。4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述导电结构包括与所述焊垫连接的迹线结构及位于所述迹线结构背离所述芯片一侧的导电凸柱；所述镂空部的内表面设有台阶结构，所述迹线结构位于所述镂空部内且位于所述台阶结构靠近所述芯片的一侧，所述导电凸柱位于所述镂空部内且被所述台阶结构环绕。5.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述绝缘膜层的材料为柔性材料。6.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上之前，所述半导体封装方法还包括：制备所述绝缘膜层；所述制备所述绝缘膜层包括：提供绝缘材料层及冲压模具，所述冲压模具设有冲压部，所述冲压部与所述再布线结构的形状相同；采用所述冲压模具的冲压部对所述绝缘材料层进行冲压，在所述绝缘材料层上形成所述镂空部，得到所述绝缘膜层。7.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上之前，所述半导体封装方法还包括：采用光学定位仪对所述绝缘膜层进行定位。8.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述形成包封结构，包括：将所述芯片贴装于载板上，所述芯片的正面朝向所述载板的表面；形成包封层，所述包封层覆盖在所述载板上，包封住所述芯片；剥离所述载板，得到所述包封结构。9.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述再布线结构与所述芯片的焊垫直接接触；或者，所述在所述包封结构上形成再布线结构之前，所述半导体封装方法还包括：在所述包封层上形成至少一个迹线层，所述再布线结构通过所述至少一个迹线层与所述芯片的焊垫电连接。10.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述绝缘膜层的尺寸大于所述包封结构的尺寸，所述半导体封装方法还包括：
对所述绝缘膜层的边缘进行切割，以使切割后的所述绝缘膜层在所述包封结构的正投影全部落在所述包封结构上。

技术总结
本申请提供一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：形成包封结构，所述包封结构包括包封层及至少一个芯片，所述包封层上设置有至少一个内凹的腔体，所述至少一个芯片设置在所述至少一个内凹的腔体内，所述芯片的正面露出所述包封层，所述芯片的正面设有多个焊垫；在所述包封结构上形成再布线结构，所述再布线结构将所述芯片的焊垫引出；将设置有镂空部的绝缘膜层套在所述再布线结构上，所述再布线结构背离所述芯片的表面通过所述镂空部露出所述绝缘膜层。出所述绝缘膜层。出所述绝缘膜层。


技术研发人员：涂旭峰 霍炎
受保护的技术使用者：矽磐微电子（重庆）有限公司
技术研发日：2020.11.30
技术公布日：2022/6/4