中子发生器的制作方法

技术特征：
1.一种中子发生器，包括：壳体，设置在所述壳体内的离子源；以及设置在所述壳体内的靶组件，所述靶组件与所述离子源相对应地设置；其特征在于，所述离子源通过第一隔板固定在所述壳体的内壁上，所述离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在所述第一阴极和第二阴极之间的阳极，所述阳极包括至少两个阳极筒，所述第一阴极和所述第二阴极分别包括与所述至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。2.根据权利要求1所述的中子发生器，其特征在于，所述至少两个阳极筒为空心圆筒并且关于所述阳极的中心对称地分布。3.根据权利要求2所述的中子发生器，其特征在于，所述第一阴极包括阴极板体以及围绕所述阴极板体的中心对称地形成在所述阴极板体的朝向所述阳极的一侧上的至少两个第一阴极子，所述至少两个第一阴极子从所述阴极板体朝向所述阳极凸出。4.根据权利要求3所述的中子发生器，其特征在于，所述第一阴极子在平行于所述阳极的中心轴线的方向上与所述阳极筒相对地设置。5.根据权利要求2所述的中子发生器，其特征在于，所述第二阴极包括至少两个中空的锥形阴极子，所述锥形阴极子的小端朝向所述阳极，所述中空的锥形阴极子在平行于所述阳极的中心轴线的方向上与所述阳极筒相对地设置。6.根据权利要求5所述的中子发生器，其特征在于，在所述第一隔板上围绕所述第一隔板的中心对称地设置有至少两个通孔，所述至少两个中空的锥形阴极子中每一个通过所述至少两个通孔之一设置在所述第一隔板上。7.根据权利要求6所述的中子发生器，其特征在于，所述中空的锥形阴极子通过其大端固定在所述第一隔板上。8.根据权利要求5所述的中子发生器，其特征在于，所述第二阴极还包括设置在所述中空的锥形阴极子的大端侧上的屏蔽凸缘。9.根据权利要求8所述的中子发生器，其特征在于，所述屏蔽凸缘为筒状并且围绕所述中空的锥形阴极子的大端的外周缘设置，所述屏蔽凸缘从所述中空的锥形阴极子的大端朝向所述靶组件延伸。10.根据权利要求1所述的中子发生器，其特征在于，所述离子源还包括设置在所述第一阴极的远离所述阳极的一侧的端盖，所述端盖通过环绕地包围所述第一阴极、所述第二阴极和所述阳极设置的环壁进行固定，所述环壁的与所述端盖相反的端部固定地设置在所述第一隔板上。11.根据权利要求10所述的中子发生器，其特征在于，所述离子源还包括围绕所述第一阴极、所述第二阴极和所述阳极设置的环形磁体，所述环形磁体设置在所述环壁的外周上。12.根据权利要求10所述的中子发生器，其特征在于，在所述端盖上设置有用于固定所述第一阴极的固定杆、用于为所述阳极供电的阳极供电部件、用于抽吸气体的吸气元件以及用于为所述吸气元件供电的吸气供电部件。13.根据权利要求10所述的中子发生器，其特征在于，在所述端盖上设置有排气管，用于对包括所述第一阴极、所述第二阴极和所述阳极的密封腔进行抽真空以及充注工作介
质。14.根据权利要求1所述的中子发生器，其特征在于，所述靶组件包括靶件、设置在所述靶件与所述离子源之间的加速部件以及为所述靶件和所述加速部件供电的高压供电部件。15.根据权利要求14所述的中子发生器，其特征在于，所述靶件整体上为柱体结构，在所述柱体结构的朝向所述离子源的一侧上设置有至少两个倒锥形盲孔，所述至少两个倒锥形盲孔与所述第二阴极的至少两个阴极子相对应。16.根据权利要求14所述的中子发生器，其特征在于，所述加速部件形成为包括至少两个加速筒，所述加速筒形成为圆台或棱台的形状，所述圆台或棱台的小端朝向所述离子源，所述圆台或棱台的大端朝向所述靶件。17.根据权利要求14所述的中子发生器，其特征在于，所述靶组件通过第二隔板固定在所述壳体的内壁上，并且所述第二隔板与所述靶组件和所述壳体的内壁密封地连接。18.根据权利要求17所述的中子发生器，其特征在于，所述靶组件包括用于将所述靶件支承在所述第二隔板上的陶瓷管件，所述陶瓷管件的内部设置有用于将所述高压供电部件电连接至所述靶件和所述加速部件的高压供电线。19.根据权利要求18所述的中子发生器，其特征在于，所述陶瓷管件的外周壁形成为螺旋结构或形成有多个凸环。20.根据权利要求15所述的中子发生器，其特征在于，所述靶组件还包括二次电子抑制部件，所述二次电子抑制部件设置在所述靶件的基体中。21.根据权利要求20所述的中子发生器，其特征在于，在所述靶件的背离设置有所述倒锥形盲孔的一侧形成有容纳部，在所述容纳部内设置所述二次电子抑制部件。

技术总结
本发明公开了一种中子发生器，该中子发生器包括壳体、设置在壳体内的离子源以及设置在壳体内的靶组件，靶组件与离子源相对应地设置，离子源通过第一隔板固定在壳体的内壁上，离子源包括第一阴极、第二阴极以及设置在第一阴极和第二阴极之间的阳极，阳极包括至少两个阳极筒，第一阴极和第二阴极分别包括与至少两个阳极筒相对应的至少两个阴极子。通过提供具有包括至少两个阴极子的第一阴极和第二阴极以及相应地包括至少两个阳极筒的阳极的多离子源结构，以使在阴极和阳极之间电离的离子能够以多束的形式引出，增大束流的引出面积，由此降低了单位面积靶膜上的溅射速率，延长靶组件的使用寿命。件的使用寿命。件的使用寿命。


技术研发人员：宋应民 陈红涛 张凯 赵芳 刘邢宇 龚新宝 阮锡超 聂阳波
受保护的技术使用者：中国原子能科学研究院
技术研发日：2022.03.02
技术公布日：2022/6/3