一种RCS测量背景电平抑制方法及装置与流程

一种rcs测量背景电平抑制方法及装置
技术领域
1.本发明涉及rcs测量与处理技术领域，特别涉及一种rcs测量背景电平抑制方法及装置。


背景技术：

2.随着隐身技术快速发展，现代化武器装备的隐身性能不断提升，rcs作为隐身性能的重要指标，其量级越来越低。为更加准确测量和评估武器装备的隐身特性，对测量场地低rcs测量能力提出了更高要求。虽然影响rcs测量精度的测量系统自身因素目前能够得到有效解决，按照低rcs目标测量的需求，但在测量目标rcs时，测量场的场地背景回波与目标回波经常混叠在一起进入接收机，直接影响rcs测量系统的测量能力和测量精度等核心指标性能，为此，需要对rcs测量中的背景电平进行抑制处理。
3.场地背景回波主要包括目标架设支架回波和地物背景杂波，采用低散射目标支架，可以降低目标架设支架回波对测量精度的影响；而地物背景杂波多为分布型散射回波，如地面杂草、场地内围墙、围墙外树林、场地周围建筑和目标吊装设备等的回波，这类回波并不是稳定不变的，而是经常随环境和时间变化而变化。对于与目标处于不同距离单元的地物背景杂波，可以通过距离或时间上的差异，采用时域滤波方法进行抑制。而与目标处于同一距离单元即同一距离波门的地物背景杂波，由于其与目标回波同一时间进入测量系统，无法通过距离或时间上的差异予以抑制，因而严重限制了测量精度的进一步提高。
4.目前，常通过引入矢量场相减技术消除该背景电平信号，但采用该技术经常存在目标架设回波与特定角度下非稳定的地物背景杂波处于同一量级甚至被后者淹没的现象，使得目标架设支架回波的矢量场相减效果受到限制，影响低rcs目标的准确测量。


技术实现要素：

5.本发明提供了一种rcs测量背景电平抑制方法及装置，能够从指定角度上抑制与目标处于同一距离波门的地物背景杂波，进而提高低rcs目标的测量精度。
6.第一方面，本发明提供了一种rcs测量背景电平抑制方法，应用于包括一维阵列天线的rcs测量系统中，所述方法包括：
7.获取未设置待测目标时场地背景的背景电平数据；其中，所述场地背景与所述待测目标所处的待架设区域位于同一距离波门；
8.根据所述背景电平数据，确定待抑制背景电平区域；
9.基于所述待抑制背景电平区域所包含的方位角、预设目标低副瓣方向图和所述rcs测量系统，建立所述待抑制背景电平区域的加权系数求解模型；
10.利用所述加权系数求解模型，计算得到优化加权系数；
11.根据所述优化加权系数，得到所述待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
12.可选地，所述根据所述优化加权系数，得到所述待抑制背景电平区域的低副瓣方向图，包括：
13.获取所述rcs测量系统的幅相特性曲线；
14.根据所述幅相特性曲线和所述优化加权系数，对所述rcs测量系统进行调整；
15.通过调整后的rcs测量系统和所述优化加权系数，得到所述待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
16.可选地，所述根据所述背景电平数据，确定待抑制背景电平区域，包括：
17.从所述背景电平数据中筛选出大于预设电平数据的目标数据，并将所述目标数据所属的场地背景确定为待抑制背景电平区域；其中，所述待抑制背景电平区域中包含至少一个方位角。
18.可选地，所述优化加权系数包括优化幅度加权系数和优化相位加权系数。
19.可选地，所述建立所述待抑制背景电平区域的加权系数求解模型，包括：
20.获取所述rcs测量系统的参数；其中，所述参数包括所述一维阵列天线的阵元数、阵元间距、各阵元的幅度加权系数及相位加权系数；
21.基于所述待抑制背景电平区域所包含的方位角和所述参数，确定所述方位角对应的阵因子方向图函数；
22.根据所述各阵元的幅度加权系数及相位加权系数，计算得到各阵元加权系数矩阵；
23.根据所述方位角对应的阵因子方向图函数、预设的权重系数矩阵和所述预设目标低副瓣方向图，构建目标函数；
24.将所述各阵元的幅度加权系数及相位加权系数作为优化变量，生成所述目标函数对所述优化变量的jacobian矩阵和hessian矩阵；
25.基于所述jacobian矩阵、所述hessian矩阵和所述各阵元加权系数矩阵，建立所述加权系数求解模型。
26.可选地，所述目标函数通过如下公式确定：
[0027][0028][0029][0030]
其中，j用于表征所述目标函数；i用于表征各阵元加权系数矩阵；w用于表征预设的权重系数矩阵；sa用于表征预设目标低副瓣方向图；h用于表征转置共轭；t用于表征阵因子系数矩阵；m用于表征待抑制背景电平区域所包含的方位角的个数；n用于表征一维阵列天线的阵元数；d用于表征一维阵列天线的阵元间距；ε用于表征传播常数；用于表征第m个方位角的角度；t
mn
用于表征在第m个方位角下第n个阵元的阵因子系数。
[0031]
可选地，所述利用所述加权系数求解模型，计算得到优化加权系数，包括：
[0032]
对所述各阵元加权系数矩阵赋予初始值，并设定迭代次数阈值和目标函数阈值；
[0033]
基于所述加权系数求解模型迭代得到初始优化加权系数；
[0034]
当在所述初始优化加权系数下的目标函数值小于所述目标函数阈值时，则停止迭
代，并将该初始优化加权系数作为优化加权系数；和/或
[0035]
当所述初始优化加权系数对应的迭代次数大于所述迭代次数阈值时，则停止迭代，并将该初始优化加权系数作为优化加权系数。
[0036]
可选地，所述加权系数求解模型通过如下公式确定：
[0037][0038]
其中，i
(k 1)
用于表征第k 1次迭代时的各阵元加权系数矩阵；i
(k)
用于表征第k次迭代时的各阵元加权系数矩阵；h
(k)
用于表征第k次迭代时的hessian矩阵；c用于表征修正因子；e用于表征单位矩阵；用于表征第k次迭代时的jacobian矩阵。
[0039]
第二方面，本发明提供了一种rcs测量背景电平抑制装置，应用于包括一维阵列天线的rcs测量系统中，所述装置包括：
[0040]
获取模块，用于获取未设置待测目标时场地背景的背景电平数据；其中，所述场地背景与所述待测目标所处的待架设区域位于同一距离波门；
[0041]
确定模块，用于根据所述获取模块获取到的所述背景电平数据，确定待抑制背景电平区域；
[0042]
创建模块，用于基于所述确定模块确定的所述待抑制背景电平区域所包含的方位角、预设目标低副瓣方向图和所述rcs测量系统，建立所述待抑制背景电平区域的加权系数求解模型；
[0043]
运算模块，用于利用所述创建模块建立的所述加权系数求解模型，计算得到优化加权系数；
[0044]
处理模块，用于根据所述运算模块得到的所述优化加权系数，得到所述待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
[0045]
第三方面，本发明实施例还提供了一种计算设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现本说明书任一第一方面所述的方法。
[0046]
第四方面，本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，当所述计算机程序在计算机中执行时，令计算机执行本说明书任一第一方面所述的方法。
[0047]
本发明实施例提供了一种rcs测量背景电平抑制方法及装置，应用于包括一维阵列天线的rcs测量系统中。该方法在未设置待测目标时获取场地背景的背景电平数据，并通过该背景电平数据筛选出待抑制背景电平区域，基于该待抑制背景电平区域所包含的方位角、rcs测量系统以及预设目标低副瓣方向图，建立在上述方位角上的加权系数求解模型，利用该加权系数求解模型计算得到的优化加权系数便能获得对应待抑制背景电平区域的低副瓣方向图，从而抑制rcs测量系统在待抑制背景电平区域的场地背景回波，有效降低场地整体背景回波，进而提高外场低rcs测量精度。
附图说明
[0048]
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明
的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0049]
图1是本发明一实施例提供的一种rcs测量背景电平抑制方法的流程图；
[0050]
图2是本发明一实施例提供的一种计算设备的硬件架构图；
[0051]
图3是本发明一实施例提供的一种rcs测量背景电平抑制装置的结构示意图。
具体实施方式
[0052]
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0053]
下面描述以上构思的具体实现方式。
[0054]
请参考图1，本发明实施例提供了一种rcs测量背景电平抑制方法，应用于包括一维阵列天线的rcs测量系统中，该方法包括：
[0055]
步骤100，获取未设置待测目标时场地背景的背景电平数据；其中，场地背景与待测目标所处的待架设区域位于同一距离波门；
[0056]
步骤102，根据背景电平数据，确定待抑制背景电平区域；
[0057]
步骤104，基于待抑制背景电平区域所包含的方位角、预设目标低副瓣方向图和rcs测量系统，建立待抑制背景电平区域的加权系数求解模型；
[0058]
步骤106，利用加权系数求解模型，计算得到优化加权系数；
[0059]
步骤108，根据优化加权系数，得到待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
[0060]
本发明实施例中，应用于包括一维阵列天线的rcs测量系统中的rcs测量背景电平抑制方法。该方法在未设置待测目标时获取场地背景的背景电平数据，并通过该背景电平数据筛选出待抑制背景电平区域，基于该待抑制背景电平区域所包含的方位角、rcs测量系统以及预设目标低副瓣方向图，建立在上述方位角上的加权系数求解模型，利用该加权系数求解模型计算得到的优化加权系数便能获得对应待抑制背景电平区域的低副瓣方向图，从而抑制rcs测量系统在待抑制背景电平区域的场地背景回波，有效降低场地整体背景回波，进而提高外场低rcs测量精度。
[0061]
需要说明的是，在波束形成中，对干扰抑制能力的一个直观表征就是波束的旁瓣级(旁瓣即副瓣)，而低副瓣波束形成技术可以有效降低波束的副瓣电平。由于副瓣会带来杂波干扰，因此本发明通过低副瓣波束形成技术对副瓣增益进行控制，将方向图副瓣电平严格控制在期望值以下，便能有效抑制地物背景杂波，从而增加rcs测量系统的抗干扰能力，提高rcs目标的测量能力，实现低rcs目标的高精度测量。
[0062]
下面描述图1所示的各个步骤的执行方式。
[0063]
首先，针对步骤100，可以通过对与待架设区域处于同一距离波门的场地背景进行多次方位方向扫描，得到多组随方位角变化的背景电平数据。
[0064]
其次，在一些实施方式中，在步骤102中，根据背景电平数据，确定待抑制背景电平区域，包括：
[0065]
从背景电平数据中筛选出大于预设电平数据的目标数据，并将目标数据所属的场
地背景确定为待抑制背景电平区域；其中，待抑制背景电平区域中包含至少一个方位角。
[0066]
具体地，从背景电平数据中筛选出辐射大、能量高的信号，即将杂波回波较强背景电平数据作为目标数据，该目标数据所属的场地背景即为待抑制背景电平区域。由于背景电平数据是在不同方位角下测得的，故待抑制背景电平区域中包含至少一个方位角。如此，在本发明中，通过筛选出待架设区域同一距离波门内杂波回波较强的背景电平区域，能够在指定角度下实现对场地背景的背景电平抑制。
[0067]
在一些实施方式中，在步骤104中，建立待抑制背景电平区域的加权系数求解模型，包括：
[0068]
获取rcs测量系统的参数；其中，参数包括一维阵列天线的阵元数、阵元间距、各阵元的幅度加权系数及相位加权系数；
[0069]
基于待抑制背景电平区域所包含的方位角和参数，确定方位角对应的阵因子方向图函数；
[0070]
根据各阵元的幅度加权系数及相位加权系数，计算得到各阵元加权系数矩阵；
[0071]
根据方位角对应的阵因子方向图函数、预设的权重系数矩阵和预设目标低副瓣方向图，构建目标函数；
[0072]
将各阵元的幅度加权系数及相位加权系数作为优化变量，生成目标函数对优化变量的jacobian矩阵和hessian矩阵；
[0073]
基于jacobian矩阵、hessian矩阵和各阵元加权系数矩阵，建立加权系数求解模型。
[0074]
需要说明的是，在实际工作中，rcs测量系统天线选用阵元数为n、阵元间距为d的一维阵列天线，各阵元的幅度加权系数为i_abs＝[i1,i2,
…
,in]
t
，各阵元的相位加权系数为a＝[α1,α2,
…
,αn]
t
，如此确定一维阵列天线阵因子方向图函数为
[0075][0076]
其中，用于表征在方位角下的阵因子方向图函数；j用于表征复数中的虚数单位；用于表征方位角，该方位角的范围为0
°
～180
°
；n用于表征第n个阵元；in用于表征第n个阵元的幅度加权系数；αn用于表征第n个阵元的相位加权系数；ε＝2π/λ，用于表征传播常数，λ用于表征波长。当然，本发明所公开的rcs测量背景电平抑制方法也可以应用扩展到二维阵列天线中。
[0077]
在本发明中，为了得到待抑制背景电平区域的低副瓣方向图，通过对各阵元进行幅度加权及相位加权以改变方向图，使rcs测量系统产生的方向图符合所要求的低副瓣方向图，从而实现降低杂波干扰。
[0078]
在本发明中，基于目标函数的jacobian矩阵和hessian矩阵进行迭代求解，具有二阶收敛速度，能够快速地利用加权系数求解模型实现对各阵元的优化加权系数的求解。
[0079]
在一些实施方式中，目标函数通过如下公式确定：
[0080]
[0081][0082][0083]
其中，j用于表征所述目标函数；i用于表征各阵元加权系数矩阵；w用于表征预设的权重系数矩阵；sa用于表征预设目标低副瓣方向图；h用于表征转置共轭；t用于表征阵因子系数矩阵；m用于表征待抑制背景电平区域所包含的方位角的个数；n用于表征一维阵列天线的阵元数；d用于表征一维阵列天线的阵元间距；ε用于表征传播常数；用于表征第m个方位角的角度；t
mn
用于表征在第m个方位角下第n个阵元的阵因子系数。
[0084]
更具体地，在步骤104中，
[0085]
i＝i_abs
⊙
φ
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(5)
[0086]
φ＝[exp{jα1},exp{jα2},
…
,exp{jαn}]
t
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(6)
[0087][0088]
根据各阵元的幅度加权系数及相位加权系数，计算得到各阵元加权系数矩阵i；
[0089]
基于待抑制背景电平区域所包含的方位角和参数，确定方位角对应的阵因子方向图函数(ti)，其中，公式(1)中一维阵列天线阵因子方向图函数可写成矩阵形式为ti；i为n行1列的矩阵；用于表征第m个方位角对应的权重系数；
[0090]
综上，根据方位角对应的阵因子方向图函数、预设的权重系数矩阵和预设目标低副瓣方向图，构建目标函数：
[0091][0092]
其中，用于表征在方位角下的预设目标低副瓣方向图函数；*用于表示共轭矩阵；
[0093]
需要说明的是，权重系数矩阵是根据待抑制背景电平区域内不同方位角下杂波回波的强弱确定的，具体是根据杂波回波强弱以及工作人员实践经验所确定的。
[0094]
在一些实施方式中，在步骤104中，将各阵元的幅度加权系数及相位加权系数作为优化变量，生成目标函数对优化变量的jacobian矩阵，包括：
[0095]
目标函数j对幅度加权系数求一阶偏导，写成矩阵形式：
[0096][0097]
式中1m×1用于表征m行1列的全1矩阵；./用于表征矩阵点除，即矩阵对应元素相除；
[0098]
同样地，目标函数j对相位加权系数求一阶偏导，写成矩阵形式：
[0099][0100]
更具体地，和表达式推导如下：
[0101]
[0102][0103]
综上所述，目标函数j的梯度矩阵，即目标函数j对幅度加权系数、相位加权系数的jacobian矩阵为：
[0104][0105]
在一些实施方式中，在步骤104中，将各阵元的幅度加权系数及相位加权系数作为优化变量，生成目标函数对优化变量的hessian矩阵，包括：
[0106]
目标函数j对幅度加权系数、相位加权系数的二阶偏导：
[0107][0108]
写成矩阵形式：
[0109][0110][0111][0112][0113]
其中，
□
＝sqrt(0.5(sa·
/(|ti|3))
⊙
w)，sqrt(
·
)用于表示对矩阵元素进行算数平方根运算；re指代实部。
[0114]
综上所述，目标函数j的梯度矩阵，即目标函数j对幅度加权系数、相位加权系数的hessian矩阵为：
[0115][0116]
在一些实施方式中，优化加权系数包括优化幅度加权系数和优化相位加权系数。
[0117]
在一些实施方式中，在步骤106中，利用加权系数求解模型，计算得到优化加权系数，包括：
[0118]
对各阵元加权系数矩阵赋予初始值，并设定迭代次数阈值和目标函数阈值；
[0119]
基于加权系数求解模型迭代得到初始优化加权系数；
[0120]
当在初始优化加权系数下的目标函数值小于目标函数阈值时，则停止迭代，并将该初始优化加权系数作为优化加权系数；和/或
[0121]
当初始优化加权系数对应的迭代次数大于迭代次数阈值时，则停止迭代，并将该初始优化加权系数作为优化加权系数。
[0122]
在一些实施方式中，所述加权系数求解模型通过如下公式确定：
[0123][0124]
其中，i
(k 1)
用于表征第k 1次迭代时的各阵元加权系数矩阵；i
(k)
用于表征第k次迭代时的各阵元加权系数矩阵；h
(k)
用于表征第k次迭代时的hessian矩阵；c用于表征修正因子；e用于表征单位矩阵；用于表征第k次迭代时的jacobian矩阵。
[0125]
在本发明中，上述迭代算法基于jacobian矩阵和hessian矩阵，具有随机给定初始值、鲁棒性好、精度高和避免陷入局部收敛的优点。
[0126]
具体地，在步骤106中，利用加权系数求解模型，计算得到优化加权系数，包括：
[0127]
(a)对各阵元加权系数矩阵给定初始值i
(0)
，设置当前迭代次数k、迭代次数阈值k
max
、目标函数阈值μ、修正因子c；
[0128]
(b)基于设定的权重系数矩阵w和i
(0)
，计算第k次迭代时的目标函数j
(k)
；
[0129]
(c)计算目标函数的jacobian矩阵和hessian矩阵h
(k)
，并根据修正因子对该hessian矩阵进行修正，其中修正后的hessian矩阵h
(k’)
＝h
(k)
c*e；
[0130]
(d)根据公式(20)更新第k 1次的各阵元加权系数矩阵i
(k 1)
，判断目标函数j
(k)
是否小于μ或判断迭代次数是否大于k
max
，若判断结果存在至少一个是，则停止迭代，并将第k次迭代时的各阵元加权系数矩阵作为优化加权系数并输出；否则返回步骤(c)。
[0131]
在一些实施方式中，在步骤108中，根据优化加权系数，得到待抑制背景电平区域的低副瓣方向图，包括：
[0132]
获取rcs测量系统的幅相特性曲线；
[0133]
根据幅相特性曲线和优化加权系数，对rcs测量系统进行调整；
[0134]
通过调整后的rcs测量系统和优化加权系数，得到待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
[0135]
在本发明中，获取rcs测量系统的幅相特性曲线主要涉及一维阵列天线各通道状态标定，利用紧缩场在一个紧缩的空间里，能够产生传统远场测量所需平面波的特性，测量得到一维阵列天线各通道衰减器、移相器的幅相特性曲线。由于在获得优化加权系数后，本发明通过低副瓣波束形成技术对副瓣增益进行控制，会使得衰减器、移相器随之发生变化，导致相位或其他参数发生改变，因此为了降低衰减器、移相器带来的影响，将通过该幅相特性曲线对优化加权系数进行调整，使得调整后的rcs测量系统能够更精准地降低在待抑制背景电平区域的场地背景回波，有效降低场地整体背景回波，提高外场低rcs测量精度。
[0136]
需要说明的是，在本发明中，上述所有公式中的右角标“h”均表示为转置共轭；*均用于表示共轭矩阵；而“h”均表示为hessian矩阵，其中，hessian矩阵也可以用其他符号表示，例如，可以用l或y表示。公式(5)、(8)、(9)、(10)、(15)、(16)、(17)中的
⊙
与公式(2)中
的
·
均用于表示矩阵点乘。
[0137]
如图2、图3所示，本发明实施例提供了一种rcs测量背景电平抑制装置。装置实施例可以通过软件实现，也可以通过硬件或者软硬件结合的方式实现。从硬件层面而言，如图2所示，为本发明实施例提供的一种rcs测量背景电平抑制装置所在计算设备的一种硬件架构图，除了图2所示的处理器、内存、网络接口、以及非易失性存储器之外，实施例中装置所在的计算设备通常还可以包括其他硬件，如负责处理报文的转发芯片等等。以软件实现为例，如图3所示，作为一个逻辑意义上的装置，是通过其所在计算设备的cpu将非易失性存储器中对应的计算机程序读取到内存中运行形成的。本实施例提供的一种rcs测量背景电平抑制装置，应用于包括一维阵列天线的rcs测量系统中，该装置包括：
[0138]
获取模块301，用于获取未设置待测目标时场地背景的背景电平数据；其中，场地背景与待测目标所处的待架设区域位于同一距离波门；
[0139]
确定模块302，用于根据获取模块301获取到的背景电平数据，确定待抑制背景电平区域；
[0140]
创建模块303，用于基于确定模块302确定的待抑制背景电平区域所包含的方位角、预设目标低副瓣方向图和rcs测量系统，建立待抑制背景电平区域的加权系数求解模型；
[0141]
运算模块304，用于利用创建模块303建立的加权系数求解模型，计算得到优化加权系数；
[0142]
处理模块305，用于根据运算模块304得到的优化加权系数，得到待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
[0143]
在本发明的一个实施例中，所述优化加权系数包括优化幅度加权系数和优化相位加权系数。
[0144]
在本发明的一个实施例中，确定模块302，还用于执行如下操作：
[0145]
从所述背景电平数据中筛选出大于预设电平数据的目标数据，并将所述目标数据所属的场地背景确定为待抑制背景电平区域；其中，所述待抑制背景电平区域中包含至少一个方位角。
[0146]
在本发明的一个实施例中，创建模块303，还用于执行如下操作：
[0147]
获取所述rcs测量系统的参数；其中，所述参数包括所述一维阵列天线的阵元数、阵元间距、各阵元的幅度加权系数及相位加权系数；
[0148]
基于所述待抑制背景电平区域所包含的方位角和所述参数，确定所述方位角对应的阵因子方向图函数；
[0149]
根据所述各阵元的幅度加权系数及相位加权系数，计算得到各阵元加权系数矩阵；
[0150]
根据所述方位角对应的阵因子方向图函数、预设的权重系数矩阵和所述预设目标低副瓣方向图，构建目标函数；
[0151]
将所述各阵元的幅度加权系数及相位加权系数作为优化变量，生成所述目标函数对所述优化变量的jacobian矩阵和hessian矩阵；
[0152]
基于所述jacobian矩阵、所述hessian矩阵和所述各阵元加权系数矩阵，建立所述加权系数求解模型。
[0153]
在本发明的一个实施例中，所述目标函数通过如下公式确定：
[0154][0155][0156][0157]
其中，j用于表征所述目标函数；i用于表征各阵元加权系数矩阵；w用于表征预设的权重系数矩阵；sa用于表征预设目标低副瓣方向图；h用于表征转置共轭；t用于表征阵因子系数矩阵；m用于表征待抑制背景电平区域所包含的方位角的个数；n用于表征一维阵列天线的阵元数；d用于表征一维阵列天线的阵元间距；ε用于表征传播常数；用于表征第m个方位角的角度；t
mn
用于表征在第m个方位角下第n个阵元的阵因子系数。
[0158]
在本发明的一个实施例中，运算模块304，还用于执行如下操作：
[0159]
对所述各阵元加权系数矩阵赋予初始值，并设定迭代次数阈值和目标函数阈值；
[0160]
基于所述加权系数求解模型迭代得到初始优化加权系数；
[0161]
当在所述初始优化加权系数下的目标函数值小于所述目标函数阈值时，则停止迭代，并将该初始优化加权系数作为优化加权系数；和/或
[0162]
当所述初始优化加权系数对应的迭代次数大于所述迭代次数阈值时，则停止迭代，并将该初始优化加权系数作为优化加权系数。
[0163]
在本发明的一个实施例中，所述加权系数求解模型通过如下公式确定：
[0164][0165]
其中，i
(k 1)
用于表征第k 1次迭代时的各阵元加权系数矩阵；i
(k)
用于表征第k次迭代时的各阵元加权系数矩阵；h
(k)
用于表征第k次迭代时的hessian矩阵；c用于表征修正因子；e用于表征单位矩阵；用于表征第k次迭代时的jacobian矩阵。
[0166]
在本发明的一个实施例中，处理模块305，还用于执行如下操作：
[0167]
获取所述rcs测量系统的幅相特性曲线；
[0168]
根据所述幅相特性曲线和所述优化加权系数，对所述rcs测量系统进行调整；
[0169]
通过调整后的rcs测量系统和所述优化加权系数，得到所述待抑制背景电平区域的低副瓣方向图。
[0170]
可以理解的是，本发明实施例示意的结构并不构成对一种rcs测量背景电平抑制装置的具体限定。在本发明的另一些实施例中，一种rcs测量背景电平抑制装置可以包括比图示更多或者更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件、软件或者软件和硬件的组合来实现。
[0171]
上述装置内的各模块之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本发明方法实施例基于同一构思，具体内容可参见本发明方法实施例中的叙述，此处不再赘述。
[0172]
本发明实施例还提供了一种计算设备，包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时，实现本发明任一实施例中的一种rcs测
量背景电平抑制方法。
[0173]
本发明实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序在被处理器执行时，使所述处理器执行本发明任一实施例中的一种rcs测量背景电平抑制方法。
[0174]
具体地，可以提供配有存储介质的系统或者装置，在该存储介质上存储着实现上述实施例中任一实施例的功能的软件程序代码，且使该系统或者装置的计算机(或cpu或mpu)读出并执行存储在存储介质中的程序代码。
[0175]
在这种情况下，从存储介质读取的程序代码本身可实现上述实施例中任何一项实施例的功能，因此程序代码和存储程序代码的存储介质构成了本发明的一部分。
[0176]
用于提供程序代码的存储介质实施例包括软盘、硬盘、磁光盘、光盘(如cd-rom、cd-r、cd-rw、dvd-rom、dvd-ram、dvd-rw、dvd rw)、磁带、非易失性存储卡和rom。可选择地，可以由通信网络从服务器计算机上下载程序代码。
[0177]
此外，应该清楚的是，不仅可以通过执行计算机所读出的程序代码，而且可以通过基于程序代码的指令使计算机上的操作系统等来完成部分或者全部的实际操作，从而实现上述实施例中任意一项实施例的功能。
[0178]
此外，可以理解的是，将由存储介质读出的程序代码写到插入计算机内的扩展板中所设置的存储器中或者写到与计算机相连接的扩展模块中设置的存储器中，随后基于程序代码的指令使安装在扩展板或者扩展模块上的cpu等来执行部分和全部实际操作，从而实现上述实施例中任一实施例的功能。
[0179]
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
…”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同因素。
[0180]
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储在计算机可读取的存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质中。
[0181]
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。