一种引线框架的制作方法

1.本实用新型属于半导体封装技术领域，具体而言，涉及一种引线框架。


背景技术：

2.引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
3.引线框架在生产过程中，需先冲压生成引线框料带，然后再分切成等距的料段，最后再堆叠包装提供给集成电路生产厂家，集成电路生产厂家在使用时进行分切封装。现有的引线框架均包括散热区、载片区和引脚区，如图1所示，载片区与散热区具有小弯折区，载片区与引脚区之间具有大弯折区，从引线框架的侧面看，载片区与小弯折区、大弯折区共同形成一个漏斗结构，此种结构会导致料段在层叠包装过程中上一料段中的载片区与小弯折区衔接处的r角与下一料段中小弯折区与散热区衔接处的r角相互干涉，进一步导致料段在层叠包装时上一料段容易卡在下一料段上，如图2所示，使集成电路生产厂家在生产过程中拿取料段时会同时带出2～3片料段，使料段进入到上芯轨道后容易出现卡机，不仅使后期产品质量受到影响，且使料段的报废率大大提高，使产品生产效率大大降低，增加了产品生产成本。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种引线框架，使生产出的料段在层叠包装过程中不会相互卡紧，使后期集成电路生产厂家能逐一拿取料段，从而保证料段可依次进入上芯轨道，避免上芯轨道出现卡机，使产品生产效率大大提高，降低了产品生产成本，大大降低了料带的报废率，使后期产品的质量得到保证。
5.为实现本实用新型目的，采用的技术方案为：一种引线框架，包括散热区、小弯折区、载片区、大弯折区和引脚区，所述小弯折区的内侧具有凸起部，且小弯折区与载片区的衔接部外侧呈斜面。
6.进一步的，所述凸起部位于小弯折区内侧的中部。
7.进一步的，所述凸起部成圆弧状。
8.进一步的，所述斜面的倾斜度大于45
°
。
9.进一步的，所述斜面的倾斜度为55
°
。
10.进一步的，所述凸起部和斜面均为光滑面。
11.进一步的，所述凸起部与斜面均通过冲压模具冲压成型。
12.本实用新型的有益效果是,
13.本实用新型中将现有引线框架中载片区与小弯折区连接处的r角设置成斜面，并在小弯折区的内侧设置凸起部，使料段在层叠包装过程中，下一引线框架上的凸起部会抵
设在上一引线框架上的斜面上，从而有效避免上一引线框架与下一引线框架之间卡紧，使后期集成电路生产厂家能逐一拿取料段，从而保证料段可依次进入上芯轨道，避免上芯轨道出现卡机，使产品生产效率大大提高，降低了产品生产成本，大大降低了料带的报废率，使后期产品的质量得到保证。
附图说明
14.附图示出了本实用新型的示例性实施方式，并与其说明一起用于解释本实用新型的原理，其中包括了这些附图以提供对本实用新型的进一步理解，并且附图包括在本说明书中并构成本说明书的一部分。
15.图1是现有引线框架侧面视图；
16.图2是现有引线框架层叠示意图；
17.图3是本实用新型提供的引线框架的侧面示意图；
18.图4是图3中a部分的局部放大图；
19.图5是本实用新型提供的引线框架的层叠示意图；
20.图6是图5中b部分的局部放大图；
21.附图中标记及相应的零部件名称：
22.1、散热区，2、小弯折区，3、载片区，4、大弯折区，5、引脚区，6、斜面，7、凸起部。
具体实施方式
23.下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于解释相关内容，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分。
24.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施方式来详细说明本实用新型。
25.如图1至图6所示，本实用新型提供的一种引线框架，包括散热区1、小弯折区2、载片区3、大弯折区4和引脚区5，小弯折区2与散热区1的衔接处、载片区3与大弯折区4的衔接处、大弯折区4与引脚区5的衔接处均为r角；所述小弯折区2的内侧具有凸起部7，且小弯折区2与载片区3的衔接部外侧呈斜面6，该斜面6为直面。
26.本实用新型中的凸起部7为向上凸起的凸棱，该凸棱的长度方向与引线框架的宽度方向一致，从引线框架的侧面看，小弯折区2上具有一段波峰结构；当然，本实用新型中的凸起部7可以为均匀间隔排布的凸点共同构成，在采用此种结构时，需计算料段在层叠时上一料段与下一料段的干涉点，并使凸起部7在设置时位于引线框架的干涉点处，保证料带在层叠时上一引线框架上的斜面6与下一引线框架上凸起部7对应，此时，上一料段与下一料段也不会出现卡紧的情况。在保证上一料段与下一料段不会卡紧的情况下，凸起部7还可采用其他凸起结构进行替代。
27.在本实用新型中，小弯折区2的内侧是以半导体集成块安装在载片区3为基础，即载片区3安装半导体集成块的一侧为内侧，载片区3未安装半导体集成块的一侧为外侧，而小弯折区2的内侧与载片区3的内侧为同一侧，小弯折区2的外侧与载片区3的外侧为同一侧。
28.本实用新型中通过将现有引线框架中载片区3与小弯折区2连接处的r角设置成斜面6，并在小弯折区2的内侧设置凸起部7，使料段在层叠包装过程中，下一引线框架上的凸起部7会抵设在上一引线框架上的斜面6上，从而有效避免上一引线框架与下一引线框架之间卡紧，使后期集成电路生产厂家能逐一拿取料段，从而保证料段可依次进入上芯轨道，避免上芯轨道出现卡机，使产品生产效率大大提高，降低了产品生产成本，大大降低了料带的报废率，使后期产品的质量得到保证。
29.在一些实施方式中，所述凸起部7位于小弯折区2内侧的中部，此处，小弯折区2内侧的中部并非为小弯折区2内侧的正中，而是指凸起部7位于小弯折区2内侧的中部区域，在实际设置过程中，凸起部7的位置和斜面6的位置可参照凸起部7的投影与斜面6的投影重叠来确定，确保料段在重叠过程中上一引线框架上的斜面6抵设在下一引线框架上的凸起部7，使凸起部7与斜面6位置的确定更加方便。
30.在一些实施方式中，所述凸起部7成圆弧状，使料段在层叠时，凸起部7不会对上一料段上的引线框架造成损伤，从而使引线框架的质量得到保证。
31.在一些实施方式中，所述斜面6的倾斜度大于45
°
，在确保斜面6与凸起部7对应的同时，使料段在层叠时，上一引线框架的斜面6并非与下一引线框架的凸起部7定点接触，在防止上一料段与下一料段卡紧的同时，使引线框架的损伤降到最低，使引线框架得到尽可能的保护，确保了引线框架的质量。
32.在一些实施方式中，所述斜面6的倾斜度为55
°
，当料段进行层叠时，凸起部7与散热区1衔接的面与斜面6之间的夹角为13.5
°
，而凸起部7与载片区3衔接的面与斜面6之间的夹角为30
°
，在此种情况下，能最大程度的避免上一料段与下一料段卡紧。此处，通过对凸起部7的位置及高度进行调节，斜面6的倾斜度也会作出适应性调整，斜面6的倾斜度为55
°
只是本实用新型中的其中一个最优选择。
33.在一些实施方式中，所述凸起部7和斜面6均为光滑面，使料段在层叠时，相邻两个端面之间的摩擦更小，从而有效降低相邻两个料段之间的磨损，使引线框的质量得到保证。
34.在一些实施方式中，所述凸起部7与斜面6均通过冲压模具冲压成型，在设计冲压模具时，冲压模具上与凸起部7、斜面6对应的位置通过pg加工接近呈镜面，从而使凸起部7与斜面6的光滑度得到保证。
35.本实用新型中通过将现有引线框架中的小弯折区2形状进行改进，使料段在层叠包装过程中，相邻两个料段之间不会卡紧，使后期集成电路生产厂家加工更加方便。
36.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例/方式”、“一些实施例/方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例/方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例/方式或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例/方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例/方式或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例/方式或示例以及不同实施例/方式或示例的特征进行结合和组合。
37.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三
个等，除非另有明确具体的限定。
38.本领域的技术人员应当理解，上述实施方式仅仅是为了清楚地说明本实用新型，而并非是对本实用新型的范围进行限定。对于所属领域的技术人员而言，在上述公开的基础上还可以做出其它变化或变型，并且这些变化或变型仍处于本实用新型的范围内。