一种芯片管脚性能测试的方法与流程

1.本发明涉及芯片管脚性能测试技术领域，具体为一种芯片管脚性能测试的方法。


背景技术：

2.芯片管脚，又叫芯片引脚，是从芯片内部电路引出与外围电路的接线，所有的管脚就构成了芯片的接口，而随着芯片的复杂度原来越高，芯片内部的模块越来越多，制造工艺也是越来越先进，对应的失效模式越来越多，因此需要完整有效地对整个芯片及其管脚进行测试处理，而目前对芯片管脚的测试方法有很多，如基本功能测试、电气性能测试、安全测试、环境安全可靠性测试、老化寿命测试；但是目前在对芯片管脚进行测试的过程中，由于只具备单一方面的测试功能，从而使得测试数据所反应的性能结果容易存在片面性，导致该性能结果无法满足对芯片管脚质量的全面反应，同时，目前在对芯片管脚的测试一般多为电气性能的测试，但是在电气性能测试之前，由于无法保证芯片管脚的机械性能和导通性能的制造良率，进而使得后续电气性能测试的结果也造成偏差，从而使得无法通过测试来得到芯片管脚性能的准确测试结果。


技术实现要素：

3.本发明提供一种芯片管脚性能测试的方法，可以有效解决上述背景技术中提出但是目前在对芯片管脚进行测试的过程中，由于只具备单一方面的测试功能，从而使得测试数据所反应的性能结果容易存在片面性，导致该性能结果无法满足对芯片管脚质量的全面反应，同时，目前在对芯片管脚的测试一般多为电气性能的测试，但是在电气性能测试之前，由于无法保证芯片管脚的机械性能和导通性能的制造良率，进而使得后续电气性能测试的结果也造成偏差，从而使得无法通过测试来得到芯片管脚性能的准确测试结果的问题。
4.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种芯片管脚性能测试的方法，该测试方法具体包括如下步骤：s1、机械性能测试；s2、管脚导通性测试；s3、加载电压测试；s4、加载电流测试；s5、电平状态测试；s6、性能等级评价。
5.所述s3中，加载电压测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电流测试电压来得到测试电压值，并将所采集到的测试电压值和设定的电压参数进行对比，通过对比来判断该测试电压值是否符合要求，从而判定该芯片管脚是否达到该电压测试性能的要求；
所述s4中，加载电流测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电压测试电流来得到测试电流值，并将所采集到的测试电流值和设定的电流参数进行对比，通过对比来判断该测试电流值是否符合要求，从而判定该芯片管脚是否达到该电流测试性能要求；所述s5中，电平状态测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载特定逻辑电平和波形数据，在设定的时钟周期内采集该管脚的电平状态，并将所采集到的电平状态与预期的逻辑状态进行对比，通过对比来判断该测试的电平状态是否符合要求，从而来判定该芯片管脚的电平状态测试是否达到性能要求。
6.根据上述技术方案，所述s1中，机械性能测试是指对芯片管脚的各个焊接性能进行测试，主要通过芯片管脚检测设备来对芯片管脚的个数、管脚平整度、管脚间隙和管脚宽度进行测试，在测试管脚平整度时主要测试管脚的水平直线度和共面度，而管脚水平直线度在测试过程中主要通过测量芯片管脚的多个位置的几何尺寸来得出。
7.根据上述技术方案，所述芯片管脚检测设备为机器视觉检测设备，主要基于光电一体化系统来进行测试，在芯片管脚检测设备检测到管脚的机械性能出现质量问题时，通过发出报警信号来进行提示响应。
8.根据上述技术方案，所述s2中，管脚导通性测试是指对每个管脚之间的连通性进行测试，在具体测试过程中主要包括不在路检测和在路检测；所述不在路检测是在芯片管脚未焊入电路时进行的，通过采用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，在将测量的电阻值与完好的芯片管脚的测量值进行比较，从而判断芯片管脚的不在路导通情况。
9.根据上述技术方案，所述在路检测主要是通过万用表检测芯片各管脚在电路中直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法，通过将检测的直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的数据结果与标准的测试结果进行比较，从而判断芯片管脚的在路导通情况，而标准的测试结果是指通过万用表对完好的芯片管脚的测试结果。
10.根据上述技术方案，所述s6中，性能等级评价是指依照对芯片管脚的电压值、电流值和电平状态的测试结果来对该芯片管脚的性能进行等级划分处理，通过对芯片管脚的测试性能进行等级划分处理，及时将芯片管脚的测试结果进行反映，以便及时作出判断，具体是指依据测试结果将芯片管脚分为差品、不良品和优品三种质量标准。
11.根据上述技术方案，所述性能等级评价在具体评价过程中，具体包括如下评价情况：当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为差品。
12.根据上述技术方案，当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；
当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品。
13.根据上述技术方案，当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品。
14.根据上述技术方案，当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求时、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求时，则判断该芯片管脚的质量标准为优品。
15.与现有技术相比，本发明的有益效果：1、在对芯片管脚进行基于加载电压、加载电流和电平状态的电气性能测试之前，通过对芯片管脚进行机械性能和导通性能的测试，使得该芯片管脚在后续的电气性能测试之前能够保证芯片管脚的机械性能和导通性能处于良好的状态，从而使得后续芯片管脚在进行电气性能的测试时不会因芯片管脚的各个焊接性能对测试结果造成影响，同时也使得芯片管脚在后续的电气性能测试时不会因其导通性能的影响，使得性能测试结果造成偏差，以此使芯片管脚在性能测试之前能够基于其简单入门的测试方式进行，能够在测试前期便快速的找出不合标准的芯片，从而使不合标准的芯片能够越早发现，进而越早减少无谓的浪费；2、通过对芯片管脚进行基于加载电压、加载电流和电平状态的电气性能测试的性能测试，使得该芯片管脚在实际测试过程中能够具备多方面的测试项目，使得芯片管脚在其性能测试的过程中不会出现测试结果出现片面性的问题，同时通过对芯片管脚进行不同方面的电气性能的测试，使得该电气性能的测试结果能够对芯片管脚的测试质量进行全面的反应，进而保证测试结果的精准度，从而通过测试来保证芯片管脚的质量，从而提供给客户符合产品规范的、质量合格的芯片产品；3、在对芯片管脚进行电气性能测试后，通过对性能测试的结果进行性能等级评价处理，方便根据测试结果将芯片管脚分为差品、不良品和优品三种质量标准，实现了通过对芯片管脚的测试性能进行等级划分，便于及时将芯片管脚的测试结果进行反映，以便及时对芯片的测试质量结果作出准确的判断，且通过对芯片管脚的测试结果进行等级划分，使得后续在对芯片管脚进行返修时能够及时的对不同质量等级的芯片进行分类返修处理，提高了返修处理的效率，从而使得不同质量等级的芯片均能够得到与其质量相对应的返修处理方式，从而来有效的降低芯片管脚的返修成本，也降低了芯片生产中的不必要损失。
附图说明
16.附图用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明的实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。
17.在附图中：图1是本发明测试方法的步骤流程图；图2是本发明芯片管脚性能等级划分的示意图。
具体实施方式
18.以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
19.实施例1：如图1所示，本发明提供一种技术方案，一种芯片管脚性能测试的方法，测试方法具体包括如下步骤：s1、机械性能测试；s2、管脚导通性测试；s3、加载电压测试；s4、加载电流测试；s5、电平状态测试；s6、性能等级评价。
20.s3中，加载电压测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电流测试电压来得到测试电压值，并将所采集到的测试电压值和设定的电压参数进行对比；s4中，加载电流测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电压测试电流来得到测试电流值，并将所采集到的测试电流值和设定的电流参数进行对比；s5中，电平状态测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载特定逻辑电平和波形数据，在设定的时钟周期内采集该管脚的电平状态，并将所采集到的电平状态与预期的逻辑状态进行对比。
21.基于上述技术方案，s1中，机械性能测试是指对芯片管脚的各个焊接性能进行测试，主要通过芯片管脚检测设备来对芯片管脚的个数、管脚平整度、管脚间隙和管脚宽度进行测试，在测试管脚平整度时主要测试管脚的水平直线度和共面度，而管脚水平直线度在测试过程中主要通过测量芯片管脚的多个位置的几何尺寸来得出。
22.基于上述技术方案，芯片管脚检测设备为机器视觉检测设备，主要基于光电一体化系统来进行测试，在芯片管脚检测设备检测到管脚的机械性能出现质量问题时，通过发出报警信号来进行提示响应。
23.基于上述技术方案，s2中，管脚导通性测试是指对每个管脚之间的连通性进行测试，在具体测试过程中主要包括不在路检测和在路检测；不在路检测是在芯片管脚未焊入电路时进行的，通过采用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，在将测量的电阻值与完好的芯片管脚的测量值进行比较，从而判断芯片管脚的不在路导通情况。
24.基于上述技术方案，在路检测主要是通过万用表检测芯片各管脚在电路中直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法，通过将检测的直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的数据结果与标准的测试结果进行比较，从而判断芯片管脚的在路导通情况，而标准的测试结果是指通过万用表对完好的芯片管脚的测试结果。
25.如图2所示，基于上述技术方案，s6中，性能等级评价是指依照对芯片管脚的电压值、电流值和电平状态的测试结果来对该芯片管脚的性能进行等级划分处理，通过对芯片管脚的测试性能进行等级划分处理，及时将芯片管脚的测试结果进行反映，以便及时作出判断。
26.基于上述技术方案，性能等级评价在具体评价过程中，该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为差品。
27.实施例2：如图1所示，本发明提供一种技术方案，一种芯片管脚性能测试的方法，测试方法具体包括如下步骤：s1、机械性能测试；s2、管脚导通性测试；s3、加载电压测试；s4、加载电流测试；s5、电平状态测试；s6、性能等级评价。
28.s3中，加载电压测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电流测试电压来得到测试电压值，并将所采集到的测试电压值和设定的电压参数进行对比；s4中，加载电流测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电压测试电流来得到测试电流值，并将所采集到的测试电流值和设定的电流参数进行对比；s5中，电平状态测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载特定逻辑电平和波形数据，在设定的时钟周期内采集该管脚的电平状态，并将所采集到的电平状态与预期的逻辑状态进行对比。
29.基于上述技术方案，s1中，机械性能测试是指对芯片管脚的各个焊接性能进行测试，主要通过芯片管脚检测设备来对芯片管脚的个数、管脚平整度、管脚间隙和管脚宽度进行测试，在测试管脚平整度时主要测试管脚的水平直线度和共面度，而管脚水平直线度在测试过程中主要通过测量芯片管脚的多个位置的几何尺寸来得出。
30.基于上述技术方案，芯片管脚检测设备为机器视觉检测设备，主要基于光电一体化系统来进行测试，在芯片管脚检测设备检测到管脚的机械性能出现质量问题时，通过发出报警信号来进行提示响应。
31.基于上述技术方案，s2中，管脚导通性测试是指对每个管脚之间的连通性进行测试，在具体测试过程中主要包括不在路检测和在路检测；不在路检测是在芯片管脚未焊入电路时进行的，通过采用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，在将测量的电阻值与完好的芯片管脚的测量值进行比
较，从而判断芯片管脚的不在路导通情况。
32.基于上述技术方案，在路检测主要是通过万用表检测芯片各管脚在电路中直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法，通过将检测的直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的数据结果与标准的测试结果进行比较，从而判断芯片管脚的在路导通情况，而标准的测试结果是指通过万用表对完好的芯片管脚的测试结果。
33.如图2所示，基于上述技术方案，s6中，性能等级评价是指依照对芯片管脚的电压值、电流值和电平状态的测试结果来对该芯片管脚的性能进行等级划分处理，通过对芯片管脚的测试性能进行等级划分处理，及时将芯片管脚的测试结果进行反映，以便及时作出判断。
34.基于上述技术方案，性能等级评价在具体评价过程中，当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品。
35.当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚无法达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品；当该芯片管脚无法达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为不良品。
36.实施例3：如图1所示，本发明提供一种技术方案，一种芯片管脚性能测试的方法，测试方法具体包括如下步骤：s1、机械性能测试；s2、管脚导通性测试；s3、加载电压测试；s4、加载电流测试；s5、电平状态测试；s6、性能等级评价。
37.s3中，加载电压测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载电流测试电压来得到测试电压值，并将所采集到的测试电压值和设定的电压参数进行对比；s4中，加载电流测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给
芯片管脚加载电压测试电流来得到测试电流值，并将所采集到的测试电流值和设定的电流参数进行对比；s5中，电平状态测试是指在芯片管脚的机械性能和导通性均符合标准后，通过给芯片管脚加载特定逻辑电平和波形数据，在设定的时钟周期内采集该管脚的电平状态，并将所采集到的电平状态与预期的逻辑状态进行对比。
38.基于上述技术方案，s1中，机械性能测试是指对芯片管脚的各个焊接性能进行测试，主要通过芯片管脚检测设备来对芯片管脚的个数、管脚平整度、管脚间隙和管脚宽度进行测试，在测试管脚平整度时主要测试管脚的水平直线度和共面度，而管脚水平直线度在测试过程中主要通过测量芯片管脚的多个位置的几何尺寸来得出。
39.基于上述技术方案，芯片管脚检测设备为机器视觉检测设备，主要基于光电一体化系统来进行测试，在芯片管脚检测设备检测到管脚的机械性能出现质量问题时，通过发出报警信号来进行提示响应。
40.基于上述技术方案，s2中，管脚导通性测试是指对每个管脚之间的连通性进行测试，在具体测试过程中主要包括不在路检测和在路检测；不在路检测是在芯片管脚未焊入电路时进行的，通过采用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值，在将测量的电阻值与完好的芯片管脚的测量值进行比较，从而判断芯片管脚的不在路导通情况。
41.基于上述技术方案，在路检测主要是通过万用表检测芯片各管脚在电路中直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法，通过将检测的直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的数据结果与标准的测试结果进行比较，从而判断芯片管脚的在路导通情况，而标准的测试结果是指通过万用表对完好的芯片管脚的测试结果。
42.如图2所示，基于上述技术方案，s6中，性能等级评价是指依照对芯片管脚的电压值、电流值和电平状态的测试结果来对该芯片管脚的性能进行等级划分处理，通过对芯片管脚的测试性能进行等级划分处理，及时将芯片管脚的测试结果进行反映，以便及时作出判断。
43.基于上述技术方案，性能等级评价在具体评价过程中，当该芯片管脚达到该电压测试性能的要求、该芯片管脚达到该电流测试性能的要求、该芯片管脚达到该电平状态测试性能的要求，则判断该芯片管脚的质量标准为优品。
44.最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。