太阳能电池的制备方法及太阳能电池与流程

技术特征：
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：在硅基底的背场区域印刷背场浆料，烘干形成背电场；在硅基底的背面制备背面钝化层；在所述背面钝化层上印刷背极浆料，并经烧结形成穿过所述背面钝化层并与背电场相接触的背电极。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅基底采用p型硅片；所述背面钝化层的制备包括在所述硅基底的背面依次沉积al2o3膜或sin
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膜。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述al2o3膜采用ald方法或pecvd方法沉积得到，且厚度设置为3～20nm；所述sin
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膜采用pecvd方法沉积得到，其厚度设置为80～100nm。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述背电场包括沿第一方向延伸且沿垂直于第一方向的第二方向间隔排布的背面副栅、沿所述第二方向延伸并连接相邻所述背面副栅的背面主栅；所述背电极至少部分层叠设置在所述背面主栅上。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括对硅基底依次进行表面处理、制结与清洗。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：所述“表面处理”是指采用koh或naoh或tmah的水溶液对硅基底进行制绒，得到既定的金字塔状绒面结构；所述“制结”是指采用既定的掺杂源在所述硅基底正面扩散得到相应的扩散层，所述扩散层与硅基底的掺杂类型相反；所述“清洗”包括去除所述硅基底正面的玻璃层及对所述硅基底进行边缘刻蚀与背面抛光。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述制备方法还包括在硅基底正面制备减反射层；再于所述减反射层表面印刷正面电极浆料，并经前述烧结步骤得到相应的正面电极。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述背场浆料采用铝浆；所述背极浆料采用银浆。9.一种太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池采用如权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。

技术总结
本申请提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，所述制备方法包括在硅基底的背场区域印刷背场浆料，并烘干形成背电场；再于所述硅基底的背面制备背面钝化层；然后，在所述背面钝化层上印刷背极浆料，并经烧结得到穿过背面钝化层并与背电场相接触的背电极。本申请太阳能电池的制备方法通过调整背面钝化层与背电场的制备过程，无需对背面钝化层进行开窗处理，简化工艺，产线调整与升级更为方便，降低设备投入与生产成本。低设备投入与生产成本。低设备投入与生产成本。


技术研发人员：曹芳 周思洁 叶晓亚 邹帅 王栩生
受保护的技术使用者：阿特斯阳光电力集团股份有限公司
技术研发日：2020.11.24
技术公布日：2022/5/31