发光二极管封装件和包括其的电子装置的制作方法

发光二极管封装件和包括其的电子装置
1.相关申请的交叉引用
2.于2020年11月26日在韩国知识产权局提交的标题为“led封装件和包括其的电子装置”的韩国专利申请no.10-2020-0161244以引用方式全文并入本文中。
技术领域
3.实施例涉及一种发光二极管(led)封装件以及一种包括其的电子装置。


背景技术：

4.发光二极管(led)可具有各种优点，例如，低功耗、高亮度、长寿命等。例如，包括led芯片的led封装件可以实施为电子装置(例如，移动电话)的闪存模块。


技术实现要素：

5.根据实施例的一方面，一种led封装件包括：衬底，其具有成对的第一布线电极和成对的第二布线电极；led芯片，其设置在衬底上，并且电连接至成对的第一布线电极；设置在led芯片上的波长转换膜；设置在波长转换膜上的电致变色膜，其电连接至成对的第二布线电极，并且被配置为在施加电压之前具有第一颜色并且在施加电压之后转换为透明的；设置在电致变色膜的上表面或下表面上的光学透镜；以及侧结构，其包括覆盖led芯片和波长转换膜中的每一个的侧表面的至少一部分的反射层以及设置在反射层上并且具有第二颜色的颜色层。
6.根据实施例的另一方面，一种led封装件包括：衬底；设置在衬底上的led芯片；设置在led芯片上的波长转换膜；电致变色膜，其设置在波长转换膜上，并且被配置为在施加电压之前不透明并且在施加电压之后转换为透明的；以及反射层，其覆盖led芯片的侧表面和波长转换膜的侧表面。
7.根据实施例的又一方面，一种电子装置包括：机盖，其具有第一颜色；透明盖，其具有光学窗口；以及led封装件，其设置在机盖中，以通过光学窗口发射光，其中，led封装件包括：衬底；设置在衬底上的led芯片；电致变色膜，其设置在led芯片上，并且被配置为在施加电压之前不透明并且具有第二颜色，并且在施加电压之后转换为透明的；反射层，其覆盖led芯片的侧表面；以及颜色层，其设置在反射层上并且具有第三颜色。
附图说明
8.通过参照附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得显而易见，其中：
9.图1a是根据实施例的led封装件的剖视图。
10.图1b是图1a的led封装件的平面图。
11.图1c和图1d是图1a的led封装件中的各种led芯片的剖视图。
12.图1e是图1a的光学透镜的放大剖视图。
13.图2是根据实施例的led封装件的剖视图。
14.图3是根据实施例的led封装件的剖视图。
15.图4是根据实施例的led封装件的剖视图。
16.图5a是根据实施例的led封装件的剖视图。
17.图5b是图5a的光学透镜的放大剖视图。
18.图6a是根据实施例的led封装件的剖视图。
19.图6b是图6a的led封装件中的光学传感器的剖视图。
20.图6c是图6b所示的光学传感器的平面图。
21.图7a和图7b是根据实施例的led封装件的剖视图。
22.图8是根据各个实施例的包括led封装件的电子装置的透视图。
23.图9a和图9b分别是根据实施例的电子装置的部件和led封装件的组合状态的剖视图。
24.图10a至图10c是制造图1a的led封装件的方法中的各阶段的剖视图。
具体实施方式
25.图1a是示出根据实施例的led封装件100a的剖视图，并且图1b是图1a的led封装件100a的平面图。图1b示出了图1a的led封装件100a的上表面。
26.参照图1a和图1b，led封装件100a可包括衬底110、led芯片120、波长转换膜130、光学透镜140、电致变色膜150和侧结构160。在实施例中，led封装件100a可以被配置为发射白光，并且可被采用作为电子装置的闪存模块，但不限于此。
27.衬底110可具有其上至少设置了一对第一布线电极111和一对第二布线电极112的上表面，并且可包括连接至其中的一对第一布线电极111和一对第二布线电极112的电路。例如，衬底110可包括设置在其上表面上的一对第一布线电极111和一对第二布线电极112、设置在其下表面上的第一外部布线电极115和第二外部布线电极114、以及将彼此对应的第一布线电极111、第二布线电极112、第一外部布线电极115和第二外部布线电极114连接的布线穿通件113。例如，第一布线电极111可以通过布线穿通件113电连接至第一外部布线电极115，第二布线电极112可以通过布线穿通件113电连接至第二外部布线电极114。在附图中，仅示出了连接第一布线电极111、第二布线电极112、第一外部布线电极115和第二外部布线电极114的布线穿通件113，但是衬底110中的电路不限于附图中示出的结构，而是可由多个布线层和穿通件层形成，或者可形成为具有引线端子形式。
28.在示例中，led封装件100a可以安装在另一衬底(例如，主板)上，以通过第一外部布线电极115和第二外部布线电极114从外部接收驱动信号等。led封装件100a可以例如通过倒装芯片方法安装在另一衬底上，但不限于此。一对第一布线电极111和一对第二布线电极112可分别连接至led芯片120和电致变色膜150，并且一对第一布线电极111和一对第二布线电极112可在衬底110中彼此电绝缘。因此，在被安装在电子装置上的状态下，led芯片120和电致变色膜150可与其它应用互锁，并且独立操作。例如，衬底110可为印刷电路板(pcb)、金属芯pcb(mcpcb)、金属pcb(mpcb)或者柔性pcb(fpcb)。衬底110在水平方向(x轴方向)上的长度l1可以比led芯片120、波长转换膜130、光学透镜140和电致变色膜150中的每一个在水平方向(x轴方向)上的长度(l2、l3、l4或l5)更长。
29.led芯片120可设置在衬底110上，并且其侧表面可由侧结构160包围。led芯片120可以电连接至一对第一布线电极111。在实施例中，led芯片120可以通过倒装芯片方法安装在衬底110上。因此，led芯片120可包括通过连接构件(例如，焊料、凸块等)电连接至一对第一布线电极111的一对电极。在另一示例中，led芯片120可以通过引线键合方法安装在衬底110上。在这种情况下，led芯片120的键合线可被反射层161覆盖。
30.下文中，将参照图1c和图1d描述根据实施例的led芯片120。图1c和图1d是示出在图1a的led封装件100a中可采用的各种led芯片120a和120b的剖视图。
31.参照图1c，led芯片120a可包括芯片衬底121和半导体堆叠体s。半导体堆叠体s可包括按次序设置在芯片衬底121上的第一导电类型半导体层124、有源层125和第二导电类型半导体层126。可以在芯片衬底121与第一导电类型半导体层124之间设置缓冲层122。另外，还可分别在第一导电类型半导体层124和第二导电类型半导体层126上设置第一电极129a和第二电极129b。
32.芯片衬底121可为绝缘衬底，例如，蓝宝石。然而，实施例不限于此，除绝缘衬底外，芯片衬底121还可为导体衬底或半导体衬底。例如，除蓝宝石外，芯片衬底121还可为sic、si、mgal2o4、mgo、lialo2、ligao2或gan。可在芯片衬底121的上表面上形成不规则部分c。不规则部分c可以提高生长的单晶的质量，同时提高光提取效率。
33.缓冲层122可为in
x
alyga
1-x-y
n(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)。例如，缓冲层122可为gan、aln、algan或ingan。可通过组合多个层或者逐渐改变一些成分来使用缓冲层122。
34.第一导电类型半导体层124可为满足n型in
x
alyga
1-x-y
n(其中，0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x y＜1)的氮化物半导体，并且n型杂质可为si。例如，第一导电类型半导体层124可包括n型gan。第二导电类型半导体层126可为满足p型in
x
alyga
1-x-y
n(其中，0≤x＜1，0≤y＜1，0≤x y＜1)的氮化物半导体层，p型杂质可为mg。例如，第二导电类型半导体层126可实施为单层结构，但是可具有包括不同成分的多层结构。
35.有源层125可具有其中量子阱层与量子势垒层彼此交替地堆叠的多量子阱(mqw)结构。例如，量子阱层和量子势垒层可为具有不同成分的in
x
alyga
1-x-y
n(其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x y≤1)。在示例中，量子阱层可为in
x
ga
1-x
n(其中，0＜x≤1)，量子势垒层可为gan或algan。量子阱层的厚度和量子势垒层的厚度可分别在1nm至50nm的范围内。有源层125不限于多量子阱结构，而是可为单量子阱结构。
36.第一电极129a和第二电极129b可分别设置在第一导电类型半导体层124和第二导电类型半导体层126的台面蚀刻区上，以定位在例如芯片衬底121的同一表面上。第一电极129a和第二电极129b可以分别电连接至一对第一布线电极111。第一电极129a不限于此，而是可包括例如ag、ni、al、cr、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au等，并且可用作单层或两层或者更多层的结构。第二电极129b可为透明电极(例如，透明导电氧化物或者透明导电氮化物)，或者可包括石墨烯。第二电极129b可包括例如al、au、cr、ni、ti和sn中的至少一种。
37.参照图1d，与图1c的实施例相似，led芯片120b可包括芯片衬底121和设置在芯片衬底121上的半导体堆叠体s。半导体堆叠体s可包括缓冲层122、第一导电类型半导体层124、有源层125和第二导电类型半导体层126。此外，led芯片120b可包括分别连接至第一导电类型半导体层124和第二导电类型半导体层126的第一电极结构e1和第二电极结构e2。
38.第一电极结构e1具有：例如导电穿通件的连接电极128a，其穿过第二导电类型半
导体层126和有源层125，并且连接至第一导电类型半导体层124；以及第一电极129a，其连接至连接电极128a。连接电极128a可被绝缘部分127包围，以与有源层125和第二导电类型半导体层126电分离。连接电极128a可设置在蚀刻了半导体堆叠体s的区中。可适当地设计连接电极128a的数量、形状、节距和与第一导电类型半导体层124的接触面积等以降低接触电阻。另外，连接电极128a可布置为在半导体堆叠体s上形成多行多列，以改进电流流动。第二电极结构e2可包括设置在第二导电类型半导体层126上的欧姆接触层128b和第二电极129b。
39.连接电极128a和欧姆接触层128b可以以单层或多层结构包括分别具有用于第一导电类型半导体层124和第二导电类型半导体层126的欧姆特性的导电材料，并且可包括例如ag、al、ni、cr、透明导电氧化物(tco)等。
40.第一电极129a和第二电极129b可分别连接至连接电极128a和欧姆接触层128b，以用作led芯片120b的外部端子。例如，第一电极129a和第二电极129b可为au、ag、al、ti、w、cu、sn、ni、pt、cr、nisn、tiw、ausn或它们的共晶金属。第一电极结构e1和第二电极结构e2可在同一方向上设置。第一电极结构e1和第二电极结构e2可以分别电连接至一对第一布线电极111。
41.再次参照图1a和图1b，波长转换膜130可设置在(例如，直接设置在)led芯片120上，并且波长转换膜130的侧表面可被侧结构160包围。led封装件100a的光发射区可由波长转换膜130提供，并且可由侧结构160限定。波长转换膜130可包括将从led芯片120发射的光的一部分转换为具有与发射的波长不同的第一波长的光的至少一种类型的波长转换材料。波长转换膜130可为其中散布有波长转换材料的树脂层或者陶瓷荧光体膜。例如，波长转换材料可为荧光体和量子点中的至少一种。在实施例中，led芯片120可为发射蓝光的闪速led。例如，led芯片120可以发射主波长范围为440nm至460nm的光。在这种情况下，波长转换膜130中的波长转换材料可包括将蓝光的一部分转换为黄光的荧光体或量子点，或者包括将蓝光的一部分转换为红光和绿光的多个荧光体或多个量子点。
42.光学透镜140可设置在(例如，直接设置在)电致变色膜150的上表面或下表面上，并且可以会聚或扩展(expand)通过波长转换膜130的光，以将光发射至led封装件100a的外部空间。在实施例中，光学透镜140可设置在电致变色膜150的上表面上，并且光学透镜140的侧表面的至少一部分可被侧结构160的颜色层162覆盖。在示例中，光学透镜140的上表面可与颜色层162的上表面或侧结构160的上表面共面。例如，光学透镜140可包括衍射光学元件(doe)透镜、微透镜阵列(mla)透镜、菲涅耳透镜、平面透镜、meta透镜等中的至少一个。光学透镜140可包括例如丙烯酸、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)、聚氯乙烯(pvc)、聚碳酸酯(pc)、环氧树脂、高密度聚乙烯(hdpe)和硅树脂中的至少一种的任何聚合物材料、以及例如熔融石英的玻璃材料，但不限于此。
43.下文中，将参照图1e以及图1a和图1b描述根据实施例的光学透镜140。图1e是图1a的光学透镜140的放大剖视图。图1e的多个凹槽140gr中的内顶点p由图1b中的虚线示出。
44.参照图1a、图1b和图1e，光学透镜140可具有在透光片(例如，塑料片)的一个表面上蚀刻的多个凹槽140gr。光学透镜140可设置为与多个凹槽140gr和波长转换膜130相对，但是可在与多个凹槽140gr和波长转换膜130相反的方向上设置。多个凹槽140gr可视为具有相同的焦距的多个单独的透镜。光学透镜140可以调整从led封装件100a折射的光的光分
布图案。例如，折射光在中心部分中的亮度可减小，并且折射光的发散角可增大(例如，100
°
或更大)，或者折射光在中心部分中的亮度可增大，并且折射光的发散角可减小(例如，50
°
或更小)。
45.在实施例中，光学透镜140可具有面对波长转换膜130和电致变色膜150的第一表面140s1、以及与第一表面140s 1相对并且具有基本平坦的表面的第二表面140s2。第一表面140s1可具有朝着第二表面140s2凹进的多个凹槽140gr。第一表面140s1可为菲涅耳透镜的面对波长转换膜130的表面。菲涅耳透镜可以是由连续的同心凹槽组成的光学透镜，并且可以以广义焦距将平行光线弯曲。菲涅耳透镜可用作会聚透镜、放大镜或投影透镜。
46.光学透镜140可包括部分接触电致变色膜150的上表面或下表面或者波长转换膜130的上表面的粘合部分ap。在示例中，光学透镜140的粘合部分ap可沿着光学透镜140的边缘延伸。与多个凹槽140gr之间的突起相比，粘合部分ap可与第二表面140s2间隔得更远，例如，粘合部分ap可以延伸超出第二表面140s2。因此，可在第一表面140s1与电致变色膜150或波长转换膜130之间形成气隙ag。光学透镜140的第一表面140s1可相对于平行于z轴的中心轴(x轴)旋转对称，并且例如，在粘合部分ap的面对的表面之间测量的气隙ag的直径d1可小于光学透镜140在水平方向(x轴方向)上的长度l4。
47.在实施例中，光学透镜140在水平方向(x轴方向)上的长度l4可比led芯片120在水平方向(x轴方向)上的长度l2更长，并且可分别比波长转换膜130在水平方向(x轴方向)上的长度l3和电致变色膜150在水平方向(x轴方向)上的长度l5中的每一个更短。在示例中，多个凹槽140gr中的每一个的高度h可在约35μm至约65μm的范围内，但是实施例不限于此。在示例中，光学透镜140可具有超薄膜形状，在该超薄膜形状中，多个凹槽140gr中的每一个的高度h为1μm或更小。
48.电致变色膜150可设置在(例如，直接设置在)波长转换膜130上，并且可以电连接至衬底110的一对第二布线电极112。电致变色膜150在施加电压之前可具有预定颜色，并且在施加电压之后转换为透明。另外，电致变色膜150可在施加电压之前为不透明状态。电致变色膜150可包括电致变色材料。电致变色材料可通过由电压导致的氧化还原反应可逆地改变颜色。电致变色材料不仅可以通过电压控制颜色，而且可以通过电压控制透射率，以确保可视化。例如，电致变色材料可包括含有无机金属氧化物(例如，三氧化钨(wo3)、二氧化钛(tio2)或五氧化铌(nb2o5))和有机聚合物材料(例如，聚苯胺、聚噻吩、聚生物素(polybiorgan)或聚吡咯)的还原着色剂材料、以及氧化着色剂材料(例如，氧化铱(iro2))。
49.电致变色膜150可包括能够将电压施加至由电致变色材料制成的颜色改变层的电极。电致变色膜150的电极可考虑到电致变色膜150的面积和电致变色材料的反应时间而进行不同地设计。电致变色膜150的电极可以通过连接构件w(例如，键合线、柔性电极等)电连接至衬底110的一对第二布线电极112。电致变色膜150可以独立于led芯片120操作。电致变色膜150可以在led芯片120的操作就绪状态下保持不透明状态(其中未施加电压的状态)，并且可在led芯片120的操作状态(光发射)下切换为透明状态(其中施加电压的状态)。例如，led芯片120的操作就绪状态可为这样的状态：其中，执行能够操作led芯片120的应用(例如，相机应用、闪光灯应用等)，并且没有发出led芯片120的操作命令。因此，例如，当在不透明状态下时，电致变色膜150可以防止波长转换膜130的颜色(例如，黄色)暴露于led封装件100a的外部。另外，由于电致变色膜150在施加电压之前具有预定颜色，因此，电致变色
膜150的颜色和侧结构160的颜色层162的颜色可组合，以不同地设计led封装件100a的外观。
50.例如，在施加电压之前，电致变色膜150可具有小于约50％的透光率(例如，对可见光的透射率)，并且可为不透明，或者可为黑色或者具有预定颜色。另外，在施加电压之前，电致变色膜150的颜色可以与颜色层162的颜色基本上相同。在这种情况下，相同的颜色可能不表示物理上和光学上完全相同的颜色，而是可指在外观设计方面对相同颜色识别的程度。电致变色膜150可在施加电压之后具有约80％或更高的透光率。因此，电致变色膜150可在施加电压之后提供从led芯片120产生的光的发射路径。
51.在实施例中，电致变色膜150的宽度l5可大于光学透镜140的宽度l4，电致变色膜150的边缘区可以在竖直方向上与颜色层162部分地重叠(ol1)。因此，电致变色膜150可以防止波长转换膜130通过光学透镜140暴露。电致变色膜150的宽度l5可以与波长转换膜130的宽度l3基本上相同，例如，电致变色膜150和波长转换膜130可以在俯视图中彼此完全重叠。
52.侧结构160可包括覆盖led芯片120的侧表面的至少一部分的反射层161以及设置在波长转换膜130上并且具有预定颜色的颜色层162。反射层161可包围led芯片120和波长转换膜130中的每一个的侧表面，并且可以限定光发射区。反射层161可包括含反射粉末的树脂体。例如，树脂体可包括硅树脂或者环氧树脂。反射粉末可为白色陶瓷粉末或者金属粉末。例如，陶瓷粉末可为tio2、al2o3、nb2o5和zno中的至少一种。例如，金属粉末可为al或ag。相对于衬底110，反射层161可形成为高于波长转换膜130的上表面的高度(例如，反射层161的顶表面可高于转换膜130的顶表面)，以提高将光会聚到光学透镜140上的效率。
53.例如，颜色层162可包括在环氧树脂中表示预定颜色的调色剂、着色剂、颜料等。颜色层162可设置在反射层161上，以防止波长转换膜130等暴露于led封装件100a的外部，例如，防止从led封装件100a的外观暴露出来。颜色层162的上表面可与光学透镜140的上表面共面，例如，颜色层162可以直接接触和完全包围光学透镜140的周边。颜色层162的厚度可调整为表示外观所需的颜色和密度。颜色层162的颜色可设计为匹配施加电压之前的电致变色膜150的颜色以及其中采用了led封装件100a的电子装置的外部的颜色。例如，颜色层162的颜色可以与施加电压之前的电致变色膜150的颜色以及其中采用了led封装件100a的电子装置的外部的颜色基本上相同。颜色层162的颜色、电致变色膜150的颜色以及电子装置的外部的颜色不限于相同的颜色，而是可根据设计具有不同的颜色。
54.图2是示出根据实施例的led封装件100b的剖视图。在图2中，与图1a中的部件具有相同的附图标记的部件可具有与上述那些相同或相似的特征，并且因此可以省略它们的重复描述。
55.参照图2，在led封装件100b中，光学透镜140的长度或者宽度l4可以与波长转换膜130在水平方向(x轴方向)上的宽度l3和电致变色膜150在水平方向(x轴方向)上的宽度l5中的至少一个基本上相同。在实施例中，光学透镜140可接触电致变色膜150的上表面，光学透镜140的宽度l4可以与波长转换膜130的宽度l3和电致变色膜150的宽度l5基本上相同。可以不形成电致变色膜150与颜色层162的重叠区(图1a中的“ol1”)。光学透镜140可形成为完全覆盖由波长转换膜130限定的光发射区。另外，由于光学透镜140与电致变色膜150之间的气隙的直径与光学透镜140的宽度l4一起增大，因此光学透镜140的凹槽140gr的数量可
增加。
56.图3是示出根据实施例的led封装件100c的剖视图。在图3中，与图1a中的部件具有相同的附图标记的部件可具有与上述那些相同或相似的特征，并且因此可以省略它们的重复描述。
57.参照图3，在led封装件100c中，波长转换膜130、光学透镜140和电致变色膜150中的至少一个的长度或宽度可小于led芯片120在水平方向(x轴方向)上的宽度l2。在实施例中，波长转换膜130的宽度l3、光学透镜140的宽度l4和电致变色膜150的宽度l5可分别小于led芯片120的宽度l2。侧结构160的反射层161可以覆盖波长转换膜130的侧表面、光学透镜140的侧表面、电致变色膜150的侧表面、以及led芯片120的上表面的至少一部分。因此，折射光的中心部分中的折射光的亮度和led封装件100c的折射光的到达距离可增大。另外，光学透镜140可根据其中采用了led封装件100c的电子装置的外部的设计被小型化。在附图中，波长转换膜130的宽度l3、光学透镜140的宽度l4和电致变色膜150的宽度l5示为具有相同的值，但是不限于此，并且可具有不同的值。
58.图4是示出根据实施例的led封装件100d的剖视图。在图4中，与图1a中的部件具有相同的附图标记的部件可具有与上述那些相同或相似的特征，并且因此可以省略它们的重复描述。
59.参照图4，在led封装件100d中，电致变色膜150可设置在光学透镜140上，并且从led封装件100d的最上侧暴露出来。在实施例中，光学透镜140可设置在电致变色膜150的下表面上，并且颜色层162可以覆盖电致变色膜150的侧表面的至少一部分。电致变色膜150的上表面可与颜色层162的上表面共面。在示例中，电致变色膜150可具有与光学透镜140的宽度l4基本上相同的宽度l5，以覆盖光学透镜140，但不限于此。由于电致变色膜150可与颜色层162位于同一高度水平，因此即使当电致变色膜150的宽度l5小于光学透镜140的宽度l4时，光学透镜140或者波长转换膜130也不会从led封装件100d的外观暴露出来。光学透镜140可设置为将菲涅耳表面面朝波长转换膜130，但也可设置为将菲涅耳表面面朝电致变色膜150。
60.图5a是示出根据实施例的led封装件100e的剖视图，图5b是图5a的光学透镜140的放大剖视图。在图5a和图5b中，与图1a和图1e中的部件具有相同的附图标记的部件可具有与上述那些相同或相似的特征，并且因此可以省略它们的重复描述。
61.参照图5a和图5b，led封装件100e可包括光学透镜140，其具有从第一表面140s1穿至第二表面140s2并且与气隙ag连通的通气孔140v。在实施例中，通气孔140v可形成在光学透镜140的中心部分中。因此，可以防止光学透镜140和电致变色膜150在制造led封装件100e的工艺中彼此分离。在示例中，通气孔140v的平面形状可为圆形，但不限于此。例如，通气孔140v的平面形状可为方形。在示例中，通气孔140v可具有其中直径d2随着其接近第二表面140s2而减小的形状，但不限于此。在示例中，通气孔140v在与第二表面140s2位于同一表面上的直径d2可在约50μm至约100μm的范围内。直径为约100μm或更小的颗粒即使在通过通气孔140v被引入气隙ag中时也基本上不会使led封装件100e的发光特性劣化。
62.图6a是示出根据实施例的led封装件100f的剖视图，图6b是图6a的led封装件中的修改后的光学传感器的剖视图，图6c是图6b中的光学传感器的平面图。图6b是沿着图6c的线i-i’截取的剖视图。在图6a至图6c中，与图1a中的部件具有相同的附图标记的部件可具
有与上述那些相同或相似的特征，并且因此可以省略它们的重复描述。
63.参照图6a，led封装件100f还可包括光学传感器170，其包括设置在衬底110上并且具有光接收区rl的传感器芯片171以及透明保护层172。光学传感器170可以电连接至衬底110的电路。传感器芯片171可包括电连接至衬底110的端子的多个端子。例如，光学传感器170可以通过倒装芯片方法安装在衬底110上，以电连接至第三布线电极116。在示例中，第三布线电极116可以通过布线穿通件113电连接至第三外部布线电极118。led封装件100f可以安装在外部衬底上，并且可以通过第三外部布线电极118向外发送光学传感器170的信号。可替换地，根据光学传感器170的各种形式，光学传感器170可以通过引线键合方法安装在衬底110上。光接收区rl可设置在传感器芯片171的上表面的一侧上。光接收区rl可包括光电二极管阵列。透明保护层172可包括绝缘材料，例如，环氧树脂。
64.在实施例中，光学传感器170具有用于接收环境光的光接收区rl，并且光接收区rl可例如沿着x轴与led芯片120相邻设置。作为示例，当电子装置的相机操作时，从led芯片120发射的光可用作暗环境中的照明，并且相机图像可利用光学传感器170的环境光信息进行校正。光学传感器170可通过反射层161与led芯片120等间隔开。在实施例中，光学传感器170的侧表面可被反射层161覆盖。反射层161可以防止从led芯片120发射的光行进至光学传感器170。光学传感器170的上表面可被颜色层162暴露。在示例中，光学传感器170的上表面可与颜色层162的上表面共面。
65.参照图6b和图6c，在示例中，光学传感器170’可包括引线框173、设置在引线框173上的光学传感器芯片171和设置在引线框173上并且封装光学传感器芯片171的透明保护层172。光学传感器芯片171可包括多个端子171p，多个端子171p中的每一个可通过连接构件w连接至引线框173。另外，在光学传感器芯片171的上表面上，可设置与其一个边缘相邻的光接收区rl和可作为除光接收区rl以外的区的外围电路区pc。光接收区rl可包括多个光电二极管单元，并且可以感测各种波段的光。例如，光接收区rl可包括用于检测可见波段的光的第一区、用于检测闪烁的第二区和用于检测红外光线的第三区。外围电路区pc可包括例如晶体管的电路装置。在示例中，引线框173可以按照直接接触方式或者通过例如焊料球的连接构件电连接至图6a所示的第三布线电极116。
66.图7a和图7b是分别示出根据实施例的led封装件100ga和100gb的剖视图。在图7a和图7b中，与图1a和图6a中的部件具有相同的附图标记的部件可具有与上述那些相同或相似的特征，并且因此可以省略它们的重复描述。参照图7a和图7b，尽管仅示出了单个布线电极112，但是电致变色膜150和额外的第二布线电极可彼此连接。
67.参照图7a和图7b，在led封装件100ga和100gb中，光学传感器170的光接收区rl可被电致变色膜150覆盖，并且光学传感器170的未被电致变色膜150覆盖的其余部分可被颜色层162覆盖。在示例中，光学传感器170的光接收区rl可以在竖直方向(z轴方向)上与电致变色膜150的至少一部分重叠。因此，当未施加电压时，光学传感器170的光接收区rl不会从led封装件100ga和100gb中的每一个的外观暴露出来。
68.在实施例中，光学透镜140可设置在电致变色膜150的上表面上，并且光学透镜140和电致变色膜150可以覆盖波长转换膜130的至少一部分和光接收区rl的至少一部分。光学透镜140和电致变色膜150可分别具有能够覆盖波长转换膜130和光接收区rl二者的宽度l4和l5。因此，在施加电压之前，波长转换膜130和光接收区rl在外观上可以不暴露，led封装
件100ga的外观可由电致变色膜150的颜色和颜色层162的颜色来表示。
69.在实施例中，光学透镜140可设置在电致变色膜150的下表面上，并且电致变色膜150可以覆盖波长转换膜130的至少一部分和光接收区rl的至少一部分。电致变色膜150可具有能够覆盖波长转换膜130和光接收区rl二者的宽度l5。因此，在施加电压之前，波长转换膜130和光接收区rl在外观上可以不暴露，并且led封装件100gb的外观可由电致变色膜150的颜色和颜色层162的颜色表示。
70.图8是示出其中可采用根据各个实施例的led封装件的电子装置10的透视图，图9a和图9b分别是示出根据实施例的电子装置10的透明盖12与led封装件100a和100b的组合状态的剖视图。
71.首先，参照图8，电子装置10可为蜂窝电话，例如，智能电话。然而，这是示出性的，并且电子装置10可为包括用于光学装置(例如，照明、光学传感器、相机等)的光学窗口的任何电子装置(诸如笔记本电脑、台式机、监视器、平板电脑、数码相机等)。电子装置10可包括机盖(set cover)11以及设置在机盖11的一侧上并且包括多个光学窗口w1、w2、w3、w4和w5的透明盖12。在示例中，光学窗口w1、w2、w3、w4和w5可以提供用于安装在电子装置10中的相机模块、闪光模块等的光学路径。例如，光学窗口w1可以提供用于超广角相机的光学路径，光学窗口w2可以提供用于广角相机的光学路径，光学窗口w3可以提供用于长焦相机的光学路径。光学窗口w4可以提供用于led封装件的光学路径。光学窗口w5可以提供用于环境光学传感器(例如，ir传感器等)的光学路径。
72.一起参照图9a和图8，根据实施例的led封装件100a可设置在机盖11中，以通过光学窗口w4发光。根据实施例，led封装件100a可具有各种形状。例如，led封装件100a可具有图1a、图2、图3、图4和图5a所示的实施例的形式。led封装件100a可设置在形成在透明盖12上的光学窗口w4下方。透明盖12可为例如玻璃的透明衬底，但不限于此。可提供设置在透明盖12的一个表面(例如，下表面)上的挡光层bl。挡光层bl可以阻挡光透射至除光学窗口w4以外的其余部分。另外，挡光层bl可具有预定颜色。在示例中，挡光层bl的颜色可以与机盖11的颜色基本上相同，但不限于此，而是可根据设计具有各种颜色。光学窗口w4的直径d3可小于led封装件100a或衬底110的宽度l1。因此，挡光层bl可以与led封装件100a部分地重叠。在示例中，led封装件100a的颜色层162可具有在竖直方向(z轴方向)上与挡光层bl部分地重叠的区ol2。因此，在向led封装件100a的电致变色膜150施加电压之前，电子装置10的外部可由机盖11的颜色、挡光层bl的颜色、颜色层162的颜色和电致变色膜150的颜色来表示。在示例中，在施加电压之前，机盖11的颜色、挡光层bl的颜色、颜色层162的颜色和电致变色膜150的颜色可为基本上相同的颜色。
73.一起参照图9b和图8，根据实施例的led封装件100b还可包括通过光学窗口w4接收环境光的光学传感器170。根据实施例，led封装件100b可具有各种形状。例如，led封装件100b可具有图6a、图7a和图7b所示的实施例的形式。光学传感器170的光接收区rl可设置在光学窗口w4中。光学传感器170可以通过提供闪光模块的光学路径的光学窗口w4接收环境光。在这种情况下，可以省略图8的光学窗口w5。
74.图10a至图10c是制造图1a的led封装件100a的方法中的各阶段的剖视图。
75.参照图10a，可以在衬底110上安装多个led芯片120，可以分别将波长转换膜130、电致变色膜150和光学透镜140附接到多个led芯片120。可以通过倒装芯片方法在衬底110
上安装多个led芯片120。可将波长转换膜130、电致变色膜150和光学透镜140附接以形成集成状态，并且可替换地，可将它们顺序地附接。可通过例如环氧树脂等的粘合构件将led芯片120、波长转换膜130、电致变色膜150和光学透镜140彼此附接。
76.参照图10b，可将电致变色膜150连接至衬底110的布线电极，并且可形成覆盖衬底110的上表面、led芯片120的中的每一个的侧表面、波长转换膜130的中的每一个的侧表面、电致变色膜150的中的每一个的侧表面和光学透镜140的中的每一个的侧表面的侧结构160。可以通过连接构件w(例如，布线或者柔性电极)将电致变色膜150电连接至衬底110的电路。在侧结构160中，可顺序地形成反射层161和颜色层162。可通过涂敷和固化前述树脂材料来形成反射层161和颜色层162。在示例中，颜色层162的上表面可与光学透镜140的上表面共面。
77.参照图10c，可通过切割彼此相邻的led芯片120之间的衬底110和侧结构160来形成多个led封装件100。可使用刀片b切割衬底110和侧结构160。然而，实施例不限于此，可通过激光切割衬底110和侧结构160。
78.作为总结和回顾，由于led封装件可暴露于电子装置的外部，因此已经考虑了与电子装置的外部匹配的led封装件。因此，实施例的一个方面提供了具有预定颜色外观的led封装件以及包括其的电子装置。
79.根据实施例，可引入电致变色膜和侧颜色层以提供具有预定颜色外观的led封装件和包括其的电子装置。也就是说，根据实施例，led封装件中的电致变色膜可以配置为在施加电压之前具有预定颜色，并且在施加电压之后转换为透明的。因此，当相机模块或闪光模块处于待机状态时，电子装置的外部可以统一为具有与led封装件中电致变色膜的预定颜色相同的颜色。
80.本文已经公开了示例实施例，尽管采用了特定术语，但仅以一般性和描述性的含义而非出于限制的目的使用和解释它们。在一些情况下，对于提交本技术为止的本领域普通技术人员而言将显而易见的是，除非另有明确指示，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离如所附权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种改变。