显示面板及其制作方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)显示面板作为新型自发光显示面板，其超清薄、柔软、超强可设计性，同时采用有机半导体发光，材料可选择范围较宽，容易实现可见光范围内全色彩显示。尤其是顶发射出光oled显示面板，具有大的开口率等优点被越来越广泛的使用在各个领域。
3.具体地，oled显示面板包括设置于薄膜晶体管器件层上的有平坦层，设置于平坦层上的阳极层、设置于阳极层上的像素定义层以及设置于像素定义层上的发光层；其中，阳极层包括多个阳极，而像素定义层包括与多个阳极一一对应的多个像素开口，发光层包括对应各像素开口设置于对应阳极上的发光像素。随着oled显示面板对尺寸和分辨率要求的提高，薄膜晶体管器件层中的晶体管器件、金属走线等的膜层厚度也越来越大，使得阻抗变小，以减小信号传输延迟。
4.但是，由于晶体管器件、金属走线等的厚度变大，导致平坦层对应晶体管器件、金属走线等的位置可能出现凹凸不平的膜层形貌，导致设置于平坦层上的阳极表面也无法做到平坦，而设置于阳极表面的发光像素对于平坦度的要求极高，而目前的阳极表面难以满足平坦度的要求。


技术实现要素：

5.本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够提高第一电极靠近发光像素一侧的平坦度，提高发光像素的良率。
6.本发明实施例提供一种显示面板，其包括：
7.基板；
8.薄膜晶体管层，设置于所述基板的一侧，并包括器件层；
9.第一电极层，设置于所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧，并包括多个第一电极；
10.像素定义层，设置于所述第一电极层远离所述薄膜晶体管层的一侧，并包括多个像素开口，且一所述像素开口对应一所述第一电极设置；
11.发光层，包括设置于各所述像素开口内并位于对应的所述第一电极上的发光像素；
12.其中，所述器件层包括与所述像素开口至少部分重叠设置的第一子部，且至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃，所述第一电极包括靠近所述像素定义层一侧且对应所述像素开口设置的第一表面，且所述第一表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。
13.在本发明的一种实施例中，所述第一表面包括至少一第一凸起，且所述第一凸起与所述第一子部至少部分重叠设置。
14.在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述器件层与所述第一电极层之间的平坦层，且所述平坦层包括靠近所述第一电极层一侧且与所述第一表面对应设置的第二表面，所述第二表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。
15.在本发明的一种实施例中，所述第二表面包括至少一第二凸起，且所述第二凸起在所述基板上正投影位于所述第一凸起在所述基板上的正投影的覆盖范围以内。
16.在本发明的一种实施例中，所述第一凸起的高度以及所述第二凸起的高度皆小于或等于4000埃。
17.在本发明的一种实施例中，所述薄膜晶体管层包括设置于所述基板一侧的多个薄膜晶体管，且所述第一子部包括所述薄膜晶体管的源极、漏极以及连接于所述薄膜晶体管的信号走线。
18.在本发明的一种实施例中，至少所述第一子部的厚度小于或等于8000埃。
19.根据本发明的上述目的，提供一种显示面板的制作方法，其包括以下步骤：
20.提供基板；
21.在所述基板的一侧形成薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括器件层，且所述器件层包括第一子部，至少所述第一子部的厚度大于或等于6000埃；
22.在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成第一电极层，且所述第一电极层包括多个第一电极，所述第一电极远离所述薄膜晶体管层的一侧包括第一表面，且所述第一表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃；
23.在所述第一电极层远离所述薄膜晶体管层的一侧形成像素定义层，所述像素定义层包括多个像素开口，所述像素开口与所述第一子部至少部分重叠设置，且一所述像素开口对应一所述第一电极的所述第一表面设置；
24.在所述像素定义层远离所述第一电极层的一侧形成发光层，所述发光层包括对应各所述像素开口设置于对应的所述第一电极上的多个发光像素。
25.在本发明的一种实施例中，所述薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管，且所述在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成第一电极层包括以下步骤：
26.在所述薄膜晶体管层远离所述基板的一侧形成平坦层，所述平坦层包括远离所述薄膜晶体管层一侧并对应所述像素开口设置的第二表面；
27.采用半透掩膜板在所述平坦层中形成多个开孔，并去除位于所述第二表面上的部分所述平坦层，以使得所述第二表面内任意两处的高度差值小于或等于4000埃；
28.在所述平坦层远离所述薄膜晶体管层的一侧形成所述第一电极层，各所述第一电极通过所述开孔与所述薄膜晶体管搭接。
29.根据本发明的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板，或采用所述显示面板的制作方法制得的显示面板。
30.本发明的有益效果：本发明提供的显示面板中，第一电极靠近发光像素的一侧具有第一表面，且第一表面内最高点和最低点之间的高度差值小于或等于0.4微米，进而极大程度地保证了第一电极的第一表面的平坦度，使得发光像素可以形成于平坦度较高的第一表面上，有效提高了发光像素的良率，提高了显示面板的良率和显示效果。
附图说明
31.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
32.图1为本发明实施例提供的显示面板的一种结构示意图；
33.图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图；
34.图3为本发明实施例提供的一种半透掩膜板蚀刻工艺示意图；
35.图4为本发明实施例提供的显示面板的一种制作流程结构示意图；
36.图5为本发明实施例提供的显示面板的另一种制作流程结构示意图。
具体实施方式
37.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
38.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
39.本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1，该显示面板包括基板10、薄膜晶体管层20、第一电极层30、像素定义层40以及发光层50。
40.其中，薄膜晶体管层20设置于基板10的一侧，并包括器件层21；第一电极层30设置于薄膜晶体管层20远离基板10的一侧，并包括多个第一电极31；像素定义层40设置于第一电极层30远离薄膜晶体管层20的一侧，并包括多个像素开口401，且一像素开口401对应一第一电极31设置；发光层50包括设置于各像素开口401内并位于对应的第一电极31上的发光像素51。
41.进一步地，器件层21包括与像素开口401至少部分重叠设置的第一子部211，且至少第一子部211的厚度大于或等于6000埃，第一电极包括靠近像素定义层40一侧且对应像素开口401设置的第一表面301，且第一表面301内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。
42.在实施应用过程中，由于相关技术中，将阵列基板中的器件层的膜厚增大，以降低阵列基板中元器件以及走线的阻抗，提高信号传输速率，但是由于器件层的厚度增大，将导致制备于器件层上的膜层形成凹凸不平的膜层形貌，例如阳极，而阳极上表面需要制备发光像素，发光像素的制备对于阳极上表面的平坦度要求较高，而相关技术中增大了器件层的膜层，使得阳极平坦度降低，进而降低了发光像素的制备良率，影响显示面板的显示效果。而本发明实施例中，将对应像素开口401的第一电极31的第一表面301进行平坦度优化，使得第一表面301内任意两处的高度差值小于或等于4000埃，以提高第一表面301的平坦度，进而当发光像素51形成于第一表面301上时，可以提高发光像素51的良率，提高显示面板的显示效果。
43.具体地，请继续参照图1，本发明实施例提供的显示面板包括基板10、薄膜晶体管层20、平坦层60、第一电极层30、像素定义层40以及发光层50；其中，薄膜晶体管层20设置于基板10上，平坦层60设置于薄膜晶体管层20上、第一电极层30设置于平坦层60上、以及像素定义层40和发光层50设置于平坦层60和第一电极层30上。
44.进一步地，基板10可包括玻璃基板，或有机树脂基板，例如聚酰亚胺等。
45.薄膜晶体管层20设置于基板10上，具体地，薄膜晶体管层20包括设置于基板10上的遮光层22、设置于基板10上并覆盖遮光层22的第一绝缘层23、设置于第一绝缘层23上的有源层24、设置于第一绝缘层23上并覆盖至少覆盖部分有源层24的栅极绝缘层25、设置于栅极绝缘层25上的栅极26、设置于第一绝缘层23上并覆盖有源层24以及栅极26的第二绝缘层27、以及设置于第二绝缘层27上的器件层21；其中，器件层21包括源极、漏极、以及连接源极或漏极的信号走线，且源极和漏极穿过第二绝缘层27与有缘层24的两侧搭接。
46.需要说明的是，薄膜晶体管层20包括设置于基板10上的多个薄膜晶体管，且各薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极26以及有源层24，每一遮光层22对应设置于一薄膜晶体管的下方，且每一薄膜晶体管的有源层24在基板10上的正投影可位于对应的遮光层22在基板10上的正投影的覆盖范围以内。
47.平坦层60设置于薄膜晶体管层20上，且平坦层60设置于第二绝缘层27上并覆盖器件层21。
48.第一电极层30设置于平坦层60上，且第一电极层30包括多个第一电极31，且每一第一电极31至少对应一薄膜晶体管设置，每一第一电极31穿过平坦层60与对应的薄膜晶体管的源极或漏极搭接。
49.可以理解的是，第一电极31可为阳极。
50.像素定义层40设置于平坦层60上，且像素定义层40包括多个像素开口401，每一像素开口401对应一第一电极31设置，以暴露对应的第一电极31的部分上表面，在本发明实施例中，由各像素开口401暴露的第一电极31的上表面为各第一电极31的第一表面301。
51.发光层50设置于第一电极层30上，且发光层50包括多个发光像素51，每一发光像素51对应一像素开口401设置，并设置于该像素开口401对应暴露的第一电极31的第一表面301上。
52.本发明实施例提供的显示面板还包括设置于发光层50和像素定义层40上的阴极层以及覆盖阴极层的封装层，且阴极层和封装层皆可参照常规工艺实现，在此不再赘述。
53.在本发明实施例中，器件层21包括第一子部211，其中，第一子部211与像素开口401至少部分重叠设置，进一步地，至少第一子部211的厚度大于或等于6000埃，并可小于或等于8000埃。
54.需要说明的是，第一子部211包括薄膜晶体管的源极、漏极以及连接源极或漏极的信号走线，其中，平坦层60包括远离器件层21一侧的第二表面601，且第二表面601对应像素开口401设置。承上，由于第一子部211的厚度较大，且与像素开口401至少部分重叠设置，进而位于第一子部211上方的平坦层60相对于其他位置凸起，以在第二表面601内形成第二凸起611，且第二凸起611对应像素开口401设置。
55.进一步地，每一第一电极31对应像素开口401设置，且每一第一电极31包括靠近像素定义层40一侧且对应像素开口401设置的第一表面301，由于第一电极31设置于平坦层60
上，且第一表面301与第二表面601对应设置，由于第二表面601内形成有第二凸起611，以使得对应第二凸起611上方的第一电极31也现对于其他位置凸起，即在第一表面301内形成第一凸起311。
56.其中，第一凸起311与第二凸起611对应设置，具体地，第二凸起611在基板10上的正投影位于第一凸起311在基板10上的正投影的覆盖范围以内，且第一凸起311与第一子部211至少部分重叠设置，第二凸起611与第一子部211至少部分重叠设置。
57.在本发明实施例中，第一表面301内任意两处的高度差值小于或等于4000埃，以使得第一表面301具有较好的平坦度，以提高发光像素51的制程良率，提高显示面板的发光效果，相对应的，则第一凸起311的高度小于或等于4000埃。
58.可选的，第二表面601内任意两处的高度差值小于或等于4000埃，相对应的，则第二凸起611的高度小于或等于4000埃。
59.承上，在本发明实施例中，将对应像素开口401的第一电极31的第一表面301进行平坦度优化，使得第一表面301内任意两处的高度差值小于或等于4000埃，以提高第一表面301的平坦度，进而当发光像素51形成于第一表面301上时，可以提高发光像素51的良率，提高显示面板的显示效果。
60.另外，本发明实施例还提供一种上述实施例中所述的显示面板的制作方法，请参照图1、图2、图3、图4以及图5，具体包括以下步骤：
61.s10、提供基板10。
62.基板10可包括玻璃基板，或有机树脂基板，例如聚酰亚胺等。
63.s20、在基板10的一侧形成薄膜晶体管层20，薄膜晶体管层20包括器件层21，且器件层21包括第一子部211，至少第一子部211的厚度大于或等于6000埃。
64.具体地，薄膜晶体管层20包括设置于基板10上的遮光层22、设置于基板10上并覆盖遮光层22的第一绝缘层23、设置于第一绝缘层23上的有源层24、设置于第一绝缘层23上并覆盖至少覆盖部分有源层24的栅极绝缘层25、设置于栅极绝缘层25上的栅极26、设置于第一绝缘层23上并覆盖有源层24以及栅极26的第二绝缘层27、以及设置于第二绝缘层27上的器件层21；其中，器件层21包括源极、漏极、以及连接源极或漏极的信号走线，且源极和漏极穿过第二绝缘层27与有缘层24的两侧搭接。
65.需要说明的是，薄膜晶体管层20包括设置于基板10上的多个薄膜晶体管，且各薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极26以及有源层24，每一遮光层22对应设置于一薄膜晶体管的下方，且每一薄膜晶体管的有源层24在基板10上的正投影可位于对应的遮光层22在基板10上的正投影的覆盖范围以内。
66.在本发明实施例中，薄膜晶体管层20包括器件层21，具体地，器件层21包括第一子部211，其中，第一子部211包括薄膜晶体管的源极、漏极以及连接源极或漏极的信号走线。
67.可选的，至少第一子部211的厚度大于或等于6000埃，且可小于或等于8000埃，或者器件层21整层的厚度皆大于或等于6000埃，且可小于或等于8000埃，进而可以通过增加器件层21的膜层厚度，以降低源极、漏极以及信号走线的阻抗，以提高器件层21的信号传输速率。
68.s30、在薄膜晶体管层20远离基板10的一侧形成第一电极层30，且第一电极层30包括多个第一电极31，第一电极31远离薄膜晶体管层20的一侧包括第一表面301，且第一表面
301内任意两处的高度差值小于或等于4000埃。
69.在薄膜晶体管层20远离基板10的一侧形成平坦层60，且平坦层60覆盖器件层21。
70.其中，平坦层60包括第二表面601，且第二表面601位于平坦层60远离薄膜晶体管层20的一侧，第二表面601与第一子部211至少部分重叠设置，进而平坦层60在与第一子部211重叠的部分将会凸起，与其他部分形成段差。
71.本发明实施例中需要采用半透掩膜板平坦层60进行图案化处理，其中，请参照图3，包括基底1、设置于基板1上的金属层2、设置于基板1上并覆盖金属层2的介质层3，且由于金属层2具有一定的厚度，使得介质层3在对应金属层2的位置形成有凸部4，半透掩膜板5包括透光区域6，且透光区域6的透光率为5％，进而在光罩过程中，介质层3受到的光照量较少，不足以完全去除凸部4，可对凸部4的高度进行减小。
72.而对于本发明实施例中，请参照图1、图4以及图5，采用半透掩膜板70对平坦层60进行光罩制程，其中，掩膜板70包括第一区域701和第二区域702，其中，第二区域702可为全透光，即透光率为100％，而第一区域701的透光率为5％至6％之间，且第一区域701对应第二表面601内形成凸起的位置，第二区域702对应薄膜晶体管的源极或漏极，进而当光罩制程之后，可以将第二表面601内形成凸起的位置进行减薄，以降低凸起的高度，以使得第二表面601内任意两处的高度差值小于或等于4000埃，使其形成第二凸起611，且第二凸起611的高度小于或等于4000埃，或者将第二表面601内的凸起完全去除，以使得第二表面601为平面。此外，还可以在平坦层60对应源极或漏极的位置形成开孔612，以露出源极或漏极的上表面。
73.在平坦层60远离薄膜晶体管层20的一侧形成第一电极层30，第一电极层30包括多个第一电极31，且每一第一电极31至少对应一薄膜晶体管设置，每一第一电极31穿过开孔612与对应的薄膜晶体管的源极或漏极搭接。
74.可以理解的是，第一电极31可为阳极。
75.进一步地，各第一电极31第一表面301，且第一表面301位于第一电极31远离平坦层60的一侧，且第一表面301对应第二表面601设置，并与第一子部211至少部分重叠设置。
76.在本发明实施例中，由于对第二表面601进行减薄，进而与第二表面601对应设置的第一表面301内的段差也会变小，即第一表面301内任意两处的高度差值小于或等于4000埃，第一表面301内形成有与第二凸起611对应设置的第一凸起311，且第一凸起311的高度小于或等于4000埃，或者第一表面301为平面。
77.s40、在第一电极层30远离薄膜晶体管层20的一侧形成像素定义层40，像素定义层40包括多个像素开口401，像素开口401与所述第一子部211至少部分重叠设置，且一像素开口401对应一第一电极31的第一表面301设置。
78.像素定义层40包括多个像素开口401，每一像素开口401对应一第一电极31设置，以暴露对应的第一电极31的第一表面301，即像素开口401也与第一子部211至少部分重叠设置。
79.s50、在像素定义层40远离第一电极层30的一侧形成发光层50，发光层50包括对应各像素开口401设置于对应的第一电极31上的多个发光像素51。
80.发光层50包括多个发光像素51，每一发光像素51对应一像素开口401设置，并设置于该像素开口401对应暴露的第一电极31的第一表面301上。
81.进一步地，后续可按照常规工艺在发光层50远离基板10的一侧依次形成阴极层和封装层，以形成显示面板。
82.承上，本发明实施例通过采用半透掩膜板对平坦层60进行图案化处理，以至少提高平坦层60的第二表面601的平坦度，对应的，设置于平坦层60上的第一电极31的第一表面301的平坦度也可以提高，进而可以提高设置于第一表面301上的发光像素51的良率，提高显示面板的发光效果。
83.另外，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中所述的显示面板，或采用上述实施例所述的显示面板的制作方法制得的显示面板。
84.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
85.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。