驱动基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种驱动基板及显示面板。


背景技术：

2.目前，驱动基板中任意一绝缘层中的叠层结构的附着力较差，并且，栅极和源漏金属层的主要材料是铜，而铜离子很容易发生扩散作用，从而使得绝缘层与有源层界面缺陷态高，容易捕获电子，从而有源层的沟道的载流子浓度会受到影响。另外，金属氧化物有源层的材料是一种对水汽敏感的材料，外界水汽很容易渗入，发生反应，影响背沟道载流子的浓度，从而使有源层的特性变差。
3.故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种驱动基板及显示面板，用于解决现有的具有多层层叠结构的绝缘层的叠层结构间的附着力差的技术问题。
5.本技术实施例提供一种驱动基板，所述驱动基板包括：
6.衬底；
7.第一栅极，所述第一栅极设置在所述衬底上；
8.有源层，所述有源层设置在所述衬底上；
9.第一栅绝缘层，所述第一栅绝缘层设置在所述有源层和所述第一栅极之间，所述第一栅绝缘层包括依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层间的附着力和/或所述第二阻挡层和所述第三阻挡层间的附着力大于所述第一阻挡层和所述第三阻挡层之间的附着力；
10.钝化层，所述钝化层设置在所述衬底上；
11.源极，所述源极设置在所述钝化层上，并与所述有源层电性连接；
12.漏极，所述漏极设置在所述钝化层上，并通过所述有源层电性连接。
13.可选的，在本技术的一些实施例中，所述衬底包括第一部分和位于所述第一部分的两侧的第二部分，所述有源层包括沟道区与位于所述沟道区两侧的掺杂区，所述沟道区对应所述第一部分；其中
14.所述第一阻挡层、所述第二阻挡层和所述第三阻挡层对应于所述第一部分设置，所述第一阻挡层和所述第三阻挡层中的至少一者对应于所述第二部分设置。
15.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第二阻挡层包括第一阻挡部、多个第一支撑部和第二阻挡部；其中
16.所述第一阻挡部设置所述第一阻挡层靠近所述衬底的一面，多个所述第一支撑部间隔设置在所述第一阻挡部上，所述第二阻挡部设置在所述第一支撑部靠近所述第三阻挡层的一面。
17.可选的，在本技术的一些实施例中，所述驱动基板还包括有机填充层，所述有机填
充层填充于多个所述第一支撑部形成的间隙内。
18.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一阻挡层和所述第三阻挡层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者，所述第二阻挡层的材料包括含铝氧化物、含铬氧化物、含银氧化物和含钛氧化物中的至少一者。
19.可选的，在本技术的一些实施例中，所述钝化层包括依次层叠设置的第一隔绝层、吸附层和第二隔绝层。
20.可选的，在本技术的一些实施例中，所述吸附层包括第一吸附部、多个吸附柱和第二吸附部；其中
21.所述第一吸附部设置所述第一隔绝层靠近所述衬底的一面，多个所述吸附柱间隔设置在所述第一吸附部上，所述第二吸附部设置在所述吸附柱靠近所述第二隔绝层的一面。
22.可选的，在本技术的一些实施例中，所述第一隔绝层和所述第二隔绝层的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者，所述吸附层的材料包括纳米聚合物材料。
23.可选的，在本技术的一些实施例中，所述驱动基板还包括：
24.第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层设置在所述有源层远离所述第一栅绝缘层的一面，与所述第一部分对应的所述第二栅绝缘层包括依次层叠设置在第四阻挡层、第五阻挡层和第六阻挡层；其中
25.所述第五阻挡层包括第三阻挡部、多个第二支撑部和第四阻挡部，所述第三阻挡部设置所述有源层靠近所述衬底的一面，多个所述第二支撑部间隔设置在所述第三阻挡部上，所述第四阻挡部设置在所述第二支撑部靠近所述第六阻挡层的一面；
26.第二栅极，所述第二栅极设置在所述第二栅绝缘层远离所述有源层的一面；
27.连接电极，用于连接所述第一栅极和所述第二栅极。
28.相应的，本技术还提供一种显示面板，包括上述的驱动基板，所述驱动基板用于驱动显示面板发光。
29.本技术实施例提供一种驱动基板，驱动基板包括衬底、第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、钝化层、源极和漏极。其中，第一栅极设置在衬底上。有源层设置在衬底上。第一栅绝缘层设置在有源层和第一栅极之间。第一栅绝缘层包括依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，第一阻挡层和第二阻挡层间的附着力和/或第二阻挡层和第三阻挡层间的附着力大于第一阻挡层和第三阻挡层之间的附着力。钝化层设置在衬底上。源极和漏极设置在钝化层上，并分别与有源层电性连接。在本技术实施例提供的驱动基板中，由于第一阻挡层和第二阻挡层间的附着力和/或第二阻挡层和第三阻挡层间的附着力大于第一阻挡层和第三阻挡层之间的附着力改善了具有多层层叠的第一栅绝缘层中叠层结构之间的附着力。并且，由于第一栅绝缘层为三层的叠层结构，延长了第一栅极中的金属原子扩散至有源层的路径，防止有源层和第一栅绝缘层的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层的沟道的载流子浓度。
附图说明
30.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于
本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
31.图1为本技术实施例提供的驱动基板的第一种结构示意图；
32.图2为图1中的部分结构放大图；
33.图3为本技术实施例提供的吸附层的一种结构示意图；
34.图4为本技术实施例提供的驱动基板的第二种结构示意图；
35.图5为本技术实施例提供的驱动基板的第三种结构示意图；
36.图6为本技术实施例提供的驱动基板的第四种结构示意图；
37.图7为图6中的部分结构放大图。
具体实施方式
38.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本技术具体实施例，其不应被视为限制本技术未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。
39.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
40.本技术实施例提供一种驱动基板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
41.本技术实施例提供一种驱动基板，驱动基板包括衬底、第一栅极、第一栅绝缘层、有源层、钝化层、源极和漏极。其中，第一栅极设置在衬底上。有源层设置在衬底上。第一栅绝缘层设置有源层和第一栅极之间。第一栅绝缘层包括依次层叠设置的第一阻挡层、第二阻挡层和第三阻挡层，其中，第一阻挡层和第二阻挡层间的附着力和/或第二阻挡层和第三阻挡层间的附着力大于第一阻挡层和第三阻挡层之间的附着力。钝化层设置在衬底上。源极和漏极设置在钝化层上，并分别与有源层电性连接。在本技术实施例提供的驱动基板中，由于第一阻挡层和第二阻挡层间的附着力和/或第二阻挡层和第三阻挡层间的附着力大于第一阻挡层和第三阻挡层之间的附着力改善了具有多层层叠的第一栅绝缘层中叠层结构的附着力。并且，由于第一栅绝缘层为三层的叠层结构，延长了第一栅极中的金属原子扩散至有源层的路径，防止有源层和第一栅绝缘层的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层的沟道的载流子浓度。
42.下面通过具体实施例对本技术提供的驱动基板进行详细的阐述。
43.请参考图1，图1为本技术实施例提供的驱动基板的第一种结构示意图。本技术实施例提供的驱动基板100包括衬底101、第一栅极104a、有源层102、第一栅极104a、第一栅绝
缘层103、钝化层105、源极106和漏极107。具体的，第一栅极104a设置在衬底101上。第一栅绝缘层103设置在第一栅极104a远离衬底101的一面。第一栅绝缘层103包括依次层叠设置的第一阻挡层103a、第二阻挡层103b和第三阻挡层103c。其中，第一阻挡层103a和第二阻挡层103b间的附着力和/或第二阻挡层103b和第三阻挡层103c间的附着力大于第一阻挡层103a和第三阻挡层103c之间的附着力。有源层102设置在第一栅绝缘层103远离第一栅极104a的一面。钝化层105设置在第一栅绝缘层103远离衬底101的一面。且钝化层105覆盖第一栅绝缘层和有源层102。源极106和漏极107设置在钝化层105上，并分别与有源层102电性连接。在本技术实施例提供的驱动基板100中，由于第一阻挡层103a和第二阻挡层103b间的附着力和/或第二阻挡层103b和第三阻挡层103c间的附着力大于第一阻挡层103a和第三阻挡层103c之间的附着力，改善了具有多层层叠的第一栅绝缘层103中叠层结构的附着力。并且，由于第一栅绝缘层103为三层的叠层结构，延长了第一栅极104a中的金属原子扩散至有源层102的路径，防止有源层102和第一栅绝缘层103的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。
44.可选的，衬底101包括第一部分101a和位于第一部分101a的两侧的第二部分101b。有源层102包括沟道区102a与位于沟道区102a两侧的掺杂区102b。沟道区102a对应第一部分101a。且，第一阻挡层103a、第二阻挡层103b和第三阻挡层103c对应于第一部分101a设置。第一阻挡层103a和第三阻挡层103c中的至少一者对应于第二部分101b。在本技术实施例中，由于与沟道区102a对应的第一栅绝缘层103为三层的叠层结构，延长了第一栅极104a中的金属原子扩散至有源层102的路径，防止有源层102和第一栅绝缘层103的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。另外，由于与第二部分101b对应的第一栅绝缘层103不设置第二阻挡层103b，避免了第二阻挡层103b和掺杂区102b、源极106、漏极107之间产生寄生电容。
45.在一些实施例中，衬底101可以是玻璃衬底或者柔性衬底。衬底101上还可以包括依次层叠设置的第一柔性衬底层、二氧化硅层、第二柔性衬底层、缓冲层。其中，第二柔性衬底层和第一柔性衬底的材料相同，其可以包括pi(聚酰亚胺)、pet(聚二甲酸乙二醇酯)、pen(聚萘二甲酸乙二醇脂)、pc(聚碳酸酯)、pes(聚醚砜)、par(含有聚芳酯的芳族氟甲苯)或pco(多环烯烃)中的至少一种。缓冲层由含硅的氮化物、含硅的氧化物或含硅的氮氧化物中的一种或两种及以上的堆栈结构组成。
46.在一些实施例中，第一栅极104a的材料可以选用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。有源层102的材料可以是低温多晶硅，例如为n型掺杂的低温多晶硅或者金属氧化物半导体材料，例如铟镓锌氧化物(igzo)、铟镓锌锡氧化物(igzto)、铟锌氧化物(izo)、镓铟氧化物(igo)、铟镓锡氧化物(igto)、铟锌锡氧化物(izto)、铟锡氧化物(ito)等。源极106和漏极107可以选用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。
47.请结合图1和图2，图2为图1中的部分结构放大图。第二阻挡层103b包括第一阻挡部103b1、多个第一支撑部103b2和第二阻挡部103b3。第一阻挡部103b1设置第一阻挡层103a靠近衬底101的一面。多个第一支撑部103b2间隔设置在第一阻挡部103b1上。第二阻挡部103b3设置在第一支撑部103b2靠近第三阻挡层103c的一面。在本技术实施例中，由于第一支撑部103b2阵列排布于第一阻挡部103b1和第二阻挡部103b3之间，该设置方法可以避
免寄生电容的产生。另外，由于相邻两个第一支撑部103b2之间的空隙形成一密闭空间，因此，当第一栅极104a中的金属原子扩散至第二阻挡层103b时，可以将金属原子封闭于密闭空间内，从而避免金属原子扩散至第一栅极104a上的有源层102的沟道区102a内，防止有源层102和第一栅绝缘层103的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。
48.需要说明的是，在本技术实施例中，可以将第二阻挡层103b的结构视为由多个回字型构成。
49.在一些实施例中，第一阻挡层103a和第三阻挡层103c的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者。第二阻挡层103b的材料包括含铝氧化物、含铬氧化物、含银氧化物和含钛氧化物中的至少一者。其中，第二阻挡层103b的材料可以是三氧化二铝(al2o3)、氧化银(ag2o)二氧化钛(tio2)和三氧化二铬(cr2o3)中的一者或其任意组合。例如，在一实施方式中，第一阻挡层103a的材料为氮化硅，第二阻挡层103b的材料为三氧化二铝，第三阻挡层103c的材料为氧化硅。在本技术实施例中，采用致密的金属氧化物薄膜作为第二阻挡层103b的材料，从而避免金属原子扩散至第一栅极104a上的有源层102的沟道区102a内，进一步防止有源层102和第一栅绝缘层103的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。
50.在一些实施例中，钝化层105包括依次层叠设置的第一隔绝层105a、吸附层105b和第二隔绝层105c。在本技术实施例中，钝化层105包括三层叠层的结构，延长了水氧入侵的路径，从而阻止了水氧由远离衬底101的一面入侵有源层102的沟道区102a。另外，吸附层105b具有吸附水氧的作用，进一步隔绝了水氧对沟道区102a造成损伤。
51.请参考图3，图3为本技术实施例提供的吸附层的一种结构示意图。在一些实施例中，吸附层105b包括第一吸附部105b1、多个吸附柱102b2和第二吸附部102b3。第一吸附部105b1设置第一隔绝层105a靠近衬底101的一面。多个吸附柱105b2间隔设置在第一吸附部105b1上。第二吸附部105b3设置在吸附柱105b2靠近第二隔绝层105c的一面。在本技术实施例中，由于吸附柱105b2阵列排布于第一吸附部105b1和第二吸附部105b3之间，由于相邻两个吸附柱105b2之间的空隙形成一密闭空间，因此，水汽扩散至吸附层105b时，可以将水汽封闭于密闭空间内，从而避免水汽扩散至有源层102的沟道区102a内，隔绝了水氧对沟道区102a造成损伤。
52.需要说明的是，在本技术实施例中，可以将吸附层105b的结构视为由多个回字型构成。在本技术实施例中，由于吸附层105b和第二阻挡层103b具有相同的结构，因此，无需增加额外的光罩，节约驱动基板100的制作成本。
53.在一些实施例中，第一隔绝层105a和第二隔绝层105c的材料包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一者，吸附层105b的材料包括纳米聚合物材料。吸附层105b的材料可以是包括聚丙烯酸或者聚丙烯酸盐的纳米高吸水树脂。在本技术实施例中，由于吸附层105b的材料为高吸水性的纳米聚合物材料，因此，可以阻止水汽入侵沟道区102a，避免水氧对沟道区102a造成损害。
54.在一些实施例中，驱动基板100还包括平坦化层108和第一电极109。其中，平坦化层108设置在钝化层105上，并覆盖源极106和漏极107。第一电极109通过一过孔与漏极107电性连接。
55.请参考图4，图4为本技术实施例提供的驱动基板的第二种结构示意图。本技术实施例提供的驱动基板100与图1中的驱动基板100的区别在于，驱动基板100还包括有机填充层110。有机填充层110填充于多个第一支撑部103b2形成的间隙内。有机填充层110的材料可以是包括聚丙烯酸或者聚丙烯酸盐的纳米高吸水树脂。在本技术实施例中，通过在第一支撑部103b2形成的间隙内，高吸水性的纳米聚合物材料，因此，可以阻止水汽入侵沟道区102a，避免水氧对沟道区102a造成损害。
56.请参考图5，图5为本技术实施例提供的驱动基板的第三种结构示意图。本技术实施例提供的驱动基板100与图1中的驱动基板100的区别在于，有源层102设置在衬底101上。第一栅绝缘层103设置在有源层102远离衬底101的一面，且覆盖有源层102和衬底101。第一栅极104a设置在第一栅绝缘层103远离有源层102的一面。在本技术实施例中，由于与沟道区102a对应的第一栅绝缘层103为三层的叠层结构，延长了第一栅极104a中的金属原子扩散至有源层102的路径，防止有源层102和第一栅绝缘层103的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。
57.请结合图6和图7，图6为本技术实施例提供的驱动基板的第四种结构示意图。图7为图6中的部分结构放大图。本技术实施例提供的驱动基板100与图1中的驱动基板100的区别在于，驱动基板100还包括第二栅绝缘层111、第二栅极104b和连接电极(图中未示出)。第二栅绝缘层111设置在有源层102远离第一栅绝缘层103的一面。与第一部分101a对应的第二栅绝缘层111包括依次层叠设置的第四阻挡层111a、第五阻挡层111b和第六阻挡层111c。其中，第五阻挡层111b包括第三阻挡部111b1、多个第二支撑部111b2和第四阻挡部111b3。第三阻挡部111b1设置有源层102靠近衬底101的一面。多个第二支撑部111b2间隔设置在第三阻挡部111b1上。第四阻挡部111b3设置在第二支撑部111b2靠近第六阻挡层111c的一面。第二栅极104b设置在第二栅绝缘层111远离有源层102的一面。连接电极用于连接第一栅极104a和所述第二栅极104b。在本技术实施例中，通过在有源层102和第二栅极104b之间设置第二栅绝缘层111，由于第二栅绝缘层111为三层的叠层结构，延长了第二栅极104b中的金属原子扩散至有源层102的路径，防止有源层102和第二栅绝缘层111的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。另外，由于相邻两个第二支撑部111b2之间的空隙形成一密闭空间，因此，当第二栅极104b中的金属原子扩散至第五阻挡层111b时，可以将金属原子封闭于密闭空间内，从而避免金属原子扩散至第二栅极104b上的有源层102的沟道区102a内，防止有源层102和第二栅绝缘层111的界面造成缺陷，导致其界面容易捕获电子，从而影响有源层102的沟道的载流子浓度。再者，由于第二支撑部111b2阵列排布于第三阻挡部111b1和第四阻挡部111b3之间，该设置方法可以避免寄生电容的产生。
58.第二栅极104b的材料可以选用cr、w、ti、ta、mo、al、cu等金属或合金，由多层金属组成的栅金属层也能满足需要。
59.综上所述，虽然本技术已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本技术，本领域的普通技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本技术的保护范围以权利要求界定的范围为准。