一种具有高电流密度的N面GaN基P沟道器件及其制备方法

一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件及其制备方法
技术领域
1.本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件及其制备方法。


背景技术：

2.gan禁带宽、电子迁移率高、高温稳定性好等优异的材料特性使其成为下一代高效功率器件和电力电子器件的不二选择。目前，gan基hemt器件在功率开关、微波功率放大器等领域需求逐渐增加。然而，驱动gan基器件的si基cmos器件由于其材料特性与gan不同，使得其与gan之间存在很大的寄生效应，严重影响了器件应用特性。目前，有关于gan基增强型n沟器件与耗尽型n沟器件耦合的反向器，由于存在严重的静态功耗，而无法被广泛应用。因此，制备gan基互补逻辑器件的研究至关重要，其主要组成部分为增强型n沟器件和p沟器件。增强型n沟被广泛研究，而增强型p沟器件的制备仍然存在很大问题。其中一个主要的问题在于空穴的迁移率低。此外，mg掺带来的电离杂质散射以及栅下介质层的沉积引入的界面电荷等会进一步降低空穴的迁移率，使得制备的p沟道器件特性明显低于n沟器件。


技术实现要素：

3.为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件及其制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：
4.本发明实施例的第一方面提供一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件，包括：
5.由下至上依次设置的第一si衬底层、p-gan层、uid-in
x
gan层、alygan势垒层和保护层；
6.所述alygan势垒层、所述uid-in
x
gan层和所述p-gan层形成n面的异质结结构；其中，0.02≤x≤0.05；
7.所述alygan势垒层上开设有栅极凹槽；所述alygan势垒层的两侧分别沉积有源电极和漏电极；其中，0.2≤y≤0.3；
8.所述源电极和所述漏电极均延伸至所述保护层内；
9.所述栅极凹槽，槽口朝向所述保护层；所述栅极凹槽上设置有栅电极；
10.所述栅电极延伸至所述保护层内；
11.所述源电极、所述漏电极和所述栅电极的上方分别沉积有贯穿所述保护层的互联金属。
12.在本发明的一个实施例中，所述p-gan层的厚度为10nm～20nm；所述栅极凹槽的深度为5nm～15nm；
13.所述uid-in
x
gan层的厚度为10nm～20nm；
14.所述alygan势垒层的厚度为15nm～25nm；所述p-gan层的mg的掺杂浓度为2e19/cm3～3e19/cm3。
15.本发明实施例的第二方面提供一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件制备方
法，包括：
16.步骤一、在第二si衬底层上外延生长材料，外延层自下而上分别是gan缓冲层、gan层、alygan势垒层、uid-in
x
gan层和p-gan层；其中，0.2≤y≤0.3，0.02≤x≤0.05；
17.步骤二、刻蚀所述p-gan层至剩余厚度为10nm～20nm；
18.步骤三、在所述p-gan层表面键合第一si衬底层；
19.步骤四、将所述步骤三制备得到的产品翻转以实现所述alygan势垒层、所述uid-in
x
gan层和所述p-gan层形成的n面异质结结构，并刻蚀掉所述第二si衬底层；
20.步骤五、完全刻蚀所述gan缓冲层和所述gan层；
21.步骤六、在步骤五制备得到的产品上制作源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别位于所述alygan势垒层的两侧；
22.步骤七、在所述alygan势垒层上刻蚀栅极凹槽；
23.步骤八、在所述步骤七制备得到的产品上制备栅电极；
24.步骤九、在产品表面生长保护层；
25.步骤十、在所述保护层上光刻金属互联层的开孔区；所述开孔区与所述源电极、漏电极和所述栅电极相对应；
26.步骤十一、在所述开孔区蒸发互联金属，引出电极，制备得到本发明实施例第一方面所述的器件。
27.在本发明的一个实施例中，所述gan缓冲层的厚度为2μm～5μm，所述gan层的厚度为100nm～200nm，所述p-gan层的厚度为30nm～50nm；所述栅极凹槽的深度为5nm～15nm；
28.所述uid-in
x
gan层的厚度为10nm～20nm；
29.所述alygan势垒层的厚度为15nm～25nm；所述p-gan层的mg的掺杂浓度为2e19/cm3～3e19/cm3。
30.在本发明的一个实施例中，所述步骤二的具体步骤为：
31.将所述步骤一制备的产品进行烘烤，然后置于匀胶机上，在所述p-gan层的表面滴取epi621光刻胶进行匀胶，然后进行显影和超纯水冲洗后氮气吹干；
32.使用刻蚀机刻蚀所述p-gan层至剩余厚度为10nm～20nm。
33.在本发明的一个实施例中，所述步骤六的具体步骤，包括：
34.将所述步骤五制备的产品放在热板上烘烤，然后，进行光刻胶的涂胶和甩胶，并将产品放在热板上烘烤，然后，放入光刻机中对源漏区域内的光刻胶进行曝光；然后，放入显影液中以移除电隔离区域内的光刻胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干；
35.刻蚀显影区域的alygan势垒层和所述uid-in
x
gan层直至所述p-gan层(20)；
36.将上一步制备的产品依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除电隔离区域外的光刻胶，用超纯水冲洗产品并用氮气吹干；
37.将上一步制备的产品放在热板上烘烤；然后，进行剥离胶的涂胶和甩胶，并将产品放在热板上烘烤，接着，在剥离胶上进行光刻胶的涂胶和甩胶，并放在热板烘烤，之后，将完成涂胶和甩胶的产品放入光刻机中对源电极区域和漏电极区域内的光刻胶进行曝光，之后，将完成曝光的产品放入显影液中移除源电极区域和漏电极区域内的光刻胶和剥离胶，对其进行超纯水冲洗和氮气吹干；
38.蒸发源电极和漏电极：将有源电极和漏电极光刻图形的产品放入等离子去胶机中
进行底膜处理；
39.放入电子束蒸发台中，蒸发欧姆金属，该欧姆金属是由下向上依次由ni和au两层金属组成的金属叠层结构；
40.对完成欧姆金属蒸发的产品进行剥离，以移除源电极区域和漏电极区域外的欧姆金属、光刻胶和剥离胶，用超纯水冲洗产品并用氮气吹干；
41.进行退火处理。
42.在本发明的一个实施例中，所述步骤八的具体步骤，包括：
43.将有栅极凹槽光刻图形的产品放入等离子体去胶机中进行底膜处理；
44.放入电子束蒸发台中蒸发栅金属，该栅金属是由下向上依次由ni和au两层金属组成的金属叠层结构；
45.对完成栅金属蒸发的产品进行剥离，以移除栅电极区域外的栅金属、光刻胶和剥离胶，之后用超纯水冲洗产品并用氮气吹干，形成具有栅电极的产品。
46.在本发明的一个实施例中，所述步骤十的具体步骤，包括：
47.将所述步骤九制备的产品放在热板上烘烤，然后，进行光刻胶的涂胶和甩胶，并将产品放在热板上烘烤，接着，放入光刻机中对金属互联层的开孔区内的光刻胶进行曝光，最后，将完成曝光后的产品放入显影液中以移除所述开孔区内的光刻胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干；所述开孔区位于所述源电极、所述漏电极和所述栅电极的上方；
48.在反应气体为cf4和o2的条件下，刻蚀所述开孔区内的保护层；刻蚀深度为贯穿所述保护层。
49.在本发明的一个实施例中，所述步骤十一的具体步骤，包括：
50.将完成金属互联层开孔刻蚀的产品放在热板上烘烤，然后，在所述开孔区的源电极、漏电极以及未开孔刻蚀的保护层上进行剥离胶的涂胶和甩胶，并将产品放在热板上烘烤；接着，在剥离胶上进行光刻胶的涂胶和甩胶，并将产品放在热板上烘烤，之后，将完成涂胶和甩胶的产品放入光刻机中对开孔区内的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光的产品放入显影液中移除开孔区内的光刻胶和剥离胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干；
51.将有所述开孔区光刻图形的产品放入等离子去胶机中进行底膜处理；
52.放入电子束蒸发台中蒸发互联金属，所述互联金属是由下向上依次由ti和au两层金属组成的金属叠层结构；
53.对完成互联金属蒸发的产品进行剥离，以移除金属互联层区域外的互联金属、光刻胶和剥离胶，用超纯水冲洗产品并用氮气吹干，完成制备，得到本发明实施例第一方面所述的器件。
54.本发明的有益效果：
55.本发明通过在p-gan与alygan势垒层中插入uid-in
x
gan层来改善电离杂质散射带来迁移率降低；另一方面，使用n面gan材料来制备器件，栅下无需沉积绝缘介质，可以避免栅下沉积绝缘介质引入的固定电荷以及界面电荷对空穴迁移率的影响，避免了空穴迁移率的降低，够使p沟道器件有较高的空穴迁移率，从而改善了器件的性能，以实现高电流密度器件。
56.以下将结合附图及实施例对本发明做进一步详细说明。
附图说明
57.图1为本发明实施例提供的一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件的结构示意图：
58.图2a-图2k为本发明实施例提供的一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件制备方法的制备工艺图。
具体实施方式
59.下面结合具体实施例对本发明做进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
60.实施例一
61.请参见图1，一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件，包括：
62.由下至上依次设置的第一si衬底层11、p-gan层20、uid-in
x
gan层30、alygan势垒层40和保护层50。
63.p-gan层20、uid-in
x
gan层30和alygan势垒层40形成n面的异质结结构。
64.alygan势垒层40上开设有栅极凹槽41；alygan势垒层40的两侧分别沉积有源电极61和漏电极62，其中，0.2≤y≤0.3。源电极61和漏电极62均延伸至保护层50内。
65.栅极凹槽41的槽口朝向保护层50；栅极凹槽41上设置有栅电极42。栅电极42延伸至保护层50内。
66.源电极61、漏电极62和栅电极42的上方分别沉积有贯穿保护层50的互联金属70。
67.进一步地，p-gan层20的厚度为10nm～20nm。本实施例中，p-gan层20的厚度大于20nm会导致本实施例的器件无法正常关断，泄露电流极大，若厚度小于10nm则无法提供空穴。因此，本实施例中的p-gan层20既可以给器件提供空穴的情况下还可以保证器件正常使用。栅极凹槽41的深度为5nm～15nm。alygan势垒层40的厚度为15nm～25nm。保护层50的厚度为200nm。uid-in
x
gan层30的厚度为0nm～20nm，0.02≤x≤0.05。p-gan层20的mg的掺杂浓度为2e19/cm3～3e19/cm3。
68.本实施例中，一方面，通过在p-gan层20与alygan势垒层40中插入uid-in
x
gan层30插入的uid-in
x
gan层30的阻挡作用减小了电离杂质散射，因此，提高了空穴的迁移率。同时，插入uid-in
x
gan层30可以与alygan势垒层40产生极化特性，使得界面处极化电荷诱导产生空穴，增加了空穴，进一步提高了空穴迁移率。
69.同时，uid-in
x
gan层30比gan的禁带宽度更小，这样alygan/in
x
gan之间的价带能带带阶更大，产生的二维空穴浓度更高，进一步增加了空穴，进而提高了空穴迁移率，从而进一步优化了器件的性能。0.02≤x≤0.05，uid-in
x
gan层30中x大于0.05则会导致载流子的合金无序散射增加，会导致载流子即空穴的迁移率降低，优选地，x＝0.04。
70.此外，生长0.2～0.3的al组分时的alygan的晶格常数和uid-in
x
gan匹配比较好，能够达到较佳的界面特性且易于生长。
71.另一方面，使用n面gan材料来制备p沟道器件，栅下无需沉积绝缘介质，可以避免栅下沉积绝缘介质引入的固定电荷以及界面电荷对空穴迁移率的影响，避免了空穴迁移率的降低，够使p沟道器件有较高的空穴迁移率，从而改善了器件的性能，以实现高电流密度器件。
72.在一种可行的实现方式中，保护层50的材料为sin。优选地，保护层50的厚度为200nm。其中，p-gan层20的mg的掺杂浓度为2e19～3e19/cm3。
73.在一种可行的实现方式中，alygan势垒层4050中al的组分y若小于0.2则器件的电流特性变差，若大于0.3则无法达到生长要求，则导致器件质量差，器件无法使用。优选地，y＝0.25。
74.在一种可行的实现方式中，源电极61和漏电极62均为金属叠层结构，由下向上依次为20nm厚度的ni和40nm厚度的au两层金属层。栅电极42由下向上依次由40nm厚度的ni和100nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。互联金属70由下向上依次由40nm厚度的ti和200nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。
75.实施例二
76.本发明实施例第二方面提供一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件制备方法，包括：
77.步骤一、在第二si衬底层12上外延生长材料，外延层自下而上分别是gan缓冲层80、gan层90、alygan势垒层40、uid-in
x
gan层30和p-gan层20；其中，0.2≤y≤0.3，0.02≤x≤0.05。
78.步骤二、刻蚀p-gan层20至剩余厚度为10nm～20nm。
79.步骤三、在p-gan层20表面键合第一si衬底层11。
80.步骤四、将步骤三制备得到的产品翻转以实现alygan势垒层40、uid-in
x
gan层30和p-gan层20形成的n面异质结结构，并刻蚀掉第二si衬底层12。
81.步骤五、刻蚀gan缓冲层80和gan层90。
82.步骤六、在步骤五制备得到的产品上制作源电极61和漏电极62，源电极61和漏电极62分别位于alygan势垒层40的两侧。
83.步骤七、在alygan势垒层40上刻蚀栅极凹槽41。
84.步骤八、在步骤七制备得到的产品上制备栅电极42。
85.步骤九、在产品表面生长保护层50。
86.步骤十、在保护层50上光刻金属互联层的开孔区；开孔区与源电极61、漏电极62和栅电极42相对应。
87.步骤十一、在开孔区蒸发互联金属70，引出电极，制备得到实施例一中的器件。
88.进一步地，gan缓冲层80的厚度为2μm～5μm，gan层90的厚度为100nm～200nm，alygan势垒层40的厚度为15nm～25nm，uid-in
x
gan层30的厚度为10nm～20nm，p-gan层20的厚度为30nm～50nm。栅极凹槽41的深度为5nm～15nm。p-gan层20的mg的掺杂浓度为2e19/cm3～3e19/cm3。优选地，x＝0.04，y＝0.25。保护层50的材料为sin。优选地，保护层50的厚度为200nm。
89.源电极61和漏电极62均为金属叠层结构，由下向上依次为20nm厚度的ni和40nm厚度的au两层金属层。栅电极42由下向上依次由40nm厚度的ni和100nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。互联金属70由下向上依次由40nm厚度的ti和200nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。
90.实施例三
91.本发明实施例提供一种具有高电流密度的n面gan基p沟道器件制备方法，包括以
下步骤：
92.步骤301、采用mocvd法在第二si衬底层12上外延生长材料，外延层自下而上分别是外延层自下而上分别是gan缓冲层80、gan层90、alygan势垒层40、uid-in
x
gan层30和p-gan层20；其中，0.02≤x≤0.05，0.2≤y≤0.3。如图2a所示。
93.gan缓冲层80的厚度为2μm～5μm，gan层90的厚度为100nm～200nm，alygan势垒层40的厚度为15nm～25nm，uid-in
x
gan层30的厚度为10nm～20nm，p-gan层20的厚度为30nm～50nm。p-gan层20的mg的掺杂浓度为2e19/cm3～3e19/cm3。
94.alygan势垒层4050中al的组分y若小于0.2则器件的电流特性变差，若大于0.3则无法达到生长要求，则导致器件质量差，器件无法使用。优选地，y＝0.25，x＝0.04。
95.步骤302、p-gan薄层刻蚀。将步骤301制备的产品在200℃下进行烘烤，然后置于匀胶机上，在p-gan层20表面滴取epi621光刻胶进行匀胶；匀胶条件：在转速500rpm下运行5秒，然后在转速3500rpm下运行40秒，并在90℃下烘烤，之后在显影液中显影，完成之后超纯水冲洗2分钟，氮气吹干。
96.步骤303、使用氯基icp刻蚀机在p-gan层20进行刻蚀，刻蚀条件：上电极功率40w～60w，下电极功率10w～20w，压强5mtorr，cl2和bcl3的流量比为8/20sccm，p-gan层20至剩余厚度为10nm～20nm。如图2b所示。
97.步骤304、使用化学机械抛光，在p-gan层20的表面键合厚度为500μm～700μm第一si衬底层11。如图2c所示。
98.步骤305、将步骤304制备得到的产品翻转以实现alygan势垒层40、uid-in
x
gan层30和p-gan层20形成的n面异质结结构，如图2d所示，并完全刻蚀掉第二si衬底层12。刻蚀条件：上电极功率250w～350w，下电极功率20w～40w，压力5mtorr，sf6流量为50sccm。
99.步骤306、将gan缓冲层80和gan层90完全刻蚀至alygan势垒层40。使用icp氯基条件刻蚀，刻蚀条件：上电极功率40w～60w，下电极功率20w～30w，压强5mt，cl2流量8sccm，bcl3流量为20sccm。如图2e所示。
100.p沟道器件制作源电极61和漏电极62：
101.源漏区域的alygan及uid-in
x
gan刻蚀：
102.步骤307、将步骤306制备的产品放在200℃的热板上烘烤，然后，进行光刻胶的涂胶和甩胶，甩胶转速为3500转/min，并将产品放在90℃的热板上烘烤，然后，放入光刻机中对源漏区域内的光刻胶进行曝光；然后，放入显影液中以移除电隔离区域内的光刻胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。
103.步骤308、利用icp工艺刻蚀显影区域的alygan势垒层40和uid-in
x
gan层30直至p-gan层20。刻蚀条件，上电极功率15w～25w，下电极功率3w～5w，压强5mt，cl2流量4sccm，bcl3流量10sccm。如图2f所示。
104.步骤309、将步骤308制备的产品依次放入丙酮溶液、剥离液、丙酮溶液和乙醇溶液中进行清洗，以移除电隔离区域外的光刻胶，用超纯水冲洗产品并用氮气吹干。
105.光刻源漏电极62区域：
106.步骤310、将步骤309制备的产品放在200℃的热板上烘烤；然后，进行剥离胶的涂胶和甩胶，甩胶条件：sf6，2000转/min，40sec，厚度0.35μm并将产品放在200℃的热板上烘烤；接着，在剥离胶上进行光刻胶的涂胶和甩胶，甩胶条件：epi621，5000转/min，时间
30sec，厚度0.77μm，并放在90℃的热板烘烤，之后，将完成涂胶和甩胶的产品放入光刻机中对源电极区域和漏电极区域内的光刻胶进行曝光，之后，将完成曝光的产品放入显影液中移除源电极区域和漏电极区域内的光刻胶和剥离胶，对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。
107.蒸发源电极61和漏电极62：
108.步骤311、蒸发源电极61和漏电极62：将有源电极61和漏电极62光刻图形的产品放入等离子去胶机中进行底膜处理。处理条件：α-plasma等离子体去胶机，抽真空2min，之后，o2流量100sccm～150sccm，功率150w～250w，处理5min～10min。
109.步骤312、放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2
×
10-6
torr之后再蒸发欧姆金属，该欧姆金属是由下向上依次由20nm厚度的ni和40nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。
110.步骤313、对完成欧姆金属蒸发的产品进行剥离，以移除源电极区域和漏电极区域外的欧姆金属、光刻胶和剥离胶，用超纯水冲洗产品并用氮气吹干。如图2g所示。
111.步骤314、进行退火处理。退火气氛为o2，退火温度为500℃～550℃，退火时间为5min～10min。
112.源电极61和漏电极62与alygan势垒层40、uid-in
x
gan层30和p-gan层20接触，由于p-gan层20为mg掺杂，能够进一步改善欧姆接触，优化器件性能。
113.步骤315、p沟道器件栅极凹槽41刻蚀。氯基icp刻蚀alygan势垒层405nm～15nm形成凹槽结构。刻蚀条件：上电极功率15w～25w，下电极功率3w～5w，压强5mt，cl2流量4sccm，bcl3流量10sccm。如图2h所示。
114.p沟道器件栅电极42制作：
115.步骤316、将有栅极凹槽41光刻图形的产品放入等离子体去胶机中进行底膜处理。处理条件：α-plasma等离子体去胶机，抽真空2min，之后o2流量100sccm～150sccm，功率150w～250w，处理5min～10min。
116.步骤317、放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2
×
10-6
torr之后蒸发栅金属，该栅金属是由下向上依次由40nm厚度的ni和100nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。
117.步骤318、对完成栅金属蒸发的产品进行剥离，以移除栅电极区域外的栅金属、光刻胶和剥离胶，之后用超纯水冲洗产品并用氮气吹干，形成具有栅电极42的产品。如图2i所示。
118.步骤319、生长sin保护层50。利用pecvd工艺生长厚度为200nm的sin保护层50，其生长的工艺条件为：采用nh3和sih4作为反应气体，衬底温度约为250℃，反应腔室压力为600mtorr，射频功率为20w～25w。如图2j所示。
119.光刻电极开孔：
120.步骤320、将步骤319制备的产品放在200℃的热板上烘烤，然后，进行光刻胶的涂胶和甩胶，其甩胶转速为3500转/min，并将产品放在90℃的热板上烘烤，接着，放入光刻机中对金属互联层的开孔区内的光刻胶进行曝光，最后，将完成曝光后的产品放入显影液中以移除开孔区内的光刻胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。开孔区位于源电极61、漏电极62和栅电极42的上方。
121.步骤321、利用icp刻蚀。在反应气体为cf4和o2的条件下，刻蚀开孔区内的200nm厚
的保护层50。刻蚀深度贯穿保护层50。
122.引出电极，完成器件制作：
123.步骤322、将完成金属互联层开孔刻蚀的产品放在200℃的热板上烘烤，然后，在开孔区的源电极61、漏电极62以及未开孔刻蚀的保护层50上进行剥离胶的涂胶和甩胶，其甩胶厚度为0.35μm，并将产品放在200℃的热板上烘烤；接着，在剥离胶上进行光刻胶的涂胶和甩胶，其甩胶厚度为0.77μm，并将产品放在90℃的热板上烘烤，之后，将完成涂胶和甩胶的产品放入光刻机中对开孔区内的光刻胶进行曝光；最后，将完成曝光的产品放入显影液中移除开孔区内的光刻胶和剥离胶，并对其进行超纯水冲洗和氮气吹干。
124.蒸发互联金属70：
125.步骤323、将有开孔区光刻图形的产品放入等离子去胶机中进行底膜处理。处理条件：α-plasma等离子体去胶机，抽真空2min，之后o2流量100sccm～150sccm，功率150w～250w，处理5min～10min。
126.步骤324、放入电子束蒸发台中，待电子束蒸发台的反应腔室真空度达到2
×
10-6
torr之后蒸发互联金属70，互联金属70是由下向上依次由40nm厚度的ti和200nm厚度的au两层金属组成的金属叠层结构。
127.步骤325、对完成互联金属70蒸发的产品进行剥离，以移除金属互联层区域外的互联金属70、光刻胶和剥离胶，用超纯水冲洗产品并用氮气吹干，完成制备，得到实施例一中的器件，如图2k所示。
128.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
129.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
130.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
131.在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
132.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示
例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
133.以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。