基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法与流程

技术特征：
1.一种基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤(1)、在辐照试验前，获取试验电子系统中各电子器件不进行辐射屏蔽加固时的抗总剂量水平，筛选出达到系统抗辐射性能要求的达标电子器件和未达到系统抗辐射性能要求的未达标电子器件，并按照抗总剂量水平将未达标电子器件从高到低排序；步骤(2)、设置辐照试验的具体试验参数，所述试验参数包括试验总剂量、辐照剂量率、辐照偏置、测试参数和测试规范；步骤(3)、选择辐照试验的具体实现方法条件如下：
①
为步骤(1)未达标电子器件分别安装屏蔽体后，试验时屏蔽体不影响未屏蔽电子器件的辐照剂量率和总剂量；
②
试验时缺少任一未达标电子器件，不影响已安装电子器件的辐照偏置；
③
试验时缺少任一未达标电子器件会明显影响试验电子系统工作状态或其中已安装电子器件的辐照偏置；
④
定义步骤(1)中未达标电子器件所在的模块为未达标模块，且试验时缺少这些未达标模块的情况下，其它模块上的已安装电子器件仍处于加电状态，以及缺少任一未达标模块时，该未达标模块输出处于一个固定状态；若满足条件
①
，则执行步骤(4)；若满足条件
②
，则执行步骤(5)；若满足条件
③
，则执行步骤(6)；若满足条件
④
，则执行步骤(7)；若同时满足两个以上条件，则按照序号在前的条件执行；步骤(4)、方法一；(4.1)对步骤(1)中未达标电子器件分别制作屏蔽体，并在试验前安装所有屏蔽体；(4.2)进行辐照实验，当试验总剂量剩余值等于某屏蔽体对应未达标器件的抗总剂量值时，执行步骤(4.3)；(4.3)降源、拆除该屏蔽体，随后继续辐照，直至试验总剂量剩余值等于下一个屏蔽体对应未达标器件的抗总剂量值或为零，执行步骤(4.4)；(4.4)若试验总剂量剩余值为零，则执行步骤(8)；否则返回步骤(4.3)；步骤(5)、方法二；(5.1)试验时，不安装步骤(1)中未达标电子器件，依据步骤(1)中未达标电子器件的抗总剂量水平确定其对应的安装总剂量值；(5.2)当试验总剂量剩余值等于某未达标电子器件的安装总剂量值时，执行步骤(5.3)；(5.3)降源后，安装该未达标电子器件，随后继续辐照，直至试验总剂量剩余值等于下一个未达标电子器件的安装总剂量值或为零，执行步骤(5.4)；(5.4)若试验总剂量剩余值为零，则执行步骤(8)；否则返回步骤(5.3)；步骤(6)、方法三；(6.1)试验时，采用替代器件代替步骤(1)中未达标电子器件，或不安装未达标电子器件，从外部引入已安装电子器件所需的输入信号，所述替代器件为达到系统抗辐射性能要
求且与所代替的未达标电子器件型号及封装相同的电子器件，依据步骤(1)中未达标电子器件的抗总剂量水平确定其对应的替换总剂量值；(6.2)当试验总剂量剩余值等于某未达标电子器件的替换总剂量值时，执行步骤(6.3)；(6.3)降源后，拆卸对应替换器件且安装该未达标电子器件，或直接安装该未达标电子器件并拆除外部引入的输入信号，随后继续辐照，直至试验总剂量剩余值等于下一个未达标电子器件的替换总剂量值或为零，执行步骤(6.4)；(6.4)若试验总剂量剩余值为零，则执行步骤(8)；否则返回步骤(6.3)；步骤(7)、方法四；(7.1)试验时，不安装未达标模块，或采用替代模块代替未达标模块，所述替代模块为达到系统抗辐射性能要求且与所代替的未达标模块功能相近的模块；依据步骤(1)中获取的各电子器件不进行辐射屏蔽加固时的抗总剂量水平，确定各模块的抗总剂量水平，依据各模块中抗总剂量水平最低的电子器件确定其对应的替换总剂量值，按照替换总剂量值将未达标模块从高到低排序；(7.2)当试验总剂量剩余值等于某未达标模块的替换总剂量值时，执行步骤(7.3)；(7.3)降源后，直接安装该未达标模块，或拆卸对应替换模块且安装该未达标模块，随后继续辐照，直至试验总剂量剩余值等于下一个未达标模块的替换总剂量值或为零，执行步骤(7.4)；(7.4)若试验总剂量剩余值为零，则执行步骤(8)；否则返回步骤(7.3)；步骤(8)、辐照试验结束后，对试验电子系统进行电参数及功能测试，判断试验电子系统是否正常。2.根据权利要求1所述的一种基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，其特征在于：所述步骤(4.3)、步骤(5.3)、步骤(6.3)和步骤(7.3)的执行次数不超过5次。3.权利要求1或2所述的一种基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，其特征在于：所述步骤(5.3)还包括：安装该未达标电子器件前，对该未达标电子器件安装相应夹具；若该未达标电子器件的输出信号作为其它电子器件的输入端，则应根据电路情况，对这些信号进行上拉设计或下拉设计或高阻设计。4.权利要求3所述的一种基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，其特征在于：所述步骤(6.3)还包括：安装该未达标电子器件前，对该未达标电子器件安装相应夹具。

技术总结
本发明涉及空间总剂量效应，具体涉及基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，用于解决现有电子系统总剂量效应试验方法不能完全保证电子系统抗总剂量性能评价的可靠性及准确性的不足之处。该基于终点对齐辐照的空间电子系统总剂量效应试验方法，结合电子系统试验的特点设计了方法一至方法四，使本发明相较于基于始点对齐的总剂量效应试验方法符合实际情况，且易于操作，保证了空间电子系统抗总剂量性能评价的准确性，以及航天器在轨安全可靠运行。轨安全可靠运行。轨安全可靠运行。


技术研发人员：姚志斌 陈伟 盛江坤 何宝平 马武英 郭晓强 徐娜军 李斌
受保护的技术使用者：西北核技术研究所
技术研发日：2021.12.28
技术公布日：2022/5/20