一种研磨盘、化学机械抛光设备、系统及方法与流程

技术特征：
1.一种研磨盘，其特征在于，所述研磨盘包括转盘，研磨垫，所述研磨垫设置在所述转盘的表面，所述研磨垫具有至少两个研磨区域；压力调节组件，所述压力调节组件用于调节向上施加在至少两个所述研磨区域上的压力，以使至少两个所述研磨区域的硬度不同。2.根据权利要求1所述的研磨盘，其特征在于，所述压力调节组件包括供气单元，与所述供气单元所具有的出气口连通的旋转接头，以及与所述旋转接头连通的供气管路，对应每一所述研磨区域均设置一个供气管路。3.根据权利要求2所述的研磨盘，其特征在于，每一所述供气管路均包括供气主路和多个供气支路；每一所述供气主路所具有的入口与所述旋转接头连通，每一所述供气主路所具有的出口与多个所述供气支路所具有的入口连通；多个所述供气支路所具有的出口对应设置在所述研磨区域内。4.根据权利要求3所述的研磨盘，其特征在于，同一所述供气管路所包括的多个所述供气支路均匀分布在所述研磨区域内。5.根据权利要求3所述的研磨盘，其特征在于，在所述转盘上开设用于容纳所述供气主路和供气支路的通道。6.根据权利要求1至5任一项所述的研磨盘，其特征在于，施加在至少两个所述研磨区域上的压力大于或等于0.1pis；和/或，至少两个所述研磨区域的硬度大于或等于0.1pa。7.一种化学机械抛光设备，其特征在于，包括权利要求1至6任一项所述的研磨盘。8.一种化学机械抛光系统，其特征在于，所述化学机械抛光系统应用于晶圆研磨，所述晶圆具有至少两个待研磨区域；所述化学机械抛光系统包括：处理单元，所述处理单元用于确定与所述待研磨区域相对应的研磨垫所具有的研磨区域所需的压力控制信号；通信单元，所述通信单元与所述处理单元通信连接，用于接收所述压力控制信号；以及化学机械抛光设备，所述化学机械抛光设备所包括的压力调节组件在所述压力控制信号的控制下，调节与所述待研磨区域相对的所述研磨区域的压力，以使所述研磨垫所具有的至少两个所述研磨区域的硬度不同。9.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括确定晶圆的待研磨区域；根据所述晶圆的所述待研磨区域确定与所述待研磨区域相对应的研磨垫所具有的研磨区域所需的压力控制信号；向化学机械抛光设备所包括的硬度调节组件提供所述压力控制信号，所述压力调节组件在所述压力控制信号的控制下，调节与所述待研磨区域相对的所述研磨区域的压力，以使所述研磨垫所具有的至少两个所述研磨区域的硬度不同。

技术总结
本发明公开一种研磨盘、化学机械抛光设备、系统及方法，涉及化学机械抛光技术领域，在不改变磨头各个区域压力的情况下，确保平坦化后的晶圆表面的不同区域具有一致的平整度。本发明提供的研磨盘包括转盘、研磨垫和压力调节组件。研磨垫设置在转盘的表面，研磨垫具有至少两个研磨区域。压力调节组件用于调节向上施加在至少两个研磨区域上的压力，以使至少两个研磨区域的硬度不同。本发明还提供一种化学机械抛光设备、系统及方法。械抛光设备、系统及方法。械抛光设备、系统及方法。


技术研发人员：金泰源 张月 杨涛 卢一泓 刘青
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.11.11
技术公布日：2022/5/16