树脂多层基板的制作方法

1.本实用新型涉及具备基材和形成在基材的导体图案以及层间连接导体的树脂多层基板，其中，基材是将多个树脂层层叠而形成的，并具有凹部。


背景技术：

2.以往，已知有如下的树脂多层基板(专利文献1)，即，具备：基材，层叠多个树脂层而形成；导体图案，仅形成在树脂层的一面(单面)；以及层间连接导体，形成在树脂层。在专利文献1公开的树脂多层基板中，通过如下方式形成，即，在树脂层的一面形成导体图案，在形成于树脂层的贯通孔内填充导体(以后的层间连接导体)，然后将包含这些树脂层的多个树脂层层叠并进行加热压制。
3.在先技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特许第3407737号公报


技术实现要素：

6.实用新型要解决的课题
7.另一方面，为了避开配置在树脂多层基板的周围的构造物、其它部件，或者为了对树脂多层基板进行弯曲加工，有时在基材的一部分设置厚度比其它部分薄的凹部(例如，空腔等)。
8.具有凹部的树脂多层基板例如通过如下方式来形成，即，在层叠前的树脂层中以后成为凹部的部分形成开口(孔)，将包含形成了该开口的树脂层的多个树脂层层叠并进行加热压制。一般来说，形成在树脂层的小的开口(层间连接导体用的开口、在加热压制后成为凹部的开口)从树脂层的另一面(形成了导体图案的一面的相反面)侧通过切削加工来设置，此时，树脂层的飞沫(特别是，组成变化了的树脂、树脂的碳化物等)容易附着到另一面的开口周边。此外，一般来说，在加热压制后附着了上述飞沫的树脂层的接合面的接合强度比未附着飞沫的树脂层彼此的接合面的接合强度弱。这是由于如下理由：仅设想了未附着飞沫的树脂层彼此的接合而设定了树脂层彼此的接合条件、附着了飞沫的树脂层和未附着飞沫的树脂层的接合面成为不同种类材料界面等。此外，附着了飞沫的树脂层的表面和导体图案的接合面处的接合强度与树脂层彼此的接合面相比特别弱，在上述接合面(附着了飞沫的树脂层的表面和导体图案的接合面)处容易产生层间剥离(分层)。
9.本实用新型的目的在于，提供一种在将多个树脂层层叠而形成的结构中抑制了凹部处的层间剥离的树脂多层基板，其中，多个树脂层包含仅在一面(单面)形成了导体图案的树脂层和设置了层间连接导体用的开口以及在加热压制后成为凹部的开口的树脂层。
10.用于解决课题的技术方案
11.本实用新型的树脂多层基板的特征在于，具备：
12.基材，具有形成了凹部的第1主面，将包含开口树脂层的多个树脂层层叠而形成；
13.导体图案，仅在所述多个树脂层的一面形成；以及
14.层间连接导体，至少形成在所述开口树脂层，
15.所述凹部由从所述一面侧通过切削加工形成的第1开口、所述开口树脂层以及与所述开口树脂层不同的其它树脂层构成，
16.所述层间连接导体在从作为所述一面的相反面的另一面侧通过切削加工形成的第2开口填充金属材料而形成，
17.所述第1开口的所述一面侧的缘端部与所述导体图案不相接。
18.在将仅在单面(一面)形成了导体图案的多个树脂层彼此层叠而形成的本实用新型的树脂多层基板中，上述多个树脂层包含开口树脂层，上述开口树脂层形成了用于形成凹部的第1开口和层间连接导体用的第2开口。而且，由于工序(将树脂层翻转的工序)增加等理由，这些多个开口 (第1开口以及第2开口)一般从树脂层的相同的面(未形成导体图案的树脂层的另一面)侧通过切削加工来形成。在从开口树脂层的另一面侧通过切削加工来形成第1开口以及第2开口的情况下，若开口树脂层的另一面与其它树脂层的一面接合，则有时第1开口的另一面侧的缘端部(附着大量的飞沫的部分)与形成在其它树脂层的导体图案相接。一般来说，在加热压制后的基材中，附着了飞沫的树脂层的接合面处的接合强度比未附着飞沫的树脂层彼此的接合强度弱。此外，附着了飞沫的树脂层的表面和导体图案的接合面的接合强度与未附着飞沫的树脂层和导体图案的接合强度相比特别弱，在该接合面处容易产生层间剥离。
19.另一方面，根据上述结构，第1开口不是从开口树脂层的另一面(对层间连接导体用的第2开口进行切削加工的面)侧，而是从一面侧通过切削加工来形成。而且，在层叠了在一面形成了导体图案的多个树脂层的基材中，第1开口的一面侧的缘端部(附着大量的飞沫的部分)与导体图案不相接。因此，与第1开口的一面侧的缘端部和导体图案相接的情况相比，可抑制凹部的内周缘(特别是，开口树脂层和其它树脂层的边界)处的层间剥离。
20.本实用新型的树脂多层基板的制造方法是具备具有形成了凹部的第 1主面的基材的树脂多层基板的制造方法，其特征在于，具备：
21.导体图案形成工序，仅在包含开口树脂层的所述多个树脂层的一面形成导体图案；
22.第1开口形成工序，在所述导体图案形成工序之后，从所述开口树脂层的一面侧进行切削加工而形成第1开口；
23.第2开口形成工序，在所述导体图案形成工序之后，至少从所述开口树脂层的另一面侧进行切削加工而形成层间连接用的第2开口；
24.层间导体形成工序，在所述第2开口形成工序之后，在所述第2开口内填充金属材料而形成层间连接导体；以及
25.基材形成工序，在所述第1开口形成工序以及所述层间导体形成工序之后，将所述多个树脂层层叠并进行加热压制，使得所述导体图案与所述第1开口的所述一面侧的缘端部不相接，由此形成所述基材，并由所述第 1开口和其它树脂层构成所述凹部。
26.根据该制造方法，第1开口的一面侧的缘端部(附着了大量的飞沫的部分)与导体图案不相接，因此可容易地得到抑制了凹部处的层间剥离的树脂多层基板。
27.实用新型效果
28.根据本实用新型，能够实现在将多个树脂层层叠而形成的结构中抑制了凹部处的层间剥离的树脂多层基板，其中，多个树脂层包含在一面(单面)形成了导体图案的树脂层和设置了层间连接导体用的开口以及在加热压制后成为凹部的开口的树脂层。
附图说明
29.图1(a)是第1实施方式涉及的树脂多层基板101的剖视图，图1 (b)是树脂多层基板101的分解剖视图。
30.图2(a)是作为比较例的树脂多层基板100的剖视图，图2(b)是树脂多层基板100的分解剖视图。
31.图3是按顺序示出层叠前的树脂层11a的制造工序的剖视图。
32.图4是按顺序示出树脂多层基板101的制造工序的剖视图。
33.图5是示出第1实施方式涉及的电子设备301的主要部分的剖视图。
34.图6(a)是第2实施方式涉及的树脂多层基板102的剖视图，图6 (b)是树脂多层基板102的分解剖视图。
35.图7是按顺序示出层叠前的树脂层11a的制造方法的剖视图。
36.图8是按顺序示出树脂多层基板102的制造工序的剖视图。
37.图9(a)是第3实施方式涉及的树脂多层基板103的剖视图，图9 (b)是树脂多层基板103的分解剖视图。
38.图10(a)是第4实施方式涉及的树脂多层基板104a的剖视图，图 10(b)是树脂多层基板104a的分解剖视图。
39.图11(a)是第4实施方式涉及的另一个树脂多层基板104b的剖视图，图11(b)是树脂多层基板104b的分解剖视图。
40.图12(a)是第4实施方式涉及的另一个树脂多层基板104c的剖视图，图12(b)是树脂多层基板104c的分解剖视图。
41.图13(a)是第5实施方式涉及的树脂多层基板105的剖视图，图 13(b)是树脂多层基板105的分解立体图。
具体实施方式
42.以下，参照图并列举几个具体的例子示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中，对于同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分置换或组合。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，关于基于同样的结构的同样的作用效果，将不在每个实施方式中逐次提及。
43.《第1实施方式》
44.图1(a)是第1实施方式涉及的树脂多层基板101的剖视图，图1 (b)是树脂多层基板101的分解剖视图。
45.树脂多层基板101具备基材10a、导体图案31、电极p1、p2以及层间连接导体v1、v2等。
46.基材10a是长边方向与x轴方向一致的矩形的树脂(热塑性树脂) 平板。基材10a具
有第1主面s1以及作为第1主面s1的相反面的第2 主面s2。在基材10a的第1主面s1形成有z轴方向上的厚度(多个树脂层的层叠方向上的厚度)比其它部分薄的凹部d11。虽然省略图示，但是本实施方式的凹部d11是跨越基材10a的宽度方向(y轴方向)整体形成的槽。
47.此外，基材10a具有第1区域f1a、f1b以及第2区域f2。第1区域f1a、第2区域f2以及第1区域f1b在 x方向上依次配置。如图1 (a)所示，第2区域f2是基材10a之中形成了凹部d11的部分。第2 区域f2的厚度比第1区域f1a、f1b薄，因此第2区域f2比第1区域 f1a、f1b容易变形，具有可挠性。
48.基材10a是将由热塑性树脂构成的多个树脂层11a、12a层叠而形成的层叠体。树脂层11a、12a分别是长边方向与x轴方向一致的矩形的树脂平板。树脂层11a、12a具有一面vs1和作为一面vs1的相反面的另一面vs2。像在后面详细叙述的那样，一面vs1是形成导体图案的面。树脂层11a、12a例如是以液晶聚合物(lcp)、聚醚醚酮(peek)等为主成分的树脂片。
49.在本实施方式中，树脂层11a相当于本实用新型中的“开口树脂层”。开口树脂层(树脂层11a)是配置在比其它树脂层(树脂层12a)靠第1 主面s1侧的树脂层。
50.在树脂层11a的下表面(开口树脂层的一面vs1)形成有电极p1、 p2。电极p1是配置在树脂层11a的一端(图1(b)中的树脂层11a的左端)附近的矩形的导体图案。电极p2是配置在树脂层11a的另一端(图 1(b)中的树脂层11a的右端)附近的矩形的导体图案。电极p1、p2之中与一面vs1侧相接的面(图1(b)中的电极p1、p2的上表面)的表面粗糙度比其相反面(图1(b)中的电极p1、p2的下表面)的表面粗糙度大。由此，树脂层11a和电极p1、p2的接合强度提高。电极p1、p2 例如是cu箔等的导体图案。
51.此外，在树脂层11a形成有层间连接导体v1、v2。像在后面详细叙述的那样，层间连接导体v1、v2是在从树脂层11a的上表面(开口树脂层的另一面vs2)侧通过切削加工形成的第2开口(未图示)内填充金属材料而形成的导体。第2开口例如是从开口树脂层的另一面vs2侧通过激光照射形成的圆形的贯通孔。层间连接导体v1、v2例如通过如下方式来设置，即，在上述第2开口内配设(填充)包含cu、sn等中的一种以上或它们的合金的导电性膏，通过以后的加热压制使其固化。另外，并不限于将导电性膏填充到第2开口的整体的情况。即，如后述的第2实施方式所示，第2开口的一部分由填充镀敷过孔(filled plated via)形成且在第2开口中的未形成填充镀敷过孔的空间填充导电膏的情况下，也对应于本技术的填充。层间连接导体v1、v2(第2开口)是开口树脂层的一面vs1(树脂层11a的下表面)侧的面积(本实用新型的“第2开口的第 3面”的面积)小且另一面vs2(树脂层11a的上表面)侧的面积(本实用新型的“第2开口的第4面”的面积)大的锥台形。此外，俯视一面 vs1(从z轴方向观察)，上述第2开口形成在与导体图案(电极p1、p2) 重叠的位置。
52.此外，在树脂层11a形成有第1开口ap11。第1开口ap11是从树脂层11a的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工形成的矩形的贯通孔。第1开口ap11例如从开口树脂层的一面vs1侧通过激光照射形成。第1开口ap11是开口树脂层的一面vs1侧(树脂层11a的下表面)侧的面积(本实用新型的“第1开口的第1面”的面积)大且开口树脂层的另一面vs2(树脂层11a的上表面)侧的面积(本实用新型的“第 1开口的第2面”的面积)小的锥台形。从z轴方向观察，第1开口ap11 形成在与导体图案(电极p1、p2)不重叠的位置。
53.在进行激光照射而形成第1开口ap11时，在开口树脂层11的一面 vs1侧容易附着飞沫。越靠近第1开口ap11的一面vs1侧的缘端部(被激光照射的位置)，该飞沫附着得越多
(参照图1(b)中的飞沫tr)。上述飞沫是在激光照射时开口树脂层的树脂材料蒸发或气化并附着在一面 vs1的飞沫，有可能成为由于激光照射而变质的飞沫(例如，树脂材料的组成变化了的飞沫、树脂材料的碳化物等)。
54.此外，第1开口ap11例如也可以从开口树脂层的一面vs1侧通过利用钻头等的切削加工来形成。在用钻头等进行切削加工来形成第1开口 ap11时，飞沫(在用钻头进行切削加工时产生的切削屑)也容易附着在开口树脂层的一面vs1侧。越靠近第1开口ap11的一面vs1侧的缘端部，该飞沫附着得越多。此外，上述飞沫也有可能由于切削时的热而成为由树脂层的树脂材料变质的飞沫。
55.在此，所谓“第1开口的一面侧的缘端部”，例如是指，从z轴方向观察，开口树脂层的一面之中从第1开口的边缘到相距第1开口的厚度的位置。
56.在树脂层12a的下表面(一面vs1)形成有导体图案31。导体图案 31是在x轴方向(传输方向)上延伸的线状的导体图案。导体图案31 之中与一面vs1侧相接的面(图1(b)中的导体图案31的上表面)的表面粗糙度比其相反面(图1(b)中的导体图案31的下表面)的表面粗糙度大。由此，树脂层12a和导体图案31的接合强度提高。导体图案31 例如是cu箔等的导体图案。
57.在本实施方式中，树脂层11a(开口树脂层)的一面vs1与其它树脂层12a的一面vs1不相接。更具体地，如图1(a)等所示，树脂层11a (开口树脂层)的另一面vs2与其它树脂层12a的一面vs1接合。此外，电极p1经由层间连接导体v1与导体图案31的一端连接。导体图案31 的另一端经由层间连接导体v2与电极p2连接。凹部d11由形成在树脂层11a的第1开口ap11和与树脂层11a相邻的树脂层12a构成。
58.如图1(b)等所示，导体图案(导体图案31以及电极p1、p2)仅形成在多个树脂层11a、12a的一面vs1。此外，第1开口ap11的一面 vs1(树脂层11a之中为了形成第1开口ap11而进行切削加工的面)侧的缘端部与导体图案(导体图案31以及电极p1、p2)不相接。
59.接着，列举比较例来说明由第1开口的一面侧的缘端部与导体图案不相接带来的优点。图2(a)是作为比较例的树脂多层基板100的剖视图，图2(b)是树脂多层基板100的分解剖视图。
60.作为比较例的树脂多层基板100与树脂多层基板101的不同点在于，在第1主面s1形成有凹部d11a(在树脂层11a形成有第1开口ap11a)。关于树脂多层基板100的其它结构，与树脂多层基板101相同。
61.凹部d11a由形成在树脂层11a的第1开口ap11a和与树脂层11a 相邻的树脂层12a构成。另外，在图1(a)等中，凹部d11a的底面由导体图案31形成。然而，因为导体图案31形成在树脂层12a，因此在这样的情况下，也可以说凹部d11a使用树脂层12a来构成。第1开口ap11a 是从树脂层11a的上表面(开口树脂层的另一面vs2)侧通过切削加工(激光照射)形成的矩形的贯通孔。第1开口ap11a是开口树脂层的另一面 vs2(树脂层11a的上表面)侧的面积大且开口树脂层的一面vs1(树脂层11a的下表面)的面积小的锥台形。另外，在第1开口ap11a的另一面vs2侧的缘端部附着有许多的飞沫(参照图2(b)中的飞沫tr)。
62.在将仅在单面(一面)形成了导体图案的多个树脂层彼此层叠而形成的本实用新型的树脂多层基板101中，上述多个树脂层11a、12a包含开口树脂层(树脂层11a)，该开口树脂层(树脂层11a)形成了用于形成凹部d11的第1开口ap11和层间连接导体v1、v2用的第2开
口(未图示)。而且，由于工序(将树脂层翻转的工序)的增加等理由，这些多个开口(第 1开口ap11以及第2开口)一般从树脂层的相同的面(未形成导体图案的树脂层的另一面vs2)侧通过切削加工来形成。
63.在像图2(a)以及图2(b)所示的作为比较例的树脂多层基板100 那样从开口树脂层(树脂层11a)的另一面vs2侧通过切削加工来形成第 1开口ap11a以及第2开口(未图示)的情况下，若开口树脂层的另一面vs2与其它树脂层12a的一面vs1接合，则有时第1开口ap11a的另一面vs2侧的缘端部(附着大量的飞沫的部分)与形成在其它树脂层12a 的导体图案31相接。一般来说，在加热压制后的基材中，附着了飞沫的树脂层的接合面处的接合强度比未附着飞沫的树脂层彼此的接合强度弱。这是由于如下理由：仅设想了未附着飞沫的树脂层彼此的接合而设定了树脂层彼此的接合条件、附着了飞沫的树脂层和未附着飞沫的树脂层的接合面成为不同种类材料界面等。此外，附着了飞沫的树脂层的表面和导体图案的接合面(例如，图2(a)中的树脂层11a的上表面和导体图案31 的接合面)的接合强度与未附着飞沫的树脂层和导体图案的接合强度相比特别弱，在该接合面处容易产生层间剥离。
64.另一方面，在本实施方式涉及的树脂多层基板101中，实现如下的作用、效果。
65.(a)在本实施方式涉及的树脂多层基板101中，第1开口ap11以及第2开口(未图示)分别从不同的面通过切削加工来形成。即，第1 开口ap11不是从开口树脂层的另一面vs2(对层间连接导体v1、v2用的第2开口进行切削加工的面)侧，而是从一面vs1(导体图案的形成面)通过切削加工来形成。而且，在树脂多层基板101中，第1开口ap11 的一面vs1侧的缘端部(附着大量的飞沫的部分)与导体图案(导体图案31以及电极p1、p2)不相接。特别是，在本实施方式中，开口树脂层 (树脂层11a)的一面vs1与其它树脂层12a的一面vs1不相接。通过该结构，与第1开口的一面vs1侧的缘端部和导体图案相接的情况(例如，参照图2(b)所示的树脂多层基板100)相比较，可抑制凹部d11 的内周缘(特别是，树脂层11a、12a的边界)处的层间剥离。
66.(b)此外，在本实施方式涉及的树脂多层基板101中，开口树脂层 (树脂层11a)的一面vs1与形成了导体图案31的其它树脂层12a的另一面vs2(未形成导体图案的面)接合。例如，在开口树脂层的一面vs1 和其它树脂层12a的一面vs1接合的情况下，存在下面的担忧：形成第1 开口ap11时附着在开口树脂层的一面vs1的飞沫(特别是，附着在第1 开口ap11的一面vs1侧的缘端部的飞沫tr)和形成在树脂层12a的一面vs1的导体图案31会相接，树脂多层基板的电特性会产生变动。另一方面，根据上述结构，开口树脂层的一面vs1与其它树脂层的一面vs1 不接合，因此上述飞沫不会与其它树脂层12a的导体图案31直接相接，可抑制电特性的变动。
67.另外，在从开口树脂层(树脂层11a)的一面vs1侧通过切削加工来形成层间连接导体v1、v2用的第2开口时，在第2开口的一面vs1侧的缘端部容易附着飞沫。但是，层间连接导体v1、v2和其它导体(导体图案31)的接合强度远高于第1开口ap11的一面vs1侧的缘端部和导体图案的接合强度。因此，在第2开口的一面vs1侧的缘端部的接合面，与第1开口ap11的一面vs1侧的缘端部的接合面相比，不易产生层间剥离。此外，从z轴方向观察的第2开口的面积(开口面积)比从z轴方向观察的第1开口ap11的面积(开口面积)小，因此附着在第2开口的一面vs1侧的缘端部的飞沫的量比附着在第1开口ap11的一面vs1 侧的缘端部的飞沫的量少。
68.(c)此外，在树脂多层基板101中，多个树脂层11a、12a由热塑性树脂构成。根据该结构，像在后面详细叙述的那样，通过对层叠的多个树脂层11a、12a进行加热压制(成批压制)，从而能够容易地形成基材10a。因此，可削减树脂多层基板101的制造工序，能够将成本抑制得低。此外，通过该结构，能够实现能够容易地进行塑性变形且能够维持(保持)所希望的形状的树脂多层基板。
69.(d)在树脂多层基板101中，形成在树脂层12a的一面vs1侧的导体图案31与树脂层11a(开口树脂层)的另一面vs2接合，且与形成在树脂层1la的层间连接导体v1、v2连接。此外，从z轴方向观察，层间连接导体v1、v2的整体分别与导体图案31以及电极p1、p2重叠。在将多个层间连接导体彼此在层叠方向(z轴方向)上进行连接的情况下，由于层叠时等的位置偏移，容易产生导通不良。另一方面，根据该结构，因为不是将多个层间连接导体在层叠方向上连续地连接的构造，所以能够抑制与层叠时等的位置偏移相伴的导通不良。
70.(e)在树脂多层基板101中，在第2开口ap21、ap22的一面vs1 侧形成有导体图案(电极p1、p2)。换言之，第2开口ap21、ap22的一面vs1侧被导体图案(电极p1、p2)覆盖。根据该结构，能够容易地保持配设(填充)在第2开口ap21、ap22内的导电性膏。此外，根据该结构，在通过以后的加热压制使导电性膏固化时，能够与形成在一面vs1 侧的导体图案容易地导通。
71.(f)进而，在树脂多层基板101中，第2开口(未图示)是开口树脂层的一面vs1(树脂层11a的下表面)侧的面积小且另一面vs2(树脂层11a的上表面)侧的面积大的锥台形。根据该结构，第2开口是朝向一面vs1而前端变细的锥台形，因此容易填充导电性膏。此外，因为第2 开口为锥台形，所以与第2开口为圆柱形的情况相比较，能够用少的导电性膏形成层间连接导体v1、v2，可谋求低成本化。
72.(g)此外，在树脂多层基板101中，是如下的构造，即，另一面vs2 侧的面积比一面vs1侧小的锥台形的第1开口ap11形成在开口树脂层 (树脂层11a)，开口树脂层的另一面vs2与其它树脂层12a接合。根据该结构，与开口树脂层的一面vs1和其它树脂层12a接合的情况相比，能够增大开口树脂层和其它树脂层的接合面积，因此开口树脂层和其它树脂层的接合强度提高。因此，与将开口树脂层的一面vs1和其它树脂层 12a接合的情况相比，可抑制开口树脂层和其它树脂层12a的层间剥离。
73.本实施方式涉及的树脂多层基板101例如可通过以下所示的制造方法来制造。图3是按顺序示出层叠前的树脂层11a的制造工序的剖视图。图4是按顺序示出树脂多层基板101的制造工序的剖视图。另外，在图3 以及图4中，为了便于说明，以一个芯片(单片)的图进行说明，但是实际的树脂多层基板101的制造工序以集合基板状态进行。所谓“集合基板”，是指包含多个树脂多层基板101的母基板。这在以后的示出制造工序的图中也是同样的。
74.首先，如图3中的(1)所示，准备由热塑性树脂构成的树脂层11a、 12a(省略图示)。另外，树脂层11a、12a例如是以液晶聚合物(lcp) 或聚醚醚酮(peek)等为主成分的树脂片。
75.接着，在树脂层11a的下表面(开口树脂层的一面vs1)形成电极 p1、p2。具体地，通过光刻对层压在树脂层11a的下表面的金属箔(例如，cu箔)进行图案化，由此在树脂层11a的下表面形成电极p1、p2。另外，虽然省略了图示，但是在树脂层12a的下表面(一面)也形成导体图案31。
76.仅在包含开口树脂层(树脂层11a)的多个树脂层11a、12a的一面 vs1形成导体图案的该工序是本实用新型的“导体图案形成工序”的一个例子。
77.然后，从树脂层11a的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧进行切削加工，形成第1开口ap11。具体地，如图3中的(1)所示，从树脂层 11a的下表面(一面vs1)侧照射激光lr11，形成如图3中的(2)所示的第1开口ap11。在进行激光照射而形成第1开口ap11时，在开口树脂层的一面vs1侧容易附着飞沫。越靠近第1开口ap11的一面vs1侧的缘端部(被激光照射的位置)，该飞沫附着得越多(参照图3中的(2) 所示的飞沫tr)。另一方面，在进行激光照射而形成第1开口ap11时，开口树脂层的另一面vs2(树脂层11a的上表面)被固定在台座(未图示) 等，因此在另一面vs2侧不易附着飞沫。另外，上述飞沫是在激光照射时开口树脂层的树脂材料蒸发或气化并附着在一面vs1的飞沫，有可能成为由于激光照射而变质的飞沫(例如，树脂材料的组成变化了的飞沫、碳化物等)。
78.此外，第1开口ap11例如也可以从开口树脂层的一面vs1侧通过利用钻头等的切削加工来形成。在用钻头等进行切削加工而形成第1开口 ap11时，飞沫(在用钻头进行切削加工时产生的切削屑)也容易附着在开口树脂层的一面vs1侧。越靠近第1开口ap11的一面vs1侧的缘端部，该飞沫附着得越多。此外，上述飞沫也有可能由于切削时的热而成为由树脂层的树脂材料变质的飞沫。
79.在导体图案形成工序之后从开口树脂层的一面vs1侧进行切削加工而形成第1开口ap11的该工序是本实用新型的“第1开口形成工序”的一个例子。
80.此外，从树脂层11a的上表面(开口树脂层的另一面vs2)侧照射激光lr21、lr22，形成如图3中的(2)所示的第2开口ap21、ap22。第2开口ap21、ap22是层间连接导体(v1、v2)用的孔。俯视一面vs1 (从z轴方向观察)，第2开口ap21、ap22形成在与导体图案(电极p1、 p2)重叠的位置。因此，在第2开口ap21、ap22的一面vs1侧形成有导体图案(第2开口ap21、ap22的一面vs1侧被导体图案覆盖)。
81.在导体图案形成工序之后从开口树脂层的另一面vs2(树脂层11a 的上表面)侧进行激光照射而形成第2开口ap21、ap22的该工序是本实用新型的“第2开口形成工序”的一个例子。
82.接着，如图3中的(3)所示，在第2开口ap21、ap22内填充金属材料而形成层间连接导体v1、v2。具体地，在第2开口ap21、ap22内填充包含cu、sn或它们的合金等的金属粉和树脂材料的导电性膏。上述导电性膏通过以后的加热压制而固化，成为层间连接导体v1、v2。
83.在第2开口形成工序之后在第2开口ap21、ap22内填充金属材料而形成层间连接导体v1、v2的该工序是本实用新型的“层间导体形成工序”的一个例子。
84.然后，如图4中的(4)(5)所示，通过将多个树脂层11a、12a层叠并进行加热压制(成批压制)而形成基材10a。在层叠多个树脂层11a、 12a时，层叠为树脂层11a(开口树脂层)比其它树脂层(树脂层12a) 靠第1主面侧。此外，多个树脂层11a、12a层叠为第1开口ap11的一面vs1(树脂层11a的下表面)侧的缘端部与导体图案(导体图案31以及电极p1、p2)不相接。在通过加热压制形成的基材10a中，由形成在树脂层11a的第1开口ap11和与树脂层11a相邻的树脂层12a构成凹部 d11。
85.在第1开口形成工序以及层间导体形成工序之后通过将多个树脂层 11a、12a层叠并进行加热压制而形成基材10a的该工序是本实用新型的“基材形成工序”的一个例子。
86.根据上述制造方法，与第1开口ap11的一面侧的缘端部和导体图案相接的树脂多层基板相比，可容易地得到抑制了凹部d11处的层间剥离的树脂多层基板101。
87.此外，根据上述制造方法，将由热塑性树脂构成的多个树脂层11a、 12a层叠并进行加热压制(成批压制)而形成基材10a，因此可削减树脂多层基板101的制造工序，能够将成本抑制得低。此外，通过该结构，能够实现能够容易地进行塑性变形且能够维持(保持)所希望的形状的树脂多层基板。
88.本实用新型的树脂多层基板例如像以下那样使用。图5是示出第1 实施方式涉及的电子设备301的主要部分的剖视图。
89.电子设备301具备树脂多层基板101a以及电路基板201、202等。另外，虽然电子设备301还具备其它电子部件等，但是在图5中省略了图示。树脂多层基板101a与树脂多层基板101的不同点在于，第2区域 f2被弯曲加工(塑性变形)。换言之，第2区域f2具有在层叠方向上弯曲的弯曲部。关于树脂多层基板101a的其它结构，与树脂多层基板101 相同。
90.第2区域f2的弯曲加工例如通过如下方式来进行，即，使用模具等将基材10a一边加热一边弯曲，在基材10a的热塑性树脂冷却并固化之后，拆下模具等。由此，可得到保持(维持)了弯曲形状的树脂多层基板 101a。
91.电路基板201具有第1面ps21，电路基板202具有第2面ps22。如图5所示，第1面ps21是与yz平面平行的面，第2面ps22是与xy 平面平行的面。在电路基板201的第1面ps21形成有外部电极ep1，在电路基板202的第2面ps22形成有外部电极ep2。树脂多层基板101a 以第2区域f2被弯曲的状态安装到电路基板201、202。具体地，树脂多层基板101a的电极p1经由焊料等导电性接合材料5与电路基板201的外部电极ep1连接。树脂多层基板101a的电极p2经由导电性接合材料 5与电路基板202的外部电极ep2连接。
92.在像树脂多层基板101a那样第2区域f2被弯曲的情况(变形的情况)下存在以下的担忧：在凹部d11被施加应力，在凹部d11处产生层间剥离。另一方面，在本实用新型的树脂多层基板中，第1开口(构成凹部d11的一部分的开口)的一面vs1侧的缘端部(附着了大量的飞沫的部分)与导体图案不相接，因此即使在上述应力施加于凹部d11的情况下，也可抑制凹部d11附近的层间剥离。
93.《第2实施方式》
94.在第2实施方式中，示出对层间连接导体使用了镀敷过孔以及导电性接合材料的例子。
95.图6(a)是第2实施方式涉及的树脂多层基板102的剖视图，图6 (b)是树脂多层基板102的分解剖视图。
96.树脂多层基板102与第1实施方式涉及的树脂多层基板101的不同点在于，具备层间连接导体v1p、v2p。关于树脂多层基板102的其它结构，与树脂多层基板101相同。
97.以下，对与第1实施方式涉及的树脂多层基板101不同的部分进行说明。
98.层间连接导体v1p具有镀敷过孔mp1、导电性接合材料4以及合金层(未图示)。合金层是形成在镀敷过孔mp1与导电性接合材料4之间的金属间化合物。如图6(a)所示，镀敷过孔mp1经由导电性接合材料4 与其它导体(导体图案31的一端)连接。镀敷过孔mp1例如是在树脂层 11a的第2开口(贯通孔)内通过镀敷处理设置的cu等的通孔镀敷或填充过孔镀敷。导电性接合材料4例如是包含cu、sn等金属材料和树脂材料的低熔点的导电性接合材料。
99.层间连接导体v2p具有镀敷过孔mp2、导电性接合材料4以及合金层(未图示)。合金层是形成在镀敷过孔mp2与导电性接合材料4之间的金属间化合物。如图6(a)所示，镀敷过孔mp2经由导电性接合材料4 与其它导体(导体图案31的另一端)连接。镀敷过孔mp2例如是在树脂层11a的第2开口(贯通孔)内通过镀敷处理设置的cu等的通孔镀敷或填充过孔镀敷。
100.在树脂多层基板用于高频传输线路的用途的情况下，对于布线用导体优选使用导体损耗小的cu等，但是cu的熔点高。因此，熔点比cu低的导电性接合材料被用于层间连接导体(参照第1实施方式)，但是仅由导电性接合材料形成的层间连接导体的导电率比较低。另一方面，在本实施方式中，因为并用镀敷过孔mp1、mp2以及导电性接合材料4来形成层间连接导体v1p、v2p，所以与仅由导电性接合材料形成的层间连接导体相比，能够降低导体损耗。
101.此外，在本实施方式中，镀敷过孔mp1、mp2是通过镀敷处理设置的cu等的通孔镀敷(或填充过孔镀敷)，与导体图案(电极p1、p2)是相同材料。因此，镀敷过孔和导体图案被一体化。因此，合金层(金属间化合物)很少形成在镀敷过孔和导体图案的连接部位，镀敷过孔和导体图案的连接部位的机械强度提高。
102.树脂多层基板102例如可通过以下所示的制造方法来制造。图7是按顺序示出层叠前的树脂层11a的制造方法的剖视图。图8是按顺序示出树脂多层基板102的制造工序的剖视图。
103.首先，如图7中的(1)所示，准备由热塑性树脂构成的树脂层11a、 12a(省略图示)，在树脂层11a的下表面形成电极p1、p2。另外，虽然省略了图示，但是在树脂层12a的下表面也形成导体图案31。
104.仅在包含开口树脂层(树脂层11a)的多个树脂层11a、12a的一面vs1形成导体图案的该工序是本实用新型的“导体图案形成工序”的一个例子。
105.然后，从树脂层11a的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧进行切削加工(照射激光lr11)，形成如图7中的(2)所示的第1开口ap11。
106.在导体图案形成工序之后从开口树脂层的一面vs1(树脂层11a的下表面)侧进行切削加工而形成第1开口ap11的该工序是本实用新型的“第 1开口形成工序”的一个例子。
107.此外，从树脂层11a的上表面(开口树脂层的另一面vs2)侧进行切削加工(照射激光lr21、lr22)，形成如图7中的(2)所示的第2开口 ap21、ap22。
108.在导体图案形成工序之后从开口树脂层的另一面vs2(树脂层11a 的上表面)侧进行切削加工而形成第2开口ap21、ap22的该工序是本实用新型的“第2开口形成工序”的一个例子。
109.接着，如图7中的(3)、(4)所示，在第2开口ap21内填充金属材料(cu等)而形成镀敷过孔mp1，然后在镀敷过孔mp1的表面(上表面)配设导电性接合材料4p。此外，在第2开口ap22内填充金属材料 (cu等)而形成镀敷过孔mp2，然后在镀敷过孔mp2的表面(上表面) 配设导电性接合材料4p。导电性接合材料4p例如是包含cu、sn等金属和树脂材料的导电性膏。
110.在第2开口ap21、ap22内形成镀敷过孔mp1、mp2并在镀敷过孔 mp1、mp2的表面配设导电性接合材料4p的该工序是本实用新型的“层间导体形成工序”的一个例子。
111.然后，如图8中的(5)所示，将多个树脂层11a、12a层叠。此时，配设在镀敷过孔mp1的表面的导电性接合材料4p与导体图案31的一端抵接。此外，配设在镀敷过孔mp2的表面的
导电性接合材料4p与导体图案31的另一端抵接。然后，通过对层叠的多个树脂层11a、12a进行加热压制，从而形成基材10a。由于加热压制时的热，导电性接合材料4p(导电性膏)固化(成为图8中的(6)所示的导电性接合材料4)。由此，在镀敷过孔mp1、mp2与导电性接合材料4之间分别形成合金层(未图示)。
112.通过加热压制来形成基材10a，并且通过加热压制使导电性接合材料 4p固化，从而形成镀敷过孔mp1、mp2和导电性接合材料4的合金层的该工序是本实用新型的“基材形成工序”的一个例子。
113.根据上述制造方法，因为并用镀敷过孔mp1、mp2以及导电性接合材料4来形成层间连接导体v1p、v2p，所以与仅由导电性接合材料形成层间连接导体的情况相比，可得到降低了导体损耗的树脂多层基板。
114.另外，虽然在本实施方式中，示出了具有通过镀敷处理设置的cu等的通孔镀敷(或填充过孔镀敷)的层间连接导体的例子，但是并不限定于此。层间连接导体例如也可以使用将直径小的cu制销或cu制导线以给定长度单位切断而得到的部件和导电性接合材料来形成。
115.《第3实施方式》
116.在第3实施方式中，示出第1开口的一面侧的缘端部与树脂层的表面接合的树脂多层基板的例子。
117.图9(a)是第3实施方式涉及的树脂多层基板103的剖视图，图9 (b)是树脂多层基板103的分解剖视图。
118.树脂多层基板103与第1实施方式涉及的树脂多层基板101的不同点在于，具备形成了凹部d12的基材10b，具备导体图案32、41。此外，树脂多层基板103与树脂多层基板101的不同点在于，导体图案31形成在基材10b的第2主面s2。关于树脂多层基板103的其它结构，与树脂多层基板101实质上相同。
119.以下，对与第1实施方式涉及的树脂多层基板101不同的部分进行说明。
120.基材10b是长边方向与x轴方向一致的矩形的平板。基材10b具有第1主面s11、s12以及作为第1主面s11、s12的相反面的第2主面s2。在基材10b的第1主面s11形成有z轴方向上的厚度比其它部分薄的凹部d12。
121.基材10b具有第1区域f1a、f1b以及第2区域f2a、f2b。第1 区域f1a、第2区域f2a、第1区域f1b以及第2区域f2b在x轴方向上依次配置。第2区域f2a是基材10b之中形成了凹部d12的部分。第 2区域f2a、f2b的厚度比第1区域f1a、f1b薄，因此第2区域f2a、 f2b比第1区域f1a、f1b容易变形。
122.基材10b是将由热塑性树脂构成的多个树脂层11b、12b、13b层叠而形成的层叠体。关于树脂层11b、12b、13b的结构，与在第1实施方式中说明的树脂层11a、12a实质上相同。在本实施方式中，树脂层12b相当于本实用新型中的“开口树脂层”。
123.在树脂层11b的上表面(一面vs1)形成有导体图案32。导体图案 32是在x轴方向(传输方向)上延伸的线状的导体图案。导体图案32 例如为cu箔等的导体图案。
124.在树脂层12b的上表面(开口树脂层的一面vs1)形成有导体图案 41。导体图案41是配置在树脂层12b的另一端(图9(b)中的树脂层 12b的右端)附近的矩形的导体图案。导体图案41例如是cu箔等的导体图案。
125.此外，在树脂层12b形成有层间连接导体v2。层间连接导体v2是在从树脂层12b的下表面(开口树脂层的另一面vs2)侧通过切削加工形成的第2开口(未图示)内填充金属材料而形成的导体。第2开口例如是从开口树脂层的另一面vs2侧通过激光照射形成的圆形的贯通孔。层间连接导体v2例如通过如下方式来设置，即，在上述第2开口内配设包含cu、sn等中的一种以上或者它们的合金的导电性膏，并通过以后的加热压制使其固化。层间连接导体v2(第2开口)是开口树脂层的一面vs1 (树脂层12b的上表面)侧的面积小且另一面vs2(树脂层12b的下表面)侧的面积大的锥台形。从z轴方向观察，上述第2开口形成在与导体图案41重叠的位置。
126.进而，在树脂层12b形成有第1开口ap12。第1开口ap12是从树脂层11b的上表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工形成的矩形的贯通孔。第1开口ap12例如从开口树脂层的一面vs1侧通过激光照射来形成。从z轴方向观察，第1开口ap12形成在未形成导体图案41 的位置。
127.在树脂层13b的上表面(一面vs1)形成有导体图案31。导体图案 31是在x轴方向(传输方向)上延伸的线状的导体图案。此外，在树脂层13b形成有层间连接导体v1。层间连接导体v1是在从树脂层12b的下表面(另一面vs2)侧通过切削加工形成的第2开口(未图示)内填充金属材料而形成的导体。层间连接导体v1是树脂层13b的另一面vs2 侧的面积大且一面vs1侧的面积小的锥台形。
128.在本实施方式中，开口树脂层(树脂层12b)的一面vs1与其它树脂层11b、13b的一面vs1不相接。具体地，如图9(a)所示，树脂层 11b的一面vs1与树脂层12b(开口树脂层)的另一面vs2接合，树脂层12b的一面vs1与树脂层13b的另一面vs2接合。此外，导体图案31 经由层间连接导体v1、v2以及导体图案41与导体图案32连接。凹部 d12由形成在树脂层12b的第1开口ap12和与树脂层12b相邻的树脂层 13b构成。
129.在本实施方式涉及的树脂多层基板103中，第1开口ap12的一面 vs1侧的缘端部(附着了大量的飞沫的部分)与导体图案(导体图案31 以及电极p1、p2)也不相接。通过该结构，与第1实施方式涉及的树脂多层基板101同样地，与第1开口ap12的一面vs1侧的缘端部和导体图案相接的情况相比，可抑制凹部d12处的层间剥离。
130.此外，在本实施方式涉及的树脂多层基板103中，开口树脂层(树脂层12b)的一面vs1与形成了导体图案31的其它树脂层13b的另一面vs2 接合。根据该结构，因为开口树脂层的一面vs1与其它树脂层13b的一面vs1不接合，所以可抑制因形成第1开口ap12时附着的飞沫(特别是，附着在第1开口ap12的一面vs1侧的缘端部的飞沫tr)与其它树脂层13b的导体图案31直接相接而引起的电特性的变动。
131.进而，在本实施方式涉及的树脂多层基板103中，开口树脂层(树脂层12b)的另一面vs2与形成了导体图案32的其它树脂层11b的一面vs1 接合。例如，在开口树脂层的一面vs1和其它树脂层11b的一面vs1接合的情况下，存在以下的担忧：上述飞沫(特别是，飞沫tr)和形成在树脂层11b的一面vs1的导体图案32会由于层叠时的位置偏移而相接，树脂多层基板的电特性会产生变动。另一方面，根据上述结构，因为开口树脂层的一面vs1与其它树脂层11b的一面vs1不接合，所以可抑制因与层叠时的位置偏移等相伴地上述飞沫和其它树脂层11b的导体图案32 相接而引起的电特性的变动。
132.《第4实施方式》
133.在第4实施方式中，示出开口树脂层的数目为多个的树脂多层基板的例子。
134.图10(a)是第4实施方式涉及的树脂多层基板104a的剖视图，图 10(b)是树脂多层基板104a的分解剖视图。
135.树脂多层基板104a与第1实施方式涉及的树脂多层基板101的不同点在于，具备基材10c、导体图案41、42以及层间连接导体v3、v4等。关于树脂多层基板104a的其它结构，与树脂多层基板101实质上相同。以下，对与树脂多层基板101不同的部分进行说明。
136.基材10c是将由热塑性树脂构成的多个树脂层11c、12c、13c层叠而形成的层叠体。在基材10c的第1主面s1形成有凹部d13。关于树脂层 11c、12c、13c的结构，与在第1实施方式中说明的树脂层11a、12a实质上相同。
137.在本实施方式中，树脂层11c、12c相当于本实用新型中的“开口树脂层”。开口树脂层(树脂层11c、12c)配置在比其它树脂层(树脂层13c) 靠第1主面s1侧。具体地，多个开口树脂层(树脂层11c、12c)在z轴方向上连续地层叠。另外，树脂层11c是多个开口树脂层之中配置在最靠第1主面s1侧的树脂层。
138.在树脂层11c的下表面(开口树脂层的一面vs1)形成有电极p1、 p2。电极p1、p2与在第1实施方式中说明的电极p1、p2相同。此外，在树脂层11c形成有第1开口ap13a。第1开口ap13a是从树脂层11c 的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工(激光照射)形成的矩形的贯通孔。第1开口ap13a是开口树脂层的一面vs1(树脂层11c 的下表面)侧的面积大且另一面vs2(树脂层11c的上表面)侧的面积小的锥台形。从z轴方向观察，第1开口ap13a形成在与导体图案(电极 p1、p2)不重叠的位置。如图10(b)所示，在第1开口ap13a的一面侧的缘端部附着有大量的飞沫tr。
139.此外，在树脂层11c形成有层间连接导体v1、v2以及第2开口(未图示)。关于层间连接导体v1、v2以及第2开口的结构，与在第1实施方式中说明的相同。
140.在树脂层12c的下表面(开口树脂层的一面vs1)形成有导体图案 41、42。导体图案41是配置在树脂层12c的一端(图10(b)中的树脂层12c的左端)附近的矩形的导体图案。导体图案42是配置在树脂层12c 的另一端(图10(b)中的树脂层12c的右端)附近的矩形的导体图案。导体图案41、42例如是cu箔等的导体图案。
141.此外，在树脂层12c形成有第1开口ap13b。第1开口ap13b是从树脂层12c的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工(激光照射)形成的矩形的贯通孔。第1开口ap13b是开口树脂层的一面vs1(树脂层12c的下表面)侧的面积大且另一面vs2(树脂层12c的上表面)侧的面积小的锥台形。从z轴方向观察，第1开口ap13b形成在与导体图案41、42不重叠的位置。如图10(b)所示，在第1开口ap13b的一面侧的缘端部附着有大量的飞沫tr。
142.进而，在树脂层12c形成有层间连接导体v3、v4。层间连接导体 v3、v4是在从树脂层12c的上表面(开口树脂层的另一面vs2)侧通过切削加工(激光照射)形成的第2开口(未图示)内填充金属材料而形成的导体。层间连接导体v3、v4(上述第2开口)是开口树脂层的一面 vs1(树脂层12c的下表面)侧的面积小且另一面vs2(树脂层12c的上表面)侧的面积大的锥台形。从z轴方向观察，上述第2开口形成在与导体图案41、42分别重叠的位置。
143.在树脂层13c的下表面(一面vs1)，形成有导体图案31。关于导体图案31的结构，与在第1实施方式中说明的导体图案31相同。
144.在树脂多层基板104a中，如图10(a)所示，树脂层11c(开口树脂层)的另一面vs2与
树脂层12c(开口树脂层)的一面vs1接合，树脂层12c的另一面vs2与树脂层13c的一面vs1接合。此外，电极p1 经由导体图案41以及层间连接导体v1、v3与导体图案31的一端连接。导体图案31的另一端经由导体图案42以及层间连接导体v2、v4与电极 p2连接。如图10(a)以及图10(b)所示，凹部d13由第1开口ap13a、 ap13b和与树脂层12c相邻的树脂层13c构成。
145.如上所述，附着了飞沫的树脂层的接合面的接合强度比未附着飞沫的树脂层的接合面的接合强度弱。另一方面，在树脂多层基板104a中，第 1开口ap13a、ap13b的一面vs1侧的缘端部(附着了大量的飞沫的部分)与导体图案不相接。通过该结构，即使是第1开口ap13a、ap13b 在z轴方向上连续地配置的结构，也可抑制凹部处的层间剥离。
146.另外，在图10(a)所示的结构中，示出了凹部的壁在深度方向上的中途位置具有角部的方式。然而，关于凹部的壁面，也可以对该角部进行切削、研磨、热处理等，使得例如成为平面状、曲面状等平滑的面。
147.接着，示出第4实施方式涉及的树脂多层基板104a的变形例。图11 (a)是第4实施方式涉及的另一个树脂多层基板104b的剖视图，图11 (b)是树脂多层基板104b的分解剖视图。
148.树脂多层基板104b与树脂多层基板104a的不同点在于，导体图案 31形成在基材10c的表面(第2主面s2)。此外，树脂多层基板104b与树脂多层基板104a的不同点在于，还具备层间连接导体v5、v6。关于树脂多层基板104b的其它结构，与树脂多层基板104a相同。以下，对与树脂多层基板104a不同的部分进行说明。
149.在树脂多层基板104b中，在树脂层13c的上表面(一面vs1)形成有导体图案31。关于导体图案31的结构，与在第1实施方式中说明的导体图案31相同。此外，在树脂层13c形成有层间连接导体v5、v6。层间连接导体v5、v6是在从树脂层13c的下表面(另一面vs2)侧通过切削加工(激光照射)形成的第2开口(未图示)内填充金属材料而形成的导体。
150.在树脂多层基板104b中，如图11(a)所示，树脂层11c(开口树脂层)的另一面vs2与树脂层12c(开口树脂层)的一面vs1接合，树脂层12c的另一面vs2与树脂层13c的另一面vs2接合。此外，电极p1 经由导体图案41以及层间连接导体v1、v3、v5与导体图案31的一端连接。导体图案31的另一端经由导体图案42以及层间连接导体v2、v4、 v6与电极p2连接。
151.进而，示出第4实施方式涉及的树脂多层基板104a的变形例。图12 (a)是第4实施方式涉及的另一个树脂多层基板104c的剖视图，图12 (b)是树脂多层基板104c的分解剖视图。
152.树脂多层基板104c与树脂多层基板104a的不同点在于，具备基材 10d。关于树脂多层基板104c的其它结构，与树脂多层基板104a相同。以下，对与树脂多层基板104a不同的部分进行说明。
153.基材10d是将由热塑性树脂构成的多个树脂层11d、12d、13d层叠而形成的层叠体。在基材10d的第1主面s1形成有凹部d14。关于树脂层11d、12d、13d的结构，与树脂多层基板104a的树脂层11c、12c、13c 相同。
154.在树脂层11d形成有第1开口ap14a。第1开口ap14a是从树脂层 11d的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工(激光照射)形成的矩形的贯通孔。
155.在树脂层12d形成有第1开口ap14b。第1开口ap14b是从树脂层 12d的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工(激光照射)形成的矩形的贯通孔。如图12(b)所示，第1
开口ap14a、ap14b在z 轴方向上相邻。此外，第1开口ap14b的一面vs1(树脂层12d的下表面)侧的面积比第1开口ap14a的另一面vs2(树脂层11d的上表面) 侧的面积大。
156.在树脂多层基板104c中，从z轴方向观察，位于第1主面s1侧的第1开口ap14a的另一面vs2(树脂层11d的上表面)侧的缘端部与位于第2主面s2侧的第1开口ap14b的一面vs1(树脂层12d的下表面) 侧的缘端部相比位于外侧。在第1开口ap14a的另一面vs2侧的缘端部不与其它树脂层接合的情况下，在对凹部施加了应力(冲击、外部应力、由弯曲加工等产生的应力)时，上述应力集中于凹部中的第1开口的缘端部和其它树脂层的边界而容易产生层间剥离。另一方面，根据该结构，第 1开口ap14a的另一面vs2侧的缘端部与其它树脂层(树脂层12d)接合，因此可抑制由于应力集中于凹部中的第1开口ap14a的缘端部和其它树脂层的边界而造成的层间剥离。
157.进而，根据上述结构，第1开口ap14b的一面vs1(树脂层12d的下表面)侧的缘端部(附着了大量的飞沫的部分)与其它树脂层(树脂层 11d)不相接，因此与第1开口的一面vs1侧的缘端部与其它树脂层相接的情况(参照树脂多层基板104a、104b)相比，可进一步抑制凹部处的层间剥离。
158.《第5实施方式》
159.在第5实施方式中，示出具备粘合了多种树脂层的构造的开口树脂层的树脂多层基板的例子。
160.图13(a)是第5实施方式涉及的树脂多层基板105的剖视图，图 13(b)是树脂多层基板105的分解立体图。
161.树脂多层基板105与第1实施方式涉及的树脂多层基板101的不同点在于，具备基材10e。关于树脂多层基板105的其它结构，与树脂多层基板101相同。
162.以下，对与第1实施方式涉及的树脂多层基板101不同的部分进行说明。
163.基材10e是将由热塑性树脂构成的多个树脂层11e、12e层叠而形成的层叠体。在基材10e的第1主面s1形成有凹部d15。树脂层12e与在第1实施方式中说明的树脂层12a相同。
164.在本实施方式中，树脂层11e相当于本实用新型中的“开口树脂层”。
165.树脂层11e具有第1树脂层l1和与第1树脂层l1粘合的第2树脂层l2。第1树脂层l1是位于树脂层11e的上表面(开口树脂层的另一面 vs2)侧的树脂层，第2树脂层l2是位于树脂层11e的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧的树脂层。第2树脂层l2由比第1树脂层l1容易通过激光照射而气化的树脂材料构成。第1树脂层l1例如是以液晶聚合物(lcp)为主成分的树脂片。第2树脂层l2例如是以诸如聚四氟乙烯 (ptfe)等氟树脂为主成分的树脂片。
166.在本实施方式中，第2树脂层l2的相对介电常数(ε2)比其它树脂层(树脂层12e以及第1树脂层l1)的相对介电常数(ε1)低(ε1》ε2)。此外，在本实施方式中，第2树脂层l2的电介质损耗角正切(tanδ2)比其它树脂层(树脂层12e以及第1树脂层l1)的电介质损耗角正切(tanδ1) 小(tanδ1》tanδ2)。
167.在树脂层11e形成有第1开口ap15。第1开口ap15是从树脂层11e 的下表面(开口树脂层的一面vs1)侧通过切削加工(激光照射)形成的矩形的贯通孔。如上所述，树脂层11e中的位于一面vs1侧的第2树脂层l2比第1树脂层l1容易通过激光照射而气化。因此，通过从开口树脂层的一面vs1侧的激光照射，从z轴方向观察，第2树脂层l2的另一面vs2侧的缘端部位于比第1树脂层l1的一面vs1侧的缘端部靠外侧。即，在第1开口ap15中，第2树脂层l2的另
一面vs2侧的缘端部成为与第1树脂层l1相接的状态。
168.在位于开口树脂层的另一面vs2侧的第1树脂层比第2树脂层容易通过激光照射而气化的情况下，若从开口树脂层的一面vs1侧进行激光照射，则第2树脂层的另一面vs2(上表面)侧的缘端部成为与第1树脂层不相接的状态。而且，若在第1开口第1树脂层的缘端部未与第2 树脂层粘合，则在对凹部(第1开口)施加了应力时，上述应力会集中于凹部中的第1树脂层和第2树脂层的边界，从而容易产生层间剥离。另一方面，在树脂多层基板105中，是第1开口ap15中的第2树脂层l2的另一面vs2侧的缘端部与第1树脂层l1粘合的状态。因此，可抑制由于应力集中于凹部中的第1树脂层l1的缘端部和第2树脂层l2的边界而造成的层间剥离。
169.此外，在本实施方式中，开口树脂层(树脂层11e)包含高频特性比其它树脂层(树脂层12e)优异的第2树脂层l2而形成，因此能够实现高频特性优异的树脂多层基板。具体说明为，第2树脂层l2的相对介电常数(ε2)比其它树脂层(树脂层12e以及第1树脂层l1)的相对介电常数(ε1)低(ε1》ε2)。因此，在将具有给定的特性的电路形成于树脂多层基板的情况下，能够在不使在形成于基材10e的导体图案(例如，导体图案31)与其它导体图案之间形成的电容不必要地变高的情况下使导体图案的线宽度变粗，能够降低上述电路的导体损耗。此外，在将具有给定的特性的电路形成于树脂多层基板的情况下，即使不使导体图案的线宽度变细，也能够使树脂层11e变薄，能够将基材10e薄型化。进而，在本实施方式中，第2树脂层l2的电介质损耗角正切(tanδ2)比其它树脂层(树脂层12e以及第1树脂层l1)的电介质损耗角正切(tanδ1)小 (tanδ1》tanδ2)。因此，与仅层叠电介质损耗角正切相对高的树脂层而形成了基材的情况相比，能够降低电介质损耗。
170.本实施方式涉及的树脂层11e例如可通过以下所示的制造方法来制造。
171.(1)首先，准备第1树脂层l1以及第2树脂层l2。第2树脂层l2 由比第1树脂层l1容易通过激光照射而气化的树脂材料构成。第1树脂层l1例如是以液晶聚合物(lcp)为主成分的树脂片。第2树脂层l2 例如是以诸如聚四氟乙烯(ptfe)等氟树脂为主成分的树脂片。
172.(2)接着，将第1树脂层l1和第2树脂层l2粘合，使得第1树脂层l1成为上表面(开口树脂层的另一面vs2)侧，第2树脂层l2成为下表面(开口树脂层的一面vs1)侧，得到树脂层11e。
173.在第1开口形成工序之前，将第1树脂层l1以及第2树脂层l2粘合，使得第1树脂层l1成为另一面vs2侧，第2树脂层l2成为一面vs1 侧，从而形成树脂层11e(开口树脂层)的该工序是本实用新型的“开口树脂层形成工序”的一个例子。
174.另外，上述“开口树脂层形成工序”既可以在导体图案形成工序之前进行，也可以在导体图案形成工序之后进行。
175.《其它实施方式》
176.虽然在以上所示的各实施方式中，示出了树脂多层基板为将两个电路基板彼此连接的电缆的例子，但是本实用新型的树脂多层基板并不限定于此。树脂多层基板既可以是对电路基板与其它部件之间进行连接的电缆，也可以是面安装在一个电路基板等的表面安装部件(电子部件)。此外，也可以根据需要在树脂多层基板设置有连接器。
177.虽然在以上所示的各实施方式中，示出了基材为矩形的树脂平板的例子，但是并不限定于该结构。基材的平面形状能够在实现本实用新型的作用、效果的范围内适当地进
行变更，例如可以是l字形、t字形、y字形、 u字形、曲柄形等。
178.此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了凹部为跨越基材的宽度方向(y轴方向)整体而形成的平面形状为矩形的槽的例子，但是并不限定于该结构。凹部的平面形状例如也可以是多边形、圆形、椭圆形、l 字形、t字形、y字形、u字形、曲柄形等。此外，凹部并不限定于跨越基材的宽度方向整体而形成的槽，也可以是在第1主面s1内形成的空腔。此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了为了使第2区域f2容易弯曲而设置了凹部的例子，但是本实用新型的凹部并不限定于该用途。凹部例如也可以是为了避开配置在树脂多层基板的周围的构造物、其它部件而设置的空腔。
179.虽然在以上所示的各实施方式中，示出了绝缘基材为矩形或大致矩形的平板的例子，但是并不限定于该结构。绝缘基材的形状能够在实现本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。绝缘基材的平面形状例如也可以是l字形、曲柄形、t字形、y字形等。此外，树脂多层基板的弯折形状并不限定于以上所示的各实施方式中的结构，能够在实现本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。
180.虽然在以上所示的各实施方式中，示出了按照第1区域f1a、第2 区域f2以及第1区域f1b的顺序配置的基材的例子，但是并不限定于此。第1区域的个数、配置以及第2区域的个数、配置能够适当地进行变更。
181.此外，虽然在以上所示的各实施方式中，示出了层叠两个树脂层而形成的基材、层叠三个树脂层而形成的基材的例子，但是本实用新型的基材并不限定于此。形成基材的树脂层的层数能够在实现本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。此外，开口树脂层并不限定于一层或两层，也可以是三层以上。此外，也可以在第1主面s1或第2主面s2形成有保护膜。
182.虽然在以上所示的各实施方式中，示出了基材为热塑性树脂的平板的例子，但是并不限定于该结构。基材也可以是热固化性树脂的平板。另外，像在第5实施方式中也示出的那样，基材并不限定于全部由相同的材料构成的基材，也可以是不同的树脂材料的复合体。
183.此外，形成在树脂多层基板的电路的结构并不限定于以上所示的各实施方式的结构，能够在实现本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。形成在树脂多层基板的电路例如也可以形成有由导体图案形成的线圈、由导体图案形成的电容器、各种滤波器(低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器、带阻滤波器)等频率滤波器。此外，在树脂多层基板例如也可以形成有其它各种传输线路(带状线、微带线、共面线等)。进而，在树脂多层基板也可以安装或埋设有芯片部件等各种电子部件。
184.虽然在以上所示的各实施方式中，示出了矩形的电极p1、p2形成在基材的第1主面s1的例子，但是并不限定于该结构。电极的形状、个数、配置能够在实现本实用新型的作用、效果的范围内适当地进行变更。电极的平面形状例如也可以是多边形、圆形、椭圆形、圆弧状、环状、l字形、 u字形、t字形、y字形、曲柄形等。
185.最后，上述的实施方式的说明在所有的方面均为例示，并不是限制性的。对本领域技术人员而言，能够适当地进行变形以及变更。本实用新型的范围不是由上述的实施方式示出，而是由权利要求书示出。进而，本实用新型的范围包含从与权利要求书等同的范围内的实施方式进行的变更。
186.附图标记说明
187.ap11、ap11a、ap12、ap13a、ap13b、ap14a、ap14b：第1开口；
188.ap21、ap22：第2开口；
189.d11、d11a、d12、d13、d14、d15：凹部；
190.ep1、ep2：电路基板的外部电极；
191.f1a、f1b：第1区域；
192.f2：第2区域；
193.l1：第1树脂层；
194.l2：第2树脂层；
195.lr11、lr21、lr22：激光；
196.mp1、mp2：镀敷过孔；
197.s1：基材的第1主面；
198.s2：基材的第2主面；
199.vs1：开口树脂层的一面；
200.vs2：开口树脂层的另一面；
201.ps21：电路基板的第1面；
202.ps22：电路基板的第2面；
203.tr：飞沫；
204.v1、v1p、v2、v2p、v3、v4、v5、v6：层间连接导体；
205.4、4p：导电性接合材料；
206.5：导电性接合材料；
207.10a、10b、10c、10d、10e：基材；
208.1la、11b、11c、11d、11e、12c、12d：树脂层(开口树脂层)；
209.12a、12b、12e、13b、13c、13d：树脂层；
210.31、41、42：导体图案；
211.p1、p2：电极(导体图案)；
212.100、101、101a、102、103、104a、104b、104c、105：树脂多层基板；
213.201、202：电路基板；
214.301：电子设备。