一种双层覆膜CSP封装结构的制作方法

一种双层覆膜csp封装结构
技术领域
1.本技术属led封装技术领域，尤其涉及一种双层覆膜csp封装结构。


背景技术：

2.现有csp结构比较明显的缺点是焊盘较小，csp的有效焊接面积较小、附着力较小，导致后端产品的可靠性及生产良率较低。少数使用支架和固晶焊料的csp结构，虽然有效焊接面积较大，但其使用固晶焊料将led芯片的电极和支架进行电连接，比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度，否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。此外，上述两种结构同时存在发光效率低的问题。因此，亟需对现有csp结构进行进一步改进。


技术实现要素：

3.本技术为了解决上述技术问题，提供了一种双层覆膜csp封装结构。
4.本技术采用如下方案，一种双层覆膜csp封装结构，包括：
5.led芯片，其底部设有电极；
6.金属层，其间隔设于所述电极周侧；
7.荧光胶层，其包覆所述led芯片周侧和顶部；
8.封装胶层，其封装所述荧光胶层和所述金属层，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露。
9.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述荧光胶层包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为600nm-780nm。
10.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述荧光粉为红色荧光粉。
11.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述胶体为硅胶、改性硅树脂、环氧树脂中的任一种。
12.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述封装胶层包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为380nm-780nm。
13.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述电极底部表面和所述金属层底部表面处于同一水平线上。
14.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述电极与所述金属层之间的间距大于0.5微米、小于80微米，所述金属层与所述电极之间的间距由所述荧光胶层填充。
15.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述的金属层包含一层或多层金属基材，所述的金属基材材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，所述金属基材的厚度为1微米至100微米。
16.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述金属基材的底部表面设有焊接薄膜层，所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡，所述焊接薄膜层的厚度为0.001微米至5微米；
17.所述金属基材与所述封装胶层的接触面设有反射薄膜层，所述反射薄膜层的材料为金、银、铝或铬，所述反射薄膜层的厚度为0.001微米至5微米。
18.如上所述的一种双层覆膜csp封装结构，所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
19.所述金属层包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
20.与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
21.本技术提供一种双层覆膜csp封装结构，包括led芯片、金属层、荧光胶层和封装胶层，led芯片底部设有电极，在电极周侧间隔设置有金属层，在led芯片周侧包覆有荧光胶层，封装胶层将荧光胶层和金属层进行封装，本技术通过设置金属层可充当led芯片电极的扩展焊盘，增大了csp的可焊接面积，可以有效地改善现有csp封装结构有效焊接面积较小问题，提升csp的焊接附着力和csp后端产品的可靠性及生产良率，同时在led芯片周侧先包覆有荧光胶层，再通过封装胶层将荧光胶层和金属层进行二次覆膜，本技术双层荧光胶的设置可有效地提升csp的光效，节能省电，使得发光效率更高，且本技术的csp封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的csp固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
附图说明
22.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
23.图1是本技术实施例中一种双层覆膜csp封装结构的结构示意图。
24.图2是本技术实施例中一种双层覆膜csp封装结构仰视角的结构示意图。
25.图3是本技术实施例中一种双层覆膜csp封装结构的立体结构示意图。
26.图4是本技术实施例中一种双层覆膜csp封装结构的截面示意图。
27.图5是本技术实施例中金属层的结构示意图。
具体实施方式
28.如图1-5所示，一种双层覆膜csp封装结构，包括led芯片1、金属层2、荧光胶层3和封装胶层4，led芯片1底部设有电极10；金属层2间隔设于所述电极10周侧；荧光胶层3包覆所述led芯片1周侧和顶部；封装胶层4封装所述荧光胶层3和所述金属层2，并使所述电极10底部表面和所述金属层2底部表面裸露。
29.本技术提供一种双层覆膜csp封装结构，包括led芯片、金属层、荧光胶层和封装胶层，led芯片底部设有电极，在电极周侧间隔设置有金属层，在led芯片周侧包覆有荧光胶层，封装胶层将荧光胶层和金属层进行封装，本技术通过设置金属层可充当led芯片电极的扩展焊盘，增大了csp的可焊接面积，可以有效地改善现有csp封装结构有效焊接面积较小问题，提升csp的焊接附着力和csp后端产品的可靠性及生产良率，同时在led芯片周侧先包覆有荧光胶层，再通过封装胶层将荧光胶层和金属层进行二次覆膜，本技术双层荧光胶的设置可有效地提升csp的光效，节能省电，使得发光效率更高，且本技术的csp封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的csp固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
30.优选的，所述荧光胶层3包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉为发
射波长600nm-780nm的红色荧光粉。所述的胶体一般为硅胶、改性硅树脂、环氧树脂等热固性透明材料，优选的材料为硅胶。所述荧光粉的发射波长为600～780nm。所述的荧光粉一般为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物等一种或多种材料。所述的荧光粉一般在荧光胶内的重量占比为0％至90％，优选的比例为20％至75％。
31.本技术的双层覆膜csp封装结构制作时，先在led芯片上覆盖一层只含有红粉的荧光膜，再切割去除led芯片四周的荧光胶形成荧光胶层3，然后再设置第二层荧光胶形成封装胶层4，最后切割形成最终的csp。
32.优选的，所述封装胶层4包括胶体和混合于所述胶体内的荧光粉，所述荧光粉的发射波长为380nm-780nm。所述的胶体一般为硅胶、改性硅树脂、环氧树脂等热固性透明材料，优选的材料为硅胶。所述的荧光粉一般为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物等一种或多种材料。所述的荧光粉一般在荧光胶内的重量占比为0％至90％，优选的比例为20％至75％。
33.优选的，所述电极10底部表面和所述金属层2底部表面处于同一水平线上。所述的金属层的焊接面与led芯片电极的焊接面在同一水平线上，在金属层作为扩展焊盘时，便于将led芯片电极和金属层之间进行焊接，相比于现有结构二采用支架作为扩展焊盘，本技术的优势是结构简单、体积小，不需使用固晶焊料。
34.优选的，所述电极10与所述金属层2之间的间距大于0.5微米、小于80微米。当距离小于0.5微米时容易造成电迁移，影响产品性能，当距离大于80微米时，会提高led芯片电极和金属层之间焊接难度。
35.优选的，所述金属层2与所述电极10之间的间距由所述荧光胶层3填充，通过荧光胶封装，使得金属层与led芯片电极层之间有间距。
36.优选的，所述的金属层2包含一层或多层金属基材21，所述的金属基材21材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，所述金属基材21的厚度为为1微米至100微米，当厚度小于1微米时会导致厚度过薄焊接效果差，当厚度超过100微米时导致厚度过厚增大结构了体积，更优选为10微米至40微米，可使金属层充当led芯片电极的扩展焊盘。
37.优选的，所述金属基材21的底部表面设有焊接薄膜层22，所述焊接薄膜层22的材料为金、银、铜或锡等焊接良好的材料，所述焊接薄膜层22的厚度为0.001微米至5微米，采用化学镀、电镀、喷锡、沉金、溅射等工艺设于金属层表面，用于焊接。
38.优选的，所述金属基材21与所述荧光胶4的接触面设有反射薄膜层23，所述反射薄膜层23的材料为金、银、铝或铬等反射良好的材料，所述反射薄膜层23的厚度为0.001微米至5微米，采用化学镀、电镀、沉金、溅射等工艺设于金属层反射面，提高光源反射率。
39.优选的，所述电极10包括间隔设置的第一电极101和第二电极102；所述金属层2包括间隔设置的第一金属层201和第二金属层202，且所述第一金属层201间隔设于所述第一电极101周侧，所述第二金属层202间隔设于所述第二电极102周侧。第一金属层201和第二金属层202用于分别充当第一电极101和第二电极102的扩展焊盘，第一金属层201和第二金属层202间隔对称设置，均呈相对的“匚”型。
40.优选的，所述led芯片1为倒装led芯片，至少包含电极层及非电极层。所述的电极
层为含有金、银、铬、铝、铂、钯等一种或多种金属的单一金属或合金，所述的电极层可以为单一金属或合金结构，也可以为多层金属或合金层的组合。所述的电极层用于焊接，使led芯片与整个电路形成电气连接。所述的非电极层至少包含发光层，优选的非电极层包含绝缘层、反射层、发光层、衬底。所述的绝缘层一般为二氧化硅、二氧化钛的单层或多层结构。所述的反射层一般为金层、银层或二氧化硅与二氧化钛的交替多层结构。所述的发光层为掺杂的外延层，优选的，所述的外延层为氮化镓。所述的衬底一般为蓝宝石、硅或碳化硅。
41.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。