用于蚀刻临界尺寸控制的非共形高选择性膜的制作方法

1.本公开内容的实施例总体涉及在半导体装置中于蚀刻工艺期间用于形成保护层的沉积方法。更具体而言，本公开内容的实施例涉及在半导体装置中用于蚀刻工艺的非共形、高度选择性衬垫。


背景技术：

2.半导体技术以快速的节奏发展，且随着先进技术装置尺寸已缩小以提供更快的每单位空间的处理和存储。随着半导体技术的发展，市场需要每单位面积具有越来越多结构的越来越小的芯片。在小型化方面已取得许多进步的一种类别的装置为存储器装置。
3.存储器区段的两种支柱为nand闪存及dram。dram为动态、易失性且非常快，使其良好地适合用于短期系统存储器。相反地，nand闪存为非易失性，意味着其具有良好的保留且可良好作用于长期存储。随着需求持续增长，此两种存储器类型的主要目标为更高的速度、更高的密度、以及更低的位成本。
4.dram继续扩展至更小单元设计。此尺寸缩小驱动引入多重图案化技术。平面nand亦面临规模限制，且最终改变路线朝垂直方向移动。此垂直整合对3d nand装置放宽了平版印刷要求，且取代地迁移最复杂的工艺挑战至沉积及蚀刻。随着更高密度需求的增加，在nand装置中通常方式已成为堆叠更多层。然而，额外的层导致更厚的堆叠，这是归因于增加的深宽比而增加蚀刻的困难性。
5.主要结构通过交替膜沉积而建立，接着通过整个堆叠完成高深宽比蚀刻。在3d nand中蚀刻新的节点采取甚至更高垂直堆叠的工艺。高深宽比结构具有独特工艺控制要求，这是因为通道的深度为微米量级，具有埃等级的精确度要求。
6.v-nand或3d-nand结构已在闪存应用中使用。v-nand装置为垂直堆叠的nand结构，具有安排在模块中的大量单元。在字符线形成之前，基板为层状的氧化堆叠。存储器串形成于垂直通过层状氧化及氮化(on)堆叠的间隙或狭缝中。
7.随着on对及层级的数量增加以达成高容量，诸如存储器孔洞或狭缝之类的特征的深宽比大幅增加(》20)。结果，此高深宽比结构的蚀刻变得更加具挑战性。弓曲临界尺寸(cd)及差量临界尺寸(cd)常常超出设计规格。蚀刻工具的硬件及工艺的发展可能不够快以解决此等问题。
8.因此，本领域中需要一种蚀刻的方法以用于保护半导体装置的侧壁，使得弓曲临界尺寸(cd)大幅减少。目前工艺使用共形原子层沉积/分子层沉积/炉(ald/mld/炉)工艺任一者以沉积碳/硼/铝氧化物(c/bn/al2o3)或碳(c)衬垫，或使用化学气相沉积(cvd)以沉积碳/碳化钨(c/wc)衬垫。


技术实现要素：

9.本公开内容的一个或多个实施例针对蚀刻膜堆叠的方法。所述方法包括在基板上形成膜堆叠，膜堆叠包括氧化材料和氮化材料的多个交替层，且膜堆叠具有堆叠厚度；蚀刻
膜堆叠至第一深度，以形成具有至少一个侧壁和底部的开口，第一深度小于堆叠厚度；在开口的至少一个侧壁和底部上沉积非共形衬垫，在开口的底部上的非共形衬垫具有厚度，所述厚度小于在开口的至少一个侧壁上的非共形衬垫的厚度；从开口的底部蚀刻非共形衬垫；相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠至第二深度，以形成孔洞；以及移除非共形衬垫。
10.本公开内容的额外实施例还针对蚀刻膜堆叠的方法。所述方法包括：在基板上形成膜堆叠，所述膜堆叠包括氧化材料和氮化材料的多个交替层，且膜堆叠具有堆叠厚度；在膜堆叠上形成图案化硬掩模；通过硬掩模蚀刻膜堆叠至第一深度，以形成具有至少一个侧壁和底部表面的开口，第一深度小于第一厚度；通过化学气相沉积，在开口的至少一个侧壁和底部表面上沉积非共形衬垫，在开口的底部表面上的非共形衬垫具有厚度，此厚度小于在开口的至少一个侧壁上非共形衬垫的厚度，非共形衬垫包括以下项中的一者或多者：硼、氮或碳；从开口的底部表面蚀刻非共形衬垫；相对于非共形衬垫选择性蚀刻膜堆叠至第二深度，以形成孔洞；以及执行基板的退火，以移除非共形衬垫。
11.本公开内容的进一步实施例针对电子装置。所述电子装置包括：膜堆叠，所述膜堆叠在基板上，膜堆叠包括氧化材料和氮化材料的多个交替层，且膜堆叠具有堆叠厚度；图案化硬掩模，所述图案化硬掩模在膜堆叠上；第一深度的开口，所述第一深度的开口形成于膜堆叠中，开口具有至少一个侧壁和底部，第一深度小于第一厚度；以及非共形衬垫，所述非共形衬垫形成于开口的至少一个侧壁及底部表面上，非共形衬垫包括以下项中的一者或多者：硼、氮或碳。
附图说明
12.以此方式可详细理解本公开内容以上所载的特征，以上简要概述的本公开内容的更特定说明可通过参考实施例而获得，一些实施例示出于附图中。然而，应理解，附式仅示出了本公开内容的通常实施例，且因此不应被考量为其范围的限制，因为本公开内容认可其他均等效果的实施例。本文中所述的实施例以示例的方式示出，且并非限制于附图中的图中，其中类似的元件符号代表类似的元件。
13.图1示出根据先前技术的示例电子装置；
14.图2是根据本公开内容的一个或多个实施例的形成电子装置的方法的流程图；
15.图3示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置；
16.图4示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置；
17.图5a是根据本公开内容的一个或多个实施例示例电子装置；
18.图5b示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置；
19.图6示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置；
20.图7示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置；
21.图8示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置；
22.图9示出根据本公开内容的一个或多个实施例的示例电子装置。
具体实施方式
23.在说明本公开内容的数个示例实施例之前，应理解本公开内容并非限于以下说明中提及的构造或工艺步骤的细节。本公开内容能够以各种方式实施或执行其他实施例。
24.在本文中所使用的术语“约”代表大概或接近，且在提及的数值或范围的上下文中代表数值
±
15％或更少的变化。举例而言，在
±
14％、
±
10％、
±
5％、
±
2％或
±
1％的差异中的值将满足约的定义。
25.如本说明书及所附权利要求中所使用的，术语“基板”或“晶片”代表在其上作用工艺的表面或表面的部分。本领域技术人员也应理解参考基板可代表基板的部分，除非上下文清楚另外表示。此外，参考在基板上沉积可意味着裸基板及具有一个或多个膜或特征沉积或形成于其上的基板两者。
26.如本文中所使用的“基板”代表任何基板或形成于基板上的材料表面，于制作工艺期间在其上执行膜处理。举例而言，可在其上执行处理的基板表面包括诸如硅、氧化硅、应变硅、绝缘体上硅(soi)、碳掺杂的氧化硅、非晶硅、掺杂的硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石的材料、和任何其他材料，诸如金属、金属氮化物、金属合金及其他导电材料，取决于应用而定。基板不限制地包括半导体晶片。基板可暴露至预处置工艺，以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟化(或者产生或移植标靶化学部分以给予化学功能性)、退火和/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上处理之外，在本公开内容中，所公开的膜处理步骤中的任意个还可被执行在形成于基板上的下层上，如以下更详细地公开的，并且术语“基板表面”意图包括如上下文指示的此下层。因此，举例而言，在膜/层或部分膜/层已沉积于基板表面上时，新沉积的膜/层的暴露的表面变成基板表面。给定基板表面所包括者将取决于意图沉积的材料、以及特定的化学使用。
27.如在此说明书及所附权利要求中所使用的，术语“前驱物”、“反应物”、“反应气体”等可互换使用，以代表可与基板表面反应的任何气态物种。
28.动态随机存取存储器(dram)为随机存取半导体存储器的类型，而在集成电路内于分开的小电容器中存储数据的各个位。nand和v-nand装置为两种类型的闪存，此闪存为非挥发性存储器的分类，即使在缺乏电流时仍保持数据。闪存非常易于携带，且与其耐久性及速度的其他特征组合。v-nand装置为垂直堆叠的nand结构，具有安排成模块的大量单元。
29.参照图1，为根据现有技术的电子装置10(例如，存储器装置)的剖面视图。在形成字符线之前，基板为层状氮化/氧化堆叠15，具有厚度t。存储器串形成于间隙或狭缝20中，而垂直通过层状氧化层4及氮化层6(on)堆叠15。随着on对和层级的数量增加以达成高容量，特征20(例如，存储器孔洞或狭缝)的深宽比大幅增加(》20)。结果，蚀刻这些结构的挑战增加。弓曲临界尺寸(cd)22以及差量临界尺寸(cd)超出设计规格，因此装置无法根据设计规则而工作。
30.本公开内容的实施例有利地提供在蚀刻工艺方法期间用于形成保护层的沉积方法，而允许在侧壁及底部膜上的临界轮廓控制，在蚀刻工艺期间大幅减少弓曲临界尺寸(cd)。不受理论束缚，考量沉积一个或多个实施例的高选择性侧壁衬垫，以保护半导体特征的侧壁，使得相较于不具任何衬垫的半导体特征，弓曲cd大幅减少。此外，在特征底部处实质上无或非常薄的膜轮廓使其易于突破用于蚀刻。
31.参照图2至图9，本公开内容的一些实施例涉及用于形成电子装置(例如存储器装置)的方法。参照图2(图2为工艺流程图)，形成电子装置的方法50通过形成膜堆叠在操作55处开始。在操作60处，可选地，于膜堆叠上形成图案化硬掩模。在操作65处，蚀刻膜堆叠。在操作70处，沉积非共形衬垫。在操作75处，蚀刻非共形衬垫。在操作80处，选择性蚀刻膜堆
叠。在操作85处，移除非共形衬垫。
32.图3示出根据本公开内容的一些实施例的示例装置100的剖面视图。在一个或多个实施例中，膜堆叠150包括沉积于基板102上的氮化材料104和氧化材料106的多个交替层。
33.在一个或多个实施例中，膜堆叠150具有堆叠厚度t1。在一些实施例中，堆叠厚度t1在约至约的范围中，包括但不限于约约约约约约约约约约约或约
34.半导体基板102可为任何适合的基板材料。在一个或多个实施例中，半导体基板102包括半导体材料，例如硅(si)、碳(c)、锗(ge)、硅锗(sige)、砷化镓(gaas)、磷酸铟(inp)、砷化铟镓(ingaas)、砷化铟铝(inalas)、锗(ge)、硅锗(sige)、硒化铜铟镓(cigs)、其他半导体材料、或其任意组合。在一个或多个实施例中，半导体基板102包括以下项中的一者或多者：硅(si)、锗(ge)、镓(ga)、砷(as)、铟(in)、磷(p)、铜(cu)或硒(se)。尽管本文中说明基板102可形成的材料的少数示例，然而可供以作为基础而在其上可建立无源电子装置以及有源电子装置(例如，晶体管、存储器、电容器、电感器、电阻器、开关、集成电路、放大器、光电装置、或任何其他电子装置)的任何材料落入本公开内容的精神及范围内。
35.图4示出根据本公开内容的一些实施例的示例装置100的剖面视图。参照图4，在一个或多个实施例中，在膜堆叠150的顶部表面上形成图案化硬掩模108。在一个或多个实施例中，图案化硬掩模108可通过任何适合的工艺形成。在一些实施例中，图案化硬掩模108形成作为包覆硬掩模，并且随后蚀刻以形成图案化硬掩模108。在一些实施例中，图案化硬掩模108沉积作为具有图案(例如，图案化印刷)的硬掩模。
36.参照图5a，在一个或多个实施例中，图案化硬掩模108具有暴露膜堆叠150的部分的开口116，以允许蚀刻膜堆叠150。参照图5a，在一个或多个实施例中，开口116首先形成于图案化硬掩模108中，暴露膜堆叠150的表面。在一些实施例中，开口116具有在约1nm至约100nm、约2nm至约80nm、约3nm至约75nm、约4nm至约50nm、或约5nm至约50nm的范围内的宽度。
37.参照图5b，在一个或多个实施例中，膜堆叠150蚀刻至第一深度d1的深度，以形成具有至少一个侧壁112和底部表面114的开口110，第一深度d1小于堆叠厚度t1。在一个或多个实施例中，蚀刻工艺为实质上方向性的。
38.如本文中所使用，“实质上方向性的”蚀刻工艺代表在一个方向上比另一方向移除大量材料(例如，从膜堆叠移除垂直沟道，而非蚀刻沟道的侧壁)的工艺。实质上方向性的工艺在第一方向上比在正交于第一者的第二方向上所移除的材料以10、20、50或100倍的速率更快速地优先移除材料。
39.在一个或多个实施例中，膜堆叠150蚀刻至第一深度d1的深度。第一深度d1小于堆叠厚度t1。换句话说，蚀刻工艺不会蚀刻整个膜堆叠150。蚀刻工艺形成开口110。开口110具有至少一个侧壁112及底部表面114。在一个或多个实施例中，第一深度d1在约0.5μm至约10μm或约1μm至约10μm的范围内，包括但不限于约1μm、约2μm、约3μm、约4μm、约5μm、约6μm、约7μm、约8μm、约9μm或约10μm。
40.参照图6，在开口110的至少一个侧壁112及底部表面114上沉积非共形衬垫118。在一些实施例中，非共形衬垫118包括硼(b)。在一些实施例中，非共形衬垫118进一步包括氮(n)或碳(c)。在其他实施例中，非共形衬垫118包括以下项中的一者或多者：硼(b)、碳(c)或
氮(n)。在一些实施例中，非共形衬垫118包括以下项中的一者或多者：硼、氮化硼(bn)、碳化硼(bc)或碳氮化硼(bcn)。
41.在一个或多个实施例中，非共形衬垫118实质上不含氧。在一个或多个实施例中，非共形衬垫118实质上不含硅。如本文中所使用，术语“实质上不含”意味着小于5％，包括小于4％、小于3％、小于2％、小于1％及小于0.5％的氧或硅存在于非共形衬垫118中。不意图受理论限制，考量非共形衬垫实质上不含硅和/或实质上不含氧具有比含有硅和/或氮的非共形衬垫更具稳定性。举例而言，在一个或多个实施例中，包括硼、碳或氮一个或多个中的一者或多者，且实质上不含硅及氧的非共形衬垫具有比包括硅及氧的非共形衬垫更大的原子稳定性。
42.在一个或多个实施例中，非共形衬垫118可通过任何适合的工艺来沉积。在一些实施例中，非共形衬垫118通过化学气相沉积(cvd)来沉积。
43.化学气相沉积(cvd)为实施用于在基板上沉积层的工艺。cvd为依赖于通量的沉积技术，需要精确控制基板温度和引入处理腔室的前驱物，以便产生均匀厚度的期望的层。
44.在一个或多个实施例中，非共形衬垫118通过将基板102暴露至含硼前驱物和反应物而形成。在一个或多个实施例中，含硼前驱物为本领域技术人员已知的任何含硼前驱物。
45.在一个或多个实施例中，含硼前驱物具有b
xcynzhv
的通式，其中x从大于0至小于1，y从0至小于1，z从0至小于1，且v从0至小于1。在一些实施例中，含硼前驱物从硼(b)源的反应获得，例如但不限于(br1r2r3)m，其中r1、r2及r3独立地选择自氢(h)、甲基(ch3)、乙基(c2h5)、丙基(c3h7)、c
nh2n 2
、c
nh2n2-2
或c
nh2n
，m小于8，且n小于8。在一个或多个实施例中，硼源从以下项中的一者或多者选择：硼烷(bh3)、乙硼烷(b2h6)、三硼烷(b3h5)、四硼烷(b4h
10
)、五硼烷9(b5h9)、五硼烷11(b5h
11
)、烷基硼烷，包括但不限于四甲基二硼烷((ch3)2bh)、甲基二硼烷(ch3b2h5)等。
46.在一个或多个实施例中，烃基碳源气体从以下项中的一者或多者选择：cah
2a 2
、cbh
2b
、cbh
2b-2
，其中a为1或更大的数字，且b为2或更大的数字。在一个或多个实施例中，烃基碳源气体从以下项中的一者或多者选择：苯(c6h6)、甲烷(ch4)、乙烷(c2h6)、丙烷(c3h8)、丁烷(c4h
10
)、异丁烷(c4h
10
)、戊烷(c5h
12
)、异戊烷(c5h
12
)，新戊烷(c5h
12
)、乙烯(c2h4)、丙烯(c3h6)、异丙烯(c3h6)、丁烯(c4h8)、异丁烯(c4h8)、戊烯(c5h
10
)、异戊烯(c5h
10
)、新戊烯(c5h
10
)、乙炔(c2h2)、丙炔(c3h4)、异丙烯(c3h4)、丁二烯(c4h6)、异丁二烯(c4h6)、异戊二烯(c5h8)等。
47.在一个或多个实施例中，氮源气体选自以下项中的一者或多者：氨(nh3)、r1nh2、r1r2nh或r1r2r3n，其中r1、r2及r3独立选择自氢(h)、甲基(ch3)、乙基(c2h5)、丙基(c3h7)、c
nh2n 2
、cnh
2n2-2
或c
nh2n
，n小于8。
48.在一个或多个实施例中，含硼前驱物具有(r1r2r3)nb(r1r2r3)的通式，其中r1、r2、r3独立选择自甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、第三丁基(t-butyl)、正戊基、异戊基、第三戊基(t-pentyl)、正己基、异庚基、第三庚基(t-helptyl)、正辛基、异辛基、第三辛基(t-octyl)、异辛基、第三辛基、芐基、苯基等等。
49.在一个或多个实施例中，含硼前驱物选自烷基胺硼烷。不意图受理论限制，考量特定选择的含硼前驱物能够调整衬垫118的共形度。
50.在一些实施例中，非共形衬垫118为连续的。在一些实施例中，非共形衬垫118在开
口110的至少一个侧壁112上比开口110的底部表面114更厚。在一些实施例中，在开口110的至少一个侧壁112上的厚度为在开口110的底部表面114上的非共形衬垫118的厚度大于或等于约百分之100，大于或等于约百分之110，大于或等于约百分之120，大于或等于约百分之125，大于或等于约百分之150，大于或等于约百分之200。在一些实施例中，非共形衬垫118在一个侧壁上具有约1nm至约50nm的范围的厚度。在一些实施例中，非共形衬垫118在开口110的相对侧壁112上具有厚度，其包括开口的总宽度的小于或等于约50％、小于或等于约30％、小于或等于约25％、小于或等于约20％或小于或等于约10％。
51.在一个或多个实施例中，在开口110的底部表面上的非共形衬垫的量具有的厚度小于在开口110的至少一个侧壁上的非共形衬垫的厚度。如本文中所使用，“实质上无”或“非常薄”膜轮廓代表沉积于特征的底部表面上的非共形衬垫的量。因此，在一个或多个实施例中，沉积于特征的底部表面上的非共形衬垫的量为沉积于开口110的至少一侧上的非共形衬垫的量小于约90％、95％、98％、99％或99.5％。
52.如本文中所使用，非共形的衬垫代表其中整个厚度为不同的衬垫(例如，在开口110的侧壁的顶部、中间及底部上，及底部表面上)。非共形的衬垫在厚度上变化大于或等于约11％，或约15％，或约20％，或约30％，或约40％，或约50％，或更大。
53.参照图7，从开口110的底部表面114蚀刻非共形衬垫118以暴露膜堆叠150。在一个或多个实施例中，从底部表面114的此蚀刻可称为“底部冲击”。在一个或多个实施例中，蚀刻可通过本领域技术人员已知的任何蚀刻工艺来执行。在一些实施例中，蚀刻包括反应离子蚀刻(rie)。在一个或多个实施例中，参照图7，当从开口110的底部表面114蚀刻非共形衬垫118时，从开口110的底部表面114移除实质上所有的非共形衬垫118，暴露在开口110的底部表面114上的膜堆叠150，同时部分的非共形衬垫118保留在开口110的至少一个侧壁112上。在一些实施例中，小于约50％的非共形衬垫118保留在开口110的至少一个侧壁112上，包括小于约40％，小于约30％，小于约20％，或小于约10％。在一个或多个实施例中，当从开口110的底部表面114蚀刻非共形衬垫118时，一些非共形衬垫118可保留在底部表面114上。在其他实施例中，未图示，从开口110的底部表面114完全移除非共形衬垫。
54.参照图8，相对于非共形衬垫118选择性蚀刻膜堆叠150至第二深度d2的深度，以形成孔洞120。蚀刻膜堆叠150延伸了开口110的总深度，以形成具有至少一个侧壁122及孔洞底部表面124的孔洞120。在一个或多个实施例中，孔洞120延伸通过膜堆叠150的长度至基板102中。在其他实施例中，第一深度d1及第二深度d2的总和小于堆叠厚度t1。因此，在一个或多个实施例中，如图8所示的蚀刻工艺不会蚀刻整个膜堆叠150至基板102。
55.在一个或多个实施例中，第二深度d2具有约0.5μm至约10μm的范围，包括但不限于约1μm、约2μm、约3μm、约4μm、约5μm、约6μm、约7μm、约8μm、约9μm、或约10μm。
56.在一个或多个实施例中，于蚀刻期间从开口110的至少一个侧壁112移除非共形衬垫118的部分，以形成孔洞120。在一个或多个实施例中，孔洞120包括存储器孔洞或字符线缝。在孔洞120包括存储器孔洞或字符线缝的此种实施例中，电子装置100包括存储器装置或逻辑装置，例如nand、vnand、dram等等。
57.如本文中所使用，术语“3d nand”代表电子(固态)非易失性计算机存储存储器的类型，其中存储器单元以多层堆叠。3d nand存储器通常包括多个存储器单元，其包括浮动栅极晶体管。传统上，3d nand存储器单元包括在位线四周以三维安排的多个nand存储器结
构。
58.如本文中所使用，术语“动态随机存取存储器”或“dram”代表通过在电容器上存储电荷封包(即，二进制的一)或无电荷(即，二进制的零)而存储基准位之存储器单元。电荷透过存取晶体管闸入电容器上，且通过开启相同的晶体管且检视通过将电荷封包转储至晶体管输出的互连在线建立的电压摄动来感测。因此，单一dram单元以一个晶体管及一个电容器制成。
59.如本文中所使用，术语“选择性蚀刻”等意味着目标材料蚀刻至比其他材料更大的程度。在一些实施例中，“选择性”意味着目标材料以大于或等于移除速率的约10x、15x、20x、25x、30x、35x、40x、45x、或50x的速率从非选择的表面移除。不受理论限制，相信非共形衬垫118在蚀刻期间保护开口110的侧壁112，而能够选择性蚀刻膜堆叠150。
60.在一个或多个实施例中，如图9中所示，从至少一个侧壁112移除或剥离非共形衬垫118。如图9中所示，在一个或多个实施例中，当移除非共形衬垫118时，还移除图案化硬掩模108。在一些实施例中，通过在氧化环境中包括退火的工艺移除非共形衬垫118。在一些实施例中，氧化环境包括以下项中的一者或多者：o2、o3、h2o、h2o2、co、co2、n2o、no2、或no。在一些实施例中，以大于或等于约450℃的温度执行退火，例如大于或等于约500℃，大于或等于约600℃，大于或等于约750℃，大于或等于约1000℃，大于或等于约1100℃，或大于或等于约1200℃。在一些实施例中，通过包括氧等离子体灰化的工艺移除非共形衬垫118。在一些实施例中，氧等离子体灰化以约300℃至约400℃的范围的温度来执行。
61.不受理论限制，相信对于包括硼的非共形衬垫，可通过蒸气退火工艺来移除硼。再者，对于包括碳的衬垫，可通过氧等离子体灰化工艺来移除碳。
62.在一个或多个实施例中，于任何高深宽比(ar)蚀刻工艺期间可使用非共形衬垫118，其中考量临界尺寸炸裂。随着电子装置上存储器或字符线缝的深宽比增加(例如，深宽比》20)，具有弓曲及差量临界尺寸(cd)减少的蚀刻工艺可遭遇问题。在一个或多个实施例中，高度选择性非共形衬垫118保护特征的至少一个侧壁112、122，使得相较于不具任何衬垫的特征，弓曲cd大幅减少。在特征底部114处实质上无或非常薄的膜轮廓使其易于击穿如图8中所示用于第二蚀刻。
63.可实施本公开内容的一个或多个实施例的沉积腔室可包括化学气相沉积(cvd)腔室、高密度等离子体化学气相沉积(hdp-cvd)腔室、等离子体辅助的化学气相沉积(pecvd)腔室、次大气化学气相沉积(sacvd)腔室及热化学气相沉积腔室、及其他类型的腔室等等。可实施本发明的实施例的cvd系统的具体示例包括从美国加州圣克拉拉市的应用材料公司可取得的centurahdp-cvd腔室/系统及pecvd腔室/系统。
64.空间相关的术语(诸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等)在本文中可使用以易于说明书说明如附图中示出的一个元件或特征对另一(多个)元件或(多个)特征的关系。应理解到空间相关的术语意图包括除了在附图中所描绘的定向之外，在使用或操作中装置的不同定向，举例而言，若附图中的装置倒转，描述为在其他元件或特征“下方”或“之下”的元件将接着定向在其他元件或特征“上方”。因此，“下方”的示例词汇可包括上方及下方的定向两者。装置可另外定向(旋转90度或其他定向)，且本文中所使用的空间相关的说明应相对应解释。
[0065]“一”和“一者”和“所述”及类似的词汇的使用在说明本文中所讨论的材料及方法
的上下文中(特别为所附的权利要求书的上下文中)考量覆盖单一及多个两者，除非本文中另外指示或通过上下文清楚限定。除非本文中另外指示，本文中值的范围的记载仅意图供以作为代表个别分开的值落入范围内的速记方法，且各个分开的值并入说明书中如其在本文中个别记载。本文中所述的所有方法可以任何适合的顺序执行，除非本文中另外指示或者通过上下文清楚限定。任何及所有示例或本文中所提供的示例用词(例如，“例如”)的使用意图仅较佳显现材料及方法，且非限制其范围，除非另外主张。说明书中的用词不应考量为指示任何非主张的元件对执行所公开的材料及方法来说为关键的。
[0066]
此说明书全篇所称的“一个实施例”、“某实施例”、“一个或多个实施例”或“一实施例”意味着与实施例连接说明的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开内容的至少一个实施例中。因此，在本说明书全篇各处中词汇的存在，例如“在一个或多个实施例中”、“在某些实施例中”、“在一个实施例中”或“在一实施例中”，并非必须代表本公开内容的相同实施例。在一个或多个实施例中，特定特征、结构、材料或特性以任何适合的方式组合。
[0067]
尽管本文中已参考特定实施例说明了本公开内容，然而应理解到这些实施例仅为原理的说明和本公开内容的应用。可对本公开内容的方法及设备进行各种修改和改变对本领域技术人员来说将是明显的，而不会背离本公开内容的范围。因此，本公开内容意图包括在所附权利要求书及其均等方案内的修改及改变。