包括具有可调谐折射率的材料的边缘耦合器的制作方法

技术特征：
1.一种结构，包括：衬底，具有边缘；以及边缘耦合器，包括第一波导芯，该第一波导芯具有邻近该衬底的该边缘终止的端部表面，该第一波导芯由第一材料组成，该第一材料具有第一状态以及第二状态，该第一状态具有响应施加刺激的第一折射率，该第二状态具有不同于该第一折射率的第二折射率。2.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一材料为氧化铟锡。3.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯的该第一材料为氧化钒或锗-锑-碲。4.如权利要求1所述的结构，其中，该边缘耦合器包括第一电极及第二电极，且该第一波导芯包括位于该第一电极与该第二电极间的部分。5.如权利要求4所述的结构，还包括：介电层，位于该第一波导芯上方；第一接触件，位于该介电层中，该第一接触件与该第一电极耦接；以及第二接触件，位于该介电层中，该第一接触件与该第二电极耦接。6.如权利要求5所述的结构，还包括：电源，通过该第一接触件与该第一电极耦接并通过该第二接触件与该第二电极耦接，该电源经配置以施加偏置电压作为针对该第一电极及该第二电极的该施加刺激，以提供该第一状态，以及自该第一电极及该第二电极移除该偏置电压，以提供该第二状态。7.如权利要求1所述的结构，还包括：介电层，位于该第一波导芯上方；以及电阻加热器，位于邻近该第一波导芯的该介电层中，该电阻加热器经配置以产生热，该热通过该介电层传递，作为针对该第一波导芯的该第一材料的该施加刺激。8.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯包括由该端部表面终止的锥形区段，且该锥形区段具有随着与该端部表面的距离增加而增加的宽度尺寸。9.如权利要求8所述的结构，其中，该第一波导芯包括纵轴，且该第一波导芯的该锥形区段包括沿该纵轴设置的多个片段。10.如权利要求1所述的结构，其中，该第一波导芯包括纵轴，且该第一波导芯包括邻近该端部表面沿该纵轴设置的多个片段。11.如权利要求10所述的结构，其中，该第一波导芯包括由该端部表面终止的锥形区段，且该锥形区段包括该片段。12.如权利要求11所述的结构，其中，该片段的每一个沿正交于该纵轴的方向具有宽度尺寸，且该锥形区段中的该片段的该宽度尺寸基于非线性函数变化。13.如权利要求1所述的结构，还包括：第二波导芯，与该第一波导芯相邻，该第二波导芯由具有与该第一波导芯的该第一材料不同成分的第二材料组成。14.如权利要求13所述的结构，其中，该第二波导芯包括与该第一波导芯的部分横向相邻的部分。15.如权利要求13所述的结构，其中，该第一波导芯包括纵轴以及沿该纵轴与该端部表面隔开的锥部，且该第二波导芯包括经定位成与该第一波导芯的该锥部重叠的锥部。16.如权利要求1所述的结构，还包括：
光源，经配置以向该第一波导芯提供泵浦光作为该施加刺激。17.一种方法，包括：形成边缘耦合器，该边缘耦合器包括波导芯，该波导芯具有邻近衬底的边缘终止的端部表面，其中，该波导芯由一种材料组成，该材料具有第一状态以及第二状态，该第一状态具有响应施加刺激的第一折射率，该第二状态具有不同于该第一折射率的第二折射率。18.如权利要求17所述的方法，还包括：形成该边缘耦合器的第一电极及第二电极，其中，该波导芯包括位于该第一电极与该第二电极间的部分。19.如权利要求17所述的方法，其中，该波导芯包括纵轴，且该波导芯经图案化以包括邻近该端部表面沿该纵轴设置的多个片段。20.如权利要求17所述的方法，其中，该波导芯形成有由该端部表面终止的锥形区段，且该锥形区段具有随着与该端部表面的距离增加而增加的宽度尺寸。

技术总结
本申请涉及包括具有可调谐折射率的材料的边缘耦合器，揭示了包括边缘耦合器的结构以及制造包括边缘耦合器的结构的方法。该边缘耦合器包括波导芯，该波导芯具有邻近衬底的边缘终止的端部表面。该波导芯包含的材料具有第一状态以及第二状态，该第一状态具有响应施加刺激的第一折射率，该第二状态具有不同于该第一折射率的第二折射率。折射率的第二折射率。折射率的第二折射率。


技术研发人员：卞宇生
受保护的技术使用者：格芯（美国）集成电路科技有限公司
技术研发日：2021.11.05
技术公布日：2022/5/6