显示装置的制作方法

显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年11月2日提交的韩国专利申请第10-2020-0144580号的优先权和权益，其为了所有目的通过引用并入本文，如同在本文中充分阐述。
技术领域
3.一个或多个实施例总体上涉及一种显示装置。


背景技术：

4.显示装置视觉地显示图像。显示装置可以包括被划分成显示区域和外围区域的基板。显示区域可以包括彼此绝缘的扫描线和数据线以及多个像素。此外，薄膜晶体管和像素电极(每个像素电极与像素之中的相应像素相对应)也可以被提供在显示区域中。像素电极可以电连接到薄膜晶体管。此外，对电极可以被提供在显示区域中。对电极可以关于像素被共同提供。被配置为将电信号传输到显示区域的各种布线、扫描驱动器、数据驱动器、控制器、焊盘部分等可以被提供在外围区域中。
5.显示装置的用途已经多样化。因此，已经以各种方式尝试了改善显示装置的质量的设计。
6.在本部分中公开的上述信息仅用于理解本发明构思的背景技术，并且因此可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

7.一个或多个实施例提供一种能够防止关于设置在外围区域中的焊盘部分的缺陷并且在显示区域中显示高质量图像的显示装置。
8.附加方面将在之后的详细描述中阐述，并且部分地将从本公开中显而易见，或者可以通过本发明构思的实践而习得。
9.根据实施例，一种显示装置，包括：基板、薄膜晶体管、显示元件、焊盘、接触层以及焊盘保护层。基板包括显示区域和显示区域外部的外围区域。薄膜晶体管和显示元件中的每一个设置在显示区域中。焊盘设置在外围区域中。接触层电连接到焊盘。焊盘保护层在接触层上并且将接触层的一部分暴露到外部。焊盘包括第一焊盘层和第二焊盘层。第一焊盘层通过第一接触孔连接到连接布线。第二焊盘层与第一焊盘层间隔开并且通过第二接触孔连接到第一焊盘层。
10.根据实施例，一种显示装置，包括：基板、薄膜晶体管、显示元件、焊盘、接触层以及焊盘保护层。基板包括显示区域和显示区域外部的外围区域。薄膜晶体管和显示元件中的每一个设置在显示区域中。焊盘设置在外围区域中。接触层电连接到焊盘。焊盘保护层设置在接触层上。焊盘保护层将接触层的一部分暴露到外部。
11.前面的一般描述和以下的详细描述是说明性的和解释性的，并且意在提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
12.被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入本说明书中且构成本说明书的一部分的附图图示了本发明构思的实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。在附图中：
13.图1a是根据实施例的显示装置的平面图；
14.图1b是根据实施例的显示装置的平面图；
15.图1c是根据实施例的图1a或图1b的焊盘的一部分的放大平面图；
16.图2a是根据实施例的图1a和图1b的显示装置的像素的等效电路图；
17.图2b是根据另一实施例的图1a和图1b的显示装置的像素的等效电路图；
18.图3是根据实施例的沿着图1a的截面线i-i'和图1c的截面线ii-ii'截取的显示装置的截面图；
19.图4a是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图；
20.图4b是根据实施例的沿着图4a的截面线ii-ii'截取的图4a的焊盘的截面图；
21.图4c是根据实施例的沿着图4a的截面线iii-iii'截取的图4a的焊盘的截面图；
22.图5a是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图；
23.图5b是根据实施例的沿着图5a的截面线ii-ii'截取的图5a的焊盘的截面图；
24.图6是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图；
25.图7是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图；
26.图8是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图；
27.图9是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图；
28.图10是根据实施例的沿着图1a的截面线i-i'和图1c的截面线ii-ii'截取的显示装置的截面图；并且
29.图11是根据实施例的沿着图1a的截面线i-i'和图1c的截面线ii-ii'截取的显示装置的截面图。
具体实施方式
30.在以下描述中，为了解释的目的，阐述数个具体细节以便提供对各个实施例的全面理解。如本文所使用的，术语“实施例”和“实现方式”可互换使用，并且不限制采用本文所公开的本发明构思中的一个或多个的示例。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或多个等价设置的情况下，实践各个实施例。在其他情况下，以框图形式示出众所周知的结构和装置以避免不必要地模糊各个实施例。进一步，各个实施例可以是不同的，但是不必是排他性的。例如，实施例的具体形状、配置和特性可以在另一实施例中使用或实现而不脱离本发明构思。
31.除非另外规定，否则所图示的实施例要理解为提供了一些实施例的不同细节的示例特征。因此，除非另外规定，否则各个图示的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域、方面等(在下文中被单独或共同称为“元件”)可以另外组合、分开、互换和/或重新设置而不脱离本发明构思。
32.通常，提供附图中交叉影线和/或阴影的使用，以阐明邻近的元件之间的边界。因而，交叉影线或阴影的存在或缺失不传递或指示对于特定材料、材料属性、大小、比例、所图
示的元件之间的共性和/或元件的任何其他特性、性质、属性等的任何偏好或要求，除非规定。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。因而，相应元件的尺寸和相对尺寸，不必限于附图中所示的尺寸和相对尺寸。当可以不同地实现实施例时，可以不同于所述顺序而执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所述顺序相反的顺序执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
33.当诸如层的元件被称为在另一元件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件时，它可以直接在该另一元件上、直接连接到或直接耦接到该另一元件，或者可以存在居间元件。然而，当元件被称为“直接”在另一元件“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件时，不存在居间元件。用于描述元件之间的关系的其他术语和/或短语应被以相似方式解释，例如，“在
…
之间”与“直接在
…
之间”、“邻近”与“直接邻近”、“上”与“直接在
…
上”等。进一步，术语“连接”可以指物理连接、电连接和/或流体连接。此外，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的意义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z构成的群组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如xyz、xyy、yz和zz。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项目中的一个或多个的任何和所有组合。
34.尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各个元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此，下面讨论的第一元件可以被称作第二元件而不脱离本公开的教导。
35.诸如“下方”、“下面”、“之下”、“下部”、“上面”、“上部”、“之上”、“更高”和“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文为了描述性的目的而使用，并且从而，用于描述如附图中所图示的一个元件与另一元件的关系。除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语意在包括装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的装置翻转，则描述为在其他元件或特征“下面”或“下方”的元件将然后被定向在其他元件或特征“上面”。因此，术语“下面”可以包括上面和下面的定向两者。此外，装置可以另外定向(例如，旋转90度或按照其他定向)，并且因而，相应地解释本文所使用的空间相对描述符。
36.本文所使用的术语是为了描述一些实施例的目的而不意在限制。如本文所使用的，单数形式“一”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文清楚地另外指示。而且，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”规定了所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。还要注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且因而，用于解释将由本领域普通技术人员认识到的测量的、计算的和/或提供的值中的固有偏差。
37.本文参考作为理想化实施例和/或中间结构的示意性图示的截面图、等距图、透视图、平面图和/或分解图示而描述各个实施例。因而，预期了作为例如制造技术和/或公差的结果而导致的图示形状的变化。因此，本文所公开的实施例不应解释为限于区域的特定图示形状，而是要包括例如由制造导致的形状偏差。为此，附图中所图示的区域可以本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映设备的区域的真实形状，并且因而，不意在限制。
38.除非另外限定，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如在常用词典中定义的那些术语应该解释为具有与相关领域上下文中它们的含义一致的含义，并且将不以理想化或过度正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
39.如本领域中惯用的，在附图中以功能框、单元和/或模块描述和图示了一些实施例。本领域技术人员将理解，这些框、单元和/或模块由可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的、诸如逻辑电路、分立部件、微处理器、硬连线电路、存储器元件和布线连接等的电子(或光学)电路物理地实现。在由微处理器或其他类似硬件实现框、单元和/或模块的情况下，可以使用软件(例如，微代码)对它们进行编程和控制以执行本文所讨论的各种功能，并且它们可以可选地由固件和/或软件来驱动。还考虑了每个框、单元和/或模块可以由专用硬件实现，或者可以实现为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和关联的电路)的组合。另外，一些实施例的每个框、单元和/或模块可以物理地分成两个或更多个交互且分立的框、单元和/或模块而不脱离本发明构思。进一步，一些实施例的框、单元和/或模块可以物理地组合成更复杂的框、单元和/或模块而不脱离本发明构思。
40.在下文中，将参考附图详细地解释各个实施例。
41.根据一些实施例，显示装置是能够显示图像的装置并且可以是有机发光显示装置、无机发光显示装置、量子点发光显示装置、场发射显示装置、表面传导电子发射器显示装置或等离子体显示装置等。在下文中，尽管将有机发光显示装置作为示例进行描述，但是实施例不限于此。
42.图1a和图1b是根据一些实施例的显示装置的平面图。
43.参考图1a，显示装置可以包括通过密封构件600彼此附接的基板100和上基板200。密封构件600可以形成为围绕基板100和上基板200的外表面以将基板100附接到上基板200。
44.显示装置包括显示区域da和在显示区域da周围(或外部)的外围区域pa。显示装置可以使用从设置在显示区域da中的多个像素p发射的光来提供图像。
45.显示区域da包括连接到数据线dl和扫描线sl的像素p。数据线dl在第二方向d2上延伸，而扫描线sl在与第二方向d2交叉的第一方向d1上延伸。每个像素p还连接到在第二方向d2上延伸的驱动电压线pl。
46.像素p中的每一个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件，但是实施例不限于此。每个像素p可以从有机发光二极管oled发射具有例如红色、绿色、蓝色或白色的光(参见例如图2a和图2b)。为了本公开的目的，像素p可以被理解为发射具有如上所述的红色、绿色、蓝色或白色的光的子像素。在实施例中，包括在像素p中的有机发光二极管oled可以发射具有同一颜色的光，并且每个像素p的颜色可以通过设置在有机发光二极管oled上的滤色器等来实现(或每个像素p可以包括设置在有机发光二极管oled上的滤色器)。
47.每个像素p可以电连接到设置在外围区域pa中的内置电路。第一电源线10、第二电源线20和焊盘部分30可以设置在外围区域pa中。
48.第一电源线10可以设置为与显示区域da的一侧相对应。第一电源线10可以连接到被配置为将驱动电压(还被称为第一电源电压)elvdd(参见下面描述的图2a和图2b)传输到
像素p的多条驱动电压线pl。
49.第二电源线20可以以具有一个开口侧的环形围绕显示区域da的一部分。第二电源线20可以将公共电压提供到像素p的对电极。第二电源线20可以被称作公共电压电源线。
50.焊盘部分30可以包括多个焊盘31并且可以设置在基板100的一侧。焊盘31中的每一个可以连接到第一连接布线11或连接布线cw。第一连接布线11可以连接到第一电源线10，并且连接布线cw可以延伸到显示区域da。焊盘部分30的焊盘31可以通过不被绝缘层覆盖而被暴露从而电连接到印刷电路板pcb。印刷电路板pcb的端子部分pcb-p可以电连接到焊盘部分30。焊盘部分30可以被提供用于测试，诸如显示区域da的像素p的测试，但是实施例不限于此。用于测试的焊盘部分可以类似于焊盘部分30形成。焊盘部分30的至少一部分可以设置在外围区域pa中，并且然后从最终产品中移除，诸如在一个或多个测试执行之后。用于测试的焊盘部分30的焊盘31可以被绝缘层覆盖并且可以仅暴露焊盘31的一部分。被绝缘层覆盖的焊盘31可以用作各种测试的标签。稍后将更详细地描述被绝缘层覆盖的焊盘31。
51.印刷电路板pcb被配置为将控制器的信号或电力传输到焊盘部分30。控制器可以通过第一连接布线11和第二连接布线21将驱动电压elvdd和公共电压elvss(参见下面描述的图2a和图2b)分别提供到第一电源线10和第二电源线20。
52.数据驱动电路60电连接到数据线dl。数据驱动电路60的数据信号可以通过连接布线cw和数据线dl被提供到每个像素p。连接布线cw连接到焊盘部分30，并且数据线dl连接到连接布线cw。尽管图1a中示出数据驱动电路60设置在印刷电路板pcb上，但是在另一个实施例中，数据驱动电路60可以设置在基板100上。作为示例，数据驱动电路60可以设置在焊盘部分30和第一电源线10之间。
53.用于测试的焊盘部分30的焊盘31可以通过连接布线cw连接到每个像素p的电路。
54.挡坝部分120可以设置在外围区域pa中。在形成薄膜封装层400的有机封装层420(见图10)时，挡坝部分120可以阻挡有机材料在基板100的边缘方向上流动以防止形成有机封装层420的边缘尾部。外围区域pa中的挡坝部分120可以围绕显示区域da的至少一部分。挡坝部分120可以包括多个挡坝。在设置多个挡坝的情况下，挡坝可以彼此间隔开。外围区域pa中的挡坝部分120可以比外围区域pa中的密封构件600更靠近显示区域da。在实施例中，内置驱动电路部分可以进一步被提供在外围区域pa中。内置驱动电路部分可以将扫描信号提供到每个像素p。在实施例中，内置驱动电路部分可以与挡坝部分120重叠。
55.尽管图1a中示出一个印刷电路板pcb被附接到焊盘部分30，但是多个印刷电路板pcb可以被附接到焊盘部分30，诸如在图1b中看到的。
56.在一些实施例中，焊盘部分30可以沿着基板100的外周界设置。焊盘部分30可以包括多个子焊盘部分30s。一个印刷电路板pcb可以被附接到每个子焊盘部分30s。在另一实施例中，印刷电路板pcb可以被附接到多个子焊盘部分30s中的一些子焊盘部分30s。多个子焊盘部分30s中的其他子焊盘部分30s可以用于测试。在这种情况下，用于测试的子焊盘部分30s可以在用于测试之后不被移除。可替代地，用于测试的子焊盘部分30s可以在用于测试之后被移除。在这种情况下，用于测试的子焊盘部分30s可以不与连接到印刷电路板pcb的子焊盘部分30s设置在一条线上。例如，用于测试的子焊盘部分30s可以设置为比连接到印刷电路板pcb的子焊盘部分30s更远离显示区域da。在这种情况下，当用于测试的子焊盘部
分30s在测试完成之后被移除时，可以仅留下连接到印刷电路板pcb的子焊盘部分30s。现在将更详细地描述用于测试的焊盘部分30。
57.图1c是根据一些实施例的图1a或图1b的焊盘的一部分的放大平面图。
58.参考图1c，焊盘31可以通过第一接触孔cnt1连接到连接布线cw，连接布线cw延伸到显示区域da。焊盘31的上部可以被接触层c-pad覆盖。在这种情况下，焊盘31可以包括第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2。接触层c-pad可以通过第三接触孔cnt3连接到焊盘31。此外，包括第四接触孔cnt4的焊盘保护层118a(参见例如图3)可以设置在接触层c-pad上。焊盘保护层118a可以仅暴露接触层c-pad的一部分。
59.第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2可以以彼此相对应的形状形成。作为示例，在第一接触孔cnt1的平面形状是多边形的情况下，第二接触孔cnt2的平面形状可以是多边形。在另一实施例中，在第一接触孔cnt1的平面形状是圆形的情况下，第二接触孔cnt2的平面形状可以是圆形。例如，第一接触孔cnt1的平面形状可以与第二接触孔cnt2的平面形状相同。
60.在这种情况下，在平面图中，第二接触孔cnt2可以设置在第一接触孔cnt1内部。例如，在平面图中，第二接触孔cnt2的中心可以与第一接触孔cnt1的中心重合。在这种情况下，从第二接触孔cnt2的外周界到第一接触孔cnt1的外周界的线性距离遍及第二接触孔cnt2的整个外周界可以是相同的。
61.此外，在平面图中，接触层c-pad可以完全覆盖第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2。例如，在平面图中，第一接触孔cnt1的平面形状和第二接触孔cnt2的平面形状可以设置在接触层c-pad的平面形状内部。
62.此外，在平面图中，第四接触孔cnt4的平面形状可以设置在接触层c-pad的平面形状内部。
63.图2a和图2b是根据一些实施例的显示装置的像素的等效电路图。
64.参考图2a，每个像素p包括像素电路pc和有机发光二极管oled，像素电路pc连接到扫描线sl和数据线dl，并且有机发光二极管oled连接到像素电路pc。
65.像素电路pc包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2和存储电容器cst。开关薄膜晶体管t2连接到扫描线sl和数据线dl，并且被配置为根据通过扫描线sl输入的扫描信号sn将数据信号dm传输到驱动薄膜晶体管t1，数据信号dm通过数据线dl输入。
66.存储电容器cst连接到开关薄膜晶体管t2和驱动电压线pl，并且被配置为存储与从开关薄膜晶体管t2传输的电压和供应到驱动电压线pl的第一电源电压elvdd(或驱动电压)之间的差相对应的电压。
67.驱动薄膜晶体管t1连接到驱动电压线pl和存储电容器cst，并且可以根据存储在存储电容器cst中的电压控制从驱动电压线pl流到有机发光二极管oled的驱动电流。有机发光二极管oled可以根据驱动电流发射具有亮度的光。
68.尽管图2a中示出像素电路pc包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是实施例不限于此。
69.参考图2b，每个像素p可以包括有机发光二极管oled和包括驱动有机发光二极管oled的多个薄膜晶体管的像素电路pc。像素电路pc可以包括驱动薄膜晶体管t1、开关薄膜晶体管t2、感测薄膜晶体管t3和存储电容器cst。
70.扫描线sl可以连接到开关薄膜晶体管t2的栅电极g2，数据线dl可以连接到源电极s2，并且存储电容器cst的第一电极ce1可以连接到漏电极d2。
71.因此，开关薄膜晶体管t2响应于来自扫描线sl的扫描信号sn而将数据线dl的数据电压dm供应到第一节点n。
72.驱动薄膜晶体管t1的栅电极g1可以连接到第一节点n，源电极s1可以连接到被配置为传输驱动电压elvdd的驱动电压线pl，并且漏电极d1可以连接到有机发光二极管oled的阳极。
73.因此，驱动薄膜晶体管t1可以根据驱动薄膜晶体管t1的源-栅电压vgs(例如，施加在驱动电压elvdd和第一节点n之间的电压)来调节流过有机发光二极管oled的电流量。
74.感测薄膜晶体管t3的栅电极g3可以连接到感测控制线ssl，源电极s3可以连接到第二节点s，并且漏电极d3可以连接到参考电压线rl。在实施例中，感测薄膜晶体管t3可以由扫描线sl而不是感测控制线ssl控制。
75.感测薄膜晶体管t3可以感测有机发光二极管oled的像素电极(例如，阳极)的电势。感测薄膜晶体管t3响应于来自感测控制线ssl的感测信号ssn而将预充电电压从参考电压线rl供应到第二节点s，或者在感测时段期间将有机发光二极管oled的像素电极(例如，阳极)的电压供应到参考电压线rl。
76.存储电容器cst的第一电极ce1连接到第一节点n，并且存储电容器cst的第二节点ce2连接到第二节点s。存储电容器cst存储与分别施加到第一节点n和第二节点s的电压之间的差相对应的电压，并且将所存储的电压作为驱动薄膜晶体管t1的驱动电压供应。作为示例，存储电容器cst可以存储与分别施加到第一节点n和第二节点s的数据电压dm和预充电电压vpre之间的差相对应的电压。
77.偏置电极bsm可以形成为与驱动薄膜晶体管t1相对应，并且连接到感测薄膜晶体管t3的源电极s3。至少因为偏置电极bsm被供应有与感测薄膜晶体管t3的源电极s3的电势配合的电压，所以可以稳定驱动薄膜晶体管t。在实施例中，偏置电极bsm可以连接到单独的偏置布线而不连接到感测薄膜晶体管t3的源电极s3。
78.有机发光二极管oled的对电极(例如，阴极)被供应有公共电压elvss。有机发光二极管oled通过从驱动薄膜晶体管t1接收驱动电流而发光。
79.尽管图2b中示出每个像素p包括信号线(例如，扫描线sl、感测控制线ssl和数据线dl)、参考电压线rl和驱动电压线pl，但是实施例不限于此。作为示例，信号线(例如，扫描线sl、感测控制线ssl和数据线dl)中的至少一条和/或参考电压线rl和/或驱动电压线pl可以由邻近的像素共享。
80.像素电路pc不限制薄膜晶体管的数量或存储电容器的数量。参考图2a和图2b描述的电路设计、薄膜晶体管的数量、存储电容器的数量和电路设计可以不同地改变。
81.图3是根据实施例的沿着图1a的截面线i-i'和图1c的截面线ii-ii'截取的显示装置的截面图。
82.参考图3，根据实施例的显示装置包括外围区域pa中的焊盘31。焊盘31的边缘可以被无机保护层pvx覆盖，并且焊盘31的中心部分可以被接触层c-pad覆盖。在这种情况下，第三接触孔cnt3可以形成在无机保护层pvx中。接触层c-pad可以通过第三接触孔cnt3连接到焊盘31。
83.接触层c-pad可以包括具有比焊盘31的材料更低氧化度并且具有强耐腐蚀性的氧化物。焊盘31可以具有多层结构。在实施例中，焊盘31可以包括第一焊盘层31a和第二焊盘层31b。第一焊盘层31a和第二焊盘层31b可以各自具有多层结构。在这种情况下，第一焊盘层31a可以通过第二接触孔cnt2连接到第二焊盘层31b。第一焊盘层31a可以通过第一接触孔cnt1连接到连接布线cw。
84.图3的显示区域da示出参考图2a和图2b描述的像素p的像素电路pc中的驱动薄膜晶体管t1和存储电容器cst。为了便于描述，图3中的结构根据堆叠顺序来描述。
85.基板100可以包括玻璃、陶瓷材料、金属材料和诸如聚酰亚胺的聚合物树脂材料中的至少一种。基板100可以进一步包括上述材料的单层或多层。在多层的情况下，基板100可以进一步包括无机层。
86.第一缓冲层111可以设置在基板100上。第一缓冲层111可以防止或减少来自基板100等下面的杂质对半导体层a1进行渗透。第一缓冲层111可以包括氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)中的至少一种。
87.偏置电极bsm可以设置在第一缓冲层111上以与驱动薄膜晶体管t1相对应。例如，偏置电极bsm可以与驱动薄膜晶体管t1的半导体层a1重叠。电压可以被施加到偏置电极bsm。作为示例，偏置电极bsm可以连接到感测薄膜晶体管t3(参见图2b)的源电极s3(参见图2b)，并且因此，源电极s3的电压可以被施加到偏置电极bsm。在一些实施例中，偏置电极bsm可以防止外部光到达半导体层a1。因此，可以稳定驱动薄膜晶体管t1的特性。可以根据情况省略偏置电极bsm。
88.第二缓冲层112可以覆盖偏置电极bsm并且可以形成在基板100的整个表面上。第二缓冲层112可以包括氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)中的至少一种。
89.半导体层a1可以设置在第二缓冲层112上。半导体层a1可以包括非晶硅或多晶硅。在另一实施例中，半导体层a1可以包括铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)和锌(zn)中的至少一种的氧化物。在实施例中，半导体层a1可以包括zn-氧化物类材料并且包括zn-氧化物、in-zn氧化物和ga-in-zn氧化物。在另一实施例中，半导体层a1可以包括包含诸如在zno中的铟(in)、镓(ga)和锡(sn)的金属的in-ga-zn-o(igzo)、in-sn-zn-o(itzo)或in-ga-sn-zn-o(igtzo)半导体。半导体层a1可以包括沟道区、源区和漏区。源区和漏区可以分别设置在沟道区的两个相对侧。半导体层a1可以包括单层或多层。
90.栅电极g1设置在半导体层a1之上而栅绝缘层113在栅电极g1和半导体层a1之间，使得栅电极g1与半导体层a1的至少一部分重叠。栅电极g1可以包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层。存储电容器cst的第一电极ce1可以与栅电极g1设置在同一层上。第一电极ce1可以包括与栅电极g1相同的材料。
91.在外围区域pa中，连接布线cw可以设置在栅绝缘层113上。连接布线cw可以延伸到显示区域da并且可以通过接触孔连接到在不同层上的其他布线。在外围区域pa中，连接布线cw可以通过限定在第一层间绝缘层115中的第一接触孔cnt1连接到焊盘31。
92.栅绝缘层113可以包括无机绝缘材料。栅绝缘层113可以包括例如氧化硅(sio2)、
硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)中的至少一种。
93.第一层间绝缘层115可以覆盖栅电极g1和存储电容器cst的第一电极ce1。第一层间绝缘层115可以包括氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)中的至少一种。
94.存储电容器cst的第二电极ce2、源电极s1、漏电极d1和驱动电压线pl可以设置在第一层间绝缘层115上。第一焊盘层31a可以设置在外围区域pa中、第一层间绝缘层115上。第一焊盘层31a可以与存储电容器cst的第二电极ce2、源电极s1、漏电极d1和驱动电压线pl设置在同一层上。第一焊盘层31a可以通过第一接触孔cnt1连接到连接布线cw。
95.存储电容器cst的第二电极ce2、源电极s1、漏电极d1、驱动电压线pl和第一焊盘层31a可以包括导电材料，该导电材料包括例如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层结构。作为示例，第二电极ce2、源电极s1、漏电极d1、驱动电压线pl和第一焊盘层31a可以包括其中第一层包括ti并且第二层包括cu的ti/cu的多层结构。源电极s1和漏电极d1可以通过接触孔分别连接到半导体层a1的源区和漏区。
96.存储电容器cst的第二电极ce2与第一电极ce1重叠而第一层间绝缘层115在第一电极ce1和第二电极ce2之间，并且与第一电极ce1配合构成电容器。在这种情况下，第一层间绝缘层115可以用作存储电容器cst的介电层。第一层间绝缘层115的厚度可以根据存储电容器cst的电容的预定值来设计。
97.第二层间绝缘层117可以设置在存储电容器cst的第二电极ce2、源电极s1、漏电极d1和驱动电压线pl上。第二层间绝缘层117可以包括氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno2)中的至少一种。
98.附加导电层pl'可以设置在第二层间绝缘层117之上。附加导电层pl'可以通过穿过第二层间绝缘层117的接触孔而接触驱动电压线pl或驱动薄膜晶体管t1的源电极s1。附加导电层pl'可以连接到驱动电压线pl并且可以用作被配置为传输驱动电压的布线。至少因为提供了附加导电层pl'，所以可以防止驱动电压的电压降，并且因此，整体均匀的驱动电压可以被提供到显示装置。
99.在外围区域pa中，第二层间绝缘层117可以覆盖第一焊盘层31a的边缘并且包括暴露第一焊盘层31a的中心部分的第二接触孔cnt2。第二焊盘层31b可以被提供为与第二接触孔cnt2相对应。第二焊盘层31b可以形成在第二层间绝缘层117上并且可以通过第二接触孔cnt2接触第一焊盘层31a。第二焊盘层31b可以包括与附加导电层pl'相同的材料并且可以与附加导电层pl'同时形成。至少因为形成了第二焊盘层31b，所以可以减小焊盘31的电阻。
100.在一些实施例中，上导电层可以进一步设置在第二层间绝缘层117上。上导电层可以与附加导电层pl'间隔开。上导电层可以连接到设置在其下面的第一层间绝缘层115上的导电层。附加导电层pl'可以包括导电材料，该导电材料包括钼(mo)、铝(al)、铜(cu)和钛(ti)中的至少一种，并且可以包括单层或多层。作为示例，附加导电层pl'和第二焊盘层31b可以包括其中第一层包括ti并且第二层包括cu的ti/cu的多层结构。
101.附加导电层pl'和第二层间绝缘层117上的上导电层可以被无机保护层pvx覆盖。
102.无机保护层pvx可以包括：包括硅氮化物(sin
x
)和硅氧化物(sio
x
)的单层或多层。
可以引入无机保护层pvx以覆盖和保护设置在第二层间绝缘层117上的一些导电层或布线。在与形成附加导电层pl'的工艺相同的工艺期间与附加导电层pl'同时形成的导电层和/或布线的一部分可以暴露在基板100的部分区域(例如，外围区域的一部分)中。导电层和/或布线的暴露部分可能被在图案化如下所述的像素电极310时使用的蚀刻剂损坏。至少因为无机保护层pvx覆盖导电层和/或布线的至少一部分，所以可以防止在对像素电极310进行图案化的工艺期间损坏布线。
103.与上述第一层间绝缘层115不同，第二层间绝缘层117可以包括与无机保护层pvx相同的材料。然而，为了便于描述，下面主要描述第二层间绝缘层117以与第一层间绝缘层115相同或类似的形状形成的情况。
104.此外，包括有机材料的平坦化层118可以设置在无机保护层pvx上。当不设置无机保护层pvx时，附加导电层pl'可能通过与渗透到平坦化层118中的氧发生反应而被氧化或腐蚀。相反，在实施例中，因为引入了无机保护层pvx，所以可以防止附加导电层pl'直接接触平坦化层118，并且因此，可以防止附加导电层pl'被氧化并且可以防止附加导电层pl'的特性改变。
105.无机保护层pvx可以包括与外围区域pa中的焊盘31相对应的第三接触孔cnt3。例如，无机保护层pvx可以覆盖焊盘31的边缘并且包括暴露焊盘31的中心部分的第三接触孔cnt3。接触层c-pad可以设置为与第三接触孔cnt3相对应。以此方式，根据实施例的焊盘31的侧表面覆盖无机保护层pvx，并且焊盘31的中心部分可以被接触层c-pad覆盖。
106.至少因为焊盘31可以在之后电连接到外部元件，所以焊盘31可以通过移除无机保护层pvx的一部分被暴露。在这种情况下，焊盘31可能被在后续工艺期间使用的蚀刻剂等损坏。可以制备接触层c-pad以保护焊盘31免受损坏。此外，接触层c-pad可以具有导电性，并且因此，用作将焊盘31电连接到外部端子的介质。
107.接触层c-pad可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、锌氧化物(zno
x
)(其可以是zno和/或zno2)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。
108.焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。在这种情况下，焊盘保护层118a可以将接触层c-pad的外周界与外部完全屏蔽。焊盘保护层118a可以在使用蚀刻剂时减少穿透接触层c-pad或渗透到接触层c-pad的外围部分中的蚀刻剂。焊盘保护层118a可以包括与平坦化层118的材料相同或类似的材料。
109.平坦化层118可以设置在显示区域da中的无机保护层pvx上。有机发光二极管oled可以设置在平坦化层118上。
110.平坦化层118可以包括：包括有机材料的单层或多层，并且可以提供平坦的顶表面。平坦化层118可以包括通用聚合物(诸如，苯并环丁烯(bcb)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(hmdso)、聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和聚苯乙烯(ps)中的至少一种)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物和乙烯醇类聚合物，或其任何混合物。
111.有机发光二极管oled可以设置在基板100的显示区域da中的平坦化层118上。有机发光二极管oled可以包括像素电极310、中间层320和对电极330。中间层320可以包括有机发射层。
112.像素电极310可以包括(半)透明电极或反射电极。在实施例中，像素电极310可以包括反射层和反射层上的透明或半透明电极层，反射层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)及其化合物中的至少一种。透明或半透明电极层可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、锌氧化物(zno
x
)(其可以是zno和/或zno2)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)和氧化铝锌(azo)中的至少一种。在实施例中，像素电极310可以包括ito/ag/ito的多层。
113.像素限定层119可以设置在平坦化层118上。像素限定层119可以通过包括与每个像素相对应的开口(例如，暴露显示区域da中的像素电极310的至少中心部分的开口op)来限定像素的发射区域。此外，像素限定层119可以通过增加像素电极310的边缘和像素电极310之上的对电极330的边缘之间的距离来防止在像素电极310的边缘处出现电弧等。
114.像素限定层119可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂之中的至少一种有机绝缘材料，并且可以通过旋涂等形成。
115.有机发光二极管oled的中间层320可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，该有机材料包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷材料。有机发射层可以是低分子量或聚合物有机材料。诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)的至少一个功能层可以选择性地进一步设置在有机发射层下和/或有机发射层上。中间层320可以与多个像素电极310中的每一个相对应；然而，实施例不限于此。中间层320可以包括遍及多个像素电极310的一体的层；然而，可以进行各种修改。
116.对电极330可以是透明电极或反射电极。在实施例中，对电极330可以是透明电极或半透明电极，并且可以包括具有低功函数的金属薄膜，金属薄膜包括li、ca、lif、al、ag、mg及其任何化合物中的至少一种，或者具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料。此外，透明导电氧化物(tco)层可以进一步设置在金属薄膜上，tco层包括ito、izo、锌氧化物(zno
x
)(其可以是zno和/或zno2)和in2o3中的至少一种。对电极330可以遍及显示区域da和外围区域pa设置，并且可以设置在中间层320和像素限定层119上。对电极330可以形成为遍及多个有机发光二极管oled的一个主体以与多个像素电极310相对应。
117.用于防止掩模斩波的隔离物119s可以进一步被提供到像素限定层119(或被提供在像素限定层119上)。隔离物119s可以与像素限定层119形成为一体。作为示例，隔离物119s和像素限定层119可以在使用半色调掩模工艺的相同工艺期间同时形成。
118.像素电极310可以通过连接电极cm连接到驱动薄膜晶体管t1的漏电极d1。连接电极cm可以设置在第二层间绝缘层117和无机保护层pvx之间，并且可以通过穿过第二层间绝缘层117的接触孔连接到漏电极d1。像素电极310可以通过穿过平坦化层118和无机保护层pvx的接触孔连接到连接电极cm。在这种情况下，第一焊盘层31a可以包括与漏电极d1相同的材料并且与漏电极d1同时形成。第二焊盘层31b可以包括与连接电极cm相同的材料并且可以与连接电极cm同时形成。此外，接触层c-pad可以通过单独的工艺形成。在另一实施例中，连接电极cm可以设置在无机保护层pvx上并且可以通过穿过第二层间绝缘层117和无机保护层pvx的接触孔连接到漏电极d1。
119.像素电极310可以通过穿过平坦化层118的接触孔连接到连接电极cm(参见图10和图11)。可以引入连接电极cm以用于防止对漏电极d1的损坏。连接电极cm可以包括与接触层c-pad相同的材料并且可以与接触层c-pad同时形成。在这种情况下，第一焊盘层31a可以包
括与漏电极d1相同的材料并且可以与漏电极d1同时形成。第二焊盘层31b可以包括与附加导电层pl'相同的材料并且可以与附加导电层pl'同时形成。在另一实施例中，可以提供两个连接电极cm。两个连接电极cm可以包括第一连接电极和第二连接电极。第一连接电极可以设置在第二层间绝缘层117上并且第二连接电极可以设置在无机保护层pvx上。在这种情况下，第一连接电极可以通过穿过第二层间绝缘层117的接触孔连接到漏电极d1。第一连接电极可以通过穿过无机保护层pvx的接触孔连接到第二连接电极。此外，第二连接电极可以通过穿过平坦化层118的接触孔连接到像素电极310。在这种情况下，第一焊盘层31a可以包括与漏电极d1相同的材料并且可以与漏电极d1同时形成。第二焊盘层31b可以包括与第一连接电极和附加导电层pl'相同的材料，并且可以与第一连接电极和附加导电层pl'同时形成。此外，接触层c-pad可以包括与第二连接电极相同的材料并且可以与第二连接电极同时形成。
120.在下文中，为了便于描述，主要描述其中连接电极cm设置在第二层间绝缘层117和无机保护层pvx之间并且通过穿过第二层间绝缘层117的接触孔连接到漏电极d1的情况。此外，关于通过穿过平坦化层118和无机保护层pvx的接触孔连接到连接电极cm的像素电极310描述该情况。
121.在其中设置焊盘部分30并且焊盘部分30的接触层c-pad暴露到外部的情况下，当使用蚀刻剂形成像素电极310时，蚀刻剂可能通过接触层c-pad影响在其下的第一焊盘层31a和第二焊盘层31b等。例如，至少因为蚀刻剂在接触层c-pad的端部处流入接触层c-pad和无机保护层pvx之间的空间中，所以蚀刻剂可能腐蚀第一焊盘层31a和第二焊盘层31b。
122.相反，在其中焊盘保护层118a设置在接触层c-pad的外周界处的情况下，可以防止蚀刻剂流到接触层c-pad的外周界。因此，显示装置可以被配置为通过防止第一焊盘层31a和第二焊盘层31b被腐蚀来防止焊盘部分30发生故障。此外，显示装置可以被配置为通过防止第一焊盘层31a和第二焊盘层31b的腐蚀来防止第一焊盘层31a和第二焊盘层31b出现短路。
123.图4a是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图。图4b是根据实施例的沿着图4a的截面线ii-ii'截取的图4a的焊盘的截面图。图4c是根据实施例的沿着图4a的截面线iii-iii'截取的图4a的焊盘的截面图。
124.参考图4a至图4c，根据实施例的显示装置包括外围区域pa中的焊盘31。焊盘31的边缘可以被第二层间绝缘层117和/或无机保护层pvx覆盖。焊盘31的中心部分可以被接触层c-pad覆盖。
125.在实施例中，焊盘31可以包括第一焊盘层31a和第二焊盘层31b。第一焊盘层31a可以通过穿过第一层间绝缘层115的第一接触孔cnt1连接到连接布线cw。在这种情况下，第一接触孔cnt1可以设置在焊盘31的边缘而不是焊盘31的中心部分。作为示例，第一接触孔cnt1的与焊盘31的高度方向d3平行的中心线可以和第一焊盘层31a的与焊盘31的高度方向d3平行的中心线间隔开预定距离。在这种情况下，第一接触孔cnt1可以被提供为多个第一接触孔cnt1的部分。多个第一接触孔cnt1可以彼此间隔开以围绕第一焊盘层31a的中心。作为示例，多个第一接触孔cnt1可以沿着焊盘31的外周界设置以彼此间隔开预定距离。第一焊盘层31a的边缘可以被第二层间绝缘层117和无机保护层pvx覆盖。
126.第二焊盘层31b可以设置在第二层间绝缘层117上。在这种情况下，第二焊盘层31b
可以通过第二接触孔cnt2连接到第一焊盘层31a。第二接触孔cnt2可以与第一接触孔cnt1相邻。在这种情况下，第二接触孔cnt2可以被以多个第二接触孔cnt2提供。多个第二接触孔cnt2可以与多个第一接触孔cnt1类似设置。在这种情况下，每个第一接触孔cnt1和每个第二接触孔cnt2可以交替设置。在这种情况下，多个第一接触孔cnt1和多个第二接触孔cnt2可以设置在除了焊盘31的中心区域之外的外部区域(或外围区域)中。在这种情况下，多个第一接触孔cnt1和多个第二接触孔cnt2可以以直线形状或设置或者锯齿形状或设置来设置。
127.如上所述，焊盘保护层118a可以设置在其中设置第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2的区域中。在这种情况下，在平面图中，焊盘保护层118a甚至可以屏蔽焊盘31的中心区域的一部分。
128.第二焊盘层31b的中心区域可以被接触层c-pad覆盖。接触层c-pad可以设置在无机保护层pvx的第三接触孔cnt3内部以直接接触第二焊盘层31b的顶表面。接触层c-pad的一部分可以延伸到无机保护层pvx的顶表面。
129.第一焊盘层31a可以包括具有相对优异的导电性的金属。作为示例，第一焊盘层31a可以包括铜(cu)。在实施例中，第一焊盘层31a可以包括其中第一层包括ti并且第二层包括cu的ti/cu的多层结构。构成第一焊盘层31a的第二层的材料可以具有相对高的氧化度，并且可能在工艺期间很容易被蚀刻剂损坏。
130.接触层c-pad可以包括如上所述的氧化。
131.在实施例中，因为焊盘31的边缘被焊盘保护层118a覆盖并且焊盘31的中心部分被接触层c-pad覆盖，所以可以减少在工艺期间由于蚀刻剂导致的对焊盘31的损坏，并且可以防止氧化。
132.例如，至少因为焊盘保护层118a覆盖接触层c-pad的外周界(或边缘)并且防止了蚀刻剂在接触层c-pad和无机保护层pvx之间流动，所以可以减少对焊盘31的损坏。在这种情况下，第四接触孔cnt4可以被形成在焊盘保护层118a中以将接触层c-pad的一部分暴露到外部。
133.图5a是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图。图5b是根据实施例的沿着图5a的截面线ii-ii'截取的图5a的焊盘的截面图。在图5a和5b中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，省略其重复描述。
134.参考图5a和5b，根据实施例的显示装置包括外围区域pa中的焊盘31。焊盘31的边缘被焊盘保护层118a覆盖。焊盘31的中心部分可以被接触层c-pad覆盖。
135.在实施例中，焊盘31可以包括第一焊盘层31a和第二焊盘层31b。第一焊盘层31a可以通过穿过第一层间绝缘层115的第一接触孔cnt1连接到连接布线cw。在平面图中，第一接触孔cnt1不设置在焊盘31的中心处，而可以设置在与焊盘31的平面形状的中心偏心的位置处。作为示例，在平面图中，焊盘31的平面形状的中心可以不设置在第一接触孔cnt1的平面形状内部，或者第一接触孔cnt1的平面形状的中心可以不与焊盘31的平面形状的中心重合。
136.第一焊盘层31a的边缘可以被第二层间绝缘层117覆盖。在这种情况下，第二焊盘层31b可以设置在第二层间绝缘层117上并且通过第二接触孔cnt2连接到第一焊盘层31a。在这种情况下，在平面图中，第一接触孔cnt1的平面形状可以不与第二接触孔cnt2的平面
形状重叠。例如，在平面图中，第一接触孔cnt1的平面形状可以与第二接触孔cnt2的平面形状间隔开。
137.接触层c-pad可以设置在无机保护层pvx上并且可以通过第三接触孔cnt3连接到第二焊盘层31b。在这种情况下，焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。焊盘保护层118a可以包括将接触层c-pad的一部分暴露到外部的第四接触孔cnt4。
138.第一焊盘层31a和第二焊盘层31b中的至少一个可以包括具有相对优异的导电性的金属。作为示例，第一焊盘层31a可以包括铜(cu)。在实施例中，第一焊盘层31a可以包括其中第一层包括ti并且第二层包括cu的ti/cu的多层结构。构成第一焊盘层31a的第二层的材料可以具有相对高的氧化度，并且可能在工艺期间很容易被蚀刻剂损坏。
139.接触层c-pad可以包括如上所述的氧化。
140.在实施例中，至少因为焊盘31的侧表面被焊盘保护层118a覆盖并且焊盘31的中心部分被接触层c-pad覆盖，所以可以减少在工艺期间由于蚀刻剂导致的对焊盘31的损坏，并且可以防止氧化。
141.图6是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图。
142.参考图6，在焊盘31中，将连接布线cw连接到第一焊盘层31a的第一接触孔cnt1和将第一焊盘层31a连接到第二焊盘层31b的第二接触孔cnt2可以以各种形状设置。作为示例，第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2中的每一个可以作为多个中的一个被提供。多个第一接触孔cnt1和多个第二接触孔cnt2可以各自以直线设置。在这种情况下，遍及多个第一接触孔cnt1，彼此相邻的第一接触孔cnt1的平面形状之间的第一距离l1可以是恒定的。作为示例，第一距离l1可以是40μm或更大。
143.此外，遍及多个第二接触孔cnt2，彼此相邻的第二接触孔cnt2的平面形状之间的第二距离l2可以是恒定的。作为示例，第二距离l2可以是40μm或更大。在这种情况下，第一距离l1和第二距离l2可以表示在彼此相邻的接触孔的平面形状中彼此面对的不同接触孔的侧面之间的垂直距离。
144.第一接触孔cnt1的平面形状和第二接触孔cnt2的平面形状之间的第三距离l3可以不同于第一距离l1和第二距离l2。作为示例，第三距离l3可以大于第一距离l1和第二距离l2。
145.接触层c-pad可以设置在第二焊盘层31b上。在这种情况下，接触层c-pad的平面形状可以几乎与第二焊盘层31b的平面形状相同或几乎大于第二焊盘层31b的平面形状。在这种情况下，焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。至少因为接触层c-pad和焊盘保护层118a与上述接触层c-pad和焊盘保护层118a相同或类似，所以省略其详细描述。
146.焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。第四接触孔cnt4可以设置在焊盘保护层118a中以将接触层c-pad暴露到外部。在这种情况下，外部元件等可以通过第四接触孔cnt4连接到接触层c-pad。
147.焊盘保护层118a可以覆盖接触层c-pad的外周界。在这种情况下，焊盘保护层118a可以设置为覆盖接触层c-pad的整个外周界。在这种情况下，焊盘保护层118a可以防止用于蚀刻像素电极310的蚀刻剂在接触层c-pad和无机保护层pvx之间的渗透。
148.尽管如此，相对于图6中所示的平面图，焊盘31可以具有与图4b、图4c和图5b中所示的其中相应层堆叠的形状类似的形状。
149.图7是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图。
150.参考图7，焊盘31可以包括第一焊盘层和第二焊盘层。在这种情况下，第一焊盘层和第二焊盘层与上述第一焊盘层和第二焊盘层相同或类似，并且因此，省略其描述。
151.第一焊盘层可以通过第一接触孔cnt1连接到连接布线cw。在这种情况下，第一接触孔cnt1可以具有矩形平面形状。此外，第一接触孔cnt1的平面形状可以设置在与焊盘31的中心间隔开的一部分中。
152.第一焊盘层可以通过第二接触孔cnt2连接到第二焊盘层。在这种情况下，与第一接触孔cnt1类似，第二接触孔cnt2可以设置在与焊盘31的中心间隔开的一部分中。第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2可以分别设置在关于焊盘31的中心彼此对称的位置处。
153.第一焊盘层可以设置在第一层间绝缘层上，并且第二焊盘层可以设置在第二层间绝缘层上。此外，平坦化层可以设置在第二焊盘层上，并且接触层c-pad可以设置在平坦化层上。在这种情况下，接触层c-pad可以通过第三接触孔cnt3连接到第二焊盘层。焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。例如，焊盘保护层118a可以覆盖接触层c-pad的外周界的顶表面。
154.根据各个实施例，焊盘保护层118a可以防止蚀刻剂渗透到接触层c-pad和无机保护层之间的空间中，从而防止第一焊盘层和第二焊盘层中的至少一个被蚀刻剂损坏或氧化。
155.尽管如此，相对于图7中所示的平面图，焊盘31可以具有与图4b、图4c和图5b中所示的其中相应层堆叠的形状类似的形状。
156.图8是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图。
157.参考图8，焊盘31可以包括第一焊盘层和第二焊盘层。在这种情况下，第一焊盘层和第二焊盘层与上述第一焊盘层和第二焊盘层相同或类似，并且因此，省略其描述。
158.第一焊盘层可以设置在第一层间绝缘层上，并且第二焊盘层可以设置在第二层间绝缘层上。此外，平坦化层可以设置在第二焊盘层上，并且接触层c-pad可以设置在平坦化层上。连接布线cw可以通过第一接触孔cnt1连接到第一焊盘层。第一焊盘层可以通过第二接触孔cnt2连接到第二焊盘层。此外，接触层c-pad可以通过第三接触孔cnt3连接到第二焊盘层。在这种情况下，焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。例如，焊盘保护层118a可以设置为覆盖接触层c-pad的外周界的顶表面。
159.根据一些实施例，第一接触孔cnt1的平面形状可以围绕第二接触孔cnt2的平面形状。在这种情况下，第一接触孔cnt1的平面形状和第二接触孔cnt2的平面形状可以各自具有矩形形状。第一接触孔cnt1的平面形状的中心可以与第二接触孔cnt2的平面形状的中心重合。在这种情况下，在平面图中，接触层c-pad可以完全覆盖第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2。此外，第一接触孔cnt1的平面形状和第二接触孔cnt2的平面形状可以设置在第三接触孔cnt3的平面形状内部。焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。在这种情况下，焊盘保护层118a可以覆盖接触层c-pad的边缘部分。
160.根据各个实施例，可以防止在蚀刻像素电极310时使用的蚀刻剂在接触层c-pad和无机绝缘层之间的渗透。
161.尽管如此，相对于图8中所示的平面图，焊盘31可以具有与图4b、图4c和图5b中所示的其中相应层堆叠的形状类似的形状。
162.图9是根据实施例的显示装置的焊盘的平面图。
163.参考图9，焊盘31可以包括第一焊盘层和第二焊盘层。在这种情况下，第一焊盘层和第二焊盘层与上述第一焊盘层和第二焊盘层相同或类似，并且因此，省略其描述。
164.第一焊盘层可以设置在第一层间绝缘层上，并且第二焊盘层可以设置在第二层间绝缘层上。此外，平坦化层可以设置在第二焊盘层上，并且接触层c-pad可以设置在平坦化层上。在这种情况下，连接布线cw可以通过第一接触孔cnt1连接到第一焊盘层。第一焊盘层可以通过第二接触孔cnt2连接到第二焊盘层。此外，接触层c-pad可以通过第三接触孔cnt3连接到第二焊盘层。焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上。例如，焊盘保护层118a可以覆盖接触层c-pad的外周界的顶表面。
165.根据各个实施例，第二接触孔cnt2可以被以多个第二接触孔cnt2提供。多个第二接触孔cnt2可以与第一接触孔cnt1重叠。例如，在平面图中，第二接触孔cnt2的平面形状中的所有平面形状可以设置在第一接触孔cnt1的平面形状内部。在这种情况下，在平面图中，多个第二接触孔cnt2可以设置为在第一接触孔cnt1的平面形状内部彼此间隔开。第二焊盘层可以设置在多个第二接触孔cnt2上。可以提供一个第二焊盘层并且该一个第二焊盘层可以通过多个第二接触孔cnt2连接到第一焊盘层。如上所述，第二焊盘层可以连接到接触层c-pad，并且接触层c-pad的一部分可以被焊盘保护层118a覆盖。例如，焊盘保护层118a可以设置在接触层c-pad上以覆盖接触层c-pad的外围部分。
166.在各个实施例中，焊盘保护层118a可以防止蚀刻剂被引入接触层c-pad的侧表面。
167.尽管如此，相对于图9中所示的平面图，焊盘31可以具有与图4b、图4c和图5b中所示的其中相应层堆叠的形状类似的形状。
168.图10是根据实施例的沿着图1a的截面线i-i'和图1c的截面线ii-ii'截取的显示装置的截面图。在图10中，与图3中的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，省略其重复描述。
169.参考图10，根据实施例的显示装置包括设置在显示区域da中的多个像素p1、p2和p3、覆盖多个像素p1、p2和p3的薄膜封装层400、颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)、薄膜封装层400之上的光阻挡图案210和上基板200。
170.在实施例中，分别设置在像素p1、p2和p3中的有机发光二极管oled的中间层320可以被共同提供。因而，包括在像素p1、p2和p3中的每一个中的相应有机发光二极管oled可以发射具有同一颜色的光。作为示例，中间层320可以包括有机发射层，该有机发射层包括发射蓝光的荧光材料或磷材料。诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个的至少一个功能层可以选择性地进一步设置在有机发射层下和/或有机发射层上。
171.至少因为有机发光二极管oled很容易被来自外部的湿气或氧气等损坏，所以有机发光二极管oled可以被薄膜封装层400覆盖和保护。薄膜封装层400可以覆盖显示区域da并且延伸到显示区域da的外部。薄膜封装层400可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。作为示例，薄膜封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。
172.第一无机封装层410可以覆盖对电极330并且包括硅氧化物、硅氮化物和氮氧化硅中的至少一种。在一些实施例中，当需要或期望时，诸如覆盖层的其他层可以设置在第一无
机封装层410和对电极330之间。至少因为第一无机封装层410沿着在其下的结构形成，所以第一无机封装层410的顶表面是不平坦的。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410。与第一无机封装层410不同，有机封装层420的顶表面可以是近似平坦的。作为示例，有机封装层420的与显示区域da相对应的一部分的顶表面可以是近似平坦的。有机封装层420可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420并且包括硅氧化物、硅氮化物和氮氧化硅中的至少一种。
173.即使在薄膜封装层400内部出现裂缝，裂缝也不可能通过以上多层结构在第一无机封装层410和有机封装层420之间或有机封装层420和第二无机封装层430之间连接。通过这种配置，可以防止或最小化外部湿气或氧气通过其渗透到显示区域da中的路径的形成。
174.上基板200可以遍及薄膜封装层400设置。上基板200可以面对基板100。颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)、透射窗tw和光阻挡图案210可以设置在上基板200上。
175.颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)可以增强从有机发光二极管oled发射的光的颜色或将颜色转换成另一种颜色。颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)可以包括：包括量子点等的量子转换层。量子点是具有大约2nm至大约10nm的直径和独特的电学和光学特性的半导体颗粒。当暴露到光线下时，取决于颗粒的尺寸及其材料的种类，量子点可以以特定频率发光。作为示例，当接收光时，取决于颗粒的尺寸和/或其材料的种类，量子点可以发射红光、绿光或蓝光。
176.量子点的核可以包括第ii-vi族化合物、第iii-v族化合物、第iv-vi族化合物、第iv族元素、第iv族化合物中的一种和/或其组合。
177.第ii-vi族化合物可以包括以下中的至少一种：包括cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse、mgs中的至少一种的二元化合物及其混合物，包括agins、cuins、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse、mgzns中的至少一种的三元化合物及其混合物，以及包括hgzntes、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete、hgznste中的至少一种的四元化合物及其混合物。
178.第iii-v族化合物可以包括以下中的至少一种：包括gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb中的至少一种的二元化合物及其混合物；包括ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、innas、innsb、inpas、inpsb中的至少一种的三元化合物及其混合物；以及包括gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb中的至少一种的四元化合物及其混合物。
179.第iv-vi族化合物可包括以下中的至少一种：包括sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte中的至少一种的二元化合物及其混合物；包括snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte中的至少一种的三元化合物及其混合物；以及包括snpbsse、snpbsete、snpbste中的至少一种的四元化合物及其混合物。第iv族元素可以包括si、ge中的一种及其混合物。第iv族化合物可以包括二元化合物，二元化合物包括sic、sige中的一种及其混合物。
180.在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒内部，或者可以被划分为具有部分不同浓度分布的状态并且存在于同一颗粒中。此外，可以提供其中一个量子点围绕另一量子点的核-壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。
181.在实施例中，量子点可以具有包括核和壳的核-壳结构。核可以包括纳米晶体，并且壳可以围绕核。量子点的壳可以用作防止核的化学变化以保持半导体特性和/或用作充电层以用于将电泳特性赋予量子点。壳可以包括单层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。量子点的壳的示例包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。
182.作为示例，尽管金属或非金属的氧化物可以包括：包括sio2、al2o3、tio2、zno
x
(其可以是zno和/或zno2)、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4和nio中的至少一种的二元化合物或者包括mgal2o4、cofe2o4、nife2o4和comn2o4中的至少一种的三元化合物，但是实施例不限于此。
183.此外，尽管半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp和alsb中的至少一种，但是实施例不限于此。
184.量子点可以具有45nm或更小(例如，大约40nm或更小，诸如大约30nm或更小)的发光波长光谱的半高宽(fwhm)。在该范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现。此外，由于从量子点发射的光是在所有方向上发射的，因此可以改善光的视角。
185.此外，尽管量子点的形状可以是本领域通常使用的形状并且不受特别限制，但是在一些实施例中，量子点的形状可以包括球形形状、金字塔形状、多臂形状或立方纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维和/或纳米板颗粒。
186.颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)可以设置为与由像素限定层119的开口op限定的发射区域的至少一部分相对应。作为示例，第一颜色转换层qd1可以与第一像素p1的发射区域相对应，并且第二颜色转换层qd2可以与第二像素p2的发射区域相对应。颜色转换层可以不与第三像素p3的发射区域相对应。透射窗tw可以设置在第三像素p3的发射区域中。透射窗tw可以包括有机材料，该有机材料可以发光而不转换从有机发光二极管oled发射的光的波长；然而，实施例不限于此。颜色转换层也可以设置在第三像素p3的发射区域中。
187.散射颗粒可以分布在颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)以及透射窗tw中。因而，颜色扩散可以是均匀的或基本均匀的。
188.光阻挡图案210可以设置在颜色转换层(例如，第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2)和透射窗tw之间。光阻挡图案210可以是黑矩阵并且可以是被配置为改善颜色清晰度和对比度的构件。光阻挡图案210可以设置在像素(例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3)的发射区域之间。光阻挡图案210可以包括吸收可见光的黑矩阵，并且因此，防止从相邻的像素的发射区域发射的光的颜色混合并且改善可见度和对比度。
189.在实施例中，多个有机发光二极管oled可以发射蓝光。在这种情况下，第一颜色转换层qd1可以包括发射红光的量子点，并且第二颜色转换层qd2可以包括发射绿光的量子点。因此，发射到显示装置的外部的光可以是红色、绿色或蓝色。通过这些颜色的组合，可以
表现各种颜色。
190.填充材料610可以进一步设置在基板100和上基板200之间。填充材料610可以针对外部压力等执行缓冲功能。填充材料610可以包括诸如甲基硅、苯基硅和聚酰亚胺中的至少一种的有机材料；然而，实施例不限于此。例如，填充材料610可以包括作为有机密封剂的聚氨酯树脂、环氧类树脂、丙烯酸类树脂和作为无机密封剂的硅中的至少一种。
191.图11是根据实施例的沿着图1a的截面线i-i'和图1c的截面线ii-ii'截取的显示装置的截面图。在图11中，与图10的附图标记相同的附图标记表示相同的元件，并且因此，省略其重复描述。
192.在实施例中，包括在多个像素(例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3)中的有机发光二极管oled可以包括多个中间层(例如，第一中间层320a和第二中间层320b)以及堆叠的多个对电极(例如，第一对电极330a和第二对电极330b)。
193.作为示例，有机发光二极管oled可以包括顺序堆叠在像素电极310上的第一中间层320a、第一对电极330a、第二中间层320b和第二对电极330b。第一中间层320a和第二中间层320b可以各自包括有机发射层，该有机发射层包括发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷材料。有机发射层可以是低分子量或聚合物有机材料。诸如空穴传输层(htl)、空穴注入层(hil)、电子传输层(etl)和电子注入层(eil)中的至少一个的至少一个功能层可以选择性地进一步设置在有机发射层下和/或有机发射层上。在实施例中，第一中间层320a和第二中间层320b可以各自包括发射蓝光的有机发射层。
194.第一对电极330a和第二对电极330b可以各自包括透光电极或反射电极。在实施例中，对电极330可以包括透明电极或半透明电极，并且可以包括具有低功函数的金属薄膜。例如，对电极330的材料可以包括li、ca、lif、al、ag、mg及其任何化合物中的至少一种，或者具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构的材料。此外，透明导电氧化物(tco)层可以进一步设置在金属薄膜上，tco层包括ito、izo、zno
x
(其可以是zno和/或zno2)和in2o3中的至少一种。第一对电极330a可以是浮置电极。
195.第一中间层320a、第二中间层320b、第一对电极330a和第二对电极330b可以各自遍及多个像素(例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3)被提供为一个整体。
196.在实施例中，滤色器(例如，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3)可以被提供在上基板200上。可以引入滤色器(例如，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3)以实现全色图像，并且改善色纯度和户外可见度。
197.滤色器(例如，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3)可以设置为与上基板200上的像素(例如，第一像素p1、第二像素p2和第三像素p3)的发射区域相对应。光阻挡图案210可以设置在滤色器(例如，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3)之间。
198.保护层220可以覆盖光阻挡图案210和滤色器(例如，第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3)。保护层220可以包括无机材料，该无机材料包括例如氧化硅(sio2)、硅氮化物(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和锌氧化物(zno
x
)(其可以是zno和/或zno2)中的至少一种。保护层220可以包括诸如聚酰亚胺和环氧树脂中的至少一种的有机材料。
199.第一颜色转换层qd1、第二颜色转换层qd2和透射窗tw可以分别与第一滤色器cf1、
第二滤色器cf2和第三滤色器cf3重叠，而保护层220在第一颜色转换层qd1、第二颜色转换层qd2和透射窗tw与第一滤色器cf1、第二滤色器cf2和第三滤色器cf3之间。附加保护层230可以进一步遍及上基板200被提供以覆盖第一颜色转换层qd1、第二颜色转换层qd2和透射窗tw。附加保护层230可以包括有机材料或无机材料。
200.第一颜色转换层qd1和第二颜色转换层qd2可以各自包括发射具有不同颜色的光的量子点。作为示例，第一颜色转换层qd1可以发射红光，并且第二颜色转换层qd2可以发射绿光。此外，透射窗tw可以透射从第三像素p3的有机发光二极管oled发射的蓝光。在这种情况下，第一滤色器cf1可以是红色滤色器，第二滤色器cf2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器cf3可以是蓝色滤色器。
201.根据一个或多个实施例的显示装置可应用于例如大尺寸的显示装置。因此，包括在显示装置中的布线和焊盘可以采用具有高导电性的金属。具有高导电性的金属在工艺(例如，蚀刻工艺)期间倾向于很容易被损坏和氧化，并且因此，各个实施例引入无机保护层以及对布线和焊盘进行保护的保护层，以提供具有高可靠性的显示装置。因此，至少因为根据一个或多个实施例的显示装置包括焊盘保护层，所以可以显示高质量的图像。
202.尽管本文已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其他实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思不限于这些实施例，而是相反，限于所附权利要求以及如将对本领域普通技术人员显而易见的各种明显修改和等效设置的更宽范围。