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一种宽带超薄透明吸波体设计

2022-05-08 06:28:53 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种宽带超薄透明吸波体设计,包括ito膜和多个吸波单元,其特征在于,所述ito膜的底部固定放置有多个吸波单元,所述吸波单元由三个超薄电阻膜谐振器、三个聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜和三个聚氯乙烯膜,三个所述超薄电阻膜谐振器均匀沉积在三个聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)薄膜顶部,顶部的所述超薄电阻膜谐振器和中部的超薄电阻膜谐振器由聚氯乙烯膜隔开,所述聚氯乙烯膜的厚度范围为2.5-3.5mm,介电常数的范围2-3,中间的所述超薄电阻膜谐振器和底部的超薄电阻膜谐振器之间由空气层隔开,顶部的所述超薄电阻膜谐振器、中部的所述超薄电阻膜谐振器和底部所述的超薄电阻膜谐振器周期均为p(即相邻的两个图案中心之间的距离均为p),且10mm≤p≤18mm;多个顶部的所述超薄电阻膜谐振器团案为正方形,边长为a,且6≤a≤10mm,方阻为r
s1
,且的范围为300-600ω/sq;多个中部的所述超薄电阻膜谐振器团案为交通十字形图案,3≤r≤5mm,5≤l≤7mm,0.2≤s1≤0.5mm,0.5≤s2≤0.9mm,0.2≤s3≤0.5mm,0.7≤w1≤0.8mm,0.8≤w2≤0.9mm,0.8≤w3≤1mm,方阻为r
s2
,0≤≤15ω/sq;多个底部的所述超薄电阻膜谐振器方阻为r
s3
,300≤≤500ω/sq,且顶部的超薄电阻膜谐振器团案、中部的超薄电阻膜谐振器团案和底部的超薄电阻膜谐振器团案中心投影吻合。2.根据权利要求1所述的一种宽带超薄透明吸波体设计,其特征在于:顶部的所述超薄电阻膜谐振器团案、中部的所述超薄电阻膜谐振器团案和底部的所述超薄电阻膜谐振器团案的中心在底层投影位于同一个点上。3.根据权利要求1所述的一种宽带超薄透明吸波体设计,其特征在于:顶部的所述超薄电阻膜谐振器还包括:第一薄膜层,顶部的所述超薄电阻膜谐振器的底端设有第一薄膜层,中部的所述超薄电阻膜谐振器还包括:第二薄膜层,中部的所述超薄电阻膜谐振器的底端固定设有第二薄膜层,所述第一薄膜层和第二薄膜层的厚度为0.1mm-0.3mm。4.根据权利要求3所述的一种宽带超薄透明吸波体设计,其特征在于:所述第一薄膜层、第二薄膜层为pet膜。5.根据权利要求3所述的一种宽带超薄透明吸波体设计,其特征在于:顶部的所述超薄电阻膜谐振器团案与第一薄膜层和中部的所述超薄电阻膜谐振器团案与第二薄膜层均采用激光刻蚀的方式分别印刷设置。6.根据权利要求1所述的一种宽带超薄透明吸波体设计,其特征在于:顶部的所述超薄电阻膜谐振器、中部的所述超薄电阻膜谐振器和底部所述的超薄电阻膜谐振器周期p为p=14mm,多个顶部的所述超薄电阻膜谐振器团案a=8.8mm,方阻为r
s1
=420ω/sq,多个中部的所述超薄电阻膜谐振器团案,r=3.9mm,l=6.4mm,s1=0.25mm,s1=0.75mm,s1=0.32mm,w1=0.6mm,w2=0.8mm,w3=0.9mm,方阻为r
s2
=7ω/sq,所述聚对苯二甲酸乙二醇酯膜厚度为0.156mm,介电常数为3.0(1-j0.06),所述聚氯乙烯膜厚度为3mm,介电常数为2.45(1-j0.012),空气层厚度为1.4mm,在4.6-24.4ghz的吸波性能小于-10db。

技术总结
本发明公开了一种宽带超薄透明吸波体设计,包括ITO膜和多个吸波单元,所述ITO膜的底部固定放置有多个吸波单元,所述吸波单元由三个超薄电阻膜谐振器、三个聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜和三个聚氯乙烯膜,三个所述超薄电阻膜谐振器均匀沉积在三个聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜顶部,顶部的所述超薄电阻膜谐振器和中部的超薄电阻膜谐振器由聚氯乙烯膜隔开,所述聚氯乙烯膜的厚度范围为2.5-3.5mm。本发明基于双层吸波结构层,并结合电阻膜的方阻设计了超宽谱吸波材料,通过合理选择电阻膜表面阻值以及结构参数,实现在低频、中频、高频吸波峰,且增强了低频吸收强度,从而扩宽整体吸波带宽,可实现在4.6-24.4GHz的吸波性能小于-10dB。10dB。10dB。


技术研发人员:刘谨仪
受保护的技术使用者:中国矿业大学
技术研发日:2022.01.20
技术公布日:2022/5/6
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