一种小电流高分子贴片保险丝及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，制备基板采用pcb覆铜板作为基板，所述基板上具有多个能够独立分割成具备保险丝功能的单元格；步骤二，蚀刻熔丝通过蚀刻工艺在所述基板上蚀刻出熔丝，使熔丝以线条的方式呈几何形状布置于每个单元格处；步骤三，修饰熔丝采用激光对每个单元格上的熔丝进行修饰，使得每个单元格上的熔丝线条均匀，以便获得阻值一致的熔丝；步骤四，印刷助熔层选取由低温易熔金属、有机溶剂、固化剂混合制备成的助熔浆料，将助熔浆料印刷至每个单元格上熔丝表面的中央位置以形成助熔层；步骤五，印刷阻燃保护层将每个单元格的两端定义为非印刷区域，将每个单元格上熔丝和助熔层的表面定义为印刷区域，将阻燃材料印刷至印刷区域，阻燃材料固化后形成阻燃保护层；步骤六，切割基板将印刷完成的基板分割成独立的单元格，每个单元格形成器件胚体，各器件胚体具有位于两端的端头；步骤七，金属化端头在器件胚体的端头设置至少部分覆盖该端头且与熔丝电性连接的金属电极。2.根据权利要求1所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：在所述步骤一中，在所述pcb板的单面涂覆有铜层，铜层厚度为10~20mm，所述铜层的上表面电镀有防氧化层。3.根据权利要求1所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：在所述步骤二中，通过蚀刻工艺在基板上蚀刻出宽度为10~50um的熔丝，将该熔丝在每个单元格上布置成“几”字形；在所述步骤三中，采用激光将熔丝的拐弯处设置为圆角，将熔丝的直线条、曲线条的宽度修饰为一致。4.根据权利要求1所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：在所述步骤三中，所述助熔浆料的重量份数配比如下：双酚a环氧树脂
ꢀꢀꢀꢀ
5~10份有机溶剂
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
10~20份固化剂
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
1~5份低温易熔金属粉体
ꢀꢀ
60~80份；按照重量份数称取上述材料混合均匀后，再通过研磨制备出所述助熔浆料。5.根据权利要求4所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：在所述步骤四中，所述低温易熔金属粉体选取锡、锡铋合金、锡-银-铜合金中的一种或多种形成的2~4um的球形粉体。6.根据权利要求1所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：在所
述步骤五中，所述阻燃材料采用具有阻燃功能的环氧树脂，通过丝网印刷方式将阻燃材料印刷至每个单元格的所述熔丝及助熔层表面，经80~150℃固化30~120min后形成阻燃保护层，同时在基板的边缘印刷切割对位线，方便后续单元格分离，能有效的保证产品尺寸的一致性。7.根据权利要求4所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：所述方法还包含印刷标识步骤，印刷标识这一步骤位于制备基板和切割基板之间的工序中，所述印刷标识为在所述基板上所述熔丝的背面印刷标识字符。8.根据权利要求1所述的一种小电流高分子贴片保险丝的制备方法，其特征在于：在所述步骤七中，在器件胚体的端头位置涂覆低温固化材料以形成位于侧面的侧面电极，固化后电镀上导电金属材料以形成位于基板上下端面的端电极，侧面电极与端电极与熔丝电性连接。9.一种小电流高分子贴片保险丝，其特征在于，所述贴片保险丝利用权利要求1-8任一项所述的制备方法制得，所述贴片保险丝具有：单元格，所述单元格为由pcb板制得的基板独立分割后具备保险丝功能的最小单元；熔丝，所述熔丝通过蚀刻工艺设置于所述单元格表面，所述熔丝的宽度在其长度方向上均匀一致，所述熔丝呈“几”字形，在所述熔丝的拐弯处设置有圆角；助熔层，所述助熔层印刷至单元格上熔丝的中央位置；阻燃保护层，所述阻燃保护层印刷覆盖于熔丝和助熔层的表面；侧面电极，所述侧面电极位于所述单元格的至少一处端头部位，所述侧面电极与所述熔丝电性连接；端电极，所述端电极位于所述单元格的至少一处端头的上表面和下表面，所述端电极与所述熔丝电性连接。10.一种电子产品，其特征在于：所述电子产品包含权利要求9所述的一种小电流高分子贴片保险丝。

技术总结
本发明公开了一种小电流高分子贴片保险丝及其制备方法，方法包括以下步骤：制备基板、蚀刻熔丝、印刷助熔层、印刷阻燃保护层、切割基板、印刷标识、金属化端头；贴片保险丝具备以下结构：单元格、熔丝、助熔层、阻燃保护层、侧面电极、端电极。本发明采用PCB材质的基板替代原有的陶瓷基板，具有很好的保温效果，通过覆铜板工艺实现熔丝，精度控制高，可以准确地实现熔断时间的控制；同时，针对现有技术中存在的机身问题，采用PCB材质作为基板，通过覆铜工艺、表面蚀刻工艺、厚膜印刷工艺、以及端涂工艺制备的高分子贴片保险丝，具有阻值差异小、熔断时间可控度高、外观和焊性不良率低等优点。外观和焊性不良率低等优点。


技术研发人员：戴剑 董福兴 仇利民
受保护的技术使用者：苏州晶讯科技股份有限公司
技术研发日：2022.01.19
技术公布日：2022/5/6