一种磁场调控型光吸收装置的制作方法

技术特征：
1.一种磁场调控型光吸收装置，其特征在于，包括衬底和置于所述衬底上周期排布的光吸收单元，所述光吸收单元包括贵金属薄膜和磁性材料部，相邻所述光吸收单元的贵金属薄膜联通，所述贵金属薄膜中设有圆孔和矩形孔，所述矩形孔设置在所述圆孔的一侧，所述矩形孔不和所述圆孔联通，所述磁性材料部设置在所述圆孔内。2.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述光吸收单元排布的周期为方形周期。3.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述矩形孔与所述圆孔之间的距离小于100纳米。4.如权利要求3所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述矩形孔与所述圆孔之间的距离小于40纳米。5.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述贵金属薄膜的材料为金或银。6.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述磁性材料部的材料为铋铁石榴石。7.如权利要求1所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述矩形孔长边的中点与所述圆孔的距离最近。8.如权利要求1-7任一项所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述磁性材料部填充所述圆孔。9.如权利要求8所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述贵金属薄膜的厚度小于200纳米。10.如权利要求9所述的磁场调控型光吸收装置，其特征在于：所述贵金属薄膜的厚度小于80纳米。

技术总结
本发明涉及光吸收技术领域，具体涉及一种磁场调控型光吸收装置，包括衬底和置于衬底上周期排布的光吸收单元，光吸收单元包括贵金属薄膜和磁性材料部，相邻光吸收单元的贵金属薄膜联通，贵金属薄膜中设有圆孔和矩形孔，矩形孔设置在圆孔的一侧，矩形部不和圆孔联通，磁性材料部设置在圆孔内。当外加磁场的作用下，磁性材料部的折射率发生变化，改变了圆孔附近介电环境，从而改变了圆孔附近的局域表面等离激元共振，实现了微纳结构的光吸收特性调控，便于针对不同波长的入射光进行吸收，拓宽了装置的应用范围。置的应用范围。置的应用范围。


技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：李国强
技术研发日：2022.02.09
技术公布日：2022/5/6