利用小面积高电阻元件的单粒子翻转免疫触发器的制作方法

技术特征：
1.一种单粒子翻转(seu)免疫触发器，包括：时钟线，所述时钟线被配置为供应时钟信号；主级数据锁存器，所述主级数据锁存器具有数据输入、数据输出和时钟输入，所述主级数据锁存器响应于所述时钟信号的第一状态而呈现透明状态并且响应于所述时钟信号的第二状态而呈现锁定状态；从级数据锁存器，所述从级数据锁存器具有耦合到所述主级数据锁存器的所述数据输出的数据输入、数据输出、扫描输出和从锁存器时钟输入；扫描从数据锁存器，所述扫描从数据锁存器具有耦合到所述从数据锁存器的所述扫描输出的数据输入、数据输出和时钟输入，所述扫描从数据锁存器响应于所述时钟信号的所述第二状态而呈现透明状态并且响应于所述时钟信号的所述第一状态而呈现锁定状态；以及从锁存器时钟线，所述从锁存器时钟线被配置成向所述从级数据锁存器的所述从锁存器时钟输入供应从时钟信号，所述从级数据锁存器响应于所述从时钟信号的第一状态而具有透明状态并且响应于所述从时钟信号的第二状态而具有锁定状态，其中所述从级数据锁存器包括：开关反相器，当所述从级数据锁存器处于所述透明状态时所述开关反相器处于禁用状态，并且当所述从级数据锁存器处于所述锁定状态时所述开关反相器处于启用状态，所述开关反相器由开关晶体管和反相器晶体管形成；以及时间延迟再生反馈电路，当所述时间延迟再生反馈电路处于其锁定状态时，所述时间延迟再生反馈电路提供比seu粒子的时间段长的时间延迟。2.根据权利要求1所述的seu免疫触发器，进一步包括：置位信号线；并且其中所述主级数据锁存器和所述扫描从数据锁存器各自包括耦合到所述置位信号线的置位输入。3.根据权利要求1所述的seu免疫触发器，进一步包括：复位信号线；并且其中所述主级数据锁存器和所述扫描从数据锁存器各自包括耦合到所述复位信号线的复位输入。4.根据权利要求1所述的seu免疫触发器，进一步包括：多路复用器，所述多路复用器具有耦合到数据信号线的第一数据输入、耦合到扫描输入信号线的第二数据输入、耦合到所述第一级数据锁存器的所述数据输入的数据输出以及耦合到输入选择信号的选择输入。5.根据权利要求1所述的seu免疫触发器，其中所述从级数据锁存器具有耦合到所述开关反相器的输出节点的数据输出。6.根据权利要求1所述的seu免疫触发器，其中所述时间延迟由rc网络提供，所述rc网络包括竖直电阻元件和电容元件，所述电容元件包括所述开关反相器中的所述反相器晶体管的栅极电容，所述竖直电阻元件与所述电容元件串联连接。7.根据权利要求6所述的seu免疫触发器，其中所述竖直电阻元件形成为未编程的反熔丝。
8.根据权利要求6所述的seu免疫触发器，其中所述竖直电阻元件形成为原始reram装置。9.根据权利要求6所述的seu免疫触发器，其中所述竖直电阻元件形成为高电阻金属化合物的层。10.根据权利要求9所述的seu免疫触发器，其中所述高阻金属化合物是富硅sio2、富钽ta2o5、富钛tio2、富铝a12o3和富硅sin中的一种。11.根据权利要求1所述的seu免疫触发器，其中所述开关反相器包括：反相器输入节点；以及反相器输出节点，并且其中所述开关反相器开关晶体管和所述反相器晶体管包括：p沟道反相器晶体管，所述p沟道反相器晶体管与第一电压供应节点和所述反相器输出节点之间的p沟道开关晶体管串联连接，所述p沟道反相器晶体管的栅极连接到所述反相器输入节点；n沟道反相器晶体管，所述n沟道反相器晶体管与n沟道开关晶体管、所述反相器输出节点和第二电压供应节点串联连接，所述n沟道反相器晶体管的栅极连接到所述反相器输入节点，以及所述时间延迟再生反馈电路，所述时间延迟再生反馈电路包括第一反相器，所述第一反相器的输入连接到所述反相器输出节点并且所述第一反相器的输出与竖直电阻元件串联连接到所述反相器输入节点，所提供的时间延迟是所述竖直电阻元件和电容器的电阻的函数，所述电容器包括所述p沟道反相器晶体管和所述n沟道反相器晶体管的所述栅极的所述电容。12.根据权利要求11所述的seu免疫触发器，进一步包括第二反相器，所述第二反相器连接在所述第一反相器的输出与所述从级数据锁存器的所述扫描输出之间。13.根据权利要求12所述的seu免疫触发器，进一步包括第三反相器，所述第三反相器连接在所述第一反相器的输出与所述seu免疫触发器的输出节点之间。

技术总结
一种SEU免疫触发器包括主级数据锁存器，所述主级数据锁存器响应于时钟信号第一状态而透明并且响应于时钟信号第二状态而锁定；从级数据锁存器；以及扫描从锁存器，所述扫描从锁存器具有耦合到所述从级数据锁存器扫描输出的输入，所述扫描从锁存器响应于所述时钟信号第二状态而透明并且响应于所述时钟信号第一状态而锁定。所述从级数据锁存器包括开关反相器，当所述从锁存器处于透明状态时所述开关反相器禁用并且当所述从锁存器处于具有比SEU时间段长的时间延迟的锁定状态时所述开关反相器启用。相器启用。相器启用。


技术研发人员：B
受保护的技术使用者：微芯片技术股份有限公司
技术研发日：2019.11.14
技术公布日：2022/5/5