一种电极的制备方法和太阳电池的制备方法与流程

技术特征：
1.一种电极的制备方法，包括提供半导体衬底层的步骤，其特征在于，还包括：采用电镀工艺在所述半导体衬底层的一侧形成第一面电极；采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层的另一侧形成第二栅线电极。2.根据权利要求1所述的电极的制备方法，其特征在于，形成所述第一面电极的电镀工艺包括化学电镀工艺或者光诱导电镀工艺。3.根据权利要求1所述的电极的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述第一面电极之前，采用电镀工艺在所述半导体衬底层的一侧整面形成种子层；优选的，所述种子层的材料包括铜或镍；所述种子层的厚度为50nm～150nm。4.根据权利要求3所述的电极的制备方法，其特征在于，形成所述第一面电极的步骤包括：在所述种子层背离所述半导体衬底层的一侧表面电镀底层面电极，在所述底层面电极背离所述种子层的一侧表面形成顶层面电极；所述顶层面电极的熔点小于所述底层面电极的熔点，且所述底层面电极的导电率大于所述顶层面电极的导电率。5.根据权利要求4所述的电极的制备方法，其特征在于，所述底层面电极的材料包括铜，所述顶层面电极的材料包括锡；优选的，所述底层面电极的厚度为3μm～15μm；所述顶层面电极的厚度为0.3μm～3μm。6.根据权利要求4所述的电极的制备方法，其特征在于，还包括：形成所述第一面电极之后，在所述底层面电极的侧壁表面形成导电保护层；优选的，形成所述导电保护层的工艺包括化学镀工艺；优选的，所述导电保护层的材料与所述顶层面电极的材料相同；优选的，所述导电保护层的材料包括锡；优选的，所述导电保护层的厚度为0.5μm～2μm。7.根据权利要求6所述的电极的制备方法，其特征在于，形成所述导电保护层之后，加热所述导电保护层，使所述导电保护层形成覆盖所述第一面电极的侧壁表面和顶部表面的导电覆盖层。8.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：权利要求1-7任一项所述的电极的制备方法。9.根据权利要求8所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，还包括：在所述半导体衬底层的一侧形成第二透明导电膜，采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层的另一侧形成第二栅线电极的步骤包括：采用丝网印刷工艺在部分所述第二透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成第二栅线电极；优选的，还包括：在所述半导体衬底层的另一侧形成第一透明导电膜，采用电镀工艺在所述半导体衬底层的一侧形成第一面电极的步骤为：采用电镀工艺在所述第一透明导电膜背离所述半导体衬底层的一侧形成第一面电极。10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，形成所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之前，还至少包括：在所述半导体衬底层的一侧形成第一导电类型半导体层；在所述半导体衬底层的另一侧形成第二导电类型半导体层，所述第二导电类型半导体层与所述第一导电类型半导体层的导电类型相反；在所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电膜，在所述半导体衬底层的另一侧形成
第二透明导电膜的步骤为：在所述第一导电类型半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第一透明导电膜，在所述第二导电类型半导体层背离所述半导体衬底层的一侧形成第二透明导电膜；当所述第一导电类型半导体层的导电类型为p型时，所述第二导电类型半导体层的导电类型为n型，形成所述第一面电极的电镀工艺包括化学电镀工艺；当所述第一导电类型半导体层的导电类型为n型时，所述第二导电类型半导体层的导电类型为p型，形成所述第一面电极的电镀工艺包括光诱导电镀工艺。

技术总结
本发明提供一种电极的制备方法和太阳电池的制备方法，电极的制备方法包括：采用电镀工艺在所述半导体衬底层的一侧形成第一面电极；采用丝网印刷工艺在所述半导体衬底层的另一侧形成第二栅线电极。第一面电极采用电镀工艺形成，采用电镀工艺比较有利于形成不含银这种昂贵材料的第一面电极，有利于降低成本，并且第一面电极是整面的，第一面电极的强度较高接触面积大，组件串焊时无需进行背面电极对准，有利于提高第一面电极的组件互连能力。有利于提高第一面电极的组件互连能力。有利于提高第一面电极的组件互连能力。


技术研发人员：符欣 张鑫义 周肃 龚道仁 徐晓华 张良
受保护的技术使用者：安徽华晟新能源科技有限公司
技术研发日：2022.02.11
技术公布日：2022/4/29