一种射频开关及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种射频开关，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有若干深沟槽；外延层，覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底；沟槽隔离结构，位于所述深沟槽内并至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙；栅极结构，位于所述外延层上，且位于相邻的所述深沟槽之间。2.如权利要求1所述的一种射频开关，其特征在于，所述沟槽隔离结构还填充部分深度的所述深沟槽。3.如权利要求1所述的一种射频开关，其特征在于，所述深沟槽的深度为3.6μm～4.4μm。4.如权利要求1所述的一种射频开关，其特征在于，所述深沟槽的宽度为0.36μm～0.44μm。5.如权利要求1所述的一种射频开关，其特征在于，所述第一空气隙的宽度为0.1μm～0.15μm。6.一种射频开关的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，在所述衬底内形成若干深沟槽；在所述衬底上形成外延层，所述外延层覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底；在所述深沟槽内形成沟槽隔离结构，且所述浅槽隔离结构至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙；在所述外延层上形成栅极结构，且所述栅极结构位于相邻的所述深沟槽之间。7.如权利要求6所述的一种射频开关的制备方法，其特征在于，形成所述外延层的步骤包括：在所述衬底上形成外延材料层，所述外延材料层覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底，且遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第二空气隙；刻蚀所述外延材料层，以使所述第二空气隙露出，剩余的所述外延材料层构成所述外延层。8.如权利要求7所述的一种射频开关的制备方法，其特征在于，所述第二空气隙的深度为0.36μm～0.44μm。9.如权利要求7所述的一种射频开关的制备方法，其特征在于，形成所述沟槽隔离结构的步骤包括：在所述外延层上形成隔离材料层，所述隔离材料层至少遮盖所述第二空气隙的开口，以形成所述第一空气隙；对所述隔离材料层进行平坦化工艺直至露出所述外延层，剩余的所述隔离材料层形成所述沟槽隔离结构。10.如权利要求9所述的一种射频开关的制备方法，其特征在于，刻蚀所述外延材料层时，还同步在所述外延层中形成若干浅沟槽，在所述外延层上形成隔离材料层时，所述隔离材料层还填充所述浅沟槽，以形成若干浅槽隔离结构。

技术总结
本发明提供一种射频开关及其制备方法，包括：衬底，所述衬底内具有若干深沟槽；外延层，覆盖所述深沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底；沟槽隔离结构，位于所述深沟槽内并至少遮盖所述深沟槽的开口，以使所述深沟槽内形成第一空气隙；栅极结构，位于所述外延层上，且位于相邻的所述深沟槽之间。由于所述第一空气隙的介电常数很低，所述第一空气隙及所述沟槽隔离结构对所述衬底与所述外延层起到了很好的隔离效果，避免当所述射频开关处于关断状态时仍有信号在所述衬底上传输的情况发生，使所述射频开关具有更好的隔离度，提升所述射频开关的性能。提升所述射频开关的性能。提升所述射频开关的性能。


技术研发人员：裴梓任 蒙飞
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2022.01.13
技术公布日：2022/4/29