半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层(x1)、基材(y)、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层(x2)，该方法包括下述工序1～5：工序1：将加工对象物粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层(x2)、将支撑体粘贴于所述粘合片所具有的粘合剂层(x1)的工序；工序2：对所述加工对象物实施选自磨削处理及单片化处理中的一种以上加工处理的工序；工序3：在实施了所述加工处理后的加工对象物的与粘合剂层(x2)相反侧的面粘贴热固性膜的工序；工序4：对所述粘合片进行加热而将粘合剂层(x1)和所述支撑体分离的工序；工序5：对粘合剂层(x2)照射能量射线而将粘合剂层(x2)和所述加工对象物分离的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述加工处理是基于隐形切割法的单片化处理、基于刀片尖端切割法的磨削处理及单片化处理、或基于隐形尖端切割法的磨削处理及单片化处理。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述加工处理是基于隐形尖端切割法的磨削处理及单片化处理。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)为50～110℃。5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，所述工序4是将所述粘合片加热至所述热膨胀性粒子的膨胀起始温度(t)以上且120℃以下而将粘合剂层(x1)和所述支撑体分离的工序。6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，相对于粘合剂层(x1)的总质量(100质量％)，所述热膨胀性粒子的含量为1～30质量％。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述热膨胀性粒子在23℃下的平均粒径(d
50
)为1～30μm。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，基材(y)在23℃下的储能模量e’(23)为5.0
×
107～5.0
×
109pa。9.根据权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述加工对象物为半导体晶片。10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述能量射线为紫外线。

技术总结
本发明涉及半导体装置的制造方法，其是使用粘合片的半导体装置的制造方法，所述粘合片依次具有含有热膨胀性粒子的粘合剂层(X1)、基材(Y)、及通过照射能量射线而固化从而发生粘合力降低的粘合剂层(X2)，且该制造方法包括特定的工序1～5。定的工序1～5。定的工序1～5。


技术研发人员：阿久津高志
受保护的技术使用者：琳得科株式会社
技术研发日：2020.09.10
技术公布日：2022/4/26