负载自适应的可控硅电路及控制方法与流程

技术特征：
1.一种负载自适应的可控硅电路控制方法，其特征在于，包括：基于mcu在一个信号周期内对可控硅驱动电压以及交流电源电压的信号进行采样，获取采样数据集；所述mcu对所述采样数据集进行处理，获取所述采样数据集的函数表达式的系数；所述mcu基于所述系数，计算获得多个判断参数；所述mcu基于多个所述判断参数，确定负载的类型；所述mcu基于所述负载的类型，确定斩波深度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述mcu对所述采样数据集进行处理，获取所述采样数据集的函数表达式的系数，包括：所述mcu获取所述采样数据集的函数表达式x(n)；所述采样数据集包括n个采样数据；其中，0≤n≤n-1，n＝2
m
,m为正整数；所述mcu基于所述函数表达式x(n)，获取所述系数的函数表达式a(k)；其中，0≤k≤n-1；所述mcu对所述系数的函数表达式a(k)进行分组处理，获取分组结果。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述分组结果包括：所述系数的第一函数表达式：当k＜n/2时，所述系数的第二函数表达式：当k≥n/2时，其中，e(k)为第一化简部分；或分别为第二化简部分。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述mcu对所述系数的函数表达式进行分组处理，获取分组结果后，还包括：所述mcu对所述系数的第一函数表达式进行拆分，获得第一拆分结果；同时，对所述系数的第二函数表达式进行拆分，获得第二拆分结果；所述mcu重复以上拆分步骤对所述第一拆分结果再拆分m-2次，获得第一目标拆分结果；同时，所述mcu重复以上拆分步骤对所述第二拆分结果再拆分m-2次，获得第二目标拆分结果；所述mcu基于所述第一目标拆分结果以及第二目标拆分结果，获得所述系数；所述mcu基于所述系数，获得相位特征量的函数表达式。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述相位特征量的函数表达式通过如下计算公式计算获得：6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述mcu基于所述系数，计算获得多个判断参数，包括：基于所述mcu在一个信号周期内分别对所述可控硅驱动电压以及交流电源电压的信号进行采样，获取第一采样数据集以及第二采样数据集；所述mcu基于所述相位特征量的函数表达式对所述第一采样数据进行处理，获取第一相位特征量；所述mcu基于所述相位特征量的函数表达式对所述第二采样数据进行处理，获取第二
相位特征量；所述mcu基于所述第一相位特征量以及第二相位特征量，获取第一判断参数。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述mcu基于所述系数，计算获得多个判断参数，还包括：所述mcu基于所述系数，获取第二判断参数；所述mcu基于所述第一判断参数，获取第三判断参数。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二判断参数，通过如下计算公式计算获得：9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述mcu基于多个所述判断参数，确定负载的类型，包括：所述mcu基于所述第一判断参数、第二判断参数以及第三判断参数，确定所述负载的类型。10.一种负载自适应的可控硅电路，其特征在于，包括：可控硅驱动电路，用于控制负载获得的功率；所述可控硅驱动电路的可控硅的第一端与负载耦接，所述可控硅的第二端与mcu的第一端耦接；第一偏置放大电路，用于向所述mcu的第二端输入可控硅驱动电压的信号；所述第一偏置放大电路的第一端与所述可控硅的第二端耦接，所述第一偏置放大电路的第二端与所述mcu的第二端耦接；第二偏置放大电路，用于向所述mcu的第三端输入交流电源电压的信号；所述第二偏置放大电路的第一端与所述负载的第二端耦接，所述第二偏置放大电路的第二端与所述mcu的第三端耦接；所述mcu基于所述可控硅驱动电压的信号以及交流电源电压的信号，确定可控硅触发的信号。

技术总结
本发明公开了一种负载自适应的可控硅电路及控制方法，所述方法，包括：基于MCU在一个信号周期内对可控硅驱动电压以及交流电源电压的信号进行采样，获取采样数据集；所述MCU对所述采样数据集进行处理，获取所述采样数据集的函数表达式的系数；所述MCU基于所述系数，计算获得多个判断参数；所述MCU基于多个所述判断参数，确定负载的类型；所述MCU基于所述负载的类型，确定斩波深度。本发明的技术方案，在接入任意负载的形况下都可以根据可控硅的工作特征判断出负载类型，并根据不同的判断结果，自适应地控制斩波深度。自适应地控制斩波深度。自适应地控制斩波深度。


技术研发人员：赖文焯
受保护的技术使用者：深圳市联洲国际技术有限公司
技术研发日：2021.12.01
技术公布日：2022/4/26