熔解曲线重叠峰的分离方法、装置和电子设备与流程

1.本发明涉及pcr检测的技术领域，尤其是涉及一种熔解曲线重叠峰的分离方法、装置和电子设备。


背景技术：

2.在pcr扩增反应完成后，常通过逐渐增加温度、使扩增产物发生降解来获得荧光强度负导数数值，即熔解曲线，以便对扩增产物的特异性进行考察或进行snp分型检测。在升温的过程中，当温度达到解链一半的温度时，荧光染料会大量游离出来，荧光强度会迅速降低，从而在熔解曲线上形成高峰值点，该峰值点对应的温度即为tm值，而tm的个数、位置是考察的重点。当熔解曲线各峰值点幅值特征明显时，找到tm值是不难的。
3.一些现有技术中，往往采用聚类分析、连续小波变换等传统方法对熔解曲线进行分析；还有一些技术通过直接搜索算法，提供了一种能够自动分析两个温度范围的至少一个中是否存在峰值的熔解曲线分析方法；或者通过对多条多重熔解曲线目标熔解峰峰高进行聚类分析，并结合标准品，获得了目标基因的类别。但上述方案中都没有涉及比较复杂的熔解曲线，也就是说，当熔解曲线背景干扰较大、具有隐蔽的重叠峰的情况时，常规方法难以有效解决。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种熔解曲线重叠峰的分离方法、装置和电子设备，以缓解现有技术中存在的复杂的熔解曲线分析难度大的技术问题。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种熔解曲线重叠峰的分离方法，该方法包括：基于预先获取的pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，利用savitzky-golay求导方法确定各孔熔解曲线的二阶导数曲线；
6.根据上述二阶导数曲线和上述熔点峰位置，确定原始熔解曲线的初始重叠峰位置；
7.对上述初始重叠峰位置进行叠加拟合，生成两个熔点峰曲线；
8.根据两个上述熔点峰曲线确定满足误差范围的目标熔点峰，并对上述目标熔点峰进行分离。
9.在一种可能的实施方式中，所述pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，对应所述熔点峰的温度(tm)值；基于预先获取的pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，利用savitzky-golay求导方法确定各孔熔解曲线的二阶导数曲线的步骤，包括：根据savitzky-golay求导方法，利用预先设定的第一求导参数计算各孔熔解曲线二阶导数曲线；其中，上述第一求导参数包括：具有最高决定系数的窗口大小和多项式阶次。
10.在一种可能的实施方式中，根据上述二阶导数曲线和上述熔点峰位置，确定目标熔解曲线的初始重叠峰位置的步骤，包括：根据预先给定的第一范围，确定各熔点峰对应的第一区域，并进行归一化处理；所述第一区域包括在所述第一范围内选取的所述熔解曲线
的二阶导数区域；确定上述第一区域内的上述二阶导数曲线的极小值点；根据上述极小值点的相对幅值，确定满足预先给定的第一阈值的上述极小值点为初始重叠峰位置；预先给定第一阈值的条件包括：在所述第一区域内，所述二阶导数曲线的极大值点幅值相差不超过两倍。
11.在一种可能的实施方式中，预先给定第一范围的步骤包括：以上述熔点峰位置对应的上述熔点峰的温度(tm)值为基点，以标准熔点峰分辨率为间隔，在上述基点的左右两端分别确定上述熔点峰对应的波谷；上述标准熔点峰分辨率为最小熔点峰分辨率的四倍；其中，上述最小熔点峰分辨率为2℃；
12.如果在上述基点的左右两端均不存在上述波谷，则确定上述标准熔点峰分辨率为第一中间值；上述第一范围的最小值为上述熔点峰的温度(tm)值减去上述第一中间值；上述第一范围的最大值为上述熔点峰的温度(tm)值加上第一中间值；
13.如果在上述基点的左右两端均存在上述波谷，则确定上述基点与左右两端上述波谷的距离分别为t左和t右；比较t左和上述标准熔点峰分辨率的大小，确定最小值为第二中间值；比较t右和上述分辨率的大小，确定最小值为第三中间值；则上述第一范围的最小值为上述熔点峰的温度(tm)值减去上述第二中间值；上述第一范围的最大值为上述熔点峰的温度(tm)值加上第三中间值。
14.在一种可能的实施方式中，对上述初始重叠峰位置进行叠加拟合，生成两个熔点峰曲线的步骤，包括：基于初始重叠峰位置设置初始函数的初始参数；利用levenberg-marquardt算法，基于上述初始函数对各熔点峰对应的上述第一区域内的上述二阶导数曲线进行叠加拟合，生成两个待优化函数；根据上述初始参数对上述两个待优化函数进行优化，生成两个目标函数；其中，上述目标函数包括目标参数；两个上述目标函数分别对应两个上述熔点峰曲线。
15.在一种可能的实施方式中，上述目标函数为三参数洛伦兹函数：g(v)＝a
·
c/[c (v-b)2]；其中：v用于表示温度，a用于表示系数，b用于表示优化之后的重叠峰的位置，c用于表示方差。
[0016]
在一种可能的实施方式中，根据两个上述熔点峰曲线确定满足误差范围的目标熔点峰，并对上述目标熔点峰进行分离的步骤，包括：基于上述熔点峰曲线，确定满足误差范围的目标熔点峰；上述误差范围包括：叠加拟合前的第一平方和与叠加拟合后的第二平方和之间的差值的范围；对上述目标熔点峰进行分离，确定分离之后两个熔点峰的位置以及熔点峰对应的温度值。
[0017]
第二方面，本发明实施例提供了一种熔解曲线重叠峰的分离装置，该装置包括：第一确定模块，用于基于预先获取的pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，利用savitzky-golay求导方法确定各孔熔解曲线的二阶导数曲线；
[0018]
第二确定模块，用于根据上述二阶导数曲线和上述熔点峰位置，确定原始熔解曲线的初始重叠峰位置；
[0019]
熔点峰曲线生成模块，用于对上述初始重叠峰位置进行叠加拟合，生成两个熔点峰曲线；
[0020]
分离模块，用于根据两个上述熔点峰曲线确定满足误差范围的目标熔点峰，并对上述目标熔点峰进行分离。
[0021]
在一种可能的实施方式中，所述pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，对应所述熔点峰的温度(tm)值；上述第一确定模块，具体用于：根据savitzky-golay求导方法，利用预先设定的第一求导参数计算各孔熔解曲线二阶导数曲线；其中，上述第一求导参数包括：具有最高决定系数的窗口大小和多项式阶次。
[0022]
第三方面，本发明实施例提供了一种电子设备，包括存储器、处理器，所述存储器中存储有可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述第一方面任一项所述的方法的步骤。
[0023]
第四方面，本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有机器可运行指令，所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时，所述计算机可运行指令促使所述处理器运行上述第一方面任一项所述的方法。
[0024]
本发明提供了一种熔解曲线重叠峰的分离方法、装置和电子设备，该方法包括：首先基于常规方法获取pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，利用savitzky-golay求导方法确定各孔熔解曲线的二阶导数曲线；然后根据二阶导数曲线和熔点峰位置，确定原始熔解曲线的初始重叠峰位置；再对初始重叠峰位置进行叠加拟合，生成两个熔点峰曲线；最后根据两个熔点峰曲线确定满足误差范围的目标熔点峰，并对目标熔点峰进行分离。该方法通过计算熔解曲线二阶导数曲线，降低了背景干扰、提高了熔点峰的分辨率，较好的解决了背景干扰较大情况下、具有重叠峰的疑难熔解曲线熔点峰只存在一个tm值的问题，达到了降低难度、提高分析效率的技术效果。
附图说明
[0025]
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0026]
图1为本发明实施例提供的一种熔解曲线重叠峰的分离方法的流程示意图；
[0027]
图2为本发明实施例提供的一种某反应孔熔解曲线及对应的二阶导数曲线图；
[0028]
图3为本发明实施例提供的一种原始熔解曲线、叠加拟合熔解曲线及两分离曲线对比图；
[0029]
图4为本发明实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0030]
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0031]
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0032]
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0033]
在pcr扩增反应完成后，常通过逐渐增加温度、使扩增产物发生降解来获得荧光强度负导数数值，即熔解曲线，以便对扩增产物的特异性进行考察或进行snp分型检测。在升温的过程中，当温度达到解链一半的温度时，荧光染料会大量游离出来，荧光强度会迅速降低，从而在熔解曲线上形成高峰值点，该峰值点对应的温度即为tm值，而tm的个数、位置是考察的重点。
[0034]
当熔解曲线各峰值点幅值特征明显时，找到tm值是不难的，比如专利《熔解曲线分析方法以及熔解曲线分析装置》通过直接搜索算法，提供了一种能够自动分析两个温度范围的至少一个中是否存在峰值的熔解曲线分析方法、专利《一种多重熔解曲线的软件分析方法》通过对多条多重熔解曲线目标熔解峰峰高进行聚类分析，并结合标准品，获得了目标基因的类别，我们也曾利用聚类分析、cwt(连续小波变换)等对熔解曲线进行分析，但当熔解曲线背景干扰较大、具有隐蔽的重叠峰的情况，常规方法难以有效解决。
[0035]
为此，本技术提出一种熔解曲线重叠峰分离方法、装置和电子设备。主要理论依据是二阶导数曲线中显示的倒峰负极值点与原曲线峰值点位一致，且倒峰半宽收敛，由此有利于揭示隐蔽的微弱肩峰。
[0036]
为便于对本实施例进行理解，首先对本发明实施例所公开的一种熔解曲线重叠峰的分离方法进行详细介绍，参见图1所示的一种熔解曲线重叠峰的分离方法的流程示意图，该方法可以由电子设备执行，主要包括以下步骤s110至步骤s140：
[0037]
s110：基于预先获取的pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，利用savitzky-golay求导方法确定各孔熔解曲线的二阶导数曲线；
[0038]
其中，pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置对应熔点峰的温度(tm)值。
[0039]
s120：根据二阶导数曲线和熔点峰位置，确定原始熔解曲线的初始重叠峰位置；
[0040]
s130：对初始重叠峰位置进行叠加拟合，生成两个熔点峰曲线；
[0041]
s140：根据两个熔点峰曲线确定满足误差范围的目标熔点峰，并对目标熔点峰进行分离。
[0042]
为了检验上述方法的有效性，本发明中利用荧光定量pcr检测系统对多份试剂进行了pcr扩增-熔解实验，并对熔解段采集到的荧光强度数据进行了分析。这里以其中一份数据作为示例，tm值分辨率取2℃，采样间隔为0.3℃。按照前述方法进行分析，具体操作结果参见图2至图3。
[0043]
在一种实施方式中，上述步骤s110包括：根据savitzky-golay求导方法，利用预先设定的第一求导参数计算各孔熔解曲线二阶导数曲线；其中，第一求导参数包括：具有最高决定系数的窗口大小和多项式阶次。
[0044]
在本发明实施例中，首先可以基于常规方法获得pcr反应板各孔熔解曲线熔点峰位置，然后基于savitzky-golay求导方法，设定合适窗口大小及多项式阶次，求取各孔熔解曲线二阶导数曲线。
[0045]
其中，常规方法可以是熔解曲线极值或聚类方法，例如：本实施例中采用聚类方法获得某次pcr实验熔解段各孔位初始熔解曲线。
[0046]
设定合适窗口大小及多项式阶次方法可以是：在不同的窗口大小及多项式阶次下
计算各孔熔解曲线二阶导数曲线，取具有最高决定系数的窗口大小及多项式阶次。通常，基于savitzky-golay求导方法，以决定系数为指标，对熔解曲线进行处理，计算不同的窗口大小(一般取奇数，3、5、7、9等)及多项式阶次(一般取1、2、3次)下的决定系数，取决定系数最大的对应窗口大小及多项式阶次，在此基础上求取其二阶导数多项式系数，计算窗口内对应二阶导数值，取窗口内中心值为该滑动窗口内值，再平移滑动窗口，获得各点二阶导数值，注意，对于数据前后半窗口位置，因一般不存在熔点峰，可省略不予计算或以首尾窗口计算的二阶导数值代替。
[0047]
例如：求取不同窗口大小及多项式阶次下某反应孔a熔解曲线的决定系数，发现当窗口大小为5，阶次为2次时，具有最大决定系数，在此基础上，求取其二阶导数曲线。
[0048]
在一种实施方式中，上述步骤s120包括：
[0049]
(1)首先根据预先给定的第一范围，确定各熔点峰对应的第一区域，并进行归一化处理；
[0050]
其中，预先给定第一范围的步骤包括：
[0051]
首先以熔点峰位置对应的熔点峰的温度(tm)值为基点，以标准熔点峰分辨率为间隔，在基点的左右两端分别确定熔点峰对应的波谷；其中，标准熔点峰分辨率为最小熔点峰分辨率的四倍；其中，最小熔点峰分辨率为2℃。
[0052]
如果在基点的左右两端均不存在波谷，则确定标准熔点峰分辨率为第一中间值；第一范围的最小值为熔点峰的温度(tm)值减去第一中间值；第一范围的最大值为熔点峰的温度(tm)值加上第一中间值。
[0053]
如果在基点的左右两端均存在波谷，则确定基点与左右两端波谷的距离分别为t
左
和t
右
；比较t
左
和标准熔点峰分辨率的大小，确定最小值为第二中间值；比较t
右
和分辨率的大小，确定最小值为第三中间值；
[0054]
则所述第一范围的最小值为熔点峰的温度(tm)值减去第二中间值；第一范围的最大值为熔点峰的温度(tm)值加上第三中间值。
[0055]
例如：在本发明实施例中，预先给定的第一范围可以根据以下原理获取：统计数据表明，当不同的靶目标片段tm值相差2℃以上时可分辨，以2℃作为熔点峰分辨率，设熔点峰位置为tm，以此为基点，在间隔4倍分辨率(标准熔点峰分辨率)即8℃范围的两端寻找该峰点对应的波谷，如果存在波谷，则设其相距tm的距离分别为t
左
、t
右
，如果不存在波谷，则取到8℃，即范围为：[tm-min(8，t
左
),tm min(8，t
右
)]。
[0056]
为减少舍入误差，可用对应的采样点范围表示，截取该范围内的熔解曲线二阶导数区域，设为区域a(即第一区域)。归一化的方法采用最大最小归一化方法即可，假设区域内熔解曲线最大值为x
max
，最小值为x
min
，则其归一化熔解曲线值x(i)为：
[0057][0058]
实施例中，tm＝66.6℃，区域a为：[58.2℃,74.4℃]，对应采样区间为[1，55]，初始温度t0＝58.2℃，采样间隔
△
t为0.3℃,熔点峰位于第29个采样点处，反应孔a区域a内熔解曲线如图2所示(注：图形横坐标以采样点标识)。
[0059]
(2)然后确定第一区域内的二阶导数曲线的极小值点；
[0060]
熔解曲线二阶导数的极小值点对应熔解曲线的熔点峰，确定区域a内的所有极小
值点(注：幅值比左右相邻点的幅值低即为极小值点)。
[0061]
(3)再根据极小值点的相对幅值，确定满足预先给定的第一阈值的极小值点为初始重叠峰位置。
[0062]
根据多份数据的分析结果，如果某熔点峰存在重叠峰，其二阶导数曲线重叠峰幅值应相差不大的情况下，可以设定预先给定的第一阈值为2，即区域内极大值点幅值应相差不超过两倍。
[0063]
假设区域a内熔点峰对应的二阶导数相对幅值(注：该极小值点与邻近的较高波峰之间的差值)绝对值为y0，其对应的温度b10即为可能存在重叠峰的一个初始位置，另在区域a内取幅值绝对值超过y0/2的最大极小值点，其对应的位置b20即为可能存在重叠峰的另一个初始位置，如果区域a内不存在幅值绝对值超过y0/2的极小值点，则不存在重叠峰。
[0064]
例如：区域a熔解曲线对应的二阶导数曲线在图2中进行标识，可见，熔点峰位置即第29采样点对应y0＝7.79，区域a内幅值绝对值超过y0/2的最大极小值点位置为第45采样点对应位置，其相对幅值为4.52，即重叠峰两个初始位置：b10＝29，b20＝45。
[0065]
在一种实施方式中，上述步骤s130包括：
[0066]
首先基于初始重叠峰位置设置初始函数的初始参数；
[0067]
然后利用levenberg-marquardt算法，基于初始函数对各熔点峰对应的第一区域内的二阶导数曲线进行叠加拟合，生成两个待优化函数；并且根据初始参数对两个待优化函数进行优化，生成两个目标函数；其中，目标函数包括目标参数；两个目标函数分别对应两个熔点峰曲线。
[0068]
参考光谱重叠峰分离理论及熔解曲线形成机理，在熔点峰存在两个峰叠加时，可将特定函数假设为三参数洛伦兹函数g(t)＝a
·
c/[c (t-b)2]，其中t为温度，a、b、c为待优化参数，因c表示方差，需满足大于0的条件。重叠峰函数即为两个三参数洛伦兹函数的叠加，为：
[0069]
g(t)＝g1(t) g2(t)＝a1
·
c1/[c1 (t-b1)2] a2
·
c2/[c2 (t-b2)2]；
ꢀꢀꢀꢀ
(1)
[0070]
其中，g1(t)、g2(t)分别为目标函数；t用于表示温度，a1、a2用于表示系数，b1、b2用于表示优化之后的重叠峰的位置，c1、c2用于表示方差。
[0071]
参数值的一种初值设置如下：b1＝b10，b2＝b20，a1＝c1＝a2＝c2＝1。实施例中，在三参数洛伦兹函数下进行了拟合优化分离。
[0072]
在本发明实施例中，采用levenberg-marquardt非线性优化算法对各熔点峰对应的区域a内熔解曲线基于式(1)进行曲线拟合，获得最终的拟合结果，即参数组合{a1，b1，c1，a2，b2，c2}。
[0073]
实施例中，采用三参数洛伦兹函数叠加时获得的参数组合为：{0.97,28.9,98,0.31,43.2,25.7}。可见，两重叠峰采样点位置分别为b1＝28.9及b2＝43.2，与初始值(b10＝29,b20＝45)相比，稍有偏离。
[0074]
在一种实施方式中，上述步骤s140包括：
[0075]
(1)基于熔点峰曲线，确定满足误差范围的目标熔点峰；误差范围包括：叠加拟合前的第一平方和与叠加拟合后的第二平方和之间的差值的范围；
[0076]
(2)对目标熔点峰进行分离，确定分离之后两个熔点峰的位置以及熔点峰对应的温度值。
[0077]
计算拟合前后误差平方差和，如果误差l2范数≤0.1，则满足要求，分离之后的tm位置可根据区域a的初始温度t0、采样间隔
△
t及重叠峰采样点位置算出：tm1＝t0 (b1-1)*
△
t，tm2＝t0 (b2-1)*
△
t。
[0078]
实施例中，采用三参数洛伦兹函数叠加时，误差l2范数＝0.08≤0.1，且c1＝98，c2＝25.7，均》0，满足要求。重叠峰tm1＝58.2 (28.9-1)*0.3＝66.57℃，tm2＝58.2 (43.2-1)*0.3＝70.86℃，分离前后及拟合图形如图3所示。
[0079]
本发明提供了一种熔解曲线重叠峰的分离方法，通过采用savitzky-golay求导方法降低背景干扰、提高熔点峰的分辨率，确定疑难熔解曲线可能存在重叠峰的初始位置，然后利用levenberg-marquardt算法对单个熔点峰进行叠加曲线拟合，较好的解决了背景干扰大、具有重叠峰的疑难熔点峰只存在一个tm值的问题，易于理解，容易实现。
[0080]
本发明实施例提供了一种熔解曲线重叠峰的分离装置，该装置包括：
[0081]
第一确定模块，用于基于预先获取的pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，利用savitzky-golay求导方法确定各孔熔解曲线的二阶导数曲线；
[0082]
第二确定模块，用于根据二阶导数曲线和熔点峰位置，确定原始熔解曲线的初始重叠峰位置；
[0083]
熔点峰曲线生成模块，用于对初始重叠峰位置进行叠加拟合，生成两个熔点峰曲线；
[0084]
分离模块，用于根据两个熔点峰曲线确定满足误差范围的目标熔点峰，并对目标熔点峰进行分离。
[0085]
在一种实施例中，pcr反应板各孔熔解曲线的熔点峰位置，对应熔点峰的温度(tm)值；上述第一确定模块，具体用于：根据savitzky-golay求导方法，利用预先设定的第一求导参数计算各孔熔解曲线二阶导数曲线；其中，第一求导参数包括：具有最高决定系数的窗口大小和多项式阶次。
[0086]
本技术实施例所提供的熔解曲线重叠峰的分离装置可以为设备上的特定硬件或者安装于设备上的软件或固件等。本技术实施例所提供的装置，其实现原理及产生的技术效果和前述方法实施例相同，为简要描述，装置实施例部分未提及之处，可参考前述方法实施例中相应内容。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，前述描述的系统、装置和单元的具体工作过程，均可以参考上述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。本技术实施例提供的熔解曲线重叠峰的分离装置与上述实施例提供的熔解曲线重叠峰的分离方法具有相同的技术特征，所以也能解决相同的技术问题，达到相同的技术效果。
[0087]
本技术实施例还提供了一种电子设备，具体的，该电子设备包括处理器和存储装置；存储装置上存储有计算机程序，计算机程序在被所述处理器运行时执行如上所述实施方式的任一项所述的方法。
[0088]
图4为本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图，该电子设备400包括：处理器40，存储器41，总线42和通信接口43，所述处理器40、通信接口43和存储器41通过总线42连接；处理器40用于执行存储器41中存储的可执行模块，例如计算机程序。
[0089]
其中，存储器41可能包含高速随机存取存储器(ram，random access memory)，也可能还包括非不稳定的存储器(non-volatile memory)，例如至少一个磁盘存储器。通过至少一个通信接口43(可以是有线或者无线)实现该系统网元与至少一个其他网元之间的通
信连接，可以使用互联网，广域网，本地网，城域网等。
[0090]
总线42可以是isa总线、pci总线或eisa总线等。所述总线可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图4中仅用一个双向箭头表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
[0091]
其中，存储器41用于存储程序，所述处理器40在接收到执行指令后，执行所述程序，前述本发明实施例任一实施例揭示的流过程定义的装置所执行的方法可以应用于处理器40中，或者由处理器40实现。
[0092]
处理器40可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。在实现过程中，上述方法的各步骤可以通过处理器40中的硬件的集成逻辑电路或者软件形式的指令完成。上述的处理器40可以是通用处理器，包括中央处理器(central processing unit，简称cpu)、网络处理器(network processor，简称np)等；还可以是数字信号处理器(digital signal processing，简称dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，简称asic)、现成可编程门阵列(field-programmable gate array，简称fpga)或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本发明实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。结合本发明实施例所公开的方法的步骤可以直接体现为硬件译码处理器执行完成，或者用译码处理器中的硬件及软件模块组合执行完成。软件模块可以位于随机存储器，闪存、只读存储器，可编程只读存储器或者电可擦写可编程存储器、寄存器等本领域成熟的存储介质中。该存储介质位于存储器41，处理器40读取存储器41中的信息，结合其硬件完成上述方法的步骤。
[0093]
对应于上述方法，本技术实施例还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有机器可运行指令，所述计算机可运行指令在被处理器调用和运行时，所述计算机可运行指令促使所述处理器运行上述方法的步骤。
[0094]
在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
[0095]
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
[0096]
另外，在本技术提供的实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
[0097]
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个
人计算机，电子设备，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
[0098]
应注意到：相似的标号和字母在附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0099]
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。