一种电容器、阵列基板及显示装置的制作方法

1.本实用新型一般涉及显示技术领域，具体涉及一种电容器、阵列基板及显示装置。


背景技术：

2.在薄膜晶体管液晶显示屏中，串扰即为屏幕中某一区域的显示会受到相邻区域的影响，从而造成画面显示异常的一种现象。经过分析发现串扰的大小与cpd/cst(耦合电容/存储电容)成正比，由此可知，影响串扰大小的一个重要因素是存储电容cst，增大cst是一种改善串扰问题十分有效的方法。
3.然后现有技术中，增大存储电容的同时，会导致液晶显示屏的降低开口率，影响显示效果。


技术实现要素：

4.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种电容器、阵列基板及显示装置，可以增大存储电容，同时不影响液晶显示屏的开口率。
5.第一方面，本技术提供了一种电容器，包括公共电极、源漏金属层、第一透明电极，其中，所述公共电极和所述第一透明电极分层设置，所述源漏金属层位于所述第一透明电极和所述公共电极两层之间，所述第一透明电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠，所述公共电极和所述源漏金属层之间存在部分面积交叠。
6.可选地，所述第一透明电极与所述公共电极之间通过第一过孔电连接。
7.可选地，还包括第二透明电极，所述第二透明电极与所述公共电极同层设置。
8.进一步地，所述第二透明电极与所述源漏金属层之间通过第二过孔电连接。
9.可选地，所述第二过孔为第一透明电极上图案化形成，所述第二过孔自所述第一透明电极所在层位置处延伸至所述源漏金属层和所述第二透明电极的位置处。
10.可选地，所述第二透明电极为像素电极。
11.进一步地，所述源漏金属层与所述第一透明电极之间形成第一电容，所述第一电容的电容量与所述源漏金属层与所述第一透明电极之间的交叠面积正相关，且与所述源漏金属层与所述第一透明电极之间的距离负相关。
12.进一步地，所述源漏金属层与所述公共电极之间形成第二电容，所述第二电容的电容量与所述源漏金属层与所述公共电极之间的交叠面积正相关，且与所述源漏金属层与所述公共电极之间的距离负相关。
13.第二方面，本技术提供了一种阵列基板，包括如以上任一所述的电容器。
14.第三方面，本技术提供了一种显示装置，其特征在于，包括如任一所述的电容器。
15.本实用新型的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
16.本实用新型实施例提供的电容器，相较于现有技术中的电容器，相同的交叠面积下得到的电容翻倍，既不影响像素开口率又可以极大限度的增大存储电容，进而改善串扰等问题。实现显示画质改善，提升产品竞争力。
附图说明
17.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
18.图1为本实用新型的实施例提供的一种电容器的结构示意图；
19.图2为本实用新型的实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
20.图3为对应图2中b位置处的截面图；
21.图4为对应图2中c位置处的截面图。
具体实施方式
22.下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
23.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。
24.请详见图1-4，本技术提供了一种电容器，包括公共电极com、源漏金属层sd、第一透明电极ito 1，其中，所述公共电极com和所述第一透明电极ito 1分层设置，所述源漏金属层sd位于所述第一透明电极ito 1和所述公共电极com两层之间，所述第一透明电极ito 1和所述源漏金属层sd之间存在部分面积交叠，所述公共电极com和所述源漏金属层sd之间存在部分面积交叠。
25.可以理解的是，为了保证电容器的可靠性，每相邻的两个电极之间采用真空、或者固体绝缘材料、绝缘性的气体作为存储介质，从而可保证相邻两个电极之间的绝缘效果。在本技术实施例中，第一透明电极ito 1、源漏金属层sd、公共电极com之间采用绝缘层作为存储介质，还可以有效地避免相邻的两个电极之间发生短路现象。在应用时，绝缘层可以为钝化层或者平坦层等，可以选择氮化硅、氧化硅、氧化铝等无机材料。
26.在本技术实施例中，所述第一透明电极ito 1的材料为氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)。公共电极com的材料可以为透明材料或者不透明材料，例如金属材料，包括钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钛(ti)、钨(w)和铜(cu)中选择的至少一种金属。
27.在本技术实施例中，所述第一透明电极ito 1与所述公共电极com之间通过第一过孔10电连接。第一透明电极ito 1和所述公共电极com之间形成u形结构。中间增加sd层，形成u字型交叠电容。
28.所述源漏金属层sd与所述第一透明电极ito 1之间形成第一电容，所述第一电容的电容量与所述源漏金属层sd与所述第一透明电极ito 1之间的交叠面积正相关，且与所述源漏金属层sd与所述第一透明电极ito 1之间的距离负相关。
29.所述源漏金属层sd与所述公共电极com之间形成第二电容，所述第二电容的电容量与所述源漏金属层sd与所述公共电极com之间的交叠面积正相关，且与所述源漏金属层sd与所述公共电极com之间的距离负相关。
30.这样的叠层设计相当于两个电容并联，相同的交叠面积下得到的电容翻倍，由电
容公式可知，增大的电容可知，增大的电容其中s为增加sd与ito1和com交叠的面积，d1为ito1到sd厚度，d2为sd到com厚度。
31.在本技术实施例中，所述电容器还包括第二透明电极ito 2，所述第二透明电极ito 2与所述公共电极com同层设置。所述第二透明电极ito 2与所述源漏金属层sd之间通过第二过孔20电连接。
32.如图3所示，在本技术实施例中，所述第二过孔20为第一透明电极ito 1上图案化形成，所述第二过孔20自所述第一透明电极ito 1所在层位置处延伸至所述源漏金属层sd和所述第二透明电极ito 2的位置处。
33.需要说明的是，本技术实施例中采用第二过孔20与所述第一透明电极ito 1同层材料设置，可以方便加工。第二透明电极ito 2和公共电极com同层设置，第一透明电极ito 1与公共电极com之间通过过孔连接，另外，第一透明电极ito 1与源漏金属层sd之间可以是通过过孔连接，因此，第一过孔10和第二过孔20可以同时形成。
34.还需要说明的是，以上为第二过孔20实现方式的示例性说明，在其他一些实施例中，还包括现有技术中其他方式形成的过孔，本技术对此并不限制。在不违背本技术构思的基础上，还可以进行其他方式实现。
35.在本技术实施例中，所述第二透明电极ito 2为像素电极。通过源漏金属层sd与像素电极之间连接，实现对像素电极的控制，实现功能的驱动。
36.本技术提供了一种阵列基板，包括如以上任一所述的电容器。
37.本技术所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，根据在电路中的作用本技术的实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本技术实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中源极称为第一级，漏极称为第二级，因此，晶体管的栅极也可以称为第三极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。
38.此外，本技术实施例所采用的开关晶体管包括p型开关晶体管和n型开关晶体管两种，其中，p型开关晶体管在栅极为低电位时导通，在栅极为高电位时截止，n型开关晶体管为在栅极为高电位时导通，在栅极为低电位时截止；在本技术实施例中均以p型开关晶体管为示例性说明，在具体实施时，可以采用n型或p型作为实施方案。
39.本技术的实施方式以具有底栅结构的薄膜晶体管作为例子进行描述，其中栅极设置在源极和漏极下方，但本技术并不限于此例子。所属领域的普通技术人员将理解，本技术也涵盖例如具有顶栅结构的薄膜晶体管，其中栅极设置在源极和漏极上。因为具有顶栅结构的薄膜晶体管是已知的，因此其详细描述将被省略。
40.示例性的，所述薄膜晶体管包括衬底基板、有源层、源漏金属层sd、栅极金属层、栅极绝缘层、平坦层等。但本技术并不限于此，在不同的实施例中，薄膜晶体管的结构层级有所不同，所采用的材料也有所不同，在不违背本技术构思的基础上，可以采用不用的结构。
41.在像素列与像素列之间的间隔区域内设置有data数据线、vdd信号线、vss信号线等；在像素列与像素列之间的间隔区域内设置有gate线、reset、em信号线、vinit信号线等。
42.本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的电容器。
43.显示设备可以终端设备可以是数字个人助理笔记管理模块(pda)、智能型手机笔记管理模块(smart笔记管理模块phone)、手机、移动因特网装置笔记管理模块(mobile笔记管理模块internet笔记管理模块device，笔记管理模块mid)、笔记本型计算机、车用计算机、数字相机、数字媒体播放器、游戏装置或是其它类型的移动运算装置。应当了解本技术并不限于此。
44.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
45.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
46.除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本实用新型。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
47.本实用新型已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本实用新型限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本实用新型的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本实用新型所要求保护的范围以内。