一种R-T-B永磁体生产工艺的制作方法

技术特征：
1.一种r-t-b永磁体生产工艺，其特征在于：包括以下步骤：1）r-t-b烧结磁体毛坯在一个方向上切割为15mm以下作为厚度方向，厚度方向两侧为被溅射面；2）被溅射面进行表面处理后，对被溅射面进行重稀土溅射镀膜，被溅射面与磁化方向平行或垂直，其中，当被溅射面与磁化方向平行时，则重稀土溅射镀膜厚度为磁体厚度的0.12%~2.4%；3）步骤2）所得r-t-b烧结磁体毛坯在600~1000℃保温3~60h；其中，当被溅射面与磁化方向平行时，分两段保温，第一段保温温度600~900℃，保温0~50h，第二段保温800~1000℃，保温3~50h，且第二段保温比第一段保温温度高30~100℃；4）步骤3）所得r-t-b烧结磁体毛坯回火热处理，获得r-t-b永磁体。2.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤2）所述的表面处理包括除油、漂洗、防锈和烘干。3.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤2）所述的表面处理与重稀土溅射镀膜步骤之间还对r-t-b烧结磁体毛坯进行惰性气体环境下的离子轰击，轰击时长1~10min，压力0.01~1pa。4.根据权利要求3所述的永磁体生产工艺，其特征在于：所述的离子轰击前还对r-t-b烧结磁体毛坯进行预加热，预加热为在60~150℃环境下加热1~10min。5.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤2）所述的r-t-b烧结磁体毛坯有多个，且相邻的r-t-b烧结磁体毛坯侧面紧密贴合摆放。6.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤2）所述的重稀土溅射镀膜中，被溅射面与磁化方向垂直则重稀土溅射镀膜厚度为磁体厚度的0.1~1.5%。7.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤2）所述的重稀土溅射镀膜溅射时间为10~120min。8.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤3）所述的保温前将炉膛抽真空，真空度小于或等于0.005pa。9.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤3）所述的保温中，被溅射面与磁化方向垂直则采用870~970℃保温3~35h；被溅射面与磁化方向平行则第一段保温温度700~900℃，保温3~35h，第二段保温温度870~970℃，保温3~35h，且第二段保温比第一段保温温度高80~100℃。10.根据权利要求1所述的永磁体生产工艺，其特征在于：步骤4）所述的回火热处理为450~550℃保温3~6h。

技术总结
一种R-T-B永磁体生产工艺，属于永磁体重稀土溅射工艺技术领域。现有技术中的重稀土镀膜并扩散于R-T-B永磁体毛坯的方法生产效率低且无法实现非磁化方向上进行扩散。本发明对于被溅射面与磁化方向平行时，采用重稀土溅射镀膜厚度为磁体厚度的0.12%~2.4%，配合两段保温方法，实现大尺寸R-T-B永磁体毛坯的溅射镀膜，显著提高了生产效率，有效减少因单片毛坯尺寸小、摆放数量多导致的摆放整齐难度大，或者导致的磕边、崩坏或碎裂现象，显著提高了产品合格率。格率。格率。


技术研发人员：李建 李滨 杜伟 仉喜峰 刘涛 高矗 张守华 邓志伟 车一鸣
受保护的技术使用者：安泰科技股份有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/4/12