一种高光伏转换效率太阳能电池及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种高光伏转换效率太阳能电池及其制造方法，图1是表示以往的背接触型太阳能电池的结构图，包括.背接触型太阳能电池（1）包括半导体基板（2）、发射极层（3）、bsf(back surface field)层（4）、具有钝化特性的抗反射膜（5）、（6）和电极（7）、（8）等；根据权利要求1所述的一种高光伏转换效率太阳能电池及其制造方法，其特征在于：一种高光伏转换效率太阳能电池，包括在第一导电型半导体衬底的作为非光接收表面的背面： 第一导电型扩散层，其包含扩散在第一导电型半导体中的第一导电型杂质基质; 第二导电类型扩散层包括扩散在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型杂质；与第一导电型扩散层接触的第一电极；与第二导电类型扩散层接触的第二电极；以及形成在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间的高电阻层。2.根据权利要求1所述的高光电转换效率太阳能电池，其中，当从上方观察所述背面时，所述高电阻层形成为具有不小于1μm且不小于1μm的间隙的宽度。3.根据权利要求1所述的高光伏转换效率太阳能电池，其中，所述高电阻层包含扩散在所述第一导电类型半导体基板中的所述第一导电类型杂质和所述第二导电类型杂质；第二杂质扩散工序，在第一导电型半导体基板的整个背面扩散第二导电型杂质，形成第二导电型扩散层；保护层形成步骤，在第二导电型扩散层上形成保护层；第一保护层去除步骤，去除覆盖第二区域的部分保护层，同时从边界逐渐减小覆盖第三区域的部分保护层的厚度从保护层的原始厚度到几乎为0覆盖第一区域的部分与覆盖第二区域的部分的边界；第二导电类型扩散层去除步骤，去除在去除保护层之后暴露的第二导电类型扩散层，以暴露第二区域；第一杂质扩散工序，将第一导电型杂质通过保护层的锥形部分扩散到第二区域和第三区域，分别形成第一导电型扩散层和高阻层；第二保护层去除步骤，去除剩余的保护层；分别形成第一导电型扩散层和高阻层；第二保护层去除步骤，去除剩余的保护层；分别形成第一导电型扩散层和高阻层；第二保护层去除步骤，去除剩余的保护层；第一杂质扩散步骤，在第一导电型半导体衬底的整个背面上扩散第一导电型杂质以形成第一导电型扩散层；保护层形成步骤，在第一导电型扩散层上形成保护层；第一保护层去除步骤，去除覆盖第二区域的部分保护层，同时从边界逐渐减小覆盖第三区域的部分保护层的厚度从保护层的原始厚度到几乎为0覆盖第一区域的部分与覆盖第二区域的部分的边界；第一导电型扩散层去除步骤，去除在去除保护层之后暴露的第一导电型扩散层，以暴露第二区域；第二杂质扩散工序，将第二导电型杂质通过保护层的锥形部分扩散到第二区域和第三区域，分别形成第二导电型扩散层和高阻层；第二保护层去除步骤，去除剩余的保护层；分别形成第二导电型扩散层及高阻层；第二保护层去除步骤，去除剩余的保护层；分别形成第二导电型扩散层及高阻层；第二保护层去除步骤，去除剩余的保护层。4.根据权利要求4所述的高光电转换效率太阳能电池的制造方法，其特征在于，在所述第一保护层去除工序中，通过将蚀刻膏涂敷于所述保护层的覆盖所述第二保护层的部分，从而去除所述保护层并使其变薄；区域或用激光照射同一部分。5.根据权利要求4所述的高光电转换效率太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅层、氮化硅层、含杂质玻璃层、或层叠两个以上的层叠体；氧化硅层、氮化硅层和含杂质玻璃层的结构； 一种太阳能电池模块，包括多个根据权利要求1所述的高光伏转换效率太阳能电池； 一种光伏发电系统，包括根据权利要求8所述的太阳能电池模块；用于制造所述高光伏。
6.根据权利要求1所述的转换效率太阳能电池，其中，在所述第一保护层去除步骤中，通过将蚀刻膏施加到所述保护层的覆盖所述第二区域的部分或用激光照射该部分来去除所述保护层并使其变薄。7.根据权利要求1所述的高光电转换效率太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述保护层为氧化硅层、氮化硅层、含杂质玻璃层、或层叠两个以上的层叠体；氧化硅层、氮化硅层和含杂质玻璃层的结构。8.根据权利要求1所述的高光电转换效率太阳能电池，其特征在于，沿所述第一导电型半导体基板的厚度方向，所述第一导电型扩散层的整体位于所述第二导电型扩散层整体的上方或下方。9.根据权利要求1所述的高光电转换效率太阳能电池，一种高光伏转换效率太阳能电池，包括在作为非光接收表面的第一导电类型半导体衬底的背面上： 第一导电类型扩散层，其包含扩散在第一导电类型半导体中的第一导电类型杂质基质; 第二导电类型扩散层包括扩散在第一导电类型半导体衬底中的第二导电类型杂质；与第一导电型扩散层接触的第一电极；与第二导电类型扩散层接触的第二电极；以及形成在第一导电型扩散层和第二导电型扩散层之间的高电阻层，500mm深度的位置，由此模块可较为牢固的稳定在指定种植沙地，不易遭受风沙侵袭。

技术总结
本发明提供一种背接触型太阳能电池，其具有高光电转换效率，可以容易地以良好的产量和低成本制造。本发明的高光电转换效率太阳能电池在作为非受光面的第1导电型半导体基板的背面具有扩散有第1导电型杂质的第1导电型扩散层；以及第二导电型扩散层，其中扩散有第二导电型杂质；以及形成于第一导电型扩散层与第二导电型扩散层之间的高阻层或本征半导体层，实现高光伏转换效率太阳能电池及其制造目的。现高光伏转换效率太阳能电池及其制造目的。现高光伏转换效率太阳能电池及其制造目的。


技术研发人员：孙震 薛冬梅 苗现俪 王星浩
受保护的技术使用者：北京丰润铭科贸有限责任公司
技术研发日：2022.01.26
技术公布日：2022/4/12