一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片与流程

技术特征：
1.一种单晶硅片的生产方法，其特征在于，所述方法包括：获取单晶硅，并将所述单晶硅固定于晶托；控制所述晶托固定有所述单晶硅的一侧下压，利用切割装置对所述单晶硅进行切割，所述切割装置包括：金刚石切割线，所述金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，所述金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对所述单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对所述切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制所述晶托上移，再将所述单晶硅从所述晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将所述单晶硅片逐片插入花篮中，对每个所述单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，在上移所述晶托时，控制所述切割装置的金刚石切割线切割线速为4~10米每分钟，所述单晶硅的台速为10~50毫米每分钟。3.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，将所述单晶硅片逐片插入花篮中时，包括以下步骤：逐片将所述单晶硅片输送往花篮，花篮逐级向上移动；其中，在所述单晶硅片输送过程中，向所述单晶硅片吹送干燥气流，所述干燥气流的风向与所述单晶硅片的运输方向成一干燥夹角，所述干燥夹角为钝角；在所述单晶硅片插入花篮后，向位于所述花篮最低一层的所述单晶硅片吹送顶升气流，所述顶升气流的风向与所述单晶硅片在所述花篮的隔板中的插入水平面成一顶升夹角，所述顶升夹角为锐角；所述干燥气流和顶升气流分别在所述单晶硅片上形成0.2~0.3mpa的气压。4.根据权利要求3所述的生产方法，其特征在于，将所述单晶硅片逐片插入花篮中时，包括以下步骤：利用排片机将所述多个单晶硅片逐片向所述花篮的隔板中输送，所述花篮按照所述排片机的排片速度逐级上移，使每一片所述单晶硅片插入至一层隔板中，所述排片机的排片速度为80~85片每分钟。5.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述对每个所述单晶硅片进行清洗处理，包括：向清洗装置中加入7~8升的双氧水，以及80~120克的氢氧化钠；将所述多个单晶硅片分批次放置于所述清洗装置中进行清洗，清洗时，设定清洗温度为：40~45摄氏度，设定清洗时间为：190~220秒。6.根据权利要求5所述的生产方法，其特征在于，所述方法还包括：在检测到所述清洗装置中的单晶硅片的数量大于预设阈值时，在所述清洗装置添加2~3升的双氧水。7.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述晶托包括塑料板和金属板，所述塑料板为实心结构，所述塑料板的硬度为85~95兆帕，将所述单晶硅固定于晶托上包括以下步骤：先将塑料板固定于金属板，再将所述单晶硅固定于所述塑料板。
8.根据权利要求7所述的生产方法，其特征在于，在将塑料板固定于金属板的底面，再将所述单晶硅固定于所述塑料板的底面时，包括以下步骤：利用粘接材料将所述塑料板固定于所述金属板，再利用粘接材料将所述单晶硅固定于所述塑料板，所述粘接材料包括粘结剂和固化剂，所述粘结剂和固化剂的比例为1.2~1.5：1。9.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所述方法还包括：对所述多个目标单晶硅片进行抽取检测，并将满足检测条件的目标单晶硅片按设定放置速度放置于预设容器；抽取检测时的抽取速度为6800~7200片/小时，所述设定放置速度为：6000~7000片/小时。10.一种单晶硅片，其特征在于，所述单晶硅片采用权利要求1-9中任一项所述单晶硅片的生产方法生产得到。

技术总结
本发明公开一种单晶硅片的生产方法及单晶硅片，涉及半导体硅片的生产制造领域，能够生产出120微米厚度以下的单晶硅片，从而能够降低硅片的生产成本。具体方案包括：获取单晶硅，并将单晶硅固定于晶托；控制晶托固定有单晶硅的一侧下压，利用切割装置对单晶硅进行切割，切割装置包括：金刚石切割线，金刚石切割线包括颗粒粒径范围在4~10μm的金刚石，金刚石切割线的张力为4.7~5.7牛；在切割过程中利用喷淋装置对单晶硅进行喷淋处理，且利用导轮吹气装置对切割装置进行清洁处理；下压切割行程结束后，控制晶托上移，再将单晶硅从晶托处脱离，得到多个单晶硅片；将单晶硅片逐片插入花篮中，对每个单晶硅片进行清洗处理，得到多个目标单晶硅片。目标单晶硅片。目标单晶硅片。


技术研发人员：徐志群 孙彬 付明全 杨振忠 马伟萍
受保护的技术使用者：广东高景太阳能科技有限公司
技术研发日：2022.03.14
技术公布日：2022/4/12