一种电容器、制造方法和电子设备与流程

技术特征：
1.一种电容器，其特征在于，包括：底部电极，所述底部电极包括堆叠的多个圆柱部分，所述多个圆柱部分的直径自下而上逐渐减小；介电膜，覆盖于所述底部电极外；顶部电极，覆盖于所述介电膜外。2.一种电容器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：形成底部电极，所述底部电极包括堆叠的多个圆柱部分，所述多个圆柱部分的直径自下而上逐渐减小；在所述底部电极外形成介电膜；在所述介电膜上沉积顶部电极。3.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述形成底部电极，所述底部电极包括堆叠的多个圆柱部分，所述多个圆柱部分的直径自下而上逐渐减小，包括如下步骤：在半导体基板上的第一金属间介电层中形成柱形底部电极的第一层电极；在所述第一层电极上依次沉积多层金属间介电层并在每层金属间介电层中形成直径小于前一层电极且堆叠在前一层电极上的后一层电极，直至形成最后一层电极，堆叠的各层电极形成柱形底部电极；刻蚀各金属间介电层，露出堆叠的所述底部电极。4.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述在半导体基板上的第一金属间介电层中形成柱形底部电极的第一层电极，包括如下步骤：在半导体基板上沉积第一金属间介电层；刻蚀第一金属间介电层，形成凹槽；在所述凹槽中沉积底电极材料，形成底电极层；平坦化所述底电极层和第一金属间介电层，在所述第一金属间介电层中形成柱形底部电极的第一层电极。5.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述在所述第一层电极上依次沉积多层金属间介电层并在每层金属间介电层中形成直径小于前一层电极且堆叠在前一层电极上的后一层电极，直至形成最后一层电极，堆叠的各层电极形成柱形底部电极，包括如下步骤：在所述第一层电极上沉积后一层金属间介电层；刻蚀后一层金属间介电层，在第一层电极上形成对应第一层电极且直径小于第一层电极的孔；在所述孔中沉积底电极材料，形成叠在所述第一层电极上且与第一层电极接触的后一层底电极层；平坦化所述后一层底电极层和后一层金属间介电层，在所述后一层金属间介电层中形成直径小于前一层电极且堆叠在前一层电极上的后一层电极；依次类推，直至形成最后一层电极，堆叠的各层电极形成柱形底部电极。6.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述刻蚀各金属间介电层的方法包括：湿刻和回蚀。
7.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述金属间介电层的材料包括氧化物。8.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述电极的材料包括：金属单质、金属合金以及金属氮化物。9.如权利要求2所述的电容器的制造方法，其特征在于，所述介电膜的材料包括：氧化硅或氮化硅。10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1所述的电容器。11.如权利要求10所述的电子设备，其特征在于，包括智能电话、计算机、平板电脑、可穿戴智能设备、人工智能设备、移动电源。

技术总结
本发明涉及一种电容器、制造方法和电子设备。电容器包括：底部电极，所述底部电极包括堆叠的多个圆柱部分，所述多个圆柱部分的直径自下而上逐渐减小；介电膜，覆盖于所述底部电极外；顶部电极，覆盖于所述介电膜外。堆叠的多个直径自下而上逐渐减小的圆柱部分形成底部电极，使底部电极的高度在制造时易调整，并且，在高度较高时也不易倒塌。高度较高时也不易倒塌。高度较高时也不易倒塌。


技术研发人员：柳圣浩 周娜 王佳 李琳 李俊杰
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.09.30
技术公布日：2022/4/12